CN113206117A - 一种指纹识别封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种指纹识别封装结构及其制造方法。该指纹识别封装结构包括:指纹识别芯片包括分别位于第一、第二、第三、第四侧面的第一、第二、第三、第四沟槽,在所述第一沟槽的下部设置有第一导电块,在所述第一沟槽的上部设置有柔性绝缘块,在所述第二沟槽中设置有第一电容,在所述第三沟槽中设置有第二导电块,所述焊盘与所述第二导电块通过金属线路层电连接,所述第四沟槽中设置有第二电容;所述第一、第二导电块和所述第一、第二电容分别电连接至电路板;一密封树脂层中设置有暴露所述第一导电块的开口,所述开口中设置有导电橡胶块;所述密封树脂层上设置有静电传导环,所述静电传导环与所述导电橡胶块电连接。

Description

一种指纹识别封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体封装领域,具体涉及一种指纹识别封装结构及其制造方法。
背景技术
指纹识别技术的发展得益于现代电子集成制造技术和快速可靠的算法的研究。尽管指纹只是人体皮肤的一小部分,但用于识别的数据量相当大,对这些数据进行比对也不是简单的相等与不相等的问题,而是使用需要进行大量运算的模糊匹配算法。现代电子集成制造技术使得我们可以制造相当小的指纹图象读取设备,同时飞速发展的个人计算机运算速度提供了在微机甚至单片机上可以进行两个指纹的比对运算的可能。另外,匹配算法可靠性也不断提高,指纹识别技术己经非常实用。
指纹识别技术可以通过几种方法应用到许多方面。通过使用指纹验证来取代各个计算机应用程序的密码就是最为典型的实例。可以想象如果计算机上的所有系统和应用程序都可以使用指纹验证的话,人们使用计算机就会非常方便和安全,用户不再讨厌必要的安全性检查,而IT开发商的售后服务工作也会减轻许多。把指纹识别技术同IC卡结合起来,是目前最有前景的一个方向之一。该技术把卡的主人的指纹存储在IC卡上,并在IC卡的读卡机上加装指纹识别系统,当读卡机阅读卡上的信息时,一并读入持卡者的指纹,通过比对卡上的指纹与持卡者的指纹就可以确认持卡者是否是卡的真正主人,从而进行下一步的交易。在更加严格的场合,还可以进一步同后端主机系统数据库上的指纹作比较。。
现有的指纹识别封装结构的使用过程中,需要用手指接触指纹识别封装结构的指纹识别区。由于人体带有静电,而在指纹识别过程中,当手指接触指纹识别区时会瞬间放电,进而会影响指纹识别封装结构的准确性和灵敏度。
发明内容
本发明的目的是克服上述现有技术的不足,提供一种指纹识别封装结构及其制造方法。
为实现上述目的,本发明提出的一种指纹识别封装结构的制造方法,包括以下步骤:
(1)提供一临时载体基板,在所述临时载体基板上设置一指纹识别芯片,所述指纹识别芯片包括上表面、下表面以及位于所述上表面和所述下表面之间的依次连接的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面,在所述指纹识别芯片的上表面设置有识别区以及位于所述识别区的一侧的焊盘。
(2)接着在所述指纹识别芯片的所述第一侧面、第二侧面、第三侧面、第四侧面上分别形成贯穿所述指纹识别芯片的第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽、第四沟槽。
(3)接着沉积绝缘材料以覆盖所述第一、第二、第三、第四侧面以及所述第一、第二、第三、第四沟槽的侧壁和底面。
(4)接着在所述第一沟槽的下部形成第一导电块,接着在所述第一沟槽的上部形成柔性绝缘块,所述第一导电块与所述柔性绝缘共同填满所述第一沟槽。
(5)接着在第三沟槽中沉积导电材料以形成第二导电块,接着在所述焊盘与所述第二导电块之间形成金属线路层,以使得所述焊盘与所述第二导电块电连接。
(6)接着在所述第二沟槽的底面形成第一金属层,接着在所述第一金属层上形成第一介质层,接着在所述第一介质层上形成第二金属层,其中,所述第一金属层作为第一电容的第一电极层,所述第一介质层作为所述第一电容的介质层,所述第二金属层作为所述第一电容的第二电极层。
(7)接着在所述第四沟槽的底面形成第三金属层,接着在所述第三金属层上形成第二介质层,接着在所述第二介质层上形成第四金属层,其中,所述第三金属层作为第二电容的第一电极层,所述第二介质层作为所述第二电容的介质层,所述第四金属层作为所述第二电容的第二电极层。
(8)接着提供一电路板,接着将所述指纹识别芯片的下表面结合至所述电路板,进而使得所述第一导电块、所述第二导电块、所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属分别电连接至所述电路板。
(9)接着在所述电路板上设置一密封树脂层,所述密封树脂层覆盖所述指纹识别芯片且高于所述指纹识别芯片,接着在所述密封树脂层中形成一开口,所述开口暴露所述第一导电块,接着在所述开口中设置一导电橡胶块。
(10)接着在所述密封树脂层上形成静电传导环,所述静电传导环与所述导电橡胶块电连接,接着在所述密封树脂层上形成保护层,所述保护层与所述静电传导环紧邻设置。
作为优选,所述焊盘仅位于所述识别区的一侧,且所述焊盘邻近所述第三沟槽。
作为优选,所述第一导电块的高度与所述第一沟槽的的高度的比值大于2/3且小于1。
作为优选,在所述步骤(4)和(5)中,通过同一沉积工艺在所述第一沟槽和所述第三沟槽中沉积导电材料以填满所述第一沟槽和所述第三沟槽,进而通过刻蚀工艺去除所述第一沟槽中的所述导电材料的一部分,以在第三沟槽中形成第二导电块,并在在所述第一沟槽的下部形成第一导电块,接着在所述第一沟槽的上部形成柔性绝缘块,所述第一导电块与所述柔性绝缘共同填满所述第一沟槽。
作为优选,在所述步骤(6)和(7)中,所述第一、第二、第三、第四金属层通过化学气相沉积、原子层沉积、磁控溅射、电镀、化学镀、蒸镀中的一种或多种工艺形成,所述第一、第二、第三、第四金属层的材质为铜、铝、银、钛、钯、镍、钨、氮化钛中的一种或多种。
作为优选,在所述步骤(6)和(7)中,所述第一介质层和所述第二介质层为高K介质材料,所述第一介质层和所述第二介质层通过化学气相沉积工艺形成。
作为优选,所述导电橡胶块包括橡胶材料以及均匀分散在所述橡胶材料中的银纳米颗粒和/或石墨颗粒和/或铜镍纳米颗粒。
本发明还提出一种指纹识别封装结构,包括:
一电路板;
一指纹识别芯片,所述指纹识别芯片包括上表面、下表面以及位于所述上表面和所述下表面之间的依次连接的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面,在所述指纹识别芯片的上表面设置有识别区以及位于所述识别区的一侧的焊盘,所述指纹识别芯片设置在所述电路板上;
所述指纹识别芯片还包括分别位于所述第一、第二、第三、第四侧面的第一、第二、第三、第四沟槽,在所述第一沟槽的下部设置有第一导电块,在所述第一沟槽的上部设置有柔性绝缘块,在所述第二沟槽中设置有第一电容,在所述第三沟槽中设置有第二导电块,所述焊盘与所述第二导电块通过金属线路层电连接,所述第四沟槽中设置有第二电容;
所述第一导电块、所述第二导电块、所述第一电容和所述第二电容分别电连接至所述电路板;
一密封树脂层,所述密封树脂层覆盖所述指纹识别芯片且高于所述指纹识别芯片,所述密封树脂层中设置有暴露所述第一导电块的开口,所述开口中设置有导电橡胶块;
所述密封树脂层上设置有静电传导环,所述静电传导环与所述导电橡胶块电连接;
所述密封树脂层上设置有保护层,所述保护层与所述静电传导环紧邻设置。
本发明的有益效果在于:
在本发明的指纹识别封装结构中,通过在指纹识别芯片的第一、第二、第三、第四侧面分别设置第一、第二、第三、第四沟槽,在所述第一沟槽的下部设置有第一导电块,在所述第一沟槽的上部设置有柔性绝缘块,进而在密封树脂层中设置有暴露所述第一导电块的开口,所述开口中设置有导电橡胶块,且在密封树脂层上设置有静电传导环,所述静电传导环与所述导电橡胶块电连接,上述结构的设置可以方便在利用手指按压指纹识别封装结构的过程中,手指带有的静电会首先通过静电传导环、导电橡胶块以及第一导电块传导至电路板,进而在后续的指纹识别过程中,可以确保指纹识别封装结构的准确性和灵敏度。同时在所述第二沟槽中设置有第一电容,在所述第三沟槽中设置有第二导电块,所述焊盘与所述第二导电块通过金属线路层电连接,所述第四沟槽中设置有第二电容,上述结构的设置一方面可以避免金属引线的使用,进而可以确保电连接的稳固性,同时通过直接在指纹识别芯片上集成电容元件,以避免额外设置电容元件,进而避免二次封装工艺,进而可以减少指纹识别封装结构的体积,以便于实现小型化。
附图说明
图1-图7为本发明的一种指纹识别封装结构的制造方法中的各步骤的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
要了解的是以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例,以实施提供的主体的不同部件。以下叙述各个构件及其排列方式的特定范例,以求简化公开内容的说明。当然,这些仅为范例并非用以限定本公开。例如,以下的公开内容叙述了将一第一部件形成于一第二部件之上或上方,即表示其包含了所形成的上述第一部件与上述第二部件是直接接触的实施例,亦包含了尚可将附加的部件形成于上述第一部件与上述第二部件之间,而使上述第一部件与上述第二部件可能未直接接触的实施例。另外,公开内容中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字是为了简化与清晰的目的,并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。
在本申请的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电气连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,还可以是两个元件内部的连通,可以是无线连接,也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外,下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
请参考图1~图7。需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想,遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。
参考图1~图7所示,本实施例提供一种指纹识别封装结构的制造方法。
在具体的实施例中,参考图1,图1为俯视图,首先进行步骤(1),提供一临时载体基板10,在所述临时载体基板10上设置一指纹识别芯片11,所述指纹识别芯片11包括上表面、下表面以及位于所述上表面和所述下表面之间的依次连接的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面,在所述指纹识别芯片11的上表面设置有识别区12以及位于所述识别区12的一侧的焊盘13。
在具体的实施例中,所述焊盘13仅位于所述识别区12的一侧。
在具体的实施例中,利用粘结层将所述指纹识别芯片11设置在所述临时载体基板10上。
在具体的实施例中,参考图2,图2为俯视图,接着进行步骤(2),接着在所述指纹识别芯片11的所述第一侧面、第二侧面、第三侧面、第四侧面上分别形成贯穿所述指纹识别芯片11的第一沟槽111、第二沟槽112、第三沟槽113、第四沟槽114。
在具体的实施例中,所述焊盘13仅位于所述识别区12的一侧,且所述焊盘13邻近所述第三沟槽113。
在具体的实施例中,通过旋涂光刻胶以形成覆盖所述指纹识别芯片11的光刻胶掩膜,并利用所述光刻胶掩膜对所述指纹识别芯片11进行刻蚀处理,以分别形成所述第一沟槽111、第二沟槽112、第三沟槽113、第四沟槽114。
在具体的实施例中,参考图2,接着进行步骤(3),接着沉积绝缘材料以覆盖所述第一、第二、第三、第四侧面以及所述第一、第二、第三、第四沟槽的侧壁和底面(未图示)。
在具体的实施例中,所述绝缘材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化铪中的一种或多种,进而通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成。
在具体的实施例中,参考图3,图3为沿着第一沟槽111和第三沟槽113的方向的横截面图,接着进行步骤(4),接着在所述第一沟槽111的下部形成第一导电块21,接着在所述第一沟槽111的上部形成柔性绝缘块22,所述第一导电块21与所述柔性绝缘块22共同填满所述第一沟槽111。
在具体的实施例中,所述第一导电块21的高度与所述第一沟槽的高度的比值大于2/3且小于1,通过设置第一导电块21的高度,一方面便于第一导电块与后续的导电橡胶块电连接,另一方面则是确保柔性绝缘块22具有足够的高度,进而避免柔性绝缘块22剥离。
在具体的实施例中,所述第一导电块21的材料是铜、铝、银、钛、镍、钯中的一种或多种,且所述第一导电块21通过磁控溅射工艺、热蒸镀、电镀、化学镀或其他合适的工艺形成。
在具体的实施例中,所述柔性绝缘块22为树脂材料,进而可以通过狭缝涂布、滴涂等合适的涂覆工艺形成。
在具体的实施例中,参考图3,接着进行步骤(5),接着在第三沟槽中沉积导电材料以形成第二导电块23,接着在所述焊盘13与所述第二导电块23之间形成金属线路层24,以使得所述焊盘13与所述第二导电块23电连接。
在具体的实施例中,所述第二导电块23和所述金属线路层24的材料是铜、铝、银、钛、镍、钯中的一种或多种,且所述第二导电块23和所述金属线路层24通过磁控溅射工艺、热蒸镀、电镀、化学镀或其他合适的工艺形成。
在具体的制备工艺中,在所述步骤(4)和(5)中,通过同一沉积工艺在所述第一沟槽111和所述第三沟槽113中沉积导电材料以填满所述第一沟槽111和所述第三沟槽113,并在所述焊盘13与所述第二导电块23之间形成金属线路层24,进而通过刻蚀工艺去除所述第一沟槽111中的所述导电材料的一部分,以在第三沟槽113中形成第二导电块23,并在在所述第一沟槽111的下部形成第一导电块21,接着在所述第一沟槽111的上部形成柔性绝缘块22,所述第一导电块21与所述柔性绝缘22共同填满所述第一沟槽。
在具体的实施例中,参考图4,图4为沿着第二沟槽112和第四沟槽114的方向的横截面图,接着进行步骤(6),接着在所述第二沟槽112的底面形成第一金属层31,接着在所述第一金属层31上形成第一介质层32,接着在所述第一介质层32上形成第二金属层33,其中,所述第一金属层31作为第一电容的第一电极层,所述第一介质层32作为所述第一电容的介质层,所述第二金属层33作为所述第一电容的第二电极层。
在具体的实施例中,参考图4,接着进行步骤(7),接着在所述第四沟槽114的底面形成第三金属层41,接着在所述第三金属层41上形成第二介质层42,接着在所述第二介质层42上形成第四金属层43,其中,所述第三金属层41作为第二电容的第一电极层,所述第二介质层42作为所述第二电容的介质层,所述第四金属层43作为所述第二电容的第二电极层。
在具体的实施例中,在所述步骤(6)和(7)中,所述第一、第二、第三、第四金属层通过化学气相沉积、原子层沉积、磁控溅射、电镀、化学镀、蒸镀中的一种或多种工艺形成,所述第一、第二、第三、第四金属层的材质为铜、铝、银、钛、钯、镍、钨、氮化钛中的一种或多种。在所述步骤(6)和(7)中,所述第一介质层和所述第二介质层为高K介质材料,所述第一介质层和所述第二介质层通过化学气相沉积工艺形成。
在具体的实施例中,所述第一、第二、第三、第四金属层的材质为铜层和钨层,所述第一介质层和所述第二介质层为氧化锆层、氧化铪层或氧化硅层。
在具体的实施例中,参考图5,图5为沿着第一沟槽111和第三沟槽113的方向的横截面图,接着进行步骤(8),接着提供一电路板50,接着将所述指纹识别芯片11的下表面结合至所述电路板50,进而使得所述第一导电块21、所述第二导电块23、所述第一金属层31、所述第二金属层33、所述第三金属层41和所述第四金属43分别电连接至所述电路板50。
在具体的实施例中,利用导电胶或导电焊料将所述指纹识别芯片11的所述第一导电块21、所述第二导电块23、所述第一金属层31、所述第二金属层33、所述第三金属层41和所述第四金属43分别电连接至所述电路板50,进而避免金属引线的使用,进而在后续的封装过程中,可以防止由于金属引线的松动而导致指纹识别封装结构失效的情况。
在具体的实施例中,参考图6,接着进行步骤(9),接着在所述电路板50上设置一密封树脂层60,所述密封树脂层60覆盖所述指纹识别芯片11且高于所述指纹识别芯片11,接着在所述密封树脂层60中形成一开口61,所述开口61暴露所述第一导电块21,接着在所述开口61中设置一导电橡胶块70。
在具体的实施例中,所述导电橡胶块70包括橡胶材料以及均匀分散在所述橡胶材料中的银纳米颗粒和/或石墨颗粒和/或铜镍纳米颗粒。
在具体的实施例中,所述密封树脂层60可以为环氧树脂层,进而通过机械切割或激光烧蚀工艺形成所述开口61,进而将所述导电橡胶块70填入所述开口61。
在具体的实施例中,参考图7,接着进行步骤(10),接着在所述密封树脂层60上形成静电传导环80,所述静电传导环80与所述导电橡胶块70电连接,接着在所述密封树脂层60上形成保护层90,所述保护层90与所述静电传导环80紧邻设置。且所述保护层90覆盖所述指纹识别芯片11的识别区12。
在具体的实施例中,参考图7,本发明还提出一种指纹识别封装结构,包括:
一电路板50;
一指纹识别芯片11,所述指纹识别芯片11包括上表面、下表面以及位于所述上表面和所述下表面之间的依次连接的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面,在所述指纹识别芯片11的上表面设置有识别区12以及位于所述识别区12的一侧的焊盘13,所述指纹识别芯片11设置在所述电路板50上;
所述指纹识别芯片11还包括分别位于所述第一、第二、第三、第四侧面的第一、第二、第三、第四沟槽111-114,在所述第一沟槽111的下部设置有第一导电块21,在所述第一沟槽111的上部设置有柔性绝缘块22,在所述第二沟槽112中设置有第一电容,在所述第三沟槽113中设置有第二导电块23,所述焊盘13与所述第二导电块23通过金属线路层24电连接,所述第四沟槽中设置有第二电容;
所述第一导电块21、所述第二导电块23、所述第一电容和所述第二电容分别电连接至所述电路板50;
一密封树脂层60,所述密封树脂层60覆盖所述指纹识别芯片11且高于所述指纹识别芯片11,所述密封树脂层60中设置有暴露所述第一导电块21的开口61,所述开口61中设置有导电橡胶块70;
所述密封树脂层60上设置有静电传导环80,所述静电传导环80与所述导电橡胶块70电连接,且所述导电橡胶块70与所述第一导电块21电连接;
所述密封树脂层70上设置有保护层90,所述保护层90与所述静电传导环80紧邻设置。
在其他实施例中,本发明提出的一种指纹识别封装结构的制造方法,包括以下步骤:
(1)提供一临时载体基板,在所述临时载体基板上设置一指纹识别芯片,所述指纹识别芯片包括上表面、下表面以及位于所述上表面和所述下表面之间的依次连接的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面,在所述指纹识别芯片的上表面设置有识别区以及位于所述识别区的一侧的焊盘。
(2)接着在所述指纹识别芯片的所述第一侧面、第二侧面、第三侧面、第四侧面上分别形成贯穿所述指纹识别芯片的第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽、第四沟槽。
(3)接着沉积绝缘材料以覆盖所述第一、第二、第三、第四侧面以及所述第一、第二、第三、第四沟槽的侧壁和底面。
(4)接着在所述第一沟槽的下部形成第一导电块,接着在所述第一沟槽的上部形成柔性绝缘块,所述第一导电块与所述柔性绝缘共同填满所述第一沟槽。
(5)接着在第三沟槽中沉积导电材料以形成第二导电块,接着在所述焊盘与所述第二导电块之间形成金属线路层,以使得所述焊盘与所述第二导电块电连接。
(6)接着在所述第二沟槽的底面形成第一金属层,接着在所述第一金属层上形成第一介质层,接着在所述第一介质层上形成第二金属层,其中,所述第一金属层作为第一电容的第一电极层,所述第一介质层作为所述第一电容的介质层,所述第二金属层作为所述第一电容的第二电极层。
(7)接着在所述第四沟槽的底面形成第三金属层,接着在所述第三金属层上形成第二介质层,接着在所述第二介质层上形成第四金属层,其中,所述第三金属层作为第二电容的第一电极层,所述第二介质层作为所述第二电容的介质层,所述第四金属层作为所述第二电容的第二电极层。
(8)接着提供一电路板,接着将所述指纹识别芯片的下表面结合至所述电路板,进而使得所述第一导电块、所述第二导电块、所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属分别电连接至所述电路板。
(9)接着在所述电路板上设置一密封树脂层,所述密封树脂层覆盖所述指纹识别芯片且高于所述指纹识别芯片,接着在所述密封树脂层中形成一开口,所述开口暴露所述第一导电块,接着在所述开口中设置一导电橡胶块。
(10)接着在所述密封树脂层上形成静电传导环,所述静电传导环与所述导电橡胶块电连接,接着在所述密封树脂层上形成保护层,所述保护层与所述静电传导环紧邻设置。
根据本发明的一个实施方式,所述焊盘仅位于所述识别区的一侧,且所述焊盘邻近所述第三沟槽。
根据本发明的一个实施方式,所述第一导电块的高度与所述第一沟槽的的高度的比值大于2/3且小于1。
根据本发明的一个实施方式,在所述步骤(4)和(5)中,通过同一沉积工艺在所述第一沟槽和所述第三沟槽中沉积导电材料以填满所述第一沟槽和所述第三沟槽,进而通过刻蚀工艺去除所述第一沟槽中的所述导电材料的一部分,以在第三沟槽中形成第二导电块,并在在所述第一沟槽的下部形成第一导电块,接着在所述第一沟槽的上部形成柔性绝缘块,所述第一导电块与所述柔性绝缘共同填满所述第一沟槽。
根据本发明的一个实施方式,在所述步骤(6)和(7)中,所述第一、第二、第三、第四金属层通过化学气相沉积、原子层沉积、磁控溅射、电镀、化学镀、蒸镀中的一种或多种工艺形成,所述第一、第二、第三、第四金属层的材质为铜、铝、银、钛、钯、镍、钨、氮化钛中的一种或多种。
根据本发明的一个实施方式,在所述步骤(6)和(7)中,所述第一介质层和所述第二介质层为高K介质材料,所述第一介质层和所述第二介质层通过化学气相沉积工艺形成。
根据本发明的一个实施方式,所述导电橡胶块包括橡胶材料以及均匀分散在所述橡胶材料中的银纳米颗粒和/或石墨颗粒和/或铜镍纳米颗粒。
根据本发明的一个实施方式,本发明还提出一种指纹识别封装结构,包括:
一电路板;
一指纹识别芯片,所述指纹识别芯片包括上表面、下表面以及位于所述上表面和所述下表面之间的依次连接的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面,在所述指纹识别芯片的上表面设置有识别区以及位于所述识别区的一侧的焊盘,所述指纹识别芯片设置在所述电路板上;
所述指纹识别芯片还包括分别位于所述第一、第二、第三、第四侧面的第一、第二、第三、第四沟槽,在所述第一沟槽的下部设置有第一导电块,在所述第一沟槽的上部设置有柔性绝缘块,在所述第二沟槽中设置有第一电容,在所述第三沟槽中设置有第二导电块,所述焊盘与所述第二导电块通过金属线路层电连接,所述第四沟槽中设置有第二电容;
所述第一导电块、所述第二导电块、所述第一电容和所述第二电容分别电连接至所述电路板;
一密封树脂层,所述密封树脂层覆盖所述指纹识别芯片且高于所述指纹识别芯片,所述密封树脂层中设置有暴露所述第一导电块的开口,所述开口中设置有导电橡胶块;
所述密封树脂层上设置有静电传导环,所述静电传导环与所述导电橡胶块电连接;
所述密封树脂层上设置有保护层,所述保护层与所述静电传导环紧邻设置。
本发明的有益效果在于:
在本发明的指纹识别封装结构中,通过在指纹识别芯片的第一、第二、第三、第四侧面分别设置第一、第二、第三、第四沟槽,在所述第一沟槽的下部设置有第一导电块,在所述第一沟槽的上部设置有柔性绝缘块,进而在密封树脂层中设置有暴露所述第一导电块的开口,所述开口中设置有导电橡胶块,且在密封树脂层上设置有静电传导环,所述静电传导环与所述导电橡胶块电连接,上述结构的设置可以方便在利用手指按压指纹识别封装结构的过程中,手指带有的静电会首先通过静电传导环、导电橡胶块以及第一导电块传导至电路板,进而在后续的指纹识别过程中,可以确保指纹识别封装结构的准确性和灵敏度。同时在所述第二沟槽中设置有第一电容,在所述第三沟槽中设置有第二导电块,所述焊盘与所述第二导电块通过金属线路层电连接,所述第四沟槽中设置有第二电容,上述结构的设置一方面可以避免金属引线的使用,进而可以确保电连接的稳固性,同时通过直接在指纹识别芯片上集成电容元件,以避免额外设置电容元件,进而避免二次封装工艺,进而可以减少指纹识别封装结构的体积,以便于实现小型化。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (8)

1.一种指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)提供一临时载体基板,在所述临时载体基板上设置一指纹识别芯片,所述指纹识别芯片包括上表面、下表面以及位于所述上表面和所述下表面之间的依次连接的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面,在所述指纹识别芯片的上表面设置有识别区以及位于所述识别区的一侧的焊盘;
(2)接着在所述指纹识别芯片的所述第一侧面、第二侧面、第三侧面、第四侧面上分别形成贯穿所述指纹识别芯片的第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽、第四沟槽;
(3)接着沉积绝缘材料以覆盖所述第一、第二、第三、第四侧面以及所述第一、第二、第三、第四沟槽的侧壁和底面;
(4)接着在所述第一沟槽的下部形成第一导电块,接着在所述第一沟槽的上部形成柔性绝缘块,所述第一导电块与所述柔性绝缘共同填满所述第一沟槽;
(5)接着在第三沟槽中沉积导电材料以形成第二导电块,接着在所述焊盘与所述第二导电块之间形成金属线路层,以使得所述焊盘与所述第二导电块电连接;
(6)接着在所述第二沟槽的底面形成第一金属层,接着在所述第一金属层上形成第一介质层,接着在所述第一介质层上形成第二金属层,其中,所述第一金属层作为第一电容的第一电极层,所述第一介质层作为所述第一电容的介质层,所述第二金属层作为所述第一电容的第二电极层;
(7)接着在所述第四沟槽的底面形成第三金属层,接着在所述第三金属层上形成第二介质层,接着在所述第二介质层上形成第四金属层,其中,所述第三金属层作为第二电容的第一电极层,所述第二介质层作为所述第二电容的介质层,所述第四金属层作为所述第二电容的第二电极层;
(8)接着提供一电路板,接着将所述指纹识别芯片的下表面结合至所述电路板,进而使得所述第一导电块、所述第二导电块、所述第一金属层、所述第二金属层、所述第三金属层和所述第四金属分别电连接至所述电路板;
(9)接着在所述电路板上设置一密封树脂层,所述密封树脂层覆盖所述指纹识别芯片且高于所述指纹识别芯片,接着在所述密封树脂层中形成一开口,所述开口暴露所述第一导电块,接着在所述开口中设置一导电橡胶块;
(10)接着在所述密封树脂层上形成静电传导环,所述静电传导环与所述导电橡胶块电连接,接着在所述密封树脂层上形成保护层,所述保护层与所述静电传导环紧邻设置。
2.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于:所述焊盘仅位于所述识别区的一侧,且所述焊盘邻近所述第三沟槽。
3.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于:所述第一导电块的高度与所述第一沟槽的高度的比值大于2/3且小于1。
4.根据权利要求3所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于:在所述步骤(4)和(5)中,通过同一沉积工艺在所述第一沟槽和所述第三沟槽中沉积导电材料以填满所述第一沟槽和所述第三沟槽,进而通过刻蚀工艺去除所述第一沟槽中的所述导电材料的一部分,以在第三沟槽中形成第二导电块,并在在所述第一沟槽的下部形成第一导电块,接着在所述第一沟槽的上部形成柔性绝缘块,所述第一导电块与所述柔性绝缘共同填满所述第一沟槽。
5.根据权利要求1所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于:在所述步骤(6)和(7)中,所述第一、第二、第三、第四金属层通过化学气相沉积、原子层沉积、磁控溅射、电镀、化学镀、蒸镀中的一种或多种工艺形成,所述第一、第二、第三、第四金属层的材质为铜、铝、银、钛、钯、镍、钨、氮化钛中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的指纹识别封装结构的制造方法,其特征在于:在所述步骤(6)和(7)中,所述第一介质层和所述第二介质层为高K介质材料,所述第一介质层和所述第二介质层通过化学气相沉积工艺形成。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述导电橡胶块包括橡胶材料以及均匀分散在所述橡胶材料中的银纳米颗粒和/或石墨颗粒和/或铜镍纳米颗粒。
8.一种指纹识别封装结构,其特征在于:包括:
一电路板;
一指纹识别芯片,所述指纹识别芯片包括上表面、下表面以及位于所述上表面和所述下表面之间的依次连接的第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面,在所述指纹识别芯片的上表面设置有识别区以及位于所述识别区的一侧的焊盘,所述指纹识别芯片设置在所述电路板上;
所述指纹识别芯片还包括分别位于所述第一、第二、第三、第四侧面的第一、第二、第三、第四沟槽,在所述第一沟槽的下部设置有第一导电块,在所述第一沟槽的上部设置有柔性绝缘块,在所述第二沟槽中设置有第一电容,在所述第三沟槽中设置有第二导电块,所述焊盘与所述第二导电块通过金属线路层电连接,所述第四沟槽中设置有第二电容;
所述第一导电块、所述第二导电块、所述第一电容和所述第二电容分别电连接至所述电路板;
一密封树脂层,所述密封树脂层覆盖所述指纹识别芯片且高于所述指纹识别芯片,所述密封树脂层中设置有暴露所述第一导电块的开口,所述开口中设置有导电橡胶块;
所述密封树脂层上设置有静电传导环,所述静电传导环与所述导电橡胶块电连接;
所述密封树脂层上设置有保护层,所述保护层与所述静电传导环紧邻设置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI767835B (zh) * 2021-09-07 2022-06-11 恆勁科技股份有限公司 智慧卡指紋辨識模組封裝結構及其製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090073632A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 International Semiconductor Technology Ltd. Package, packaging method and substrate thereof for sliding type thin fingerprint sensor
CN105447486A (zh) * 2016-01-18 2016-03-30 宸盛光电有限公司 一种指纹识别装置及具有该指纹识别装置的电子设备
US9553062B1 (en) * 2015-12-28 2017-01-24 J-Metrics Technology Co., Ltd. Fingerprint identification device
US20170162620A1 (en) * 2014-07-01 2017-06-08 China Wafer Level Csp Co., Ltd. Fingerprint recognition chip packaging structure and packaging method
US20170284837A1 (en) * 2014-09-12 2017-10-05 China Wafer Level Csp Co., Ltd. Wafer-level chip package structure and packaging method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090073632A1 (en) * 2007-09-19 2009-03-19 International Semiconductor Technology Ltd. Package, packaging method and substrate thereof for sliding type thin fingerprint sensor
US20170162620A1 (en) * 2014-07-01 2017-06-08 China Wafer Level Csp Co., Ltd. Fingerprint recognition chip packaging structure and packaging method
US20170284837A1 (en) * 2014-09-12 2017-10-05 China Wafer Level Csp Co., Ltd. Wafer-level chip package structure and packaging method
US9553062B1 (en) * 2015-12-28 2017-01-24 J-Metrics Technology Co., Ltd. Fingerprint identification device
CN105447486A (zh) * 2016-01-18 2016-03-30 宸盛光电有限公司 一种指纹识别装置及具有该指纹识别装置的电子设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI767835B (zh) * 2021-09-07 2022-06-11 恆勁科技股份有限公司 智慧卡指紋辨識模組封裝結構及其製造方法

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