CN113167843A - 磁性传感器偏置点调整方法 - Google Patents

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Abstract

本公开大体上涉及一种具有四个电阻器的惠斯登电桥。每一电阻器包含多个TMR结构。两个电阻器具有相同TMR结构。剩下的两个电阻器也具有相同TMR结构，但所述TMR结构不同于其它两个电阻器。此外，具有相同TMR结构的所述两个电阻器相比于具有相同TMR结构的所述剩下的两个电阻器具有不同量的TMR结构。因此，所述惠斯登电桥的工作偏置场为非零的。

Description

磁性传感器偏置点调整方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年12月30日提交的第16/730,726号美国专利申请的优先权，该美国专利申请要求2019年8月27日提交的序列号为62/892,395的美国临时专利申请的权益，两者的全文都以引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开的实施例大体上涉及一种惠斯登电桥(Wheatstone bridge)及其制造方法。
背景技术
惠斯登电桥是电路，其用于通过平衡电桥电路的两个支脚来测量未知电阻，所述两个支脚中的一个支脚包含未知组件。惠斯登电路相较于简单的分压器提供极准确的测量值。
惠斯登电桥包含多个电阻器，所述电阻器尤其近来包含磁性材料，例如磁性传感器。磁性传感器可包含霍耳效应(Hall effect)磁性传感器、各向异性磁阻传感器(AMR)、巨磁阻(GMR)传感器及隧道磁阻(TMR)传感器。TMR传感器相较于其它磁性传感器具有非常高的灵敏度。
虽然惠斯登电桥的初始状态通常需要零偏置场，但一些应用要求具有非零初始状态。对于位置传感器应用，使用磁体来生成场。惠斯登电桥中的TMR电阻器检测来自磁体的磁场。首先，存在作用于传感器上的场，且当磁体接近或远离传感器移动时场强度增加或减小。
因此，此项技术中需要一种在偏置场下操作的惠斯登电桥磁性传感器。
发明内容
本公开大体上涉及一种具有四个电阻器的惠斯登电桥。每一电阻器包含多个TMR结构。两个电阻器具有相同TMR结构。剩下的两个电阻器也具有相同TMR结构，但所述TMR结构不同于其它两个电阻器。此外，具有相同TMR结构的两个电阻器相比于具有相同TMR结构的剩下的两个电阻器具有不同量的TMR结构。因此，惠斯登电桥的工作偏置场为非零的。
在一个实施例中，一种TMR传感器装置包括：第一电阻器，其包括第一多个TMR结构；以及第二电阻器，其包括第二多个TMR结构，其中第一多个TMR结构的数目大于第二多个TMR结构的数目。
在另一实施例中，一种TMR传感器装置包括：多个电阻器，其各自含有多个TMR结构，其中所述多个电阻器的至少两个电阻器含有不同量的TMR结构，且其中所述至少两个电阻器的TMR结构是不同的。
在另一实施例中，一种制造TMR传感器装置的方法包括：形成包括第一多个TMR结构的第一电阻器；形成包括第二多个TMR结构的第二电阻器；形成包括所述第一多个TMR结构的第三电阻器；以及形成包括所述第二多个TMR结构的第四电阻器，其中所述第一多个TMR结构不同于所述第二多个TMR结构。
附图说明
为了可以详细地了解本公开的上述特征，上文简短概述的本公开可以参考实施例加以更具体地描述，其中一些实施例在附图中示出。然而，应注意，附图只是示出本公开的典型实施例且因此不应视为限制本公开的范围，因为本公开可以容许其它同等有效的实施例存在。
图1是惠斯登电桥设计的示意性图示。
图2A和2B是根据一个实施例的TMR结构的示意性图示。
图3A和3B是示出两个不同惠斯登电桥的工作偏置场的曲线图。
图4是具有针对每一电阻器的多个TMR结构的惠斯登电桥的示意性图示。
图5是示出来自具有用以调整工作偏置点的不同阵列的TMR结构的所计算电阻响应的曲线图。
图6是示出各种阵列配置的工作偏置点的曲线图。
图7是示出一种制造惠斯登电桥的方法的流程图。
为了便于理解，在可能的情况下已经使用相同的元件标号表示图中共有的相同元件。经审慎考虑，一个实施例中公开的元件可有利地在其它实施例上利用而不需特定叙述。
具体实施方式
在下文中，参考本公开的实施例。然而，应理解，本公开不限于特定的所描述实施例。实际上，审慎考虑以下特征和元件(不管是否与不同实施例相关)的任何组合以实施和实践本公开。此外，尽管本公开的实施例可实现优于其它可能解决方案和/或优于现有技术的优点，但特定优点是否由给定实施例实现并不限制本公开。因此，以下方面、特征、实施例以及优点仅为说明性的且不应视为所附权利要求书的要素或限制，除非明确地叙述于权利要求中。同样，对“本公开”的提及不应解释为本文中所公开的任何发明性主题的一般化，且不应视为所附权利要求书的要素或限制，除非明确地叙述于权利要求中。
本公开大体上涉及一种具有四个电阻器的惠斯登电桥。每一电阻器包含多个TMR结构。两个电阻器具有相同TMR结构。剩下的两个电阻器也具有相同TMR结构，但所述TMR结构不同于其它两个电阻器。此外，具有相同TMR结构的两个电阻器相比于具有相同TMR结构的剩下的两个电阻器具有不同量的TMR结构。因此，惠斯登电桥的工作偏置场为非零的。
图1是惠斯登电桥100设计的示意性图示。电桥100包含偏置源102、第一电阻器104、第二电阻器106、第三电阻器110、第四电阻器108、第一输出衬垫112、第二输出衬垫114，及接地连接116。跨电桥从偏置源102向接地连接116施加偏置电压。电桥输出是跨第一输出衬垫112和第二输出衬垫114的电位差。归因于来自电阻器104、106、108、110的温度变化的电阻的任何改变归因于差分输出的性质而失效。
如本文所论述，电阻器104、106、108、110各自由TMR膜制成。在一个实施例中，TMR电阻器各自是相异且不同的，使得电阻器104、106、108、110具有不同电阻。在另一实施例中，TMR膜是相同的，但电阻器104、106、108、110是不同的。在再一实施例中，电阻器104、110彼此相同(正如制成电阻器104、110的TMR膜)，且电阻器106、108彼此相同(正如制成电阻器106、108的TMR膜)但不同于电阻器104、110。
典型的磁场传感器在惠斯登电桥电路中使用TMR电阻器。TMR电阻器必须具有对磁场的不同响应以便生成差分输出电压。如本文中所论述，新的制造磁场传感器的方法将在同一层中制造两个不同的TMR膜。TMR膜的可靠性和性能决定了磁阻响应。以此方式，与不同TMR膜特征组合，可制造用于磁场传感器的完美的惠斯登电桥设计。
关于图1，如果制成电阻器104、106、108、110的TMR膜的自由层具有相对于钉扎层磁化方向成+45°或-45°的长轴，则自由层易轴由于形状各向异性而被限制为沿着长轴，且可通过来自经设定线路的安培场沿着长轴将磁化方向设定为双向，所述经设定线路位于自由层的顶部上且正交于自由层长轴。
当沿着Y轴施加磁场时，110和104的电阻随着磁场增加，而106、108的电阻随着磁场减小。此不同响应启用惠斯登电桥，且传感器灵敏度与输出电压成比例，所述输出电压与电阻器110(或电阻器104)和电阻器106(或电阻器108)之间的电阻差成比例。然而，由于45°自由层或钉扎层初始状态的缘故，仅使用磁阻改变的一半。如果自由层到钉扎层初始磁化状态可设定为90°且仍具有两个不同磁阻改变，则将使用全范围的磁阻改变，且传感器灵敏度可增加二倍。
钉扎层磁化方向由磁性退火方向设定。通常，电阻器104、106、108、110由相同的TMR膜制成且经历相同的工艺，且因此都具有相同的钉扎层方向。每一装置可按完全MR比率操作，但所有装置都以相同方式响应于外部场，且因此完全不存在输出电压。解决此问题的一种简单方式是，通过用厚NiFe膜进行覆盖而屏蔽电阻器106和电阻器108，使得电阻器106和电阻器108将不响应于磁场。或者，电阻器106和108可用恒定电阻器替换。然而，此种类的半桥感测方案也会减小输出电压且因此限制灵敏度。
图2A和2B是根据一个实施例的TMR结构200、250的示意性图示。应理解，术语“TMR电阻器”和“TMR结构”可互换使用。TMR电阻器200、250各自包含将形成于底部导线(未图示)上的晶种层202、252。在一个实施例中，晶种层202、252包括例如钌等导电材料，且具有在约10埃到约100埃之间的厚度，且通过例如电镀、无电镀敷或溅镀等熟知的沉积方法来沉积。另外，应理解，虽然钌已经例示为晶种层202、252材料，但审慎考虑其它材料，且本文中所论述的实施例不限于将钌用于晶种层202、252。此外，晶种层202、252同时沉积。
反铁磁(AFM)层204、254安置在晶种层204、254上。AFM层204、254的合适的材料包含厚度在约40埃到约500埃之间的IrMn、NiMn、PdMn或PtMn。AFM层204、254可通过例如溅镀等熟知的沉积方法形成。此外，应理解，虽然IrMn、NiMn、PdMn和PtMn已经例示为AFM层204、254材料，但审慎考虑其它材料，且本文所论述的实施例不限于将IrMn、PdMn、NiMn或PtMn用于AFM层204、254。此外，AMF层204、254同时沉积。
钉扎层206、256安置在AFM层204、254上。用于钉扎层206、256的合适的材料包含厚度在约20埃与约30埃之间的CoFe或Co/CoFe/Co多层堆叠。钉扎层206、256可通过例如溅镀等熟知的沉积方法形成。另外，应理解，虽然CoFe或Co/CoFe/Co已经例示为钉扎层206、256材料，但审慎考虑其它材料，且本文中所论述的实施例不限于将CoFe或Co/CoFe/Co用于钉扎层206、256。此外，钉扎层206、256同时沉积。
间隔物层208、258安置在钉扎层206、256上。用于间隔物层208、258的合适的材料包含厚度在约4埃到约10埃之间的Ru。间隔物层208、258可通过例如溅镀等熟知的沉积方法形成。另外，应理解，虽然钌已经例示为间隔物层208、258材料，但审慎考虑其它材料，且本文中所论述的实施例不限于将钌用于间隔物层208、258。此外，间隔物层208、258同时沉积。
参考层210、260安置在间隔物层208、258上。用于参考层210、260的合适的材料包含CoFe/Ta/CoFeB/CoFe作为多层堆叠。第一CoFe层的厚度可在约8埃到约10埃之间。Ta层的厚度可在约0.5埃到约2埃之间。CoFeB层的厚度可在约10埃到约15埃之间。第二CoFe层的厚度可在约3埃到约10埃之间。参考层210、260可通过例如溅镀等熟知的沉积方法形成。另外，应理解，虽然CoFe/Ta/CoFeB/CoFe已经例示为参考层210、260材料，但审慎考虑其它材料，且本文中所论述的实施例不限于将CoFe/Ta/CoFeB/CoFe用于参考层210、260。此外，参考层210、260同时沉积。
障壁层212、262安置在参考层210、260上。用于障壁层212、262的合适材料包含厚度在约10埃到约20埃之间的MgO。应理解，虽然MgO例示为障壁层212、262，但审慎考虑其它绝缘材料。此外，障壁层212、262同时沉积。
第一自由层214、264安置在障壁层212、262上。用于第一自由层214、264的合适的材料包含CoFe/CoFeB/Ta/NiFe多层堆叠。第一CoFe层的厚度可在约3埃到约10埃之间。CoFeB层的厚度可在约10埃到约20埃之间。Ta层的厚度可在约0.5埃到约2埃之间。NiFe层的厚度可在约3埃到约300埃之间，例如在约3埃与约10埃之间或在约10埃与约300埃之间。第一自由层214、264可通过例如溅镀等熟知的沉积方法形成。另外，应理解，虽然CoFe/CoFeB/Ta/NiFe已经例示为第一自由层214、264材料，但审慎考虑其它材料，且本文中所论述的实施例不限于将CoFe/CoFeB/Ta/NiFe用于第一自由层214、264。此外，第一自由层214、264同时沉积。
额外间隔物层216安置在第一自由层214上。在一个实施例中，间隔物层216是包括Co/Ru/Co的多层结构。应理解，间隔物层216可以是包括第一磁性层、非磁性导电层及第二磁性层的单层或其它多层堆叠。在其中间隔物层216是Co/Ru/Co的实施例中，第一Co层的厚度可在约3埃到约6埃之间，Ru层的厚度可在约6埃到约10埃之间，且第二Co层的厚度可在约3埃到约6埃之间。Co层是为了增强合成反铁磁(SAF)耦合。间隔物层216可通过例如溅镀等熟知的沉积方法形成。
第二自由层218安置在间隔物层216上。用于第二自由层218的合适的材料包含NiFe。NiFe层的厚度可在约100埃到约300埃之间，例如在约100埃与约200埃之间(第二自由层218的力矩大于第一自由层214的磁矩)或在约200埃与约300埃之间。第二自由层218可通过例如溅镀等熟知的沉积方法形成。另外，应理解，虽然NiFe已经例示为第二自由层218材料，但审慎考虑其它材料，且本文中所论述的实施例不限于将NiFe用于第二自由层218。第一自由层214连同间隔物层216和第二自由层218共同地形成非平衡合成AFM结构。
对于惠斯登电桥，所有电阻器不可以相同。实际上，电阻器104、110彼此相同，且电阻器106、108彼此相同并且不同于电阻器104、110。TMR传感器250将表示电阻器106、108经受额外处理。
另一磁性层270沉积在TMR 250的暴露的第一自由层264上。另一磁性层270的组成大体上等同于第二自由层218，但将具有大体上等于间隔物层216和第二自由层218的组合厚度的厚度。第二磁性层270的合适的材料包含NiFe。NiFe层的厚度可在约100埃到约320埃之间，例如在约100埃与约200埃之间，或在约200埃与约320埃之间。磁性层270可通过例如溅镀或离子束沉积等熟知的沉积方法形成。另外，应理解，虽然NiFe已经例示为磁性层270材料，但审慎考虑其它材料，且本文中所论述的实施例不限于将NiFe用于磁性层270。
罩盖层可形成于第二自由层218和第二磁性层270上方。TMR结构200、250在磁炉中在约250摄氏度到约300摄氏度之间的温度下在约10,000奥斯特到约50,000奥斯特之间的磁场下退火。第二磁性层270具有比第一自由层214、264的磁矩大的磁矩。应理解，第二磁性层270具有大于第一自由层264的厚度的厚度。在TMR结构250中，第二磁性层270铁磁性地耦合到第一自由层264，且第一自由层264将提供磁阻。在退火之后，钉扎层206、256在-Z方向中钉扎，且参考层210、260具有+Z方向中的磁矩。硬偏置场HBias由箭头272展示。当施加硬偏置场时，TMR结构200的第一自由层214具有由箭头276所示的磁矩，该磁矩反平行于TMR结构250的第一自由层264的由箭头278所示的磁矩。此外，第二自由层218和第二磁性层270具有由箭头274、280所示的在所施加硬偏置下平行的磁矩。在相同硬偏置场下，第一自由层214的磁矩反平行于第二自由层218的磁矩，而第一自由层264的磁矩平行于第二磁性层270的磁矩。
图3A和3B是示出两个不同惠斯登电桥的工作偏置场的曲线图。膜A可指代TMR结构200，而膜B可指代TMR结构250。图3A中的点A是膜A和膜B的线交叉的位置。在图3A中，点A处于偏置场为0的位置。如上文所论述，通常，用户需要膜A和膜B的线交叉的位置为非零位置。因此，到膜A或膜B任一个或这两者的线的位移可用于适应用户对非零位置的需要。如图3B中所展示，点B是膜A和膜B的线交叉的位置，其处于非零位置。非零位置展示为-350奥斯特，但应理解，所述位置不必为-350奥斯特，而是可由用户选择。因而可如下文论述设计惠斯登电桥来满足用户需求。
图4是具有针对每一电阻器R1、R2、R3、R4的多个TMR结构的惠斯登电桥400的示意性图示。R1可对应于电阻器104；R2可对应于电阻器106；R3可对应于电阻器110；且R4可对应于电阻器108。当工作场偏置被设定为0时，则R1＝R2＝R3＝R4。此外，基于TMR结构，电阻器R1和R3不同于电阻器R2和R4以提供两个不同的磁阻响应。
在惠斯登电桥400中，每一电阻器R1、R2、R3、R4包含多个TMR结构200、250。更确切地说，在一个实施例中，电阻器R1和R3将包含多个TMR结构200，且电阻器R2和R4将包含多个TMR结构250。在另一实施例中，电阻器R1和R3将包含多个TMR结构250，且电阻器R2和R4将包含多个TMR结构200。为简单起见，图4示出电阻器R1和R3具有TMR结构200，而电阻器R2和R4具有TMR结构250。电阻器R1和R3中的TMR结构200、250的数目和设计两者相同。类似地，电阻器R2和R4中的TMR结构200、250的数目和设计两者相同。
典型的磁场传感器在惠斯登电桥电路中使用MR装置。关键是使MR在电桥中以不同方式改变。本文中，磁场传感器具有可调整偏置点。两组不同的TMR结构200、250具有两个不同磁阻响应。TMR结构200、250两者具有彼此正交的自由层和钉扎层磁矩，但磁阻响应反转(即，一个TMR结构的电阻随外部磁场线性地增加，而另一TMR结构的电阻随外部磁场线性地减小)。此外，可调整偏置点以在给定外部磁场范围内操作。
当用户需要具有非零工作场偏置的惠斯登电桥时，需要作出对电阻器的调整。在本文所论述的实施例中，电阻面积(RA)对于所有TMR结构200、250是相同的。更确切地说，TMR结构200、250具有相同高度、长度和宽度。为了使非零工作场偏置发生，电阻器R1和R3具有所设定数目的TMR结构200，而电阻器R2和R4具有不同于电阻器R1和R3的所述所设定数目的TMR结构200的所设定数目的TMR结构250。不同数目的TMR结构200、250导致非零偏置场。如果电阻器R1-R4都具有相同数目的TMR结构200、250且都具有相同RA，则工作场偏置将为零。通过使电阻器R1和R3相对于电阻器R2和R4的TMR结构数目不同，工作场偏置为非零的。此外，虽然TMR结构的数目不同，但RA对于所有TMR结构200、250是相同的，尽管不同电阻器R1-R4具有不同TMR结构200、250。
对于图4中展示的实施例，TMR结构200的RA等于TMR结构250的RA。TMR结构200、250的磁阻相同。对于电阻器R1-R4，存在串联连接于阵列中的多个TMR结构200、250。
在一个实施例中，电阻器R1和R3具有布置成阵列的多个TMR结构200，电阻器R2和R4具有布置成阵列的多个TMR结构250；且电阻器R1和R3的TMR结构200的的数目大于电阻器R2和R4的TMR结构250的数目。在另一实施例中，电阻器R1和R3具有布置成阵列的多个TMR结构250；电阻器R2和R4具有布置成阵列的多个TMR结构200；且电阻器R1和R3的TMR结构250的数目大于电阻器R2和R4的TMR结构200的数目。在任何实施例中，TMR结构200、250的RA相同。
图5是示出来自具有用以调整工作偏置点的不同阵列的TMR结构的所计算电阻响应的曲线图。如图5所示，电阻器R1和R3各自具有42个TMR结构200的阵列。电阻器R2和R4具有比电阻器R1和R3少的TMR结构250。如果电阻器R1-R4的TMR结构200、250的数目相等，则电阻器R2和R4的线将与电阻器R1和R3的线交叉在0处。在存在用于电阻器R2和R4的30个TMR结构250的情况下，工作偏置场为约-250奥斯特。在存在用于电阻器R2和R4的26个TMR结构250的情况下，工作偏置场为约-350奥斯特。在存在用于电阻器R2和R4的20个TMR结构200、250的情况下，工作场偏置为约-500奥斯特。因此，将一对电阻器R1和R3的TMR结构的数目改变为不同于另一对电阻器R2和R4的TMR结构的数目实现非零偏置场以满足消费者需求。
图6是示出各种阵列配置的工作偏置点的曲线图。如图6中所展示，当TMR结构200的数目针对电阻器R1和R3被设定为42时，则可选择用于电阻器R2和R4的TMR结构250的数目以实现特定偏置点。在操作中，终端用户选择偏置点的特定范围。制造商接着选择所述范围的中点，并针对两个电阻器R2和R4制造对应数目个TMR传感器250以实现工作场偏置的预选中点。
应理解，虽然已经参考用于一组电阻器R1和R3的42个TMR结构200，但TMR结构200的数目不受限制。事实上，用于电阻器R1-R4的TMR结构200、250的数目可经选择以实现所要工作场偏置点。只要RA针对所有TMR结构200、250是相等的，用于电阻器R1-R4的TMR结构200、250的数目就可经选择以实现所要工作偏置场点。
图7是示出一种制造惠斯登电桥的方法700的流程图。所述方法通过初始在步骤702中从用户接收工作场范围而操作。接着，在步骤704中针对两个电阻器设定TMR结构的数目。随后，在步骤706中，基于用于两个电阻器的TMR结构的所设定数目，确定实现由用户选择的工作场范围的中点所必需的TMR结构的数目。最后，在步骤708中同时制造用于每一电阻器的所要数目的TMR结构。
在一个实施例中，一种TMR传感器装置包括：第一电阻器，其包括第一多个TMR结构；以及第二电阻器，其包括第二多个TMR结构，其中第一多个TMR结构的数目大于第二多个TMR结构的数目。所述第一多个TMR结构中的TMR结构彼此相同。所述第二多个TMR结构中的TMR结构彼此相同。所述第一多个TMR结构中的TMR结构不同于所述第二多个TMR结构中的TMR结构。所述装置进一步包括：第三电阻器，其包括第三多个TMR结构；以及第四电阻器，其包括第四多个TMR结构。所述第三多个TMR结构的数目大于所述第四多个TMR结构的数目。所述第三多个TMR结构的数目等于所述第一多个TMR结构的数目。所述第四多个TMR结构的数目等于所述第二多个TMR结构的数目。所述第三多个TMR结构中的TMR结构彼此相同。所述第四多个TMR结构中的TMR结构彼此相同。所述第三多个TMR结构中的TMR结构等同于所述第一多个TMR结构中的TMR结构。所述第四多个TMR结构中的TMR结构等同于所述第二多个TMR结构中的TMR结构。
在另一实施例中，一种TMR传感器装置包括：多个电阻器，其各自含有多个TMR结构，其中所述多个电阻器的至少两个电阻器含有不同量的TMR结构，且其中所述至少两个电阻器的TMR结构是不同的。所述多个电阻器具有大体上相同的RA。TMR传感器装置具有为非零奥斯特的偏置点。至少一个TMR结构含有合成反铁磁结构。含有合成反铁磁结构的TMR结构比不含有合成反铁磁结构的TMR结构多。
在另一实施例中，一种制造TMR传感器装置的方法包括：形成包括第一多个TMR结构的第一电阻器；形成包括第二多个TMR结构的第二电阻器；形成包括所述第一多个TMR结构的第三电阻器；以及形成包括所述第二多个TMR结构的第四电阻器，其中所述第一多个TMR结构不同于所述第二多个TMR结构。第三电阻器和第一电阻器大体上相同。所述第一多个TMR结构的数目是所述第二多个TMR结构的数目的两倍以上。
在一个实施例中，TMR传感器在相机中使用，作为单轴传感器操作。此传感器的实例可见于第2019/0020822A1号美国专利申请公开案，所述公开案以引用的方式并入本文中。然而，经审慎考虑，TMR传感器可以用作二维乃至三维传感器。此外，经审慎考虑，TMR传感器可在例如可穿戴装置、罗盘和MEMS装置等除相机外的惯性测量单元技术中集成和利用。此外，TMR传感器可以作为位置传感器、电桥角传感器、磁开关、电流传感器或其组合操作。TMR传感器可用以通过使用TMR传感器作为位置和角传感器来使例如智能电话相机等相机聚焦。并且，TMR传感器在汽车工业中可作为开关，电流和角传感器使用，以代替当前的霍耳、各向异性磁阻(AMR)和巨磁阻(GMR)传感器。TMR传感器还可在无人机和机器人行业中用作位置和角传感器。医疗装置也可利用TMR传感器用于输液系统的流速控制和内窥镜相机传感器等等。因此，本文所论述的TMR传感器较好地应用于智能电话相机以外的应用，且因此不应限于用作用于智能电话相机的传感器。此外，TMR传感器无需布置成惠斯登电桥布置，而是可以任何数目的方式布置。
通过更改惠斯登电桥中的一组特定电阻器内的TMR结构的数目并同时保持所有TMR结构的RA恒定，可调适工作偏置场点以满足用户的需要。
虽然前述内容是针对本公开的实施例，但可以设计出本公开的其它及另外的实施例，而这些实施例不脱离本公开的基本范围，且本公开的范围由所附权利要求书决定。

Claims (20)

1.一种隧道磁阻(TMR)传感器装置，其包括：
第一电阻器，其包括第一多个TMR结构；以及
第二电阻器，其包括第二多个TMR结构，其中第一多个TMR结构的数目大于第二多个TMR结构的数目。
2.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，其中所述第一多个TMR结构中的所述TMR结构彼此相同。
3.根据权利要求2所述的TMR传感器装置，其中所述第二多个TMR结构中的所述TMR结构彼此相同。
4.根据权利要求3所述的TMR传感器装置，其中所述第一多个TMR结构中的所述TMR结构不同于所述第二多个TMR结构中的所述TMR结构。
5.根据权利要求1所述的TMR传感器装置，其进一步包括：
第三电阻器，其包括第三多个TMR结构；以及
第四电阻器，其包括第四多个TMR结构。
6.根据权利要求5所述的TMR传感器装置，其中所述第三多个TMR结构的数目大于所述第四多个TMR结构的数目。
7.根据权利要求6所述的TMR传感器装置，其中所述第三多个TMR结构的数目等于所述第一多个TMR结构的数目。
8.根据权利要求7所述的TMR传感器装置，其中所述第四多个TMR结构的数目等于所述第二多个TMR结构的数目。
9.根据权利要求8所述的TMR传感器装置，其中所述第三多个TMR结构中的所述TMR结构彼此相同。
10.根据权利要求9所述的TMR传感器装置，其中所述第四多个TMR结构中的所述TMR结构彼此相同。
11.根据权利要求10所述的TMR传感器装置，其中所述第三多个TMR结构中的所述TMR结构等同于所述第一多个TMR结构中的所述TMR结构。
12.根据权利要求11所述的TMR传感器装置，其中所述第四多个TMR结构中的所述TMR结构等同于所述第二多个TMR结构中的所述TMR结构。
13.一种TMR传感器装置，其包括：
多个电阻器，其各自含有多个TMR结构，其中所述多个电阻器中的至少两个电阻器含有不同量的TMR结构，且其中所述至少两个电阻器的所述TMR结构不同。
14.根据权利要求13所述的TMR传感器装置，其中所述多个电阻器具有大体上相同的RA。
15.根据权利要求13所述的TMR传感器装置，其中所述TMR传感器布置具有为非零奥斯特的偏置点。
16.根据权利要求13所述的TMR传感器装置，其中至少一个TMR结构含有合成反铁磁结构。
17.根据权利要求16所述的TMR传感器装置，其中含有所述合成反铁磁结构的TMR结构比不含有所述合成反铁磁结构的TMR结构多。
18.一种制造TMR传感器装置的方法，其包括：
形成包括第一多个TMR结构的第一电阻器；
形成包括第二多个TMR结构的第二电阻器；
形成包括所述第一多个TMR结构的第三电阻器；以及
形成包括所述第二多个TMR结构的第四电阻器，其中所述第一多个TMR结构不同于所述第二多个TMR结构。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第三电阻器和所述第一电阻器大体上相同。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述第一多个TMR结构的数目是所述第二多个TMR结构的数目的两倍以上。
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