CN113132568B - 成像模组及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种成像模组及其制造方法，压电元件支撑连接被移动元件，限位槽设于所述被移动元件的表面，所述压电元件的固定端固定于一支撑块，可动端伸入所述限位槽内，所述限位槽为所述可动端提供移动空间，限位装置包括底座，和位于底座上的支撑块和定位块，所述底座、支撑块和定位块围成空间，所述压电元件和限位槽位于所述空间内，定位块位于所述限位槽周围；限位槽设置在限位装置的空间内，在限位装置的限制下使得限位槽在压电元件的作用下只能上下移动，从而解决了被移动元件横向移动的问题。

Description

成像模组及其制造方法

技术领域

本发明涉及运动控制技术领域，尤其涉及一种成像模组及其制造方法。

背景技术

在一些电子终端中，通常会需要让其中的某些部件发生平移、竖直移动或者倾斜，进而实现某些特殊功能。例如目前在一些具有镜头模组的摄像机、照相机和手机等各种电子终端中，通常会通过VCM马达(Voice Coil Actuator/Voice Coil Motor，音圈马达)等驱动机构来使得可移动透镜或图像传感器，在光轴方向上位移以聚焦或变焦，或者，在垂直于光轴方向的方向上位移以防止光学抖动。然而，不同于传统单反相机，在空间体积狭小的手机、微型摄像机、照相机等电子终端实现该功能，是一项巨大工程挑战。而且，随着手机等电子终端的成像系统越来越复杂，镜头模组越来越重，VCM马达等传统的驱动机构的驱动能力逐渐不足，并且结构复杂，占用空间大。

发明内容

为了解决上述问题，提出利用压电元件驱动被移动元件，在使用压电元件驱动被移动元件时，存在被移动元件横向移动的问题。

本发明的目的在于提供一种成像模组及其制造方法，能够解决被移动元件横向移动的问题。

为了实现上述目的，第一方面，本发明提供一种成像模组，包括：

被移动元件，所述被移动元件包括透镜组、成像传感元件、光圈或透镜片；

与被移动元件表面相连的抬升器；

所述抬升器包括：限位装置、限位槽、压电元件和外部信号连接端，

所述限位装置包括底座，和位于底座上的支撑块和定位块，所述底座、支撑块和定位块围成空间，所述压电元件和限位槽位于所述空间内，定位块位于所述限位槽周围；

所述限位槽与所述被移动元件的表面固定连接；

所述压电元件包括可动端和固定端，所述固定端固设在所述支撑块上，可动端伸入所述限位槽内，所述压电元件在通电状态下，所述可动端带动所述限位槽在所述限位装置限定的空间内向上移动，从而带动被移动元件向上移动，且所述被移动元件实现最大移动后，所述限位槽底部表面低于定位块顶部表面；

外部信号连接端，与所述压电元件中的电极电连接。

第二方面，本发明提供一种成像模组的制造方法，

所述被移动元件，包括透镜组、成像传感元件、光圈或透镜片，方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成抬升器，所述抬升器包括：限位装置、限位槽和压电元件，所述限位装置包括底座，和位于底座上的支撑块和定位块，所述底座、支撑块和定位块围成空间，所述压电元件和限位槽位于所述空间内，定位块位于所述限位槽周围；

所述限位槽与所述被移动元件的表面固定连接；

所述压电元件包括可动端和固定端，所述固定端固设在所述支撑块上，可动端伸入所述限位槽内；

将所述被移动元件设置在所述抬升器的限位槽上，所述压电元件在通电状态下，所述可动端带动所述限位槽在所述限位装置限定的空间内向上移动，从而带动被移动元件向上移动，且所述被移动元件实现最大移动后，所述限位槽底部表面低于定位块顶部表面。

在本发明提供的成像模组及其制造方法中，压电元件支撑连接被移动元件，限位槽设于所述被移动元件的表面，所述压电元件的固定端固定于一支撑块，可动端伸入所述限位槽内，所述限位槽为所述可动端提供移动空间，限位槽设置在限位装置的空间内，在限位装置的限制下使得限位槽在压电元件的作用下只能上下移动，从而解决了被移动元件横向移动的问题。

通过设置限位装置，限制限位槽的横向移动，从而使限位槽只能在限位装置内向上移动。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的第一种成像模组的剖面示意图；

图2是本发明实施例一提供的压电元件的剖面示意图；

图3是本发明实施例一提供的限位槽的剖面示意图；

图4a是本发明实施例二提供的第一种限位装置的俯视示意图；

图4b是本发明实施例二提供的第二种限位装置的俯视示意图；

图5a是本发明实施例二提供的第三种限位装置的俯视示意图；

图5b是本发明实施例二提供的第四种限位装置的俯视示意图；

图6a是本发明实施例二提供的压电元件没通电时抬升器的结构示意图；

图6b是本发明实施例二提供的压电元件通电时抬升器的结构示意图；

图7a是本发明实施例二提供的第一种成像模组的的剖面示意图；

图7b是本发明实施例二提供的第二种成像模组的的剖面示意图；

图8是本发明实施例一提供的第二种成像模组的剖面示意图；

图9为本发明实施例三提供的压电元件的剖面示意图；

图10a为本发明实施例四提供的第一种压电元件的俯视图；

图10b为本发明实施例四提供的第二种压电元件的俯视图；

图10c为本发明实施例四提供的第三种压电元件的俯视图；

图10d为本发明实施例四提供的第四种压电元件的俯视图；

图11a至图11l是本发明实施例五提供的成像模组的制造方法中成像模组的结构示意图；

其中，附图标记如下：

10-线路板；20-压电元件；201-转轴；21-第一电极；22-第二电极；23-压电膜；24-支撑层；25-绝缘层；251-第一引出端；252-第二引出端；30-被移动元件；40-限位槽；41-第一膜层；42-第二膜层；43-第三膜层；50-支撑块；61-第三电连接端；62-第四电连接端；76-引线；80-定位块；81-限位臂；90-底座；

211-奇数层电极；221-偶数层电极；26-导电结构；

1101-底层；1102-隔离层；1103-顶层；1104-第一牺牲层；1105-第一支撑层；1106-第一定位层；1107-第二膜层第一子层；1108-第四牺牲层；1109-第二牺牲层；1110-第二定位层；1111-第二膜层的第二子层；1112-第三牺牲层；1113-封底层；1114-导电层；1115-导电通孔；1116-第三支撑层；1117-第四定位层；1118-第二支撑层；1119-第三定位层；1120-导电插塞；1121-第一开口。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明的技术方案作进一步详细说明。根据下面的说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。若某附图中的构件与其他附图中的构件相同，虽然在所有附图中都可轻易辨认出这些构件，但为了使附图的说明更为清楚，本说明书不会将所有相同构件的标号标于每一图中。

实施例一

如图1所示，本实施例提供了一种成像模组，包括：

被移动元件30，所述被移动元件30包括透镜组、成像传感元件、光圈或透镜片；

与被移动元件30表面相连的抬升器；

所述抬升器包括：限位装置、限位槽40、压电元件20和外部信号连接端，

所述限位装置包括底座90，和位于底座90上的支撑块50和定位块80，所述底座90、支撑块50和定位块80围成空间，所述压电元件20和限位槽40位于所述空间内，定位块80位于所述限位槽40周围；

所述限位槽40与所述被移动元件30的表面固定连接；

所述压电元件20包括可动端和固定端，所述固定端固设在所述支撑块50上，可动端伸入所述限位槽40内，所述压电元件20在通电状态下，所述可动端带动所述限位槽40在所述限位装置限定的空间内向上移动，从而带动被移动元件30向上移动，且所述被移动元件30实现最大移动后，所述限位槽40底部表面低于定位块80顶部表面；

外部信号连接端，与所述压电元件20中的电极电连接。

具体的，如图2所示，所述压电元件20包括支撑层24位于所述支撑层24上的压电叠层结构，所述压电叠层结构包括从下至上依次堆叠的压电膜23和绝缘层25，所述压电膜23上下表面分别具有的第一电极21和第二电极22，所述第一电极21和第二电极22分别连接第一引出端251和第二引出端252，所述第一引出端251和第二引出端252均位于所述绝缘层25中。

本发明实施例中，所述第一引出端251和所述第二引出端252还可以均位于所述压电元件20的底面，也就是位于所述支撑层24中，或者，所述第一引出端251和所述第二引出端252还可以分别位于所述压电元件20的顶面和底面，本发明实施例不作限制。所述压电元件20不限于做好了第一引出端和第二引出端的整体结构，还可以是没有形成第一引出端和第二引出端的结构，也即所述压电元件20包含支撑层24、压电膜23、绝缘层25及位于所述压电膜23上下表面的第一电极21和第二电极22，所述外部信号连接端需要通过另外制作导电插塞从而连接到所述第一电极21和第二电极22。

可选的，如图2所示，所述第一引出端251和所述第二引出端252均位于所述压电元件20的顶面且作为所述外部信号连接端。所述第一引出端251和所述第二引出端252分别通过引线76与线路板10电连接，使得所述线路板10可以为所述压电元件20的第一电极21和第二电极22施加电压，以使所述压电膜23的上表面和下表面之间产生压差，从而使得所述压电膜23收缩，而由于所述支撑层24无法伸缩，所以导致整个所述压电元件20在通电会向上或向下翘曲(翘曲的方向、翘曲的程度视在所述压电膜23上下表面施加的电压而定)。所述压电膜23需要采用通电可发生形变的压电材料制成，例如是石英晶体、氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、钛酸钡、镓酸锂、锗酸锂或锗酸钛等材料。所述支撑层24的材料则为不导电的介质材料，例如是氧化硅、氮化硅等。

应理解，本发明不限于直接通过引线76连接所述第一引出端251、所述第二引出端252和线路板10，可以在所述支撑块的顶面设置一个电连接端，将所述第一引出端251、所述第二引出端252与所述电连接端采用引线电连接，然后再用另外的互联结构(如引线或导电插塞)将所述支撑块顶面的电连接端与所述线路板10电连接即可，这样可以缩短引线76的长度。

如图1所示，所述限位槽40设置于所述被移动元件30的下表面。如图3所示，在被移动元件30的下表面设有第一膜层41、第二膜层42及第三膜层43，所述限位槽40由三个膜层围绕而成。本发明实施例中，所述限位槽40不限于由该另外设置的膜层围绕而成，也可以由被移动元件30本身形成有限位槽40，比如，在被移动元件30的侧表面形成有凹陷以作为该限位槽40。在被移动元件30的上表面上设置限位槽的方式可以参照在被移动元件30下表面设置限位槽的方式。

本实施例中，由于被移动元件30为成像传感元件、可变透镜或可变光圈，均为透光元件，因此，构成限位槽40的膜层分布于所述被移动元件30的边缘，不能挡光。构成限位槽40的膜层为透明膜层时，这些膜层也可以位于被移动元件的透光区域。

本发明中，构成限位槽40的膜层通过沉积的方式位于所述被移动元件30上，也可以每个所述限位槽40均作为一个独立的结构与所述被移动元件30的表面黏胶连接。

如图1和图3所示，所述限位槽40包括：顶壁、底壁、以及侧壁，顶壁相对于所述底壁更靠近所述被移动元件30，侧壁位于所述底壁和顶壁之间，连接所述底壁和顶壁。顶壁由第一膜层41充当，底壁由第三膜层43充当；侧壁由第二膜层43充当。

本发明中，所述限位槽40不限于是由三个膜层围绕而成的，还可以由一个膜层、两个膜层、四个膜层等围绕而成。所述限位槽40还可以是由所述被移动元件30的表面与所述膜层围绕而成，例如，所述膜层构成所述限位槽40的底壁和侧壁，利用所述被移动元件30的表面作为所述限位槽40的顶壁。应理解，当利用所述被移动元件30的表面作为所述限位槽40的顶壁时，可以将侧壁的端部与所述被移动元件30的表面黏胶连接。

所述压电元件20在通电状态下，所述可动端可以向上或向下翘曲，当所述可动端翘曲至接触所述限位槽的顶壁或底壁时，即可向所述限位槽施加向上或向下的推力，从而带动所述限位槽移动。所述限位槽提供的移动空间可以允许所述压电元件20在沿所述被移动元件30表面的方向上有一定的翘曲度，防止不被需要的旋转发生。并且，所述限位槽还可以为所述压电元件20提供支撑，防止所述压电元件20在未通电时下垂。

所述支撑块50与所述压电元件20的固定端黏胶连接，或者通过干膜连接。本发明中，所述压电元件20整体位于所述支撑块50内且可动端伸出所述支撑块50，形成悬臂的结构，可以应用在需要将所述被移动元件30上抬或下移的场合中。

可选的，如图1、图4a、图4b、图5a和图5b所示，定位块至少包括一个与支撑块50相对的限位臂81；或者，所述支撑块50和定位块80形成直接或者间接的环形环绕所述限位槽和压电元件。

如图4a所示，支撑块50和限位臂81相对设置，从而限制限位槽40沿图中实线方向的移动。如图4b所示，支撑块50和限位臂81可以是不连续的而是有多个部分间隔设置，在具体的实施中并不限于图中的两部分，可以将支撑块50和限位臂81分割为任意部分。支撑块50和限位臂81间隔设置可以减少抬升器的重量。

如图5a所示，支撑块50和定位块80形成的空间完全将限位槽40和压电元件20包裹在内，从而同时限制限位槽40沿图中实线和虚线方向移动，使限位槽40只能在支撑块50和定位块80形成的空间内移上下移动。如图5b所示，有多个间隔设置的支撑块50和定位块80形成一个不连续的环绕限位槽40和压电元件20的空间，在限制限位槽40沿图中实线和虚线方向移动的同时，减少抬升器的重量。在具体的实施中并不限于将支撑块50和定位块80分割为图中的几个部分，可以根据具体的应用场景将支撑块50和定位块80分割为任意的部分。

可选的，所述支撑块50和定位块80上表面处于同一平面，或所述支撑块50和定位块80上表面处于两个平面。如图7a所示，支撑块50和定位块80的高度相同，如图7b所示，支撑块50的高度可以高于定位块80，或支撑块50的高度低于定位块80。只要能将限位槽40限制在限位装置中即可，对于支撑块50和定位块80之间的相对高度，本实施例并不限定。

如图1所示，压电元件20的可动端部分位于所述限位槽40，压电元件20的可动端也可整体位于所述限位槽40。如图6a和图6b所示，压电元件20的可动端整体位于所述限位槽40时，限位槽40的底部和朝向压电元件20固定端的方向上设置有一个连贯的开口，开口的宽度大于压电元件20的宽度，从而使压电元件20在开口中移动。抬升器在抬升过程中，压电元件20可以在开口中移动，如图6a为压电元件20没通电时，压电元件20与限位槽40的位置关系，图6b为压电元件20通电后，压电元件20移动后，压电元件20穿过开口，将限位槽40抬升。

可选的，如图1和图7a所示，当所述压电元件20在不通电状态下，所限位槽40上表面所处的平面为初始平面；所述定位块80上表面所处的平面与所述初始平面为同一平面，从而保证压电元件20可以有效的带动限位槽40在限位装置内上下移动。而在具体应用中，如需要被移动元件30在压电元件的带动下向下移动时，定位块80上表面所处的平面低于所述初始平面。从而为移动元件30向下移动留出移动空间。

可选的如图1、图7a和图7b所示，所述初始平面的方向上，所述定位块80与所述限位槽40的之间具有间隙。所述定位块80与所述限位槽40的间隙的间距为2um。限位槽40和定位块80之间保持间隙，使得限位槽40可以在限位装置内上下移动，减小压电元件20通电状态下，限位槽40向上或向下移动时的阻力。

如图1、图7a和图7b所示，限位槽40的高度大于等于所述被移动元件30的最大移动距离。从而保证限位槽40在向下或向下移动时，始终处于限位装置限定的竖向的空间内，从而限制限位槽40相对于限位装置的横向移动，限位槽40具有与所述被移动元件30的表面相连的第一膜层41，所述第一膜层41的厚度大于等于所述被移动元件30的最大移动距离。可以使第一膜层41始终位于限位装置内，从而保证限位槽40在向下或向下移动时，始终处于限位装置限定的竖向的空间内。横向和竖向都是基于附图的方位。

本发明实施例中，不限于将所述第一引出端251和所述第二引出端252作为所述外部信号连接端。如图8所示，当第一引出端251和所述第二引出端252均位于所述压电元件20的底面时，所述第一外部信号连接端包括所述第三电连接端61和第四电连接端62，所述第三电连接端61和第四电连接端62位于所述支撑块50的底面且正对所述压电元件20，采用导电插塞将所述第一引出端251和所述第二引出端252与所述第三电连接端和第四电连接端电连接。应理解，当第一引出端251和所述第二引出端252分别位于所述压电元件20的顶面和底面时，所述第四电连接端62可以位于所述支撑块50的底面且正对所述压电元件20，采用导电插塞将位于底面的引出端(例如所述第二引出端252)与所述第四电连接端电连接，所述第一引出端251则作为所述第三电连接端61。

如图9所示，本实施例中，所述压电元件20包括支撑层24位于所述支撑层24上的压电叠层结构，所述压电叠层结构包括三层压电膜23。

每一层所述压电膜23上表面和下表面均分布有电极，相邻两层压电膜23共用位于两者之间的电极，所以三层压电膜23共计4层电极，所述电极从下至上依次计数，奇数层电极211利用导电结构26电连接在一起，偶数层电极221利用另一导电结构26电连接在一起，所述导电结构26伸入所述压电叠层结构的部分需要位于绝缘层25中，仅端部与需要电连接的电极接触。两个所述导电结构26的顶部可以分别作为第一引出端和第二引出端，使得所述第一引出端、第二引出端均位于所述压电元件20的顶面。

本发明中，所述压电叠层结构不限于包括三层压电膜，还可以包括两层、四层、五层或六层等，通过增加压电膜的数量可以提升所述压电元件20翘曲的能力，使得所述压电元件20能够移动质量更大的成像传感元件。

可选的，奇数层电极211和所述偶数层电极221电连接的方式不限于如图9所示的导电结构26，例如可以通过导电插塞和互联线的方式电连接。所述导电结构26还可以将所述奇数层电极211和偶数层电极221都引至所述支撑层24底面，以使所述第一引出端、第二引出端均位于所述压电元件20的底面，或者将所述奇数层电极211和偶数层电极221分别引至所述压电元件20的顶面及所述支撑层24底面，使得所述第一引出端、第二引出端分别位于所述压电元件20的顶面和底面，在此不再一一举例说明。

应理解，为了保证三层压电膜的翘曲方向相同，相邻的两层压电膜的极性相反。

本实施例中，可动端上具有转轴201，所述转轴201置于所述限位槽40内，所述限位槽40为所述转轴提供移动空间，所述转轴201与所述压电元件为一体结构，两者之间相互绝缘；或者，所述转轴201粘结在所述压电元件20的可动端。所述转轴201分布于所述可动端的两侧；或者，所述可动端的两侧之间分布有至少一个所述转轴201。

限位槽40为所述可动端提供移动空间指的是所述限位槽40的尺寸大于所述可动端的尺寸，也即，所述限位槽40的长度大于所述可动端长度，所述限位槽40的高度大于所述可动端的厚度，以使所述可动端能够在所述限位槽40内自由转动及滑动，当所述压电元件20翘曲时，所述可动端能够在所述限位槽40内移动，以防止所述压电元件20的可动端卡死。在限位槽的高度等于转轴的直径时，可以更好的控制被移动元件的抬升、下降量，不会存在还需要克服转轴和限位槽之间的空间余量的问题。

图10a所示，所述转轴201分布于所述压电元件20的可动端的端部中央，所述转轴201与所述压电元件20之间在沿垂直与所述转轴201轴向上具有一间隙，使得所述转轴201置于所述限位槽40内后，所述压电元件20不会位于所述限位槽40内。

本发明实施例中，每个所述压电元件20的转轴201不限于1个，如图10b所示，三个转轴201均匀分布于所述压电元件20的可动端的端部中央，每个所述转轴201与所述压电元件20之间在沿垂直与所述转轴201轴向上具有一间隙，且每个所述转轴201均置于所述限位槽40内。或者如图10c所示，两个转轴201分别位于所述压电元件20的可动端的两侧，并沿背离所述压电元件20的方向向外伸出，将每个所述转轴201均置于一个所述限位槽40内。

进一步，如图10d所示，所述转轴201不限于与所述压电元件20是单独的两个结构，所述转轴201和所述压电元件20可以是一体结构。可以在压电元件的端部进行图形化工艺刻蚀出转轴，转轴201和所述压电元件20的材质可以完全相同，也可以是转轴201是压电元件20的某些膜层结构构成。压电元件20和转轴201之间绝缘设置，两个部分之间采用绝缘结构隔离开，也可以是转轴201本身采用绝缘材料，使得在所述压电元件20的电极上施加电压时，不会影响所述转轴201。具体的，如图10d所示，可以是在做所述压电元件20时，将所述压电元件20的一个端部采用所述绝缘结构隔离开，再加工出转轴201，所述转轴201和所述压电元件20的材质相同。所述一体结构也不限于此，还可以是在形成绝缘层25之后再将所述绝缘层25的一部分加工为转轴201，所述转轴201的材质为介质材料。

应理解，本实施例仅是示意性的描述了几种转轴201在可动端上的分布方式，实际上，所述转轴201的分布方式还可以是其他种，所述转轴201的数量也不限于是一个、两个或三个，还可以是四个、五个或六个等，本实施例不作限制。并且，当所述转轴201的分布方式不同时，所述限位槽40的数量以及在所述被移动元件30表面上的位置的也应相应变化。

本实施例通过设置限位装置，使得限位槽在压电元件的作用下只能上下移动，从而解决了被移动元件横向移动的问题。

实施例二

一种成像模组的制造方法，其特征在于，所述被移动元件30，包括透镜组、成像传感元件、光圈或透镜片，方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成抬升器，所述抬升器包括：限位装置、限位槽40和压电元件20，所述限位装置包括底座90，和位于底座90上的支撑块50和定位块80，所述底座90、支撑块50和定位块80围成空间，所述压电元件20和限位槽40位于所述空间内，定位块80位于所述限位槽40周围；

所述限位槽40与所述被移动元件30的表面固定连接；

所述压电元件20包括可动端和固定端，所述固定端固设在所述支撑块50上，可动端伸入所述限位槽40内；

将所述被移动元件30设置在所述抬升器的限位槽40上，所述压电元件20在通电状态下，所述可动端带动所述限位槽40在所述限位装置限定的空间内向上移动，从而带动被移动元件30向上移动，且所述被移动元件30实现最大移动后，所述限位槽40底部表面低于定位块80顶部表面。

参考图11a至图11l，抬升器的形成方法具体为：

提供衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域环绕第二区域，第三区域位于第一区域和第二区域之间，沿第一方向上，所述第一区域包括相对的第一子区和第二子区。

所述第一区域还包括位于第一子区和第二子区之间的第三子区，所述第三子区沿第一方向上与第二区域和第三区域重叠，在沿垂直于第一方向的的人方向上第三子区位于第二区域和第三区域的两侧；第一方向即图11a中x方向，第二方向即图11a中y方向。

可选的，参考图11b，所述衬底为一层或多层结构，所述衬底为多层结构时包括：底层1101、位于底层1101表面的隔离层1102，位于隔离层1102上的顶层1103；形成第一牺牲层1104之前，还包括：去除部分第三区域的顶层1103，在所述衬底内形成第一开口1121。

所述底层1101可以为本领域技术人员熟知的任意合适的底材，例如可以是以下所提到的材料中的至少一种：硅(Si)、锗(Ge)、锗硅(SiGe)、碳硅(SiC)、碳锗硅(SiGeC)、砷化铟(InAs)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)或者其它III/V化合物半导体，还包括这些半导体构成的多层结构等，或者为绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)，或者还可以为双面抛光硅片(Double Side Polished Wafers，DSP)，也可为氧化铝等的陶瓷基底、石英或玻璃基底等。本实施例采用硅作为基底。

参考图11b，位于底层1101表面的隔离层1102为沉积在基底的底层1101上的，材料可以为氧化硅。厚度可以为400um。隔离层1102的作用用来防止刻蚀时刻蚀到底层1101。

在隔离层1102上沉积初始结构层，初始结构层材料可以为SiGe、Poly、SIN等，然后对初始结构层进行图形化，形成位于隔离层1102上的顶层1103和第一开口1121。

参考图11c，在所述衬底第三区域上形成第一牺牲层1104，所述第一牺牲层1104覆盖部分第二区域的衬底表面，暴露出部分第二区域靠近第二子区的衬底；

本实施例中，第一牺牲层1104还位于第一开口1121内。在如图11c所示的衬底的顶层1103上沉积初始第一牺牲层1104，初始第一牺牲层1104材料可以为Ge，氧化硅等，对初始第一牺牲层1104平坦化处理后，进行图形化处理，从而形成第一牺牲层1104。

参考图11d，在所述第一牺牲层1104暴露的衬底上形成第一支撑层1105、第一定位层1106和第二膜层第一子层1107，所述第一支撑层1105位于第一子区，所述第一定位层1106位于第二子区，所述第二膜层第一子层1107位于第二子区。

所述第一定位层1106还位于第三子区，所述第一子区和第三子区的第一定位层直接或间接的围成环形结构。

可选的，所述可动端上具有转轴201；形成第二膜层第一子层1107过程中形成所述转轴201；

所述第二膜层第一子层1107、第一支撑层1105、第一定位层1106和转轴201的形成方法包括：

在所述第一牺牲层1104和衬底上沉积形成初始结构层；图形化所述初始结构层，去除第三区域和部分第二区域的初始结构层，在第一子区的衬底上形成第一支撑层1105，在第二子区的衬底上形成第一定位层1106，在第一牺牲层1104暴露的第二区域的衬底上形成第二膜层42的第一子层，在第一牺牲层1104上形成转轴201，所述第二膜层第一子层1107、第一支撑层1105、第一定位层1106和转轴201的顶面齐平；

在图11c所示的结构上沉积初始结构层，初始结构层的厚度可以为2um，然后对初始结构层图形化处理，形成第一定位层1106、第二膜层42的第一子层、转轴201和第一支撑。

参考图11e，在所述第一牺牲层1104上形成第四牺牲层1108，所述第四牺牲层1108与所述转轴201的顶面齐平；

在图11d所示的结构上沉积初始第四牺牲层1108，平坦化第四牺牲层1108，使第四牺牲层1108上表面与转轴201的顶面齐平。

在所述第四牺牲层1108、转轴201和第一支撑层1105上形成所述压电元件20，所述压电元件20的可动端位于所述第二牺牲层1109和转轴201表面。

所述压电元件20位于第一支撑层1105上的一端为固定端，与固定端相对的端为可动端，所述压电元件20沿第一方向延伸至第二区域，且所述压电元件20不与第二膜层42的第一子层接触；

压电元件20的固定端键合在第一支撑层1105上，可选的，压电元件20的可动端的端部键合在转轴201上。键合的方法包括：结构胶粘合或干膜粘合。

可选的，所述压电元件20支撑层和位于所述支撑层上的压电叠层结构，所述压电叠层结构包括：至少一层压电膜，每一层所述压电膜上表面、下表面均分布有电极，相邻两层压电膜共用位于两者之间的电极；所述电极从下至上依次计数，奇数层电极电连接在一起，偶数层电极电连接在一起；所述压电元件20还包括：第一引出端251，与所述奇数层电极电连接；第二引出端252，与所述偶数层电极电连接。

本实施例中，所述第一引出端251、第二引出端252均位于所述压电元件20的远离第一支撑层1105的表面。

参考图11f，在第三区域的第四牺牲层1108和第二区域的压电元件20上形成第二牺牲层1109。

可选的，在所述第三区域的第四牺牲层1108上形成第二牺牲层1109，所述第二牺牲层1109还位于第三膜层43表面。

在图11e所示的结构上沉积初始第二牺牲层，对初始第二牺牲层进行图形化处理，去除第一定位层1106、第二膜层的第一子层1107和压电元件固定端上的初始第二牺牲层，保留压电元件可动端上的初始第二牺牲层。图中虚线部分的压电元件并没被刻蚀掉，只是将压电元件周围的初始第二牺牲层刻蚀掉。得到第二牺牲层1109，第二牺牲层1109与压电元件20顶部的高度差可以为0.5～1um。得到如图11g所示结构。

参考图11h，在所述第一定位层1106上形成第二定位层1110；在所述第二膜层的第一子层1107上形成第二膜层的第二子层1111，所述第二膜层第一子层1107和第二膜层第二子层1111构成第二膜层42；

可选的，形成所述第二膜层的第二子层1111的过程中形成所述第二定位层1110；在所述第二膜层42上形成第三膜层43，所述第三膜层43位于第二区域，所述第三膜层43位于压电元件20上方且与压电元件20不接触。

可选的，所述第二膜层的第二子层1111的和所述第三膜层43在同一工艺步骤中形成；

所述第二膜层的第二子层1111、第三膜层43和第二定位层1110的形成方法包括：

在所述第二牺牲层1109、第二膜层第一子层1107和第一定位层1106上形成初始结构层，所述初始结构层还覆盖第二牺牲层1109表面；图形化所述初始结构层，暴露出第三区域的第二牺牲层1109表面，在所述第二膜层42的第一子层上形成第二膜层的第二子层1111，所述第二膜层第一子层1107和第二膜层42第二子层构成第二膜层42，在所述第一定位层1106上形成第二定位层1110，在所述第二牺牲层1109上形成所述第三膜层43，且所述第三膜层43位于第二膜层42上。

参考图11h，在图11g所示结构上沉积初始结构层，并对初始结构层进行图形化处理，形成第二膜层的第二子层1111、第三膜层43和第二定位层1110。

形成第一膜层后，形成第三牺牲层之前，还包括：在所述第一膜层背向衬底的表面形成防黏连结构；所述防黏连结构的形成方法包括：在所述第一膜层表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有多个通孔，所述通孔暴露出第一膜层；以所述掩膜层为掩膜对所述第一膜层进行刻蚀，去除部分第一膜层，形成所述防黏连结构。

参考图11i，在所述第三区域的第二牺牲层上形成第三牺牲层1112，所述第三牺牲层还位于第三膜层表面；

所述第三牺牲层的形成方法包括：在第三膜层43表面形成初始第三牺牲层，所述初始第三牺牲层还覆盖第二定位层1110,图形化处理，去除第二定位层1110上的初始第三牺牲层，形成所述第三牺牲层。

所述第三牺牲层的形成方法还包括：对初始第三牺牲层1112平坦化处理，再图形化处理后得到如图11i所示的结构。

参考图11j，在图11i所示的结构上沉积初始第二结构层，对初始第二结构层进行图形化处理，形成第二支撑层1118、第三定位层1119和底座层1113。

具体为，在所述第一支撑层1105上形成第二支撑层1118；在所述第二定位层1110上形成第三定位层1119；在所述第三牺牲层1112上形成底座层1113，所述底座层1113还位于第二支撑层1118和第三定位层1119上；

可选的，形成第三定位层1119过程中形成所述第二支撑层1118；所述底座层1113和第三定位层1119在同一工艺步骤中形成；

形成所述第二支撑层1118、所述第三定位层1119和所述底座层1113的方法包括：

在所述第三牺牲层1112和第二定位层1110上形成初始第二结构层，所述初始结构层还覆盖第一支撑层1105表面；所述第一子区的初始第二结构层为第二支撑层1118；所述第二子区的初始第二结构层为第三定位层1119，覆盖第三牺牲层1112的初始第二结构层为底座层1113，所述底座层1113还覆盖于第三定位层1119和第一支撑层1105。

可选的，形成第二支撑层之后，还包括：在所述第二支撑层1118和底座层1113内形成贯穿第二支撑层1118和底座层1113的导电通孔1115；在所述导电通孔1115内形成导电插塞1120。

对在图11i所示的结构上沉积的初始结构层进行图形化处理过程中，对第二支撑层1118和底座层1113进行刻蚀从而形成导电通孔1115，压电元件20的外接电极暴露在导电通孔1115内。

参考图11k，形成导电通孔1115还包括，在所述底座层1113上形成导电层114，所述导电层114与所述导电插塞1120电连接；

在一实施例中，形成导电层114的方法包括：在所述底座层1113上贴覆导电膜。

参考图11l，形成底座层1113后，翻转所述衬底，使得所述衬底背向底座90的一面朝上。

翻转所述衬底后，刻蚀去除第三区域的衬底，使得所述第二区域的衬底形成为第一膜层41，所述第一子区的衬底形成为第三支撑层1116；第二子区的衬底形成为第四定位层1117。

可选的，刻蚀去除第三区域的衬底的工艺包括：采用深沟槽刻蚀工艺。

所述第一支撑层1105、第二支撑层1118和第三支撑层1116构成支撑块50；

所述第一定位层1106、第二定位层1110和第三定位层1119和第四定位层1117构成定位块80；

所述第一膜层41、第二膜层42和第三膜层43形成限位槽40。

所述定位块80位于第一子区和第三子区。所述限位槽40位于第二区域；支撑块50位于第二子区，压电元件的固定端位于第二子区的支撑块50上，并穿过第二子区和第三区域延伸到位于第二区域的限位槽40.

所述支撑块50和所述定位块80构成限位装置，所述支撑块和定位块形成直接或者间接的环形环绕所述限位槽和压电元件。

限位装置、限位槽和压电元件共同构成抬升器。

所述限位槽的高度大于等于所述被移动元件的最大移动距离。

所述限位槽具有与所述被移动元件的表面相连的第一膜层，所述第一膜层的厚度大于等于所述被移动元件的最大移动距离。

第一膜层的厚度大于等于所述被移动元件的最大移动距离可以保证限位槽在向上移动时，始终位于限位装置限制的空间内，从而避免限位槽沿第一方向或与第一方向相反的方向的移动。

在一实施例中，形成抬升器后，提供基板；

所述基板为临时承载基板，用于提供支撑作用。

将所述抬升器放置到所述基板上。

将所述被移动元件30设置在所述限位槽40上，将所述被移动元件30设置在所述限位槽40上的方法包括：

在所述限位槽40第一区上形成连接层；将所述被移动元件30放置在连接层上；

所述连接层的材料包括干膜或者固化胶。

在一实施例中，将所述被移动元件30设置在所述限位槽40上后，去除所述第一牺牲层1104、第二牺牲层1109、第三牺牲层1112和第四牺牲层1108。

在另一实施例中，形成所述抬升器后，即去除所述第一牺牲层1104、第二牺牲层1109、第三牺牲层1112和第四牺牲层1108。

去除所述基底。

提供线路板10，所述第一外部信号连接端位于所述线路板10上；将所述抬升器放置到所述线路板10上，使得所述压电元件20中的电极与第一外部信号连接端电连接。

本实施例中的第二牺牲层1109、第三牺牲层1112、第四牺牲层1108和第五牺牲层材料可以为：磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、锗、碳、低温二氧化硅、聚酰亚胺等，但不限于上述材质。图形化为采用光刻、刻蚀等工艺从而使设计的图案固定在器件上。刻蚀包括干法刻蚀和湿法刻蚀。结构层材料有多晶硅、硅锗、硅氮等沉积而成。在牺牲层和结构层形成过程中，因沉积的牺牲层和结构层表面不平坦，还需要对牺牲层和结构层的表面进行平坦化处理，平坦化为采用机械或化学的方式将牺牲层和结构层的表面磨平。

本发明实施例采用半导体工艺制造成像模组，在通过限位装置限制限位槽横向移动的同时，减小成像模组的体积。

显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (29)

1.一种成像模组，其特征在于，包括：

被移动元件，所述被移动元件包括透镜组、成像传感元件、光圈或透镜片；

与被移动元件表面相连的抬升器；

所述抬升器包括：限位装置、限位槽和压电元件，

所述限位装置包括底座，和位于底座上的支撑块和定位块，所述底座、支撑块和定位块围成空间，所述压电元件和限位槽位于所述空间内，定位块位于所述限位槽周围；

所述限位槽与所述被移动元件的表面固定连接；

所述压电元件包括可动端和固定端，所述固定端固设在所述支撑块上，可动端伸入所述限位槽内并与所述限位槽滑动接触，所述可动端上具有转轴，所述转轴置于所述限位槽内，所述限位槽为所述转轴提供移动空间，所述转轴与所述压电元件为一体结构，两者之间相互绝缘；或者，所述转轴粘结在所述压电元件的可动端；

所述压电元件在通电状态下，所述可动端带动所述限位槽在所述限位装置限定的空间内向上移动，从而带动被移动元件向上移动，且所述被移动元件实现最大移动后，所述限位槽底部表面低于定位块顶部表面；

外部信号连接端，与所述压电元件中的电极电连接。

2.根据权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述定位块至少包括一个与支撑块相对的限位臂；或者，所述支撑块和定位块形成直接或者间接的环形环绕所述限位槽和压电元件。

3.根据权利要求2所述的成像模组，其特征在于，当所述压电元件在不通电状态下，所限位槽上表面所处的平面为初始平面；所述定位块上表面所处的平面与所述初始平面为同一平面，或所述定位块上表面所处的平面低于所述初始平面。

4.根据权利要求3所述的成像模组，其特征在于，所述支撑块和定位块上表面处于同一平面，或所述支撑块和定位块上表面处于两个平面。

5.根据权利要求3所述的成像模组，其特征在于，在平行于所述初始平面的方向上，所述定位块与所述限位槽的之间具有间隙。

6.根据权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述限位槽的高度大于等于所述被移动元件的最大移动距离。

7.根据权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述限位槽由至少一个膜层围绕而成；所述膜层分布于所述被移动元件的边缘；或者，所述膜层分布于所述被移动元件的整个表面上。

8.根据权利要求7所述的成像模组，其特征在于，所述限位槽具有与所述被移动元件的表面相连的第一膜层，所述第一膜层的厚度大于等于所述被移动元件的最大移动距离。

9.根据权利要求6或8所述的成像模组，其特征在于，所述被移动元件的表面上设置有由上至下依次堆叠的第一膜层、第二膜层和第三膜层，所述第一膜层、第三膜层的两侧相对所述第二膜层向外伸出以形成伸出部，所述伸出部与所述第二膜层的端部围成所述限位槽用于容纳压电元件的部分。

10.根据权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述压电元件包括：支撑层和位于所述支撑层上的压电叠层结构，所述压电叠层结构包括：至少一层压电膜，每一层所述压电膜上表面、下表面均分布有电极，相邻两层压电膜共用位于两者之间的电极；所述电极从下至上依次计数，奇数层电极电连接在一起，偶数层电极电连接在一起。

11.根据权利要求10所述的成像模组，其特征在于，所述压电元件还包括：第一引出端，与所述奇数层电极电连接；第二引出端，与所述偶数层电极电连接；所述第一引出端、第二引出端均位于所述压电元件的顶面或底面，或，其中之一位于顶面，另一位于底面；所述第一引出端、第二引出端与所述外部信号连接端电连接。

12.根据权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述转轴分布于所述可动端的两侧；或者，所述可动端的两侧之间分布有至少一个所述转轴。

13.根据权利要求1所述的成像模组，其特征在于，所述成像模组还包括：与所述压电元件中的电极电连接的外部信号连接端和线路板，所述外部信号连接端位于所述线路板上。

14.一种成像模组的制造方法，其特征在于，所述成像模组包括被移动元件，被移动元件包括透镜组、成像传感元件、光圈或透镜片，方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成抬升器，所述抬升器包括：限位装置、限位槽和压电元件，所述限位装置包括底座，和位于底座上的支撑块和定位块，所述底座、支撑块和定位块围成空间，所述压电元件和限位槽位于所述空间内，定位块位于所述限位槽周围；

所述限位槽与所述被移动元件的表面固定连接；

所述压电元件包括可动端和固定端，所述固定端固设在所述支撑块上，可动端伸入所述限位槽内并与所述限位槽滑动接触；所述可动端上具有转轴，所述转轴置于所述限位槽内，所述限位槽为所述转轴提供移动空间，所述转轴与所述压电元件为一体结构，两者之间相互绝缘；或者，所述转轴粘结在所述压电元件的可动端；

将所述被移动元件设置在所述抬升器的限位槽上，所述压电元件在通电状态下，所述可动端带动所述限位槽在所述限位装置限定的空间内向上移动，从而带动被移动元件向上移动，且所述被移动元件实现最大移动后，所述限位槽底部表面低于定位块顶部表面。

15.根据权利要求14所述的成像模组的制造方法，其特征在于，所述抬升器的形成方法包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域环绕第二区域，第三区域位于第一区域和第二区域之间，沿第一方向上，所述第一区域包括相对的第一子区和第二子区；

在所述衬底第三区域上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖部分第二区域的衬底表面，暴露出部分第二区域靠近第二子区的衬底；

在所述第一牺牲层暴露的衬底上形成第一支撑层、第一定位层和第二膜层第一子层，所述第一支撑层位于第一子区，所述第一定位层位于第二子区，所述第二膜层第一子层位于第二子区；

在所述第一支撑层上形成压电元件，所述压电元件位于第一支撑层上的一端为固定端，与固定端相对的端为可动端，所述压电元件沿第一方向延伸至第二区域，且所述压电元件不与第二膜层的第一子层接触；

在第三区域的第一牺牲层和第二区域的压电元件上形成第二牺牲层；在所述第一定位层上形成第二定位层；在所述第二膜层的第一子层上形成第二膜层的第二子层，所述第二膜层第一子层和第二膜层第二子层构成第二膜层；

在所述第二膜层上形成第三膜层，所述第三膜层位于第二区域，所述第三膜层位于压电元件上方且与压电元件不接触；

在所述第三区域的第二牺牲层上形成第三牺牲层，所述第三牺牲层还位于第一膜层表面；

在所述第一支撑层上形成第二支撑层；在所述第二定位层上形成第三定位层；在所述第三牺牲层上形成底座层，所述底座层还位于第二支撑层和第三定位层上；

形成底座层后，翻转所述衬底，使得所述衬底背向底座的一面朝上；

刻蚀去除第三区域的衬底，使得所述第二区域的衬底形成为第一膜层，所述第一子区的衬底形成为第三支撑层；第二子区的衬底形成为第四定位层；

所述第一支撑层、第二支撑层和第三支撑层构成支撑块；

所述第一定位层、第二定位层和第三定位层和第四定位层构成定位块；

所述第一膜层、第二膜层和第三膜层形成限位槽。

16.根据权利要求15所述的成像模组的制造方法，其特征在于，

所述衬底为一层或多层结构，所述衬底为多层结构时包括：底层、位于底层表面的隔离层，位于隔离层上的顶层；

形成第一牺牲层之前，还包括：去除部分第三区域的顶层，在所述衬底内形成第一开口；第一牺牲层还位于第一开口内。

17.根据权利要求15所述的成像模组的制造方法，其特征在于，形成第二膜层第一子层的过程中形成所述第一支撑层和所述第一定位层；

形成第二膜层第一子层过程中形成所述转轴；

所述第二膜层第一子层、第一支撑层、第一定位层和转轴的形成方法包括：

在所述第一牺牲层和衬底上沉积形成初始结构层；图形化所述初始结构层，去除第三区域和部分第二区域的初始结构层，在第一子区的衬底上形成第一支撑层，在第二子区的衬底上形成第一定位层，在第一牺牲层暴露的第二区域的衬底上形成第二膜层的第一子层，在第一牺牲层上形成转轴，所述第二膜层第一子层、第一支撑层、第一定位层和转轴的顶面齐平；

在所述第一牺牲层上形成第四牺牲层，所述第四牺牲层与所述转轴的顶面齐平；

在所述第四牺牲层、转轴和第一支撑层上形成所述压电元件，所述压电元件的可动端位于所述第四牺牲层和转轴表面。

18.根据权利要求15所述的成像模组的制造方法，其特征在于，所述第二牺牲层的形成方法包括：

在所述压电元件上形成初始第二牺牲层，所述初始第二牺牲层还覆盖第三区域的第一牺牲层、第一支撑层、第一定位层和第二膜层第一子层的表面；图形化所述初始第二牺牲层，在所述第二区域的压电元件表面和第三区域的第一牺牲层表面形成所述第二牺牲层。

19.根据权利要求18所述的成像模组的制造方法，其特征在于，形成所述第二膜层的第二子层的过程中形成所述第二定位层；所述第二膜层的第二子层的和所述第三膜层在同一工艺步骤中形成；

所述第二膜层的第二子层、第三膜层和第二定位层的形成方法包括：

在所述第二牺牲层、第二膜层第一子层和第一定位层上形成初始结构层，所述初始结构层还覆盖第三牺牲层表面；图形化所述初始结构层，暴露出第三区域的第三牺牲层表面，在所述第二膜层的第一子层上形成第二膜层的第二子层，所述第二膜层第一子层和第二膜层第二子层构成第二膜层，在所述第一定位层上形成第二定位层，在所述第二牺牲层上形成所述第三膜层，且所述第三膜层位于第二膜层上。

20.根据权利要求19所述的成像模组的制造方法，其特征在于，形成第一膜层后，形成第三牺牲层之前，还包括：在所述第一膜层背向衬底的表面形成防黏连结构；所述防黏连结构的形成方法包括：在所述第一膜层表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有多个通孔，所述通孔暴露出第一膜层；以所述掩膜层为掩膜对所述第一膜层进行刻蚀，去除部分第一膜层，形成所述防黏连结构。

21.根据权利要求19所述的成像模组的制造方法，其特征在于，形成第三定位层过程中形成所述第二支撑层；所述底座层和第三定位层在同一工艺步骤中形成；

形成所述第二支撑层、所述第三定位层和所述底座层的方法包括：

在所述第三牺牲层和第二定位层上形成初始第二结构层，所述初始结构层还覆盖第一支撑层表面；所述第一子区的初始第二结构层为第二支撑层；所述第二子区的初始第二结构层为第三定位层，覆盖第三牺牲层的初始第二结构层为底座层，所述底座层还覆盖于第三定位层和第一支撑层。

22.根据权利要求21所述的成像模组的制造方法，其特征在于，所述压电元件支撑层和位于所述支撑层上的压电叠层结构，所述压电叠层结构包括：至少一层压电膜，每一层所述压电膜上表面、下表面均分布有电极，相邻两层压电膜共用位于两者之间的电极；所述电极从下至上依次计数，奇数层电极电连接在一起，偶数层电极电连接在一起；所述压电元件还包括：第一引出端，与所述奇数层电极电连接；第二引出端，与所述偶数层电极电连接；所述第一引出端、第二引出端均位于所述压电元件的远离第一支撑层的表面；形成第二支撑层之后，翻转衬底之前，还包括：

在所述第二支撑层和底座层内形成贯穿第二支撑层和底座层的导电通孔；在所述导电通孔内形成导电插塞。

23.根据权利要求22所述的成像模组的制造方法，其特征在于，形成导电插塞后，翻转之前，还包括，在所述底座层上形成导电层，所述导电层与所述导电插塞电连接；

形成导电层的方法包括：在所述底座层上贴覆导电膜。

24.根据权利要求15或16所述的成像模组的制造方法，其特征在于，刻蚀去除第三区域的衬底的工艺包括：采用深沟槽刻蚀工艺。

25.根据权利要求19所述的成像模组的制造方法，其特征在于，将所述被移动元件设置在所述限位槽上之后，还包括：去除所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层和第四牺牲层。

26.根据权利要求25所述的成像模组的制造方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层和第四牺牲层后，还包括：去除所述基底。

27.根据权利要求26所述的成像模组的制造方法，其特征在于，

提供线路板，外部信号连接端位于所述线路板上；将所述抬升器放置到所述线路板上，使得所述压电元件中的电极与第一外部信号连接端电连接。

28.根据权利要求15所述的成像模组的制造方法，其特征在于，将所述被移动元件设置在所述限位槽上的方法包括：

在所述限位槽第一区上形成连接层；将所述被移动元件放置在连接层上；

所述连接层的材料包括干膜或者固化胶。

29.根据权利要求15所述的成像模组的制造方法，其特征在于，所述第一区域还包括位于第一子区和第二子区之间的第三子区，所述第三子区沿第一方向上与第二区域和第三区域重叠，且所述第三子区沿第二方向位于第二区域和第三区域的两侧，所述第二方向垂直于第一方向；所述定位块还位于第三子区，所述支撑块和定位块形成直接或者间接的环形环绕所述限位槽和压电元件。

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