CN113162009A - 一种过能保护电路、剩余电流装置、电子设备和配电盒 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种过能保护电路、剩余电流装置、电子设备和配电盒，保护电路的工作可靠性较高，包括：第一过能吸收电路，接收电流互感器输出的第一电信号，在第一电信号的电压值大于等于第一预设阈值时，将第一电信号进行降压处理得到第二电信号，将第二电信号输出给第二过能吸收电路，以及在第一电信号的电压值小于第一预设阈值时，让第一电信号输出给第二过能吸收电路；第二过能吸收电路，在输入到第二过能吸收电路的输入电流大于等于第二预设阈值时，对输入电流进行吸收，以及在输入到第二过能吸收电路的电流小于第二预设阈值时，让输入电流输出给剩余电流判断电路；剩余电流判断电路，在流入的电流满足预定条件时，控制脱扣器断开。

Description

一种过能保护电路、剩余电流装置、电子设备和配电盒
技术领域
本申请涉及到电力电子技术领域，尤其涉及到一种过能保护电路、剩余电流装置、电子设备和配电盒。
背景技术
在供电系统或者配电系统中，为了保证供电安全或者配电安全，一般会在系统的供电路径上设置保护电路，用于保护系统中器件的安全，以剩余电流装置(ResidualCurrent Device，RCD)为例，该剩余电流装置检测供电路经上的剩余电流，当检测到剩余电流超出规定值时，则确定系统发生漏电现象，断开供电路径的连接，从而实现保护负载和系统器件的安全。
该装置在实际使用时，由于系统在承受雷击时，会在供电路径上产生一个短期的过能电流，该装置在检测到由于系统承受雷击产生的大电流时，会认为系统出现漏电现象，断开主路的连接，影响了系统的正常运行。
因此，现有的保护电路在收到过能(也即过量的能量)时，会对保护装置的工作造成影响，产生误判现象，降低了保护装置的工作可靠性。
发明内容
本申请提供了一种过能保护电路、剩余电流装置、电子设备和配电盒，用于减小过能干扰信号对保护电路的影响，提高保护电路的工作可靠性。
第一方面，本申请实施例提供了一种过能保护电路，该保护电路应用于剩余电流装置，剩余电流装置包括过能保护电路、电流互感器以及脱扣器。具体地，过能保护电路包括：第一过能吸收电路、第二过能吸收电路以及剩余电流判断电路。其中，第一过能吸收电路与电流互感器的二次侧连接，第二过能吸收电路与第一过能吸收电路的输出端连接，剩余电流判断电路与第二过能吸收电路的输出端连接以及脱扣器连接。
其中，第一过能吸收电路用于接收电流互感器二次侧输出的第一电信号，并在第一电信号的电压值大于或等于第一预设阈值时，将第一电信号的电压值进行降压处理，得到第二电信号，并将第二电信号输出给第二过能吸收电路，以及用于在第一电信号的电压值小于第一预设阈值时，让第一电信号输出给第二过能吸收电路。第二过能吸收电路用于在输入到第二过能吸收电路的输入电流大于或者等于第二预设阈值时，对输入电流的能量进行吸收，以及用于在输入到第二过能吸收电路的电流小于第二预设阈值时，让输入电流输出给剩余电流判断电路。剩余电流判断电路用于在流入剩余电流控制电路的电流满足预定条件时，控制脱扣器断开。
采用上述电路对系统进行保护时，当由系统承受雷击造成在供电路径上出现短期的过能大电流时，由于电路中的电流非常大，则通过电流互感器二次侧输出的电信号的电压值则会远大于故障(如漏电)时产生的电压，承受雷击出现的第一部分过能(电信号的电压值大于第一预设阈值的部分)可以通过第一过能吸收电路消耗掉，对于雷电的第二部分过能(经第一过能吸收电路消耗后的部分)则通过第二过能吸收电路消耗掉，此时第二过能吸收电路输出的能量不足以控制脱扣器工作，提高了保护电路的工作可靠性。在一种可能的设计中，第二过能吸收电路包括：R1、R2、R3、R4、第一二极管D1、D2、第一PNP型三极管和第一NPN型三极管。其中，D1的阳极为第二过能吸收电路输入端的第一端点，第一PNP型三极管的集电极为第二过能吸收电路输入端的第二端点，R2的第一端为第二过能吸收电路输出端的第一端点，R4的第二端为第二过能吸收电路输出端的第二端点；D1的阳极与第一过能吸收电路输出端的第一端点以及D2的阴极连接，D1的阴极与R1的第一端连接；第一R1的第二端与R2的第一端以及第一PNP型三极管的发射极连接；R2的第二端与第一PNP型三极管的基极连接；第一PNP型三极管的集电极与第一NPN型三极管的集电极以及第一过能吸收电路输出端的第二端点连接；D2的阳极与R3的第一端连接；第一NPN型三极管的发射极与R3的第一端以及R4的第一端连接，第一NPN型三极管的基极与R4的第二端连接。
采用上述电路结构，当第一过能吸收电路输出的信号的电流值大于或者等于第二预设阈值时，则确定该信号中存在过能，该信号在经过电阻R2或者R4时，在R2两端或者R4两端的压降超过第一PNP型三极管或者第一NPN型三极管的开启电压(第二预设阈值与R2的乘积大于或者等于第一PNP型三极管的开启电压，第二预设阈值与R4的乘积大于或者等于第一NPN型三极管的开启电压)，第一PNP型三极管或者第一NPN型三极管导通，此时第一过能吸收电路输出的信号将通过第一PNP型三极管或者第一NPN型三极管构成的路径消耗掉，从而减小过能对保护电路的影响。
在一种可能的设计中，第二过能吸收电路包括：R5、R6、D3、D4、第一P沟道金属-氧化物半导通场效应MOS管和第一N沟道MOS管。其中，D3的阳极为第二过能吸收电路输入端的第一端点，第一N沟道MOS管的漏极为第二过能吸收电路输入端的第二端点，R5的第二端为第二过能吸收电路输出端的第一端点，R6的第二端为第二过能吸收电路输出端的第二端点；D3的阳极与第一过能吸收输出端的第一端点以及D4的阴极连接，D3的阴极与R5的第一端以及第一N沟道MOS管的源极连接；R5的第二端与第一N沟道MOS管的栅极连接；第一P沟道MOS管的漏极与第一N沟道MOS管的漏极以及第一过能吸收电路输出端的第二端点连接，第一P沟道MOS管的源极与R6的第一端连接，第一P沟道MOS管的栅极与R6的第二端连接；R6的第一端与D4的阳极连接。
采用上述电路，当第一过能吸收电路输出的信号的电压值大于或者等于第二预设阈值，则确定该信中存在过能，该信号在经过电阻R5或者R6时，在R5或者R6两端产生的压降超过第一P沟道金属-氧化物半导通场效应MOS管或者第一N沟道MOS管的开启电压(第二预设阈值与R5的乘积大于或者等于第一N沟道MOS管的开启电压，第二预设阈值与R6的乘积大于或者等于第一P沟道MOS管的开启电压)，第一P沟道金属-氧化物半导通场效应MOS管或者第一N沟道MOS管导通，此时，第一过能吸收电路输出的信号将通过第一P沟道金属-氧化物半导通场效应MOS管或者第一N沟道MOS管构成的路径消耗掉，从而减小过能对保护电路的影响。
在一种可能的设计中，第二过能吸收电路包括：R7、R8、D5、D6、D7、D8和第二PNP型三极管。其中，D5的阳极为第二过能吸收电路输入端的第一端点，D8的阴极为第二过能吸收电路输入端的第二端点，R8的第二端为第二过能吸收电路输出端的第一端点，D8的阳极为第二过能吸收电路输出端的第二端点；D5的阳极与第一过能吸收电路输出端的第一端点以及D6的阴极连接，D5的阴极与D7的阴极以及R7的第一端连接；D8的阴极与D7的阳极以及第一过能吸收电路输出端的第二端点连接，D8的阳极与D6的阳极以及第二PNP型晶体三极管的集电极连接；R7的第二端与第二PNP型三极管的发射极以及R8的第一端连接；R8的第二端与第二PNP型三极管的基极连接。
采用上述电路结构，当第一过能吸收电路输出的信号的电压值大于或者等于第二预设阈值时，则确定该信号中存在过能，该信号在经过电阻R8时，在R8两端产生的压降超过第二PNP型三极管的开启电压(第二预设阈值与R8的乘积大于或者等于第二PNP型三极管的开启电压)，第二PNP型三极管导通，此时，第一过能吸收电路输出的信号则通过第二PNP型三极管构成的路径消耗掉，从而减小过能对保护电路的影响。
在一种可能的设计中，第二过能吸收电路包括：R9、R10、D9、D10、D11、D12和第二NPN型三极管。其中，D9的阳极为第二过能吸收电路输入端的第一端点，D12的阴极为第二过能吸收电路输入端的第二端点，D11的阴极为第二过能吸收电路输出端的第一端点，R10的第二端为第二过能吸收电路输出端的第二端点；D9的阳极与第一过能吸收电路输出端的第一端点以及D10的阴极连接，D9的阴极与D11的阴极以及第二NPN型三极管的集电极连接；D12的阴极与D11的阳极以及第一过能吸收电路输出端的第二端点连接，D12的阳极与D10的阳极以及R9的第一端连接；R9的第二端与R10的第一端以及第二NPN型三极管的发射极连接；R10的第二端与第二NPN型三极管的基极连接。
采用上述电路结构，当第一过能吸收电路输出的信号的电压值大于或者等于第二预设阈值时，则可以确定该信号中存在过能。该信号在经过电阻R10时，在R10两端产生的压降超过第二NPN型三极管的开启电压(第二预设阈值与R10的乘积大于或者等于第二NPN型三极管的开启电压)，第二NPN型三极管导通，第一过能吸收电路输出的信号则可以用过第二NPN型三极管构成的路径消耗掉，从而减小了过能对保护电路的影响。
在一种可能的设计中，第二过能吸收电路包括：R11、D13、D14、D15、D16和第二P沟道MOS管。其中，D13的阳极为第二过能吸收电路输入端的第一端点，D16的阴极为第二过能吸收电路输入端的第二端点，D15的阴极为第二过能吸收电路输出端的第一端点，R11的第二端为第二过能吸收电路输出端的第二端点；D13的阳极与第一过能吸收电路输出端的第一端点以及D14的阴极连接，D13的阴极与第二P沟道MOS管的漏极连接；D16的阴极与D15的阳极以及第一过能吸收电路输出端的第二端点连接，D16的阳极与D14的阳极以及第二P沟道MOS管的源极连接；第二P沟道MOS管的源极与R11的第一端连接，第二P沟道MOS管的栅极与R11的第二端。
采用上述电路结构，当第一过能吸收电路输出的信号的电压值大于或者等于第二预设阈值时，则可以确定该信号中存在过能。该信号在经过电阻R11时，在R11两端产生的压降超过第二P沟道MOS管的开启电压(第二预设阈值与R11的乘积大于或者等于第二P沟道MOS管的开启电压)，第二P沟道MOS管导通，第一过能吸收电路输出的信号可以通过第二P沟道MOS管构成的路径消耗掉，从而减小过能对保护电路的影响。
在一种可能的设计中，第二过能吸收电路包括：R12、D17、D18、D19、D20和第二N沟道MOS管。其中，D17的阳极为第二过能吸收电路输入端的第一端点，D20的阴极为第二过能吸收电路输入端的第二端点，R12的第二端为第二过能吸收电路输出端的第一端点，D20的阳极为第二过能吸收电路输出端的第二端点；D17的阳极与第一过能吸收电路输出端的第一端点以及D18的阴极连接，D17的阴极与D19的阴极以及第二N沟道MOS管的源极连接；D20的阴极与第一过能吸收电路输出端的第二端点以及D19的阳极连接，D20的阳极分别与D18的阳极以及第二N沟道MOS管的漏极连接；第二N沟道MOS管的源极与R12的第一端连接，第二N沟道MOS管的栅极与R12的第二端连接。
采用上述电路结构，当第一过能吸收电路输出的信号的电压值大于或者等于第二预设阈值时，则可以确定该信号中存在过能。该信号在经过电阻R12时，在R12两端产生的压降超出第二N沟道MOS管的开启电路(第二预设阈值与R12的乘积大于或者等于第二N沟道MOS管的开启电路)，第二N沟道MOS管导通，第一过能吸收电路输出的信号可以通过第二N沟道MOS管构成的路径消耗掉，从而减小过能对保护电路的影响。
在一种可能的设计中，第一过能吸收电路包括：至少两个瞬态抑制二极管；至少两个瞬态抑制二极管用于在第一电信号的电压值大于或者等于第一预设阈值时，将第一电信号的电压值进行降压处理，得到第二电信号，并将第二电信号输出给第二过能吸收电路；以及用于在第一电信号的电压值小于第一预设阈值时，让第一电信号输出给第二过能吸收电路。
采用上述电路结构，由于待检测支路上传输的为单相交流电，在将转换电路输出后输出的第一电信号也为单相交流电，当第一电信号中存在过能时，可以采用至少一个瞬态抑制二极管对第一电信号的正半周的信号进行吸收，可以采用至少一个瞬态抑制二极管对第一电信号的负半周期信号进行吸收，从而减小过能对保护电路的影响。
此外，还可以使用一个双极性的瞬态抑制二极管来代替两个单极性的瞬态抑制二极管来取得类似的效果。
在一种可能的设计中，该保护电路还包括稳压电路。其中，稳压电路，连接在电流互感器的二次侧以及第一过能吸收电路之间，用于稳定第一电信号的电压值和电流值。
具体地，稳压电路包括：R13和第一电容；R13的第一端与电流互感器的二次侧的第一端点连接，R13的第二端与电流互感器的二次侧的第二端点连接；第一电容的第一端与R13的第一端连接，第一电容的第二端与R13的第二端连接。
采用上述电路结构，可以通过稳压电路减小电流互感器二次侧输出的第一电信号数值的波动，以减小第一电信号的波动对检测结构的影响。
在一种可能的设计中，剩余电流判断电路包括检测器和驱动电路。其中，检测器与第二过能吸收电路的输出端连接，驱动电路与检测器连接。
其中，检测器用于在流入剩余电流控制电路的电流值大于或者等于第三预设阈值时，向驱动电路发送驱动信号。驱动电路用于在接收到驱动信号时，将驱动信号的功率进行放大生成控制信号，并将控制信号发送给脱扣器，控制脱扣器断开。
采用上述电路结构，剩余电流判断电路通过检测第二过能吸收电路输出信号的电流值判断是否对系统进行保护，当电路中存在过能时，由于信号在进入剩余电流判断电路之前，以已对过能进行了吸收，从而信号在达到剩余电流判断电路之前，第一过能吸收电路和第二过能吸收电路已经将干过能抑制为正常的电压值，故剩余电流判断电路在进行判断时，只有出现电流出现漏电时(此时电流互感器二次侧输出的信号的电压值小于第一预设阈值，电流小于第二预设阈值、且大于或者等于第三阈值)，才会系统进行保护。
在一种可能的设计中，驱动电路包括：R14、R15、R16、R17、D21、第二电容和第三NPN型三极管。其中，R14的第一端与D21的阳极以及检测器的第一输出端点连接，R14的第二端与检测器的第二输出端点以及R15的第二端连接；D21的阴极与R15的第二端以及R16的第二端连接；R16的第二端与第二电容的第一端以及R17的第一端连接；第三NPN型三极管的发射极与脱扣器的线圈连接，第三NPN型三极管的基极与R17的第二端连接，第三NPN型三极管的发射极与第二电容的第二端连接。
采用上述电路结构，由于检测器输出的控制信号的功率较小，无法直接控制脱扣器动作，可以设置驱动电路对驱动信号进行放大处理，以控制脱扣器动作。
在这一种可能的设计中，检测器包括比较器和第三电容。其中，第三电容的第一端与第二过能吸收电路输出端的第一端点连接，第三电容的第二端与第二过能吸收电路输出端的第二端点连接；比较器的第一输入端与第三电容的第一端连接，比较器的第二输入端与参考电源连接，比较器的输出端与驱动电路连接。
采用上述电路结构，当第二过能吸收电路输出的信号大于第三预设阈值时，该电流对第三电容充电，在第三电容两端的电压大于比较器的动作电压值，比较器输出驱动信号驱动脱扣器动作。
第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括第一方面及其任一可能的设计中提供的过能保护电路。所述电子设备还包括处理器以及存储器，其中，所述处理器用于读取所述存储器中存储的代码来进行数据处理。在第二方面另一种可能的实现方式中，所述电子设备还包括电流互感器以及脱扣器，所述电流互感器、所述脱扣器以及所述过能保护电路组成剩余电流装置。
第三方面，本申请实施例提供了一种配电盒，包括第一方面及其任一可能的设计中提供的过能保护电路。在第三方面另一种可能的设计中，所述配电盒还包括电流互感器以及脱扣器，所述电流互感器、所述脱扣器以及所述过能保护电路组成剩余电流装置。
第四方面，本申请实施例提供了一种剩余电流装置，包括电流互感器，脱扣器以及第一方面及其任一可能的设计中提供的过能保护电路。
附图说明
图1为本申请实施例提供现有的RCD保护电路的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的过能保护电路的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的第二过能吸收电路的结构示意图一；
图4为本申请实施例提供的第二过能吸收电路的结构示意图二；
图5为本申请实施例提供的第二过能吸收电路的结构示意图三；
图6为本申请实施例提供的第二过能吸收电路的结构示意图四；
图7为本申请实施例提供的第二过能吸收电路的结构示意图五；
图8为本申请实施例提供的第二过能吸收电路的结构示意图六；
图9为本申请实施例提供的剩余电流判断电路的结构示意图；
图10为本申请实施例提供的过能保护电路的电路结构示意图；
图11为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图；
图12为本申请实施例提供的配电盒的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本申请实施例作进一步详细描述。
本申请实施例提供的过能保护电路可以应用于在供电系统或配电系统(如ACDU配电盒)中，用于检测系统是否发生故障(如漏电故障)，在确定系统发生故障时，断开系统路径的连接，以实现保护负载以及系统中器件的安全，且本申请实施例提供的保护电路可以防止干扰信号的保护电路的影响。
参见图1，以RCD保护电路为例，图1为RCD保护电路的一种可能的结构，如图1所示，包括电流互感器和瞬态抑制二极管以及驱动电路。其中，电流互感器实时检测供电路径上的电流，并将检测的电流转换后输出给瞬态抑制二极管，当系统承受雷击时，供电路径上的电流发生突增，带动电流互感器输出的信号的电压值也发生突增，在电流互感器输出信号的电压值大于设定值时，确定此时出现过能，瞬态抑制二极管工作将该能量消耗掉，将电流互感器输出的电压转换为正常值，此时转换后的信号的电压值不足以驱使驱动电路工作，供电路径正常连接工作。其中，本申请中，过能是指过量的能量，包括但不限于：过电压所对应的能量(例如，浪涌电压和冲击电压等形成的能量)和过电流所对应的能量(例如，浪涌电流和冲击电流等所形成的能量)。
图1所示的RCD保护电路虽然能够实现保护负载以及系统中器件的安全，但是在保护过程中，若系统承受雷击，则会在供电线路上出现一个较大的过能电流，由于雷电能量(过能)的消耗需要一个过程，在雷电能量的消耗过程中，雷电能量在系统路径上产生的电流逐渐减小，可能会出现电流互感器输出电压的电压值小于瞬态抑制二极管开启电压的情况，此时RCD保护电路检测到该电压时，会默认为系统发生漏电现象，通过脱扣器控制供电路径断开连接，从而影响了系统的正常工作。
因此，现有技术中的保护电路容易受到过能的影响，工作可靠性低。
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述。
本申请实施例提供一种过能保护电路、剩余电流装置、电子设备和配电盒，用以减小过能对保护电路的影响，提高保护电路的工作可靠性。
需要说明的是，本申请中所涉及的多个，是指两个或两个以上。
本申请中所涉及术语“连接”，描述两个对象的连接关系，可以表示两种连接关系，例如，A和B连接，可以表示：A与B直接连接，A通过C和B连接这两种情况。
另外，需要理解的是，在本申请的描述中，“第一”、“第二”等词汇，仅用于区分描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，也不能理解为指示或暗示顺序。
参见图2，为本申请实施例提供的一种过能保护电路的结构示意图，其中，该保护电路200用于RCD中，该RCD包括过能保护电路、电流互感器以及脱扣器。具体地，如图2所示，保护电路200包括：第一过能吸收电路201、第二过能吸收电路202和剩余电流判断电路203。其中，第一过能吸收电路201与电流互感器的二次侧连接，第二过能吸收电路202与第一过能吸收电路201的输出端连接，剩余电流判断电路203与第二过能吸收电路202的输出端连接以及脱扣器连接。
其中，第一过能吸收电路201用于接收电流互感器二次侧输出的第一电信号，并在第一电信号的电压值大于或等于第一预设阈值时，将第一电信号的电压值进行降压处理，得到第二电信号，并将第二电信号输出给第二过能吸收电路，以及用于在第一电信号的电压值小于第一预设阈值时，让第一电信号输出给第二过能吸收电路202。第二过能吸收电路202用于在输入到第二过能吸收电路202的输入电流大于或者等于第二预设阈值时，对输入电流的能量进行吸收，以及用于在输入到第二过能吸收电路202的电流小于第二预设阈值时，让输入电流输出给剩余电流判断电路203。剩余电流判断电路203用于在流入剩余电流判断电路203的电流满足预定条件时，控制脱扣器断开。
通过过能保护电路200对系统进行保护时，若系统承受雷击，雷电能量(过能)虽然可以通过避雷器消耗掉，但是雷电能量的消耗需要一个相应的过程，在雷电能量的消耗过程中，会在供电路径上产生一个逐渐减小的大过能电流，对于过能的初期，供电路径上的电流较大，此时第一过能吸收电路201接收电流互感器二次侧输出的第一电信号的电压值较大(大于或者等于第一预设阈值)，第一过能吸收电路201将此部分(过能中电压值大于或者等于第一预设阈值的部分)能量吸收掉，即将第一电信号的电压值进行降压处理(吸收掉)，并输出给第二电信号，对于过能的后期，第一过能吸收电路201接收的电流互感器二次侧输出的信号的电压值变小(小于第一预设阈值)，第一过能吸收电路201不工作(第一信号的电压值小于第一预设阈值)，直接将该信号输出给第二过能吸收电路202中，但该信号的电流值仍然较大、且大于第二预设阈值，第二过能吸收电路202可以对过能剩余能量进行吸收，此时输出给剩余电流判断电路的电流值变小，脱扣器不动作，系统正常工作。当系统出现故障(如漏电故障)时，电流互感器将供电路径上的故障电流转换为第一电信号后输出给第一过能吸收电路201，由于供电路径上发生故障时，供电路径上出现的电流较小，此时第一电信号的电压值小于第一预设阈值，电流值小于第二预设阈值大于第三阈值，此时该电压信号可以直接输出给剩余电流判断电路203中，剩余电流判断电路203控制脱扣器动作，断开供电路径的连接，从而达到保护负载以及系统器件的安全。由此可知，本申请实施例提供的过能保护电路200既可以实现保护系统的安全，也可以减小过能对保护电路200的影响，提高保护电路200的工作可靠性。
应理解，若系统中未配置防雷器，则可以通过本申请实施例提供的过能保护电路200对雷电能量进行消耗，从而避免由于雷电能量无法消耗造成的器件损坏。
下面对过能保护电路200中的第一过能吸收电路201、第二过能吸收电路202以及剩余电流判断电路203的具体结构进行介绍。
一、第一过能吸收电路201
第一过能吸收电路201包括至少两个瞬态抑制二极管。其中，设置瞬态抑制二极管的作用为：在电流互感器二次侧输出的第一电信号(单相交流电)的电压值大于或等于第一预设阈值(瞬态抑制二极管的工作电压)时，采用至少一个瞬态抑制二极管对第一电信号的正半周期信号进行吸收，采用至少一个第二瞬态抑制二极管对第一电信号的负半周期信号进行抑制。其中，在第一电压信号的电压值小于第一预设阈值时，瞬态抑制二极管均不工作。
具体地，第一过能吸收电路201与电流互感器的二次侧并联连接，以第一过能吸收电路201包括两个瞬态抑制二极管(第一瞬态抑制二极管和第二瞬态抑制二极管)为例，第一瞬态抑制二极管的阳极为第一过能吸收电路201的第一端点，第二瞬态抑制二极管的阳极为第一过能吸收电路201的第二端点。第一瞬态抑制二极管的阳极与电流互感器二次侧的第一端点连接，第一瞬态抑制二极管的阴极与第二瞬态抑制二极管的阴极连接，第二瞬态抑制二极管的阳极与电流互感器二次侧的第二端点连接。
具体地，当系统承受雷击造成供电路径中存在雷电能量时，该雷电能量经过电流互感器转换后输出的第一电信号的电压值大于第一预设阈值(瞬态抑制二极管的开启电压)时，瞬态抑制二极管工作将能量吸收掉，从而不会对保护电路200中剩余电流判断电路203的判断造成影响。
在一种可能的实施方式中，为了减小第一电信号的波动，在电流互感器的二次侧和第一过能吸收电路201之间还包括稳压电路，该稳压电路包括：R13和第一电容。其中，R13的第一端与电流互感器的二次侧的第一端点连接，R13的第二端与电流互感器的二次侧的第二端点连接；第一电容的第一端与R13的第一端连接，第一电容的第二端与R13的第二端连接。
二、第二过能吸收电路202
本申请实施例提供的第二过能吸收电路202根据用于吸收过能的器件以及器件的连接方式的不同，可以分为6种具体电路结构，下面结合实施例对本申请提供的第二过能吸收电路202的电路结构进行说明，具体如下：
实施例一、第二过能吸收电路202包括：R1、R2、R3、R4、第一二极管D1、D2、第一PNP型三极管和第一NPN型三极管。
具体地，D1的阳极为第二过能吸收电路202输入端的第一端点，第一PNP型三极管的集电极为第二过能吸收电路202输入端的第二端点，R2的第一端为第二过能吸收电路202输出端的第一端点，R4的第二端为第二过能吸收电路202输出端的第二端点；D1的阳极与第一过能吸收电路201输出端的第一端点以及D2的阴极连接，D1的阴极与R1的第一端连接；第一R1的第二端与R2的第一端以及第一PNP型三极管的发射极连接；R2的第二端与第一PNP型三极管的基极连接；第一PNP型三极管的集电极与第一NPN型三极管的集电极以及第一过能吸收电路201输出端的第二端点连接；D2的阳极与R3的第一端连接；第一NPN型三极管的发射极与R3的第一端以及R4的第一端连接，第一NPN型三极管的基极与R4的第二端连接。
为了便于理解，下面给出实施例一提供的第二过能吸收电路202的具体示例。
参见图3为本申请实施例一提供的一种第二过能吸收电路202的结构示意图。在图3所示的电路中，包括电阻R1、R2、R3、R4、二极管D1、D2、第一PNP型三极管(Q1)和第一NPN型三极管(Q2)。其中，A和B作为第二过能吸收电路202的输入端，分别与第一过能吸收电路201的第一端点和第二端点连接，C和D作为第二过能吸收电路202的输出端与剩余电流判断电路203连接。
通过图3所示的第二过能吸收电路202实现吸收过能时，A和B作为单相交流输入端接收电流互感器二次侧输出的单相交流电压，C和D作为单相直流输出端，将信号输出给剩余电流判断电路203，能量从左到右传输。
具体地，当过能大部分(过能初期电压值大于或者等于第一预设阈值的部分)通过第一过能吸收电路201吸收掉，对于过能剩余能量(电压值小于第一预设阈值的部分)，若该剩余能量经第一过能吸收电路201输出的电流值大于或等于第二预设阈值时，以该信号的正半周期为例，此时该信号在经过电阻R2时，在电阻R2两端产生的电压降大于Q1的开启电压(即第二预设阈值与电阻R2的乘积大于或者等于Q1的开启电压)，Q1导通，此时剩余能量大部分通过Q1和R1构成的路径吸收掉，此时输出给剩余电流判断电路203的电流几乎为零，故脱扣器不动作。该信号的负半周期同理，当存在剩余能量时，该信号在经过电阻R4两端的产生的电压降大于Q2的开启电压(即第二预设阈值与电阻R4的乘积大于或者等于Q2的开启电压)，Q2导通，此时剩余能量大部分通过Q2和R3构成的路径消耗掉，此时输出给剩余电流判断电路203的电流几乎为零，故脱扣器不动作，从而减小过能对保护电路200造成的影响。
实施例二、第二过能吸收电路202包括：R5、R6、D3、D4、第一P沟道金属-氧化物半导通场效应MOS管和第一N沟道MOS管。
具体地，D3的阳极为第二过能吸收电路202输入端的第一端点，第一N沟道MOS管的漏极为第二过能吸收电路202输入端的第二端点，R5的第二端为第二过能吸收电路202输出端的第一端点，R6的第二端为第二过能吸收电路202输出端的第二端点；D3的阳极与第一过能吸收电路201输出端的第一端点以及D4的阴极连接，D3的阴极与R5的第一端以及第一N沟道MOS管的源极连接；R5的第二端与第一N沟道MOS管的栅极连接；第一P沟道MOS管的漏极与第一N沟道MOS管的漏极以及第一过能吸收电路201输出端的第二端点连接，第一P沟道MOS管的源极与R6的第一端连接，第一P沟道MOS管的栅极与R6的第二端连接；R6的第一端与D4的阳极连接。
为了便于理解，下面给出实施例二提供的第二过能吸收电路202的具体示例。
参见图4为本申请实施例二提供的一种第二过能吸收电路202的结构示意图。在图4所示的电路中，包括电阻R5、R6、D3、D4、第一P沟道MOS管(Q3)和第一N沟道MOS管(Q4)。其中，A和B作为第二过能吸收电路202的输入端，分别与第一过能吸收电路201的第一端点和第二端点连接，C和D作为第二过能吸收电路202的输出端与剩余电流判断电路203连接。
通过图4所示的第二过能吸收电路202实现吸收过能时，A和B作为单相交流输入端接收第一过能吸收电路201输出的单相交流电压，C和D作为单相直流输出端，将信号输出给剩余电流判断电路203，能量从左到右传输。
具体地，当过能大部分(过能初期电压值大于或者等于第一预设阈值的部分)通过第一过能吸收电路201吸收掉，对于过能剩余能量(电压值小于第一预设阈值)，若该剩余能量经第一过能吸收电路201输出的电流值大于或者等于第二预设阈值时，以信号的正半周期为例，此时该信号在经过电阻R5时，在电阻R5两端产生的电压降大于Q3的开启电压(即第二预设阈值与电阻R5的乘积大于或者等于Q3的开启电压)，Q3导通，此时剩余能量大部分通过Q3和D3构成的路径消耗掉，输出给剩余电流判断电路203的电流几乎为零，脱扣器不动作。该信号的负半周期同理，当该信号的电流值大于或者等于第二预设阈值时，该信号在经过电阻R6两端的产生的电压降大于Q4的开启电压(即第二预设阈值与电阻R6的乘积大于或者等于Q4的开启电压)，Q4导通，此时剩余能量大部分通过Q4和D4构成的路径吸收掉，此时输出给剩余电流判断电路203的电流几乎为零，脱扣器不动作，从而减小过能对保护电路造成的影响。
实施例三、第二过能吸收电路202包括：R7、R8、D5、D6、D7、D8和第二PNP型三极管。
具体地，D5的阳极为第二过能吸收电路202输入端的第一端点，D8的阴极为第二过能吸收电路202输入端的第二端点，R8的第二端为第二过能吸收电路202输出端的第一端点，D8的阳极为第二过能吸收电路202输出端的第二端点；D5的阳极与第一过能吸收电路201输出端的第一端点以及D6的阴极连接，D5的阴极与D7的阴极以及R7的第一端连接；D8的阴极与D7的阳极以及第一过能吸收电路201输出端的第二端点连接，D8的阳极与D6的阳极以及第二PNP型晶体三极管的集电极连接；R7的第二端与第二PNP型三极管的发射极以及R8的第一端连接；R8的第二端与第二PNP型三极管的基极连接。
为了便于理解，下面给出实施例三提供的第二过能吸收电路202的具体示例。
参见图5为本申请实施例三提供的一种第二过能吸收电路202的结构示意图。在图5所示的电路中，包括电阻R7、R8、D5、D6、D7、D8和第二PNP型三极管(Q5)。其中，A和B作为第二过能吸收电路202的输入端，分别与第一过能吸收电路201的第一端点和第二端点连接，C和D作为第二过能吸收电路202的输出端与剩余电流判断电路203连接。
通过图5所示的第二过能吸收电路202实现吸收过能时，A和B作为单相交流输入端接收第一过能吸收电路201输出的单相交流电压，C和D作为单相直流输出端，将信号输出给剩余电流判断电路203，能量从左到右传输。
具体地，过能大部分(过能初期电压值大于或者等于第一预设阈值的部分)通过第一过能吸收电路201吸收掉，对于过能剩余能量(电压值小于第一预设阈值)，若该剩余能量经第一过能吸收电路201输出的电流值大于或者等于第二预设阈值时，此时该信号在经过电阻R8时，在电阻R8两端产生的电压降大于Q5的开启电压(即第二预设阈值与电阻R8的乘积大于或者等于Q5的开启电压)，Q5导通，此时剩余能量大部分通过Q5和R7构成的路径吸收掉，此时输出给剩余电流判断电路203的电流几乎为零，脱扣器不动作，从而减小过能对保护电路造成的影响。
实施例四、第二过能吸收电路202包括：R9、R10、D9、D10、D11、D12和第二NPN型三极管。
具体地，D9的阳极为第二过能吸收电路202输入端的第一端点，D12的阴极为第二过能吸收电路202输入端的第二端点，D11的阴极为第二过能吸收电路202输出端的第一端点，R10的第二端为第二过能吸收电路202输出端的第二端点；D9的阳极与第一过能吸收电路201输出端的第一端点以及D10的阴极连接，D9的阴极与D11的阴极以及第二NPN型三极管的集电极连接；D12的阴极与D11的阳极以及第一过能吸收电路201输出端的第二端点连接，D12的阳极与D10的阳极以及R9的第一端连接；R9的第二端与R10的第一端以及第二NPN型三极管的发射极连接；R10的第二端与第二NPN型三极管的基极连接。
为了便于理解，下面给出实施例四提供的第二过能吸收电路202的具体示例。
参见图6为本申请实施例四提供的一种第二过能吸收电路202的结构示意图。在图6所示的电路中，包括电阻R9、R10、二极管D9、D10、D11、D12和第二NPN型三极管(Q6)。其中，A和B作为第二过能吸收电路202的输入端，分别与第一过能吸收电路201的第一端点和第二端点连接，C和D作为第二过能吸收电路202的输出端与剩余电流判断电路203连接。
通过图6所示的第二过能吸收电路202实现吸收过能时，A和B作为单相交流输入端接收第一过能吸收电路201输出的单相交流电压，C和D作为单相直流输出端，将信号输出给剩余电流判断电路203，能量从左到右传输。
具体地，过能大部分(过能初期电压值大于或者等于第一预设阈值的部分)通过第一过能吸收电路201吸收掉，对于过能剩余能量(电压值小于第一预设阈值)，若该剩余能量经第一过能吸收电路201输出的电压流值大于或者等于第二预设阈值时，该信号在经过电阻R10时，在电阻R10两端产生的电压降大于Q6的开启电压(即第二预设阈值与电阻R10的乘积大于或者等于Q6的开启电压)，Q6导通，此时剩余能量大部分通过Q6和R9构成的路径消耗掉，此时输出给剩余电流判断电路203的电流几乎为零，脱扣器不动作，从而减小过能对保护电路造成的影响。
实施例五、第二过能吸收电路202包括：R11、D13、D14、D15、D16和第二P沟道MOS管。
具体地，D13的阳极为第二过能吸收电路202输入端的第一端点，D16的阴极为第二过能吸收电路202输入端的第二端点，D15的阴极为第二过能吸收电路202输出端的第一端点，R11的第二端为第二过能吸收电路202输出端的第二端点；D13的阳极与第一过能吸收电路201输出端的第一端点以及D14的阴极连接，D13的阴极与第二P沟道MOS管的漏极连接；D16的阴极与D15的阳极以及第一过能吸收电路201输出端的第二端点连接，D16的阳极与D14的阳极以及第二P沟道MOS管的源极连接；第二P沟道MOS管的源极与R11的第一端连接，第二P沟道MOS管的栅极与R11的第二端。
为了便于理解，下面给出实施例五提供的第二过能吸收电路202的具体示例。
参见图7为本申请实施例五提供的一种第二过能吸收电路202的结构示意图。在图7所示的电路中，包括R11、二极管D13、D14、D15、D16和第二P沟道MOS管(Q7)。其中，A和B作为第二过能吸收电路202的输入端，分别与第一过能吸收电路201的第一端点和第二端点连接，C和D作为第二过能吸收电路202的输出端与剩余电流判断电路203连接。
通过图7所示的第二过能吸收电路202实现吸收过能时，A和B作为单相交流输入端，接收第一过能吸收电路201输出的单相交流电压，C和D作为单相直流输出端，将信号输出给剩余电流判断电路203，能量从左到右传输。
具体地，过能大部分(过能初期电压值大于或者等于第一预设阈值的部分)通过第一过能吸收电路201吸收掉，对于过能剩余能量(电压值小于第一预设阈值)，若该剩余能量经第以过能吸收电路201输出的电流值大于或者等于第二预设阈值时，该信号在经过电阻R11时，在电阻R11两端产生的电压降大于Q7的开启电压(即第二预设阈值与电阻R11的乘积大于或者等于Q7的开启低压)，Q7导通，此时剩余能量大部分通过Q7构成的路径吸收掉，此时输出给剩余电流判断电路203的电流几乎为零，故脱扣器不动作，从而减小过能对保护电路造成的影响。
实施例六、第二过能吸收电路202包括：R12、D17、D18、D19、D20和第二N沟道MOS管。
具体地，D17的阳极为第二过能吸收电路202输入端的第一端点，D20的阴极为第二过能吸收电路202输入端的第二端点，R12的第二端为第二过能吸收电路202输出端的第一端点，D20的阳极为第二过能吸收电路202输出端的第二端点；D17的阳极与第一过能吸收电路201输出端的第一端点以及D18的阴极连接，D17的阴极与D19的阴极以及第二N沟道MOS管的源极连接；D20的阴极与第一过能吸收电路201输出端的第二端点以及D19的阳极连接，D20的阳极分别与D18的阳极以及第二N沟道MOS管的漏极连接；第二N沟道MOS管的源极与R12的第一端连接，第二N沟道MOS管的栅极与R12的第二端连接。
为了便于理解，下面给出实施例六提供的第二过能吸收电路202的具体示例。
参见图8为本申请实施例六提供的一种第二过能吸收电路202的结构示意图。在图8所示的电路中，包括电阻R12、二极管D17、D18、D19、D20和第二N沟道MOS管(Q8)。其中，A和B作为第二过能吸收电路202的输入端，分别与第一过能吸收电路201的第一端点和第二端点连接，C和D作为第二过能吸收电路202的输出端与剩余电流判断电路203连接。
通过图8所示的第二过能吸收电路202实现吸收过能时，A和B作为单相交流输入端，接收第一过能吸收电路201输出的单相交流电压，C和D作为单相直流输出端，将信号输出给剩余电流判断电路203，能量从左到右传输。
具体地，剩余能量大部分(过能初期电压值大于或者等于第一预设阈值的部分)通过第一过能吸收电路202消耗掉，对于过能剩余能量(电压值小于第一预设阈值)，若该剩余能量经第一过能吸收电路201输出的电流值大于或者等于第二预设阈值时，此时该信号在经过电阻R12时，在电阻R12两端产生的电压降大于Q8的开启电压(即第二预设阈值与电阻R12的乘积大于或者等于Q8的开启低压)，Q8导通，此时剩余能量大部分通过Q8构成的路径消耗掉，此时，输出给剩余电流判断电路203的电流几乎为零，故脱扣器不动作，从而减小过能对保护电路造成的影响。
三、剩余电流判断电路203
剩余电流判断电路203包括：检测器和驱动电路。其中，设置检测器的作用为：在流入剩余电流控制电路的电流值大于或者等于第三预设阈值时，向驱动电路发送驱动信号。设置驱动电路的作用为：在接收到驱动信号时，将驱动信号的功率进行放大生成控制信号，并将控制信号发送给脱扣器，控制脱扣器断开。
具体地，检测器与第二过能吸收电路202连接，驱动电路与检测器和脱扣器连接。
下面给出检测器的具体结构。
检测器包括比较器和第三电容。其中，第三电容的第一端与第二过能吸收电路输出端的第一端点连接，第三电容的第二端与第二过能吸收电路输出端的第二端点连接；比较器的第一输入端与第三电容的第一端连接，比较器的第二输入端与参考电源连接，比较器的输出端与驱动电路连接。
下面给出驱动电路的具体结构。
驱动电路包括：R14、R15、R16、R17、D21、第二电容和第三NPN型三极管。其中，R14的第一端与D21的阳极以及检测器的第一输出端点连接，R14的第二端与检测器的第二输出端点以及R15的第二端连接；D21的阴极与R15的第二端以及R16的第二端连接；R16的第二端与第二电容的第一端以及R17的第一端连接；第三NPN型三极管的发射极与脱扣器的线圈连接，第三NPN型三极管的基极与R17的第二端连接，第三NPN型三极管的发射极与第二电容的第二端连接。
为了便于理解，下面给出剩余电流判断电路203的具体示例。
参见图9为本申请实施例提供的一种剩余电流判断电路203的结构示意图。在图10中，包括比较器K、电阻R14、R15、R16、R17、二极管D21、电容C1、C2和Q9。其中，A和B作为剩余电流判断电路203的输入端，分别与第二过能吸收电路202的输出端的两个端点连接，C和D作为剩余电流判断电路203的输出端分别与脱扣器的线圈的两个端点连接。
通过图9所示的剩余电流判断电路203实现控制供电路径的连接时，A和B作为直流输入端接收第二过能吸收电路202输出的直流电，C和D作为直流输出端，输出驱动信号给脱扣器的线圈，以控制脱扣器的得电或者失电，以控制脱扣器的主触头的断开或者闭合实现断开或者闭合供电路径的连接。
具体地，当检测第二过能吸收电路202输出的电流值大于第三预设阈值，该电流值向电容C1充电，当C1两端的电压值大于参考电源电压时，比较器K输出高压信号，并通过R14、R15、R16、R17和D21对该高压信号进行功率放大，并通过该信号驱动Q9闭合，此时脱扣器线圈得电，脱扣器主触头(常闭开关)断开，此时供电路径断开连接，以避免过能损坏负载以及后续的器件，从而达到保护负载以及系统中器件的安全的作用。
结合以上描述，示例地，本申请实施例提供的一种过能保护电路的结构可以如图10所示。
在稳压电路中，转换电路包括电阻R1和电容C1。其中，电流互感器的一次侧与供电路径连接(未显出)，电流互感器的二次侧的第一端点与R1的第一端和C1的第一端连接，电流互感器的二次侧的第二端点与R1的第二端和C2的第二端连接。
在第一过能吸收电路中，包括瞬态抑制二极管TVS1和TVS2，其中，TVS1的阳极与C1的第一端连接，TVS1的阴极与TVS2的阴极连接，TVS2的阳极与C2的第二端连接。
在第二过能吸收电路中，包括电阻R2、R3、R4、R5、二极管D1、D2、第一PNP型三极管Q1和第一NPN型三极管Q2。其中，D1的阳极与TVS1的阳极以及D2的阴极连接，D1的阴极与R2的第一端连接；电阻R2的第二端与R3的第一端以及Q1的发射极连接；R3的第二端与C2的第一端以及Q1的基极连接，Q1的集电极与Q2的集电极以及TVS2的阳极连接；Q2的基极与R5的第二端连接，Q2的发射极与R5的第一端以及R4的第二端连接，R4的第一端与D2的阳极练连接。
在剩余电流判断电路中，包括比较器K、电阻R6、R7、R8、R9、二极管D3、电容C2和C3和第二NPN型三极管Q3。其中，C2的第一端与R2的第一端以及K的第一输入端连接，C2的第二端与R5的第二端，K的第二输入端与参考电源连接，K的输出端的第一端点与R6的第一端连接，K的输出端的第二端点与R6的第二端连接，D3的阴极与R7的第二端以及R8的第二端连接，R8的第二端与C4的第一端以及R9的第一端连接，Q3的发射极与脱扣器的线圈连接，Q3的基极与R9的第二端连接，Q3的发射极与C4的第二端连接。
不难看出，过能保护电路的输入端与电流互感器的二次侧连接，过能保护电路的输出端与脱扣器的线圈连接。
在图10所示的保护电路用于保护系统安全时，A和B作为保护电路的输入端，与电流互感器的二次侧连接(输出单相交流电)，C和D作为保护电路的输出端，与脱扣器的线圈两端连接。
具体地，电流互感器二次侧后面连接第一过能吸收电路，第一过能吸收电路后面连接第二过能吸收电路，第二过能吸收电路后面连接剩余电流判断电路，剩余电流判断电路后面连接脱扣器。其中，该脱扣器的主触头连接在供电路径上。其中，A和B作为保护电路的输入端，用于接收单相交流电流。以系统承受雷击为例，当系统承受雷击时，在待检测支路上出现的电流可以分为两个阶段，分为初期阶段和后期阶段。在初期阶段，雷电能量较大，在供电路径上产生电流较大，此时电流互感器二次侧输出的第一信号的电压值较大，此时达到TVS1或者TVS2的启动电压(第一预设阈值)，以第一信号的正半周期为例，当第一信号的电压值大于TVS2的开启电压时，TVS2导通，此时TVS1和TVS2与电流互感器的二次侧形成一个导通路径I1，此时，初期阶段的过能通过该路径消耗掉，此时几乎无法输出电流给第二过能吸收电路，无法开启比较器K。对于后期阶段(过能剩余能量)，过能减小，因此电流互感器二次侧输出的第一信号的电压值小于TVS1和TVS2的启动电压，第一过能吸收电路不工作，直接输出给第二过能吸收电路，但是该信号的电流值远大于系统发生故障(如漏电故障)时第二互感器二次侧输出的信号的电流值，以信号的正半周期为例，该信号在经过电阻R3时，在R3两端产生的电压降大于Q1的开启电压(第二预设阈值与R3的乘积大于或者等于第二预设阈值)，Q1导通，则剩余能量通过Q1与电流互感器二次侧构成的路径I2消耗掉，剩余能量无法到达电容C2，或者只有极少的一部分可以到达C2，而无法启动K。由此可以，当系统承受雷击等情况出现过能时，并不会保护电路造成影响。
应理解，若系统中并未配置防雷器时，本申请实施例提供的过能保护电路可以充当防雷器使用，对雷电能量进行吸收，以避免雷电能量对器件造成的损坏。
具体地，当电路中出现故障(如漏电)时，则电流互感器二次侧输出的信号的电压值小于第一预设阈值、且电流值小于第二预设阈值时，以信号的正半周器为例，TVS1、TVS2以及Q1均不工作，该信号可以经过D1、R2和R3构成的路径I3直接到达C2两端，为C2充电，此时若C2两端电压大于第三预设阈值(该电压值大于供电路径正常工作时的电压值)时，确定该系统发生故障，K发送驱动信号，驱动Q3导通，脱扣器得电断开供电路径的连接。从而实现保护负载以及系统中器件的安全。
需要说明的是，根据前述实施例提供的第二过能吸收电路结构的不同，本申请实施例提供的过能保护电路还具有其它几种结构，其它电路结构原理相同，本申请不一一详细介绍。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种电子设备。参见图11，该电子设备1100包括前述过能保护电路200，该电子设备1100可以是基站等通信设备。除了过能保护电路200，该电子设备1100还包括处理器以及存储器，其中，处理器用于读取存储器中存储的代码来执行各种数据处理。
可选地，该电子设备1100还可以包括电源电路(实现各种电源转换)和用电设备，该交流电源用于向用电设备以及过能保护电路200供电。
在一种可能的设计中，该电子设备1100连接在供电系统中，该电子设备1100用于在供电系统发生故障时，其供电系统进行保护。
在一种可能的设计中，该电子设备1100连接在配电系统中，该电子设备1100用于在配电系统发生故障时，对配电系统进行保护。
具体地，故障可以是漏电故障、过载故障和短路故障。
基于上述各实施例，本申请还提供了一种配电盒，参见图12，该配电盒1200中包括前述过能保护电路200。
以上，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种过能保护电路，其特征在于，用于剩余电流装置，所述剩余电流装置包括所述过能保护电路、电流互感器以及脱扣器；
其中，所述过能保护电路包括：第一过能吸收电路、第二过能吸收电路以及剩余电流判断电路；
所述第一过能吸收电路与所述电流互感器的二次侧连接，用于接收所述电流互感器二次侧输出的第一电信号，并在所述第一电信号的电压值大于或等于第一预设阈值时，将所述第一电信号的电压值进行降压处理，得到第二电信号，并将所述第二电信号输出给所述第二过能吸收电路，以及用于在所述第一电信号的电压值小于所述第一预设阈值时，让所述第一电信号输出给所述第二过能吸收电路；
所述第二过能吸收电路与所述第一过能吸收电路的输出端连接，用于在输入到所述第二过能吸收电路的输入电流大于或者等于第二预设阈值时，对所述输入电流的能量进行吸收，以及用于在输入到所述第二过能吸收电路的电流小于所述第二预设阈值时，让所述输入电流输出给所述剩余电流判断电路；
所述剩余电流判断电路与所述第二过能吸收电路的输出端连接以及所述脱扣器连接，用于在流入所述剩余电流控制电路的电流满足预定条件时，控制所述脱扣器断开。
2.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第二过能吸收电路包括：R1、R2、R3、R4、第一二极管D1、D2、第一PNP型三极管和第一NPN型三极管；
所述D1的阳极为所述第二过能吸收电路输入端的第一端点，所述第一PNP型三极管的集电极为所述第二过能吸收电路输入端的第二端点，所述R2的第一端为所述第二过能吸收电路输出端的第一端点，所述R4的第二端为所述第二过能吸收电路输出端的第二端点；
所述D1的阳极与所述第一过能吸收电路输出端的第一端点以及所述D2的阴极连接，所述D1的阴极与所述R1的第一端连接；
所述第一R1的第二端与所述R2的第一端以及所述第一PNP型三极管的发射极连接；
所述R2的第二端与所述第一PNP型三极管的基极连接；
所述第一PNP型三极管的集电极与所述第一NPN型三极管的集电极以及所述第一过能吸收电路输出端的第二端点连接；
所述D2的阳极与所述R3的第一端连接；
所述第一NPN型三极管的发射极与所述R3的第一端以及所述R4的第一端连接，所述第一NPN型三极管的基极与所述R4的第二端连接。
3.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第二过能吸收电路包括：R5、R6、D3、D4、第一P沟道金属-氧化物半导通场效应MOS管和第一N沟道MOS管；
所述D3的阳极为所述第二过能吸收电路输入端的第一端点，所述第一N沟道MOS管的漏极为所述第二过能吸收电路输入端的第二端点，所述R5的第二端为所述第二过能吸收电路输出端的第一端点，所述R6的第二端为所述第二过能吸收电路输出端的第二端点；
所述D3的阳极与所述第一过能吸收电路输出端的第一端点以及所述D4的阴极连接，所述D3的阴极与所述R5的第一端以及所述第一N沟道MOS管的源极连接；
所述R5的第二端与所述第一N沟道MOS管的栅极连接；
所述第一P沟道MOS管的漏极与所述第一N沟道MOS管的漏极以及所述第一过能吸收电路输出端的第二端点连接，所述第一P沟道MOS管的源极与所述R6的第一端连接，所述第一P沟道MOS管的栅极与所述R6的第二端连接；
所述R6的第一端与所述D4的阳极连接。
4.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第二过能吸收电路包括：R7、R8、D5、D6、D7、D8和第二PNP型三极管；
所述D5的阳极为所述第二过能吸收电路输入端的第一端点，所述D8的阴极为所述第二过能吸收电路输入端的第二端点，所述R8的第二端为所述第二过能吸收电路输出端的第一端点，所述D8的阳极为所述第二过能吸收电路输出端的第二端点；
所述D5的阳极与所述第一过能吸收电路输出端的第一端点以及所述D6的阴极连接，所述D5的阴极与所述D7的阴极以及所述R7的第一端连接；
所述D8的阴极与所述D7的阳极以及所述第一过能吸收电路输出端的第二端点连接，所述D8的阳极与D6的阳极以及所述第二PNP型晶体三极管的集电极连接；
所述R7的第二端与所述第二PNP型三极管的发射极以及所述R8的第一端连接；
所述R8的第二端与所述第二PNP型三极管的基极连接。
5.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第二过能吸收电路包括：R9、R10、D9、D10、D11、D12和第二NPN型三极管；
所述D9的阳极为所述第二过能吸收电路输入端的第一端点，所述D12的阴极为所述第二过能吸收电路输入端的第二端点，所述D11的阴极为所述第二过能吸收电路输出端的第一端点，所述R10的第二端为所述第二过能吸收电路输出端的第二端点；
所述D9的阳极与所述第一过能吸收电路输出端的第一端点以及所述D10的阴极连接，所述D9的阴极与所述D11的阴极以及所述第二NPN型三极管的集电极连接；
所述D12的阴极与所述D11的阳极以及所述第一过能吸收电路输出端的第二端点连接，所述D12的阳极与所述D10的阳极以及所述R9的第一端连接；
所述R9的第二端与所述R10的第一端以及所述第二NPN型三极管的发射极连接；
所述R10的第二端与所述第二NPN型三极管的基极连接。
6.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第二过能吸收电路包括：R11、D13、D14、D15、D16和第二P沟道MOS管；
所述D13的阳极为所述第二过能吸收电路输入端的第一端点，所述D16的阴极为所述第二过能吸收电路输入端的第二端点，所述D15的阴极为所述第二过能吸收电路输出端的第一端点，所述R11的第二端为所述第二过能吸收电路输出端的第二端点；
所述D13的阳极与所述第一过能吸收电路输出端的第一端点以及所述D14的阴极连接，所述D13的阴极与所述第二P沟道MOS管的漏极连接；
所述D16的阴极与所述D15的阳极以及所述第一过能吸收电路输出端的第二端点连接，所述D16的阳极与所述D14的阳极以及所述第二P沟道MOS管的源极连接；
所述第二P沟道MOS管的源极与所述R11的第一端连接，所述第二P沟道MOS管的栅极与所述R11的第二端。
7.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第二过能吸收电路包括：R12、D17、D18、D19、D20和第二N沟道MOS管；
所述D17的阳极为所述第二过能吸收电路输入端的第一端点，所述D20的阴极为所述第二过能吸收电路输入端的第二端点，所述R12的第二端为所述第二过能吸收电路输出端的第一端点，所述D20的阳极为所述第二过能吸收电路输出端的第二端点；
所述D17的阳极与所述第一过能吸收电路输出端的第一端点以及所述D18的阴极连接，所述D17的阴极与所述D19的阴极以及所述第二N沟道MOS管的源极连接；
所述D20的阴极与所述第一过能吸收电路输出端的第二端点以及所述D19的阳极连接，所述D20的阳极分别与所述D18的阳极以及所述第二N沟道MOS管的漏极连接；
所述第二N沟道MOS管的源极与所述R12的第一端连接，所述第二N沟道MOS管的栅极与所述R12的第二端连接。
8.如权利要求1-7中任一项所述的保护电路，其特征在于，所述第一过能吸收电路包括：至少两个瞬态抑制二极管；所述至少两个瞬态抑制二极管用于在所述第一电信号的电压值大于或者等于所述第一预设阈值时，将所述第一电信号的电压值进行降压处理，得到所述第二电信号，并将所述第二电信号输出给所述第二过能吸收电路；以及用于在所述第一电信号的电压值小于所述第一预设阈值时，让所述第一电信号输出给所述第二过能吸收电路。
9.如权利要求1-8中任一项所述的保护电路，其特征在于，还包括稳压电路：
所述稳压电路，连接在所述电流互感器的二次侧以及所述第一过能吸收电路之间，用于稳定所述第一电信号的电压值和电流值；
所述稳压电路包括：R13和第一电容；
所述R13的第一端与所述电流互感器的二次侧的第一端点连接，所述R13的第二端与所述电流互感器的二次侧的第二端点连接；
所述第一电容的第一端与所述R13的第一端连接，所述第一电容的第二端与所述R13的第二端连接。
10.如权利要求2-9中任一项所述的保护电路，其特征在于，所述剩余电流判断电路包括：
检测器，所述检测器与所述第二过能吸收电路的输出端连接，所述检测器用于在流入所述剩余电流控制电路的电流值大于或者等于第三预设阈值时，向驱动电路发送驱动信号；
所述驱动电路，所述驱动电路与所述检测器连接，所述驱动电路用于在接收到所述驱动信号时，将所述驱动信号的功率进行放大生成控制信号，并将所述控制信号发送给所述脱扣器，控制所述脱扣器断开。
11.如权利要求10所述的保护电路，其特征在于，所述驱动电路包括：R14、R15、R16、R17、D21、第二电容和第三NPN型三极管；
所述R14的第一端与所述D21的阳极以及所述检测器的第一输出端点连接，所述R14的第二端与所述检测器的第二输出端点以及所述R15的第二端连接；
所述D21的阴极与所述R15的第二端以及所述R16的第二端连接；
所述R16的第二端与所述第二电容的第一端以及所述R17的第一端连接；
所述第三NPN型三极管的发射极与所述脱扣器的线圈连接，所述第三NPN型三极管的基极与所述R17的第二端连接，所述第三NPN型三极管的发射极与所述第二电容的第二端连接。
12.如权利要求10-11中任一项所述的保护电路，其特征在于，所述检测器包括比较器和第三电容；
所述第三电容的第一端与所述第二过能吸收电路输出端的第一端点连接，所述第三电容的第二端与所述第二过能吸收电路输出端的第二端点连接；
所述比较器的第一输入端与所述第三电容的第一端连接，所述比较器的第二输入端与参考电源连接，所述比较器的输出端与所述驱动电路连接。
13.一种剩余电流装置，其特征在于，包括电流互感器，脱扣器以及如权利要求1-12中任一项所述的过能保护电路。
14.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-12中任一项所述的过能保护电路，处理器以及存储器，所述处理器用于读取所述存储器中存储的代码来进行数据处理。
15.一种配电盒，其特征在于，包括如权利要求1-12中任一项所述的过能保护电路。
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