CN113179092A - 一种igbt式单管驱动电路 - Google Patents

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张伟成
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Guangdong Dingshen Electric Technology Co ltd
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Guangdong Dingshen Electric Technology Co ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT

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Abstract

本发明公开了一种IGBT式单管驱动电路,包括依次连接的输入模块、光耦隔离模块、IGBT触发模块以及IGBT模块,所述光耦隔离模块用于向所述IGBT触发模块发送导通或者关断信号,所述IGBT触发模块用于控制IGBT模块的导通和关断;其中,所述IGBT触发模块包括三极管Q1,所述三极管Q1的发射极与所述IGBT模块上的栅极连接,所述三极管Q1的集电极与所述IGBT模块上的发射极连接,当光耦隔离模块关闭时,光耦隔离模块会向IGBT触发模块输出低电平,所述三极管Q1接收到低电平后断开与IGBT模块之间的连接,通过这样的方式,至少解决背景技术中一个不足,用户体验感极佳。

Description

一种IGBT式单管驱动电路
技术领域
本发明涉及电路保护技术领域,尤其涉及一种IGBT式单管驱动电路。
背景技术
在中大功率的开关电源装置中,IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或GTO。但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故IGBT的可靠性直接关系到电源的可靠性。
但是,在日常的使用当中,由于电路整体的结构设计不合理,导致IGBT出现误导通的现象,会造成IGBT的过度损耗且影响IGBT的寿命,严重时会直接损坏IGBT;再加上,目前得一些IGBT电路中,一般都是直接导通IGBT的开关实现对IGBT的控制,长期下来,会对IGBT的开关造成很大的损耗,而且其响应速度并不快,在一些电路中的应用显得不足。
因此,急需解决方案。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明目的在于提供一种IGBT式单管驱动电路,至少解决背景技术中一个不足,用户体验感极佳。
为了达到上述目的,本发明的技术方案有:
一种IGBT式单管驱动电路,包括依次连接的输入模块、光耦隔离模块、IGBT触发模块以及IGBT模块,所述光耦隔离模块用于向所述IGBT触发模块发送导通或者关断信号,所述IGBT触发模块用于控制IGBT模块的导通和关断;其中,所述IGBT触发模块包括三极管Q1,所述三极管Q1的发射极与所述IGBT模块上的栅极连接,所述三极管Q1的集电极与所述IGBT模块上的发射极连接,当光耦隔离模块关闭时,光耦隔离模块会向IGBT触发模块输出低电平,所述三极管Q1接收到低电平后断开与IGBT模块之间的连接。
进一步地,所述IGBT触发模块以及IGBT模块之间还设有滤波稳压模块,所述滤波稳压模块包括依次设置的电阻R1、电容C1以及稳压二极管Z1,且所述电阻R1、电容C1以及稳压二极管Z1之间并联设置。
进一步地,所述IGBT触发模块还包括电阻R2和电阻R3,所述三极管Q1上的发射极与电阻R2连接后与所述光耦隔离模块上的第五端连接,所述三极管Q1的基极与所述电阻R3连接后与所述光耦隔离模块上的第五端连接。
进一步地,所述输入模块包括正PW端、负PW端、电阻R4以及电阻R5,所述正PW端与所述光耦隔离模块上的第一端连接,所述负PW端与所述电阻R4连接后与光耦隔离模块上的第三端连接,所述电阻R5设置在所述正PW端和负PW端之间。
进一步地,所述光耦隔离模块上的第六端上依次连接二极管D1以及电阻R6后与+15V端连接,且所述光耦隔离模块上的第六端和第四端之间还连接有电容C2。
进一步地,所述光耦隔离模块的型号为ACPL-W340-500E。
本发明的一种IGBT式单管驱动电路,其有益效果为:通过IGBT触发模块的设置,采用三极管Q1的特性对IGBT进行导通和关闭,能实现对IGBT的快速关断,大大减少IGBT的开关损耗,而且,三极管Q1在该电路中可起到有源钳位的作用,当光耦隔离模块关闭时,光耦隔离模块会向IGBT触发模块输出低电平,所述三极管Q1接收到低电平后断开与IGBT模块之间的连接,有效防止IGBT误导通,避免造成IGBT的过度损耗和损坏,有利于IGBT使用寿命的延长。
附图说明
图1为IGBT式单管驱动电路原理图;
图2为IGBT式单管驱动电路的电路图。
具体实施方式
结合附图说明本发明的一种IGBT式单管驱动电路。
如图1-图2所示,作为本发明的一种优选实施例:
一种IGBT式单管驱动电路,包括依次连接的输入模块1、光耦隔离模块2、IGBT触发模块3以及IGBT模块4,所述光耦隔离模块2用于向所述IGBT触发模块3发送导通或者关断信号,所述IGBT触发模块3用于控制IGBT模块4的导通和关断;其中,所述IGBT触发模块3包括三极管Q1,所述三极管Q1的发射极与所述IGBT模块4上的栅极连接,所述三极管Q1的集电极与所述IGBT模块4上的发射极连接,当光耦隔离模块2关闭时,光耦隔离模块2会向IGBT触发模块3输出低电平,所述三极管Q1接收到低电平后断开与IGBT模块4之间的连接。
为了保证整体电路结构的稳定性,所述IGBT触发模块3以及IGBT模块4之间还设有滤波稳压模块5,所述滤波稳压模块5包括依次设置的电阻R1、电容C1以及稳压二极管Z1,且所述电阻R1、电容C1以及稳压二极管Z1之间并联设置。
所述IGBT触发模块3还包括电阻R2和电阻R3,所述三极管Q1上的发射极与电阻R2连接后与所述光耦隔离模块2上的第五端连接,所述三极管Q1的基极与所述电阻R3连接后与所述光耦隔离模块2上的第五端连接。
所述输入模块1包括正PW端、负PW端、电阻R4以及电阻R5,所述正PW端与所述光耦隔离模块2上的第一端连接,所述负PW端与所述电阻R4连接后与光耦隔离模块2上的第三端连接,所述电阻R5设置在所述正PW端和负PW端之间。
所述光耦隔离模块2上的第六端上依次连接二极管D1以及电阻R6后与+15V端连接,且所述光耦隔离模块2上的第六端和第四端之间还连接有电容C2。
优选地,所述光耦隔离模块2的型号为ACPL-W340-500E。
本发明的一种IGBT式单管驱动电路,其有益效果为:通过IGBT触发模块3的设置,采用三极管Q1的特性对IGBT进行导通和关闭,能实现对IGBT的快速关断,大大减少IGBT的开关损耗,而且,三极管Q1在该电路中可起到有源钳位的作用,当光耦隔离模块2关闭时,光耦隔离模块2会向IGBT触发模块3输出低电平,所述三极管Q1接收到低电平后断开与IGBT模块4之间的连接,有效防止IGBT误导通,避免造成IGBT的过度损耗和损坏,有利于IGBT使用寿命的延长。
根据上述说明书的揭示和教导,本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此,本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式,对本发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。此外,尽管本说明书中使用了一些特定的术语,但这些术语只是为了方便说明,并不对本发明构成任何限制。

Claims (6)

1.一种IGBT式单管驱动电路,其特征在于,包括依次连接的输入模块、光耦隔离模块、IGBT触发模块以及IGBT模块,所述光耦隔离模块用于向所述IGBT触发模块发送导通或者关断信号,所述IGBT触发模块用于控制IGBT模块的导通和关断;
其中,所述IGBT触发模块包括三极管Q1,所述三极管Q1的发射极与所述IGBT模块上的栅极连接,所述三极管Q1的集电极与所述IGBT模块上的发射极连接,当光耦隔离模块关闭时,光耦隔离模块会向IGBT触发模块输出低电平,所述三极管Q1接收到低电平后断开与IGBT模块之间的连接。
2.根据权利要求1所述的IGBT式单管驱动电路,其特征在于,所述IGBT触发模块以及IGBT模块之间还设有滤波稳压模块,所述滤波稳压模块包括依次设置的电阻R1、电容C1以及稳压二极管Z1,且所述电阻R1、电容C1以及稳压二极管Z1之间并联设置。
3.根据权利要求1所述的IGBT式单管驱动电路,其特征在于,所述IGBT触发模块还包括电阻R2和电阻R3,所述三极管Q1上的发射极与电阻R2连接后与所述光耦隔离模块上的第五端连接,所述三极管Q1的基极与所述电阻R3连接后与所述光耦隔离模块上的第五端连接。
4.根据权利要求1所述的IGBT式单管驱动电路,其特征在于,所述输入模块包括正PW端、负PW端、电阻R4以及电阻R5,所述正PW端与所述光耦隔离模块上的第一端连接,所述负PW端与所述电阻R4连接后与光耦隔离模块上的第三端连接,所述电阻R5设置在所述正PW端和负PW端之间。
5.根据权利要求1所述的IGBT式单管驱动电路,其特征在于,所述光耦隔离模块上的第六端上依次连接二极管D1以及电阻R6后与+15V端连接,且所述光耦隔离模块上的第六端和第四端之间还连接有电容C2。
6.根据权利要求1-5任一项所述的IGBT式单管驱动电路,其特征在于,所述光耦隔离模块的型号为ACPL-W340-500E。
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