CN113130280A - 光强度监测调节机构、调节方法及等离子体处理装置 - Google Patents

光强度监测调节机构、调节方法及等离子体处理装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种用于等离子体处理装置的光强度监测调节机构，包括：反光镜座，其内固定设置有一反光镜，用于反射等离子体刻蚀过程中产生的光；一端卡固于反光镜座内的凸透镜座，其内固定设置有一凸透镜，用于将反光镜反射入的反射光汇聚至一光纤；调节螺杆，其一端容设于凸透镜座内，另一端固设有所述光纤；所述调节螺杆相对于凸透镜座在调节螺杆的延伸方向上移动，而改变光纤与凸透镜之间的距离，以调整汇聚至光纤上的反射光的强度。

Description

光强度监测调节机构、调节方法及等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及等离子体刻蚀技术领域，尤其涉及适用于等离子体处理装置的光强度监测调节机构及其调节方法。
背景技术
近年来，随着半导体制造工艺的发展，对元件的集成度和性能要求越来越高，等离子体技术(Plasma Technology)在半导体制造领域中正起着举足轻重的作用。等离子体技术通过使工艺气体激发形成的等离子体被应用在许多半导体工艺中，如沉积工艺(如化学气相沉积)、刻蚀工艺(如干法刻蚀)等。对等离子体处理工艺来说，其准确度直接关系到元件的特征尺寸。随着半导体器件特征尺寸缩小，以及半导体制造过程中所用的等离子体处理工艺步骤的数量和复杂性的迅速增加，对等离子体处理工艺控制的要求变得更加严格，这就需要采用实时监控的手段来控制工艺过程的关键阶段。
以等离子体刻蚀工艺为例，在等离子体刻蚀过程中，一个关键的问题是当被刻蚀的介质层被刻蚀掉之后，应当及时停止等离子体刻蚀，以避免下层介质层受到等离子体的刻蚀而损伤，从而造成器件的失效。因此，精确判定等离子体刻蚀工艺终点(endpoint)以避免因刻蚀不足或刻蚀过度导致元器件失效就变得日益重要。现有技术中，通常采用光学发射光谱法(optical emission spectroscopy，OES)进行等离子体刻蚀终点监测。OES技术主要是基于在线光谱监测设备(光谱仪)对等离子体发射出的光谱进行实时监测，由于刻蚀到不同物质层光谱会出现明显的变化，特别当到达刻蚀终点时，因刻蚀的材料发生转换，气相的组成及被刻蚀薄膜都会发生化学变化，这种变化通过OES光谱信号的强度变化表现出来。因此，通过连续监测等离子体发射，就能够用OES终点监测方法来监测出此变化并利用它来确定薄膜被完全清除的时间。
通过光学发射光谱法(OES)监测刻蚀进程中通常使用光强度监测机构接收等离子体发射出的光，并通过光强度监测机构内的反光镜及凸透镜将光汇聚至光纤，通过连接在光纤上的光谱仪读取光信号以识别刻蚀进程。
传统的光强度监测机构不具有调节功能，由于受到反光镜安装固定于反光镜座的偏差以及等离子体装置内的单个部件的更换维护等因素改变反应腔内的环境，而不能维持原先的汇聚至光纤上的光强度满足光谱仪监测所需。
因此，亟需一种可实时调节的光强度监测机构以使得汇聚至光纤上的光满足光谱仪监测所需要的强度。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种可实时调节的光强度监测调节机构，有效解决现有技术存在的问题，使得汇聚至光纤上的光满足光谱仪监测所需要的强度。
为实现上述目的，本发明提供一种用于等离子体处理装置的光强度监测调节机构，包括：反光镜座，其内固定设置有一反光镜，用于反射等离子体刻蚀过程中产生的光；一端卡固于反光镜座内的凸透镜座，其内固定设置有一凸透镜，用于将反光镜反射入的反射光汇聚至一光纤；调节螺杆，其一端容设于凸透镜座内，另一端固设有所述光纤；其中，所述调节螺杆相对于凸透镜座在调节螺杆的延伸方向上移动，而改变光纤与凸透镜之间的距离，以调整汇聚至光纤上的反射光的强度。
可选的，所述光强度监测调节机构包括调节螺母，所述调节螺母通过螺纹配合设置于调节螺杆的外侧，调节调节螺母，而使得调节螺杆相对于凸透镜座在调节螺杆的延伸方向上移动。
可选的，所述光强度监测调节机构包括卡箍，所述凸透镜座与调节螺母的外周缘分别设置有环形凹槽，所述卡箍的内周缘设置有环形凸部，所述卡箍箍设于凸透镜座与调节螺母的外侧，所述环形凸部容设于环形凹槽内而使得凸透镜座与调节螺母之间的距离保持恒定。
可选的，所述卡箍设置成一对箍设于凸透镜座与调节螺母的外侧，所述卡箍上设置有锁紧件，调节锁紧件，而将卡箍对调节螺母进行锁紧或解锁。
可选的，当锁紧件处于解锁状态时，环形凸部自由容设于环形凹槽内，调节调节螺母可使得调节螺杆在调节螺杆的延伸方向上移动，进而调节光纤与凸透镜之间的距离，或当锁紧件处于锁紧状态时，环形凸部卡止于环形凹槽内，调节螺母与调节螺杆被锁止，光纤与凸透镜之间的距离被固定。
可选的，所述锁紧件为螺栓结构。
可选的，所述调节螺杆与凸透镜座之间为轴孔间隙配合而使得调节螺杆容设于凸透镜座内且可于凸透镜座内在调节螺杆的延伸方向上移动。
可选的，所述调节螺杆与凸透镜座相配合的表面中的一者凹设有长槽，而另一者的表面凸设有凸台，所述凸台容设于长槽内，而防止调节螺杆在其延伸方向上移动的过程中出现旋转。
可选的，所述调节螺母与调节螺杆之间为细牙螺纹配合。
可选的，所述反光镜座与凸透镜座之间通过螺纹紧固连接。
可选的，所述反光镜座呈直角设置，直角的底端连接有延伸至等离子体处理装置的导管，所述导管用于接收与传递等离子体刻蚀过程中产生的光。
本发明还提供一种用于等离子体处理装置的光强度监测调节机构的调节方法，包括：提供一反光镜座，其内固定设置有一反光镜，用于反射等离子体刻蚀过程中产生的光；提供一端卡固于反光镜座内的凸透镜座，其内固定设置有一凸透镜，用于将反光镜反射入的反射光汇聚至一光纤；提供一调节螺杆，其一端容设于凸透镜座内，另一端固设有所述光纤；其中，所述调节螺杆相对于凸透镜座在调节螺杆的延伸方向上移动，而改变所述光纤与凸透镜之间的距离，以调整汇聚至光纤上的反射光的强度。
可选的，提供一调节螺母，所述调节螺母通过螺纹配合设置于调节螺杆的外侧，调节调节螺母，而使得调节螺杆相对于凸透镜座在调节螺杆的延伸方向上移动。
可选的，提供一卡箍，于凸透镜座与调节螺母的外周缘分别设置环形凹槽，于卡箍的内周缘设置环形凸部，令所述卡箍箍设于凸透镜座与调节螺母的外侧，使得环形凸部容设于环形凹槽内而使得凸透镜座与调节螺母之间的距离保持恒定，调节调节螺母，使得调节螺杆相对于凸透镜座在调节螺杆的延伸方向上移动。
可选的，令所述卡箍设置成一对箍设于凸透镜座与调节螺母的外侧，于卡箍上设置锁紧件，通过调节锁紧件将卡箍对调节螺母进行锁紧或解锁。
可选的，调节锁紧件于解锁状态，环形凸部自由容设于环形凹槽内，调节调节螺母使得调节螺杆在调节螺杆的延伸方向上移动以改变光纤与凸透镜之间的距离。
可选的，调节锁紧件于锁紧状态，环形凸部卡止于环形凹槽内，调节螺母与调节螺杆被锁止，光纤与凸透镜之间的距离被固定。
可选的，令调节螺杆与凸透镜座之间为轴孔间隙配合，而使得调节螺杆容设于凸透镜座内且可于凸透镜座内水平移动。
可选的，于调节螺杆与凸透镜座相配合的表面中的一者凹设长槽，而于另一者的表面凸设凸台，令凸台容设于长槽内，而防止调节螺杆在其延伸方向上移动的过程中出现旋转。
本发明还提供一种等离子体处理装置，包括：由多个壁围成的反应腔；设置在反应腔内的基座，用于固定基片；形成在反应腔内对基片进行刻蚀的等离子体处理区域；设置在反应腔壁上的光强度监测调节机构，用于监测反应腔内刻蚀进程，所述光强度监测调节机构具有上述任一项所述特征；光谱仪，用于读取反射至光纤上的反射光信号。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：本申请中的光强度监测调节机构，可在等离子体装置内的单个部件进行更换及任何改变等离子体装置内的原始状态的情况下，均可实时进行调节，以保证汇聚至光纤上的光符合光谱仪精确监测所需要的光强度范围。且在调节的过程中，光纤不会出现旋转而扭转打结的不良现象，且在调节完毕之后，可对光强度监测调节机构进行锁紧，锁紧过程也不会影响调节的结果。光强度监测调节机构结构紧凑，满足狭小空间内的布局要求，且调节精度高，不会影响光的采集效果，锁紧功能牢固可靠。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1公开了一种用于等离子体处理装置的光强度监测调节机构的立体图；
图2公开了图1所示的光强度监测调节机构处于解锁状态下的示意图；
图3公开了图1所示的光强度监测调节机构处于锁紧状态下的示意图；
图4公开了具有光强度监测调节机构的等离子体处理装置的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1至图3均描述了一种光强度监测调节机构100，用于等离子体处理装置。
图4描述了设置有光强度监测调节机构100的等离子体处理装置，光强度监测调节机构100设置在反应腔200的某一壁上。光强度监测调节机构100包括由多个壁围成的反应腔200；设置在反应腔200内的基座201，用于固定待处理的基片；形成在反应腔200内对基片进行刻蚀的等离子体处理区域；光谱仪202，用于读取光强度监测调节机构100监测到的反应反应腔200内刻蚀进程的反射光信号。
请参照图1至图3所示，光强度监测调节机构100包括反光镜座110、一端卡固于反光镜座110内的凸透镜座120、一端容设于凸透镜座120内的调节螺杆130、螺纹配合设置于调节螺杆130的外侧的调节螺母140及箍设于凸透镜座120与调节螺母140的外侧的卡箍150，锁定有光纤161的光纤锁定端160锁止于调节螺杆130的端部。
反光镜座110呈直角设置，直角的底端连接有延伸至等离子体处理装置的导管111。导管111用于接收与传递等离子体刻蚀过程中产生的光。反光镜座110内固定设置有一反光镜112，用于反射等离子体刻蚀过程中产生的光。
凸透镜座120呈长筒状，其内固定设置有一凸透镜121，用于将反光镜112反射入的反射光汇聚至光纤161。凸透镜座120的一端与反光镜座110通过螺纹紧固连接而使得凸透镜座120的一端卡固于反光镜座110内，另一端延伸出反光镜座110。
调节螺杆130呈杆状，调节螺杆130与凸透镜座120之间为轴孔间隙配合而使得调节螺杆130在凸透镜座120内有一定的相对位置精度而容设于凸透镜座120内并延伸出凸透镜座120，且调节螺杆130可于凸透镜座120内沿调节螺杆130延伸方向移动。调节螺杆130与凸透镜座120相配合的表面中的一者凹设有长槽，而另一者的表面凸设有凸台，优选的，于调节螺杆130的外表面凸设凸台131及凸透镜座120的内表面凹设长槽121。凸台131容设于长槽121内而相当于一导轨结构，凸台131可沿着长槽121的导向而水平移动，从而防止调节螺杆130移动的过程中出现旋转。调节螺杆130延伸出凸透镜座120的部分的端部锁止有光纤锁定端160。
调节螺母140设置于调节螺杆130的外侧，且与调节螺杆130之间通过细牙螺纹配合连接。
卡箍150设置成一对箍设于凸透镜座120与调节螺母140的外侧。凸透镜座120与调节螺母140的外周缘分别设置有环形凹槽D，卡箍150的内周缘设置有环形凸部151，环形凸部151容设于环形凹槽D内而使得凸透镜座120与调节螺母140之间的距离保持恒定。卡箍150上设置有锁紧件152(参图1)，优选的，该锁紧件152为螺栓结构，调节锁紧件152，而将卡箍150对调节螺母140进行锁紧或解锁，锁紧状态下：卡箍150的环形凸部151卡紧于环形凹槽D内(参图3)；解锁状态下：卡箍150的环形凸部151容设于环形凹槽D内(参图2)，此时并未锁紧，卡箍150的环形凸部151可起到使凸透镜座120与调节螺母140两者水平位置相对不变。
光纤锁定端160，其内锁定有光纤161。光纤锁定端160锁止于调节螺杆130的端部。光纤161连接至一光谱仪202。
以下参照图2及图3介绍光强度监测调节机构100的调节方法：
凸透镜座120与反光镜座110之间为螺纹紧固连接，两者之间呈现固定连接的不可移动状态。由于调节螺母140与凸透镜座120上的环形凹槽D受到卡箍150的环形凸部151的限位，而使得调节螺母140与凸透镜座120之间的距离保持恒定。因此调节螺母140、凸透镜座120与反光镜座110三者之间保持恒定的位置关系，即三者的位置被固定。
调节锁紧件152于解锁状态，环形凸部151自由容设于环形凹槽D内，此时可通过扳手或手动调节调节螺母140，由于调节螺母140与调节螺杆130之间为细牙螺纹配合，且调节螺母140所在的位置被固定，此时调节螺杆130受到调节螺母140的调节而相对于凸透镜座120在调节螺杆130的延伸方向上移动。另，调节螺杆130在相对于凸透镜座120相对移动的过程中，由于调节螺杆130上的凸台131受到凸透镜座120上的长槽121的限位，而使得调节螺杆130只能在其延伸方向上移动，而限制其旋转，如此可防止调节螺母140带着调节螺杆130原地旋转而未在调节螺杆130的延伸方向上移动，也能防止光纤161被带动移位的过程中出现旋转而扭转打结。此时，固定设置于凸透镜座120内的凸透镜121与固定设置于调节螺杆130的光纤161之间的距离改变。通过连接于光纤161的光谱仪202读取调节过程中的实时读数，以调整汇聚至光纤161上的反射光的强度，以将出光强度调整在一个规定的范围内。
调整完毕之后，可通过调节锁紧件152于锁紧状态，环形凸部151卡止于环形凹槽D内，调节螺母140与调节螺杆130被锁止，光纤161与凸透镜121之间的距离被固定，凸透镜121汇聚至光纤161上的出光强度被锁定。
在等离子体处理装置内进行等离子体刻蚀工艺处理的过程中，等离子体刻蚀晶圆不同层的时候，会产生不同的强度的光，光通过反光镜座110底部的导管111传递至反光镜座110内设置的反光镜112上，该反光镜112将光反射至设置于凸透镜座120内的凸透镜121上，凸透镜121将反射入的光汇聚至光纤161，光纤161连接至一光谱仪202，通过光谱仪202监测光谱辨别刻蚀处理的进程。
传统的光强度监测机构不具有调节功能，由于受到反光镜安装固定于反光镜座的偏差以及等离子体装置内的单个部件的更换维护等因素，而导致传统的光强度监测机构不能很好的将汇聚至光纤上的光满足光谱仪所需要的强度监测范围，而致使连接至光纤上的光谱仪不能对刻蚀进程进行精确的监测。
而本申请中的光强度监测调节机构100，可在等离子体装置内的单个部件进行更换及任何改变等离子体装置内的原始状态的情况下，均可实时进行调节，以保证汇聚至光纤161上的光符合光谱仪202精确监测所需要的光强度范围。且在调节的过程中，光纤161不会出现旋转而扭转打结的不良现象，且在调节完毕之后，可对光强度监测调节机构100进行锁紧，锁紧过程也不会影响调节的结果。光强度监测调节机构100结构紧凑，满足狭小空间内的布局要求，且调节精度高，不会影响光的采集效果，锁紧功能牢固可靠。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (20)

1.一种用于等离子体处理装置的光强度监测调节机构，其特征在于，包括：
反光镜座，其内固定设置有一反光镜，用于反射等离子体刻蚀过程中产生的光；
一端卡固于反光镜座内的凸透镜座，其内固定设置有一凸透镜，用于将反光镜反射入的反射光汇聚至一光纤；
调节螺杆，其一端容设于凸透镜座内，另一端固设有所述光纤；
其中，所述调节螺杆相对于凸透镜座在调节螺杆的延伸方向上移动，而改变光纤与凸透镜之间的距离，以调整汇聚至光纤上的反射光的强度。
2.如权利要求1所述的光强度监测调节机构，其特征在于：所述光强度监测调节机构包括调节螺母，所述调节螺母通过螺纹配合设置于调节螺杆的外侧，调节调节螺母，而使得调节螺杆相对于凸透镜座在调节螺杆的延伸方向上移动。
3.如权利要求2所述的光强度监测调节机构，其特征在于：所述光强度监测调节机构包括卡箍，所述凸透镜座与调节螺母的外周缘分别设置有环形凹槽，所述卡箍的内周缘设置有环形凸部，所述卡箍箍设于凸透镜座与调节螺母的外侧，所述环形凸部容设于环形凹槽内而使得凸透镜座与调节螺母之间的距离保持恒定。
4.如权利要求3所述的光强度监测调节机构，其特征在于：所述卡箍设置成一对箍设于凸透镜座与调节螺母的外侧，所述卡箍上设置有锁紧件，调节锁紧件，而将卡箍对调节螺母进行锁紧或解锁。
5.如权利要求4所述的光强度监测调节机构，其特征在于：当锁紧件处于解锁状态时，环形凸部自由容设于环形凹槽内，调节调节螺母可使得调节螺杆在调节螺杆的延伸方向上移动，进而调节光纤与凸透镜之间的距离，或当锁紧件处于锁紧状态时，环形凸部卡止于环形凹槽内，调节螺母与调节螺杆被锁止，光纤与凸透镜之间的距离被固定。
6.如权利要求4所述的光强度监测调节机构，其特征在于：所述锁紧件为螺栓结构。
7.如权利要求1所述的光强度监测调节机构，其特征在于：所述调节螺杆与凸透镜座之间为轴孔间隙配合而使得调节螺杆容设于凸透镜座内且可于凸透镜座内在调节螺杆的延伸方向上移动。
8.如权利要求8所述的光强度监测调节机构，其特征在于：所述调节螺杆与凸透镜座相配合的表面中的一者凹设有长槽，而另一者的表面凸设有凸台，所述凸台容设于长槽内，而防止调节螺杆在其延伸方向上移动的过程中出现旋转。
9.如权利要求1所述的光强度监测调节机构，其特征在于：所述调节螺母与调节螺杆之间为细牙螺纹配合。
10.如权利要求1所述的光强度监测调节机构，其特征在于：所述反光镜座与凸透镜座之间通过螺纹紧固连接。
11.如权利要求1所述的光强度监测调节机构，其特征在于：所述反光镜座呈直角设置，直角的底端连接有延伸至等离子体处理装置的导管，所述导管用于接收与传递等离子体刻蚀过程中产生的光。
12.一种用于等离子体处理装置的光强度监测调节机构的调节方法，其特征在于，包括：
提供一反光镜座，其内固定设置有一反光镜，用于反射等离子体刻蚀过程中产生的光；
提供一端卡固于反光镜座内的凸透镜座，其内固定设置有一凸透镜，用于将反光镜反射入的反射光汇聚至一光纤；
提供一调节螺杆，其一端容设于凸透镜座内，另一端固设有所述光纤；
其中，所述调节螺杆相对于凸透镜座在调节螺杆的延伸方向上移动，而改变所述光纤与凸透镜之间的距离，以调整汇聚至光纤上的反射光的强度。
13.如权利要求12所述的光强度监测调节机构的调节方法，其特征在于：提供一调节螺母，所述调节螺母通过螺纹配合设置于调节螺杆的外侧，调节调节螺母，而使得调节螺杆相对于凸透镜座在调节螺杆的延伸方向上移动。
14.如权利要求13所述的光强度监测调节机构的调节方法，其特征在于：提供一卡箍，于凸透镜座与调节螺母的外周缘分别设置环形凹槽，于卡箍的内周缘设置环形凸部，令所述卡箍箍设于凸透镜座与调节螺母的外侧，使得环形凸部容设于环形凹槽内而使得凸透镜座与调节螺母之间的距离保持恒定，调节调节螺母，使得调节螺杆相对于凸透镜座在调节螺杆的延伸方向上移动。
15.如权利要求13所述的光强度监测调节机构的调节方法，其特征在于：令所述卡箍设置成一对箍设于凸透镜座与调节螺母的外侧，于卡箍上设置锁紧件，通过调节锁紧件将卡箍对调节螺母进行锁紧或解锁。
16.如权利要求15所述的光强度监测调节机构的调节方法，其特征在于：调节锁紧件于解锁状态，环形凸部自由容设于环形凹槽内，调节调节螺母使得调节螺杆在调节螺杆的延伸方向上移动以改变光纤与凸透镜之间的距离。
17.如权利要求15所述的光强度监测调节机构的调节方法，其特征在于：调节锁紧件于锁紧状态，环形凸部卡止于环形凹槽内，调节螺母与调节螺杆被锁止，光纤与凸透镜之间的距离被固定。
18.如权利要求12所述的光强度监测调节机构的调节方法，其特征在于：令调节螺杆与凸透镜座之间为轴孔间隙配合，而使得调节螺杆容设于凸透镜座内且可于凸透镜座内水平移动。
19.如权利要求18所述的光强度监测调节机构的调节方法，其特征在于：于调节螺杆与凸透镜座相配合的表面中的一者凹设长槽，而于另一者的表面凸设凸台，令凸台容设于长槽内，而防止调节螺杆在其延伸方向上移动的过程中出现旋转。
20.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
由多个壁围成的反应腔；
设置在反应腔内的基座，用于固定基片；
形成在反应腔内对基片进行刻蚀的等离子体处理区域；
设置在反应腔壁上的光强度监测调节机构，用于监测反应腔内刻蚀进程，所述光强度监测调节机构具有如权利要求1至权利要求11任一项所述特征；
光谱仪，用于读取反射至光纤上的反射光信号。
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Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05102089A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Tokyo Electron Ltd ドライエツチング方法
JPH08316218A (ja) * 1995-05-20 1996-11-29 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング装置
US6322660B1 (en) * 1998-09-30 2001-11-27 Advanced Micro Devices Apparatus and method for remote endpoint detection
CN1835199A (zh) * 2005-03-18 2006-09-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 蚀刻监测装置及方法
CN101248507A (zh) * 2005-08-23 2008-08-20 奥立孔美国公司 时分多工工艺中的用于终点的波长选择
CN201386366Y (zh) * 2009-03-16 2010-01-20 石昊 地板脚座
CN201725077U (zh) * 2010-06-18 2011-01-26 深圳市大族激光科技股份有限公司 准直镜调光系统
CN102081199A (zh) * 2010-12-17 2011-06-01 扬州科莱斯激光技术有限公司 一种大功率半导体激光器的光纤耦合装置
KR20140097745A (ko) * 2013-01-30 2014-08-07 우범제 플라즈마 공정챔버
CN104076024A (zh) * 2013-03-28 2014-10-01 日本株式会社日立高新技术科学 Icp发光分光分析装置
CN104596935A (zh) * 2015-01-26 2015-05-06 力合科技（湖南）股份有限公司 一种可调式探测光路装置
CN105067571A (zh) * 2015-08-17 2015-11-18 北京科技大学 一种激光诱导等离子体光谱增强装置
CN105115960A (zh) * 2015-05-19 2015-12-02 钢研纳克检测技术有限公司 用于icp光谱仪具有二维可调功能透射式前置光路结构
CN205161536U (zh) * 2015-11-24 2016-04-20 钟翔 一种新型散养家禽节水饮水器
CN205190490U (zh) * 2015-08-25 2016-04-27 王景东 防松动防拆卸螺栓
US20160177449A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus and operation method thereof
CN106876236A (zh) * 2015-12-10 2017-06-20 中微半导体设备(上海)有限公司 监测等离子体工艺制程的装置和方法
US20170254755A1 (en) * 2016-03-04 2017-09-07 Applied Materials, Inc. In-situ spatially resolved plasma monitoring by using optical emission spectroscopy
CN107993946A (zh) * 2016-10-27 2018-05-04 中微半导体设备(上海)有限公司 宽带光谱光学测量装置及等离子体处理装置
CN208315507U (zh) * 2018-03-22 2019-01-01 北京北方华创微电子装备有限公司 在线监测系统及半导体加工设备
CN109243956A (zh) * 2017-07-10 2019-01-18 真实仪器公司 等离子体源、激发系统和操作激发测量系统的方法
CN109923653A (zh) * 2016-11-07 2019-06-21 应用材料公司 检测和分析来自半导体腔室部件的纳米颗粒的方法和设备

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3399040B2 (ja) * 1993-09-20 2003-04-21 株式会社日立製作所 半導体製造装置及び半導体製造方法
US6052183A (en) * 1999-04-14 2000-04-18 Winbond Electronics Corp In-situ particle monitoring
US20080099437A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Richard Lewington Plasma reactor for processing a transparent workpiece with backside process endpoint detection
US8092695B2 (en) * 2006-10-30 2012-01-10 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
JP5555621B2 (ja) * 2007-05-07 2014-07-23 ヴェリティー インストルメンツ，インコーポレイテッド 障害検出及びプロセスモニタリングのために使用される放射分析光学モニタリングシステムのキャリブレーション
US9558914B2 (en) * 2015-02-25 2017-01-31 Axcelis Technologies, Inc. Bipolar wafer charge monitor system and ion implantation system comprising same

Patent Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05102089A (ja) * 1991-10-09 1993-04-23 Tokyo Electron Ltd ドライエツチング方法
JPH08316218A (ja) * 1995-05-20 1996-11-29 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング装置
US6322660B1 (en) * 1998-09-30 2001-11-27 Advanced Micro Devices Apparatus and method for remote endpoint detection
CN1835199A (zh) * 2005-03-18 2006-09-20 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 蚀刻监测装置及方法
CN101248507A (zh) * 2005-08-23 2008-08-20 奥立孔美国公司 时分多工工艺中的用于终点的波长选择
CN201386366Y (zh) * 2009-03-16 2010-01-20 石昊 地板脚座
CN201725077U (zh) * 2010-06-18 2011-01-26 深圳市大族激光科技股份有限公司 准直镜调光系统
CN102081199A (zh) * 2010-12-17 2011-06-01 扬州科莱斯激光技术有限公司 一种大功率半导体激光器的光纤耦合装置
KR20140097745A (ko) * 2013-01-30 2014-08-07 우범제 플라즈마 공정챔버
CN104076024A (zh) * 2013-03-28 2014-10-01 日本株式会社日立高新技术科学 Icp发光分光分析装置
US20160177449A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus and operation method thereof
CN104596935A (zh) * 2015-01-26 2015-05-06 力合科技（湖南）股份有限公司 一种可调式探测光路装置
CN105115960A (zh) * 2015-05-19 2015-12-02 钢研纳克检测技术有限公司 用于icp光谱仪具有二维可调功能透射式前置光路结构
CN105067571A (zh) * 2015-08-17 2015-11-18 北京科技大学 一种激光诱导等离子体光谱增强装置
CN205190490U (zh) * 2015-08-25 2016-04-27 王景东 防松动防拆卸螺栓
CN205161536U (zh) * 2015-11-24 2016-04-20 钟翔 一种新型散养家禽节水饮水器
CN106876236A (zh) * 2015-12-10 2017-06-20 中微半导体设备(上海)有限公司 监测等离子体工艺制程的装置和方法
US20170254755A1 (en) * 2016-03-04 2017-09-07 Applied Materials, Inc. In-situ spatially resolved plasma monitoring by using optical emission spectroscopy
CN107993946A (zh) * 2016-10-27 2018-05-04 中微半导体设备(上海)有限公司 宽带光谱光学测量装置及等离子体处理装置
CN109923653A (zh) * 2016-11-07 2019-06-21 应用材料公司 检测和分析来自半导体腔室部件的纳米颗粒的方法和设备
CN109243956A (zh) * 2017-07-10 2019-01-18 真实仪器公司 等离子体源、激发系统和操作激发测量系统的方法
CN208315507U (zh) * 2018-03-22 2019-01-01 北京北方华创微电子装备有限公司 在线监测系统及半导体加工设备

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