CN113190050A - 一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器及控制方法 - Google Patents
一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器及控制方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113190050A CN113190050A CN202110356196.8A CN202110356196A CN113190050A CN 113190050 A CN113190050 A CN 113190050A CN 202110356196 A CN202110356196 A CN 202110356196A CN 113190050 A CN113190050 A CN 113190050A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mass flow
- piezoelectric
- control valve
- mems
- lower substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007707 calorimetry Methods 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
- G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
- G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
- G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
Abstract
本发明公开了一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器及控制方法，包括壳体以及位于壳体内部的质量流量传感器和压电膜片，所述壳体包括下基板、上盖板以及由二者围成的气流通道；所述质量流量传感器设置在下基板上靠近气流通道的入口一侧；所述压电膜片设置在下基板上靠近气流通道的出口一侧；所述压电膜片两端设置于下基板上，所述压电膜片中部与下基板之间设有振动空隙。本发明利用质量流量传感器对气体流量进行精确测量并实时反馈，作为压电膜片驱动电压的调节依据，进而可利用压电膜片的形变实现对微小流量的高精度控制；此外，本发明具有结构简单、体积小、成本低、制备可控性强等优点。
Description
技术领域
本发明涉及流量测控技术领域，特别涉及一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器及控制方法。
背景技术
流量测量和控制是工业生产和科学研究的基本需求。质量流量控制器作为一种能够直接对气体的质量流量进行测量和控制的器件，在半导体和集成电路、石油化工、真空镀膜、医药、环保等诸多领域发挥着重要作用。质量流量控制器的核心部件包括质量流量传感器和电磁调节阀。其中，传感器可实现对气体质量流量的精确测量，电磁调节阀则可根据测量结果对流量进行调节、控制。
目前，国内的质量流量控制器中，传感器通常利用毛细管传热温差量热法的原理，在毛细管的上下游各制作一组热敏电阻丝，并外接两个精密电阻，构成电桥结构。工作时，对电桥进行加热，若有气流通过，则会导致上下游的热敏电阻丝温度不同，电桥输出一个正比于气体质量流量的电压信号。电磁调节阀通常由许多精密机加工而成的零部件装配而成。这种控制器的制作工艺复杂，价格昂贵，控制微小流量时精度差；此外，长期使用还存在零飘和颗粒物污染的问题，维护成本高。
随着MEMS技术的快速发展，采用该技术制作的传感器和执行器因具有结构简单、体积小、成本低、精度高等诸多优点而备受关注。因此，发展一种MEMS质量流量控制器具有重要意义。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器及控制方法，具有结构简单、体积小、成本低、制备可控性强的特点，适合微小流量的高精度控制。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器，包括壳体以及位于壳体内部的质量流量传感器和压电膜片，所述壳体包括下基板、上盖板以及由二者围成的气流通道；所述质量流量传感器设置在下基板上靠近气流通道的入口一侧；所述压电膜片设置在下基板上靠近气流通道的出口一侧；所述压电膜片两端设置于下基板上，所述压电膜片中部与下基板之间设有振动空隙；
所述压电膜片采用无机压电材料，包括钛酸钡、锆钛酸铅，或采用有机压电材料，包括聚偏氟乙烯，并通过粘接或机械夹持的方法固定在下基板上；
所述质量流量传感器包括：
衬底，设有沿上下向贯通的隔热腔体；
支撑层，形成于衬底及隔热腔体上；
加热元件，形成于支撑层的上表面，且局部位于隔热腔体的上方；
感温元件，形成于支撑层的上表面，两个感温元件对称分布在加热元件的两侧，且局部位于隔热腔体的上方；
金属层，形成于支撑层的上表面；
绝缘层，覆盖加热元件、感温元件及金属层，且绝缘层上通过局部刻蚀形成暴露出部分金属层的接触孔。
上述方案中，所述压电膜片的位置低于所述质量流量传感器的位置，所述上盖板的内侧对应压电膜片的位置处设有向下的凸起，所述凸起用于限定气流通道的走向。
上述方案中，所述质量流量传感器采用MEMS工艺制作而成，并通过粘接的方法固定在下基板上。
进一步的技术方案中，所述衬底包括硅衬底、锗衬底、SOI衬底、GeOI衬底的一种。
进一步的技术方案中，所述支撑层、绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅的一种或两种组合。
进一步的技术方案中，所述加热元件的材料为P型多晶硅、N型多晶硅、金属的一种。
进一步的技术方案中，所述感温元件为热敏电阻或热电堆；其中，热敏电阻的材料为具有正/负温度系数的金属，热电堆的材料为P型多晶硅/N型多晶硅的组合，或P型多晶硅/金属的组合，或N型多晶硅/金属的组合。
进一步的技术方案中，所述金属层的材料为金属钛、钨、铬、铂、铝、金中的一种或多种组合。
一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制方法，采用上述的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器，气体从气流通道的入口通入壳体后，经质量流量传感器测得其质量流量，并反馈给后端处理电路与给定值进行比较，随后利用该反馈动态调节压电膜片的驱动电压，控制压电膜片的弯曲程度，即控制气流通道的大小，从而实现对气体质量流量的精确控制。
通过上述技术方案，本发明提供的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器及控制方法具有如下有益效果：
本发明提供的基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器采用MEMS工艺制作，具有结构简单、体积小、成本低的特点，且避免了复杂的制备工艺，可控性强；本发明利用基于压电控制阀的MEMS质量流量传感器对气体流量进行精确测量，并将测量电压作为反馈量，用于指导调节压电膜片的驱动电压，进而利用压电膜片的形变实现对流量的精确控制，因此，本发明提供的基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器稳定性高，可实现微小流量的高精度测量和控制。此外，还可通过调整压电膜片的厚度来调节流量的控制范围。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本发明实施例一所公开的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器的结构示意图(初始状态)；
图2为本发明实施例一所公开的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器的结构示意图(工作状态)；
图3为本发明实施例二所公开的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器的结构示意图(初始状态)；
图4为本发明实施例二所公开的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器的结构示意图(工作状态)；
图5为本发明实施例所采用的质量流量传感器的剖面示意图；
图中，1、壳体；101、下基板；102、上盖板；103、气流通道；104、入口；105、出口；106、凸起；107、振动空隙；2、质量流量传感器；201、衬底；202、支撑层；203、加热元件；204、感温元件；205、金属层；206、绝缘层；207、接触孔；208、隔热腔体；3、压电膜片。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本发明提供了一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器，具体实施例如下：
实施例一
请参阅图1和图2，一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器包括壳体1、质量流量传感器2和压电膜片3；壳体1包括下基板101、上盖板102以及由二者围成的气流通道103；质量流量传感器2设置在下基板101的相对左侧，即靠近气流通道103的入口104一侧；压电膜片3设置在下基板101的相对右侧，即靠近气流通道103的出口105一侧，压电膜片3的位置低于质量流量传感器2的位置，上盖板102的内侧对应压电膜片3的位置处设有向下的凸起106，凸起106用于限定气流通道103的走向，使气流通道103成折线形状，因此气流可以得到一定的缓冲。压电膜片3两端设置于下基板101上，压电膜片3中部与下基板101之间设有振动空隙107。
实施例二
请参阅图3和图4，一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器包括壳体1、质量流量传感器2和压电膜片3；壳体1包括下基板101、上盖板102以及由二者围成的气流通道103；质量流量传感器2设置在下基板101的相对左侧，即靠近气流通道103的入口104一侧；压电膜片3设置在下基板101的相对右侧，即靠近气流通道103的出口105一侧，压电膜片3两端设置于下基板101上，压电膜片3中部与下基板101之间设有振动空隙107。质量流量传感器2和压电膜片3的上表面位于同一水平高度，气流通道103为水平直线形状。
具体地，壳体1采用不漏气的坚硬材料，下基板101和上基板102通过焊接、压接、紧固、卡扣等方法连接固定，气流通道103的截面形状为圆形或多边形；在本发明的实施例一和实施例二中，壳体1的材料为铝合金，下基板101和上基板102通过紧固的方法连接固定，气流通道103的截面形状为矩形。
具体地，质量流量传感器2采用MEMS工艺制作而成，并通过粘接的方法固定在下基板101上。请参阅图5，在本发明的实施例一和实施例二中，质量流量传感器2包括：
衬底201，设有沿上下向贯通的隔热腔体208；
支撑层202，形成于衬底201及隔热腔体208上；
加热元件203，形成于支撑层202的上表面，且局部位于隔热腔体208的上方；
感温元件204，形成于支撑层202的上表面，两个感温元件204对称分布在加热元件203的两侧，且局部位于隔热腔体208的上方；
金属层205，形成于支撑层208的上表面；
绝缘层206，覆盖加热元件203、感温元件204及金属层205，且绝缘层206上通过局部刻蚀形成暴露出部分金属层205的接触孔207。
衬底201为常见的半导体衬底，包括但不限于硅衬底、锗衬底、SOI衬底、GeOI衬底的一种；在本发明的实施例一和实施例二中，衬底201为双面抛光的单晶硅衬底。
隔热腔体208的截面形状包括但不限于矩形、梯形、倒梯形的一种；在本发明的实施例一和实施例二中，隔热腔体208的截面形状为矩形。
支撑层202、绝缘层206的材料为氧化硅、氮化硅的一种或两种组合；在本发明的实施例一和实施例二中，支撑层202由氧化硅和氮化硅复合而成，绝缘层206的材料为氧化硅。
加热元件203的材料为P型多晶硅、N型多晶硅、金属的一种；在本发明的实施例一和实施例二中，加热元件203的材料为铂。
感温元件204可为热敏电阻，也可为热电堆；其中，热敏电阻的材料为具有正/负温度系数的金属，热电堆的材料为P型多晶硅/N型多晶硅的组合，或P型多晶硅/金属的组合，或N型多晶硅/金属的组合；在本发明的实施例一和实施例二中，感温元件32采用P型多晶硅/N型多晶硅热电堆，其中，P型多晶硅和N型多晶硅之间通过部分金属层205连接。
金属层205的材料为金属钛、钨、铬、铂、铝、金中的一种或多种组合；在本发明的实施例一和实施例二中，金属层205的材料为铬/金。
需要说明的是，质量流量传感器2的工作原理是：加热元件203提供一定的功率以使传感器表面温度高于环境温度，当无气体流动时，表面温度以加热元件203为中心呈正态分布，两侧的感温元件204具有相同的电信号；当有气体流动时，气体分子转移热量使传感器表面的温度分布发生偏移，两侧的感温元件204的电信号随之产生差异，利用这种差异就可推算出气体流量。
具体地，压电膜片3采用无机压电材料，如钛酸钡(BT)、锆钛酸铅(PZT)，或采用有机压电材料，如聚偏氟乙烯(PVDF)，并通过粘接或机械夹持的方法固定在下基板101上；在本发明的实施例中，压电膜片3采用PZT-5，并通过粘接的方法固定在下基板101上。
需要说明的是，压电膜片3为本发明的MEMS质量流量控制器的可动部件：当在压电膜片3的上下表面施加电压，由于逆压电效应，在压电膜片3内产生径向拉/压应变，最终导致整个压电膜片3弯曲，且弯曲的程度取决于所施加电压的大小。
需要说明的是，本发明的基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器的工作原理是：气体从气流通道103的入口104通入壳体1后，经质量流量传感器2测得其质量流量，并反馈给后端处理电路与给定值进行比较，随后利用该反馈动态调节压电膜片3的驱动电压，控制压电膜片3的弯曲程度，即控制气流通道的大小，从而实现对气体质量流量的精确控制。
综上所述，本发明提供的基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器具有结构简单、体积小、成本低的特点，且避免了复杂的制备工艺，可控性强；本发明利用MEMS质量流量传感器对气体流量进行精确测量，并将测量电压作为反馈量，用于指导调节压电膜片的驱动电压，进而利用压电膜片的形变实现对流量的精确控制，因此，本发明提供的基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器稳定性高，可实现微小流量的高精度测量和控制。
所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (9)
1.一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器，其特征在于，包括壳体以及位于壳体内部的质量流量传感器和压电膜片，所述壳体包括下基板、上盖板以及由二者围成的气流通道；所述质量流量传感器设置在下基板上靠近气流通道的入口一侧；所述压电膜片设置在下基板上靠近气流通道的出口一侧；所述压电膜片两端设置于下基板上，所述压电膜片中部与下基板之间设有振动空隙；
所述压电膜片采用无机压电材料，包括钛酸钡、锆钛酸铅，或采用有机压电材料，包括聚偏氟乙烯，并通过粘接或机械夹持的方法固定在下基板上；
所述质量流量传感器包括：
衬底，设有沿上下向贯通的隔热腔体；
支撑层，形成于衬底及隔热腔体上；
加热元件，形成于支撑层的上表面，且局部位于隔热腔体的上方；
感温元件，形成于支撑层的上表面，两个感温元件对称分布在加热元件的两侧，且局部位于隔热腔体的上方；
金属层，形成于支撑层的上表面；
绝缘层，覆盖加热元件、感温元件及金属层，且绝缘层上通过局部刻蚀形成暴露出部分金属层的接触孔。
2.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器，其特征在于，所述压电膜片的位置低于所述质量流量传感器的位置，所述上盖板的内侧对应压电膜片的位置处设有向下的凸起。
3.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器，其特征在于，所述质量流量传感器采用MEMS工艺制作而成，并通过粘接的方法固定在下基板上。
4.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器，其特征在于，所述衬底包括硅衬底、锗衬底、SOI衬底、GeOI衬底的一种。
5.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器，其特征在于，所述支撑层、绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅的一种或两种组合。
6.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器，其特征在于，所述加热元件的材料为P型多晶硅、N型多晶硅、金属的一种。
7.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器，其特征在于，所述感温元件为热敏电阻或热电堆；其中，热敏电阻的材料为具有正/负温度系数的金属，热电堆的材料为P型多晶硅/N型多晶硅的组合，或P型多晶硅/金属的组合，或N型多晶硅/金属的组合。
8.根据权利要求1所述的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器，其特征在于，所述金属层的材料为金属钛、钨、铬、铂、铝、金中的一种或多种组合。
9.一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制方法，采用如权利要求1所述的一种基于压电控制阀的MEMS质量流量控制器，其特征在于，气体从气流通道的入口通入壳体后，经质量流量传感器测得其质量流量，并反馈给后端处理电路与给定值进行比较，随后利用该反馈动态调节压电膜片的驱动电压，控制压电膜片的弯曲程度，即控制气流通道的大小，从而实现对气体质量流量的精确控制。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110356196.8A CN113190050A (zh) | 2021-04-01 | 2021-04-01 | 一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器及控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110356196.8A CN113190050A (zh) | 2021-04-01 | 2021-04-01 | 一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器及控制方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113190050A true CN113190050A (zh) | 2021-07-30 |
Family
ID=76974459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110356196.8A Pending CN113190050A (zh) | 2021-04-01 | 2021-04-01 | 一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器及控制方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113190050A (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060053878A1 (en) * | 2003-04-16 | 2006-03-16 | Fujikin Incorporated | Thermal type mass flow rate sensor made of corrosion resistant metal, and fluid supply equipment using the same |
| CN1922469A (zh) * | 2004-02-24 | 2007-02-28 | 株式会社富士金 | 耐蚀金属制流体用传感器及用该传感器的流体供给设备 |
| CN101050974A (zh) * | 2006-04-03 | 2007-10-10 | 杭州中矽微电子机械技术有限公司 | 上下游温度分布二次差动流量测量方法、传感器、及应用 |
| CN203658851U (zh) * | 2013-11-26 | 2014-06-18 | 张松涛 | 基于mems传感器的质量流量控制器的结构 |
| US20140283595A1 (en) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | Wisenstech Inc. | Micromachined mass flow sensor with condensation prevention and method of making the same |
| CN104969136A (zh) * | 2013-05-24 | 2015-10-07 | 日立金属株式会社 | 流量控制阀及使用该流量控制阀的质量流量控制器 |
| CN205370927U (zh) * | 2016-01-04 | 2016-07-06 | 武汉理工大学 | 一种流量可控式多腔有阀压电薄膜微泵 |
| CN107771258A (zh) * | 2015-06-25 | 2018-03-06 | 伊利诺斯工具制品有限公司 | 压电致动器型阀 |
| CN110735930A (zh) * | 2018-07-18 | 2020-01-31 | 北京七星华创流量计有限公司 | 气体流量调节装置及质量流量控制器 |
-
2021
- 2021-04-01 CN CN202110356196.8A patent/CN113190050A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060053878A1 (en) * | 2003-04-16 | 2006-03-16 | Fujikin Incorporated | Thermal type mass flow rate sensor made of corrosion resistant metal, and fluid supply equipment using the same |
| CN1774618A (zh) * | 2003-04-16 | 2006-05-17 | 株式会社富士金 | 耐蚀金属制热式质量流量传感器及采用它的流体供给设备 |
| CN1922469A (zh) * | 2004-02-24 | 2007-02-28 | 株式会社富士金 | 耐蚀金属制流体用传感器及用该传感器的流体供给设备 |
| CN101050974A (zh) * | 2006-04-03 | 2007-10-10 | 杭州中矽微电子机械技术有限公司 | 上下游温度分布二次差动流量测量方法、传感器、及应用 |
| US20140283595A1 (en) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | Wisenstech Inc. | Micromachined mass flow sensor with condensation prevention and method of making the same |
| CN104969136A (zh) * | 2013-05-24 | 2015-10-07 | 日立金属株式会社 | 流量控制阀及使用该流量控制阀的质量流量控制器 |
| CN203658851U (zh) * | 2013-11-26 | 2014-06-18 | 张松涛 | 基于mems传感器的质量流量控制器的结构 |
| CN107771258A (zh) * | 2015-06-25 | 2018-03-06 | 伊利诺斯工具制品有限公司 | 压电致动器型阀 |
| CN205370927U (zh) * | 2016-01-04 | 2016-07-06 | 武汉理工大学 | 一种流量可控式多腔有阀压电薄膜微泵 |
| CN110735930A (zh) * | 2018-07-18 | 2020-01-31 | 北京七星华创流量计有限公司 | 气体流量调节装置及质量流量控制器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7508040B2 (en) | Micro electrical mechanical systems pressure sensor | |
| Jerman | Electrically-activated, micromachined diaphragm valves | |
| JP4881554B2 (ja) | 流量センサ | |
| US5344117A (en) | Micro-actuator | |
| Cho et al. | Internal stress compensation and scaling in ultrasensitive silicon pressure sensors | |
| EA001508B1 (ru) | Устройство регулятора потока текучей среды, исполнительный механизм клапана и способ его изготовления | |
| US7591177B2 (en) | Flow sensor and mass flow controller using the same | |
| US20060076947A1 (en) | Micro-electromechanical system (MEMS) based current & magnetic field sensor having improved sensitivities | |
| WO1998037343A9 (en) | Micro mass flow control apparatus and method | |
| CN105606158B (zh) | 一种力/磁多功能传感器 | |
| WO2012043164A1 (ja) | 熱式流量センサ | |
| KR20190085086A (ko) | 압전 소자 구동식 밸브 및 유량 제어 장치 | |
| Zhang et al. | Annularly grooved diaphragm pressure sensor with embedded silicon nanowires for low pressure application | |
| US20020020689A1 (en) | Accelerometer without proof mass | |
| CN215059956U (zh) | 一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器 | |
| CN113190050A (zh) | 一种基于压电控制阀的mems质量流量控制器及控制方法 | |
| WO2013020275A1 (zh) | 一种mems压阻式拉压力芯片及传感器的制作方法 | |
| CN113513605B (zh) | 一种基于电磁控制阀的mems质量流量控制器及控制方法 | |
| CN214743496U (zh) | 一种基于电磁控制阀的mems质量流量控制器 | |
| CN113157008B (zh) | 一种mems质量流量控制器及控制方法 | |
| CN214474641U (zh) | 一种mems质量流量控制器 | |
| CN205561900U (zh) | 一种力/磁多功能传感器 | |
| JP2002358127A (ja) | 耐腐食性集積化マスフローコントローラ | |
| Kim et al. | Fabrication and characterization of co-planar type MEMS structures on SiO 2/Si 3 N 4 membrane for gas sensors with dispensing method guided by micromachined wells | |
| JPH0721736B2 (ja) | マイクロバルブ・マスフローコントローラ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210730 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |