CN113126421B - 布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质 - Google Patents

布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质 Download PDF

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Abstract

一种布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质，矫正方法用于在确定掩膜基底后，实现光学邻近修正前的预矫正，包括：提供原始版图，包括与掩膜基底相对应的布局图形，并确定布局图形对应于掩膜基底上的位置作为第一初始位置，布局图形所在的区域为图形区，剩余区域为遮挡区；对掩膜基底进行检测，获取掩膜基底上的缺陷点并确定缺陷点在掩膜基底上的位置为第二初始位置；获取缺陷点的第一偏移矢量，第一偏移矢量适于使缺陷点由第二初始位置移动至任一遮挡区；计算第一偏移矢量的负矢量为第二偏移矢量；根据第二偏移矢量移动布局图形，使布局图形对应于掩膜基底上的位置由第一初始位置变更为优化后位置。本发明提高光刻图形的精度。

Description

布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质。
背景技术
光刻技术是半导体制造技术中至关重要的一项技术，光刻技术能够实现将图形从掩膜版中转移到晶圆上，形成符合设计要求的半导体产品，在半导体制造过程中往往需要十几乃至几十道的光刻工序。
每道光刻工序都需要用到一块掩膜版，每块掩膜版的品质高低都直接影响到晶圆上光刻图形的质量优劣，进而影响芯片的成品率。因此，一旦掩膜版具有缺陷点，则容易导致晶圆上光刻图形出现缺失、失真或变形等问题，从而导致芯片的成品率下降。
随着半导体技术的飞速发展，光刻所要曝光的关键尺寸(critical dimension，CD)越来越小，对掩膜版的质量，例如布局图形的精度、缺陷点密度和掩膜版的耐用性等都提出了更高的要求，掩膜版的缺陷点检测则显得尤为重要。
发明内容
本发明实施例解决的问题是提供一种布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质，提高提高光刻图形的精度。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种布局图形的矫正方法，用于在确定掩膜基底后，实现光学邻近修正前的预矫正，包括：提供原始版图，所述原始版图包括与所述掩膜基底相对应的布局图形，并确定所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置作为第一初始位置，在所述原始版图中，所述布局图形所在的区域为图形区，剩余的区域为遮挡区；对所述掩膜基底进行检测，获取所述掩膜基底上的缺陷点，并确定所述缺陷点在所述掩膜基底上的位置作为第二初始位置；获取所述缺陷点的第一偏移矢量，所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处；计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量；根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形，使所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置由所述第一初始位置变更为优化后位置。
相应地，本发明实施例还提供一种布局图形的矫正系统，用于在确定掩膜基底后，实现光学邻近修正前的预矫正，包括：图形获取模块，用于提供原始版图，所述原始版图包括与所述掩膜基底相对应的布局图形，所述图形获取模块还用于确定所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置作为第一初始位置，在所述原始版图中，所述布局图形所在的区域为图形区，剩余的区域为遮挡区；检测模块，用于对所述掩膜基底进行检测，获取所述掩膜基底上的缺陷点，并确定所述缺陷点在所述掩膜基底上的位置作为第二初始位置；偏移量获取模块，用于获取所述缺陷点的第一偏移矢量，所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处；计算模块，用于计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量；更新模块，用于根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形，使所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置由所述第一初始位置变更为优化后位置。
相应地，本发明实施例还提供一种掩膜版，包括：掩膜基底；掩膜图形层，位于所述掩膜基底上，所述掩膜图形层中形成有掩膜开口，所述掩膜开口由前述的布局图形的矫正方法设置。
相应地，本发明实施例还提供一种设备，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现前述的布局图形的矫正方法。
相应地，本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现前述的布局图形的矫正方法。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：
本发明实施例提供一种布局图形的矫正方法，用于在确定掩膜基底后，实现光学邻近修正前的预矫正，所述矫正方法在确定布局(layout)图形对应于所述掩膜基底上的位置作为第一初始位置、以及确定所述缺陷点在所述掩膜基底上的位置作为第二初始位置后，获取所述缺陷点的第一偏移矢量，所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处，接着计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量，所述第二偏移矢量即为所述布局图形的偏移矢量，因此，根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形后，能够使得所有缺陷点均位于所述遮挡区所对应位置处，相应的，当完成掩膜版的制作后，所有缺陷点均位于掩膜版的掩膜图形层的下方，从而避免所述缺陷点对光刻工艺的影响，进而提高光刻图形的精度。
附图说明
图1是在一种光掩膜基板的任一缺陷点位置处的波前的示意图；
图2是本发明布局图形的矫正方法一实施例的流程图；
图3是图2中步骤S1对应的布局图形一实施例的示意图；
图4是图2中步骤S2对应的掩膜基底和缺陷点一实施例的示意图；
图5是图2中步骤S3对应的缺陷点移动后一实施例的位置示意图；
图6是图2中步骤S3一实施例的流程图；
图7是图6中步骤S32一实施例的示意图；
图8是本发明布局图形的矫正系统一实施例的功能框图；
图9是图8中偏移矢量筛选单元一实施例的功能框图；
图10是本发明掩膜版一实施例的结构示意图；
图11是本发明一实施例所提供的设备的硬件结构图。
具体实施方式
由背景技术可知，随着半导体技术的飞速发展，光刻所要曝光的关键尺寸越来越小，为了通过减小曝光波长来获得关键尺寸较小的图形，极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻已作为一种更先进的光刻技术而逐渐被应用于光刻工艺中，相应的，EUV光刻工艺对掩膜版质量的要求也更高。用于极紫外光刻系统的掩膜版的缺陷点严重影响芯片生产的良率，且目前尚无法实现无缺陷点掩膜版的加工制作。
多层膜缺陷点是极紫外掩膜版中独有的缺陷点，根据对掩膜版反射率影响的不同可分为振幅型缺陷点与相位型缺陷点，其中，相位型缺陷点位于多层膜(multiple layer，ML)的底部，造成多层膜的变形。
图1是在一种光掩膜基板的任一缺陷点位置处的波前的示意图。作为一种示例，所述光掩膜基板包括光学透明基底10以及覆盖所述光学透明基底10的多层膜11。
所述光掩膜基板用于形成极紫外掩膜版，因此，所述光掩膜基板为反射式掩膜基板，入射光20经由所述多层膜11发生反射，形成反射光30。
但是，如图1所示，当所述光学透明基底10的表面具有缺陷点15时，在所述缺陷点15的影响下，造成多层膜11在缺陷点15的位置处发生变形。因此，在所述缺陷点15的干扰下，与入射波前(incident wavefront)21相比，反射波前(reflective wavefront)31也发生变形，从而导致反射波前31的相移和强度降低。相应的，当采用具有该缺陷点15的掩膜版进行光刻，将掩膜版上的图形转移至晶圆上时，会导致晶圆上的图形出现失真或线宽改变的问题，从而导致光刻图形的精度下降。
而且，在不破坏多层膜11结构的情况下，无法去除该缺陷点15，去除缺陷点15的成本较高，且对掩膜版进行返修还会造成时间成本的增加，从而导致芯片制造的制造效率下降。
为了解决所述技术问题，本发明实施例提供一种布局图形的矫正方法，用于在确定掩膜基底后，实现光学邻近修正前的预矫正，包括：提供与所述掩膜基底相对应的布局图形，并确定所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置作为第一初始位置；对所述掩膜基底进行检测，获取所述掩膜基底上的缺陷点，并确定所述缺陷点在所述掩膜基底上的位置作为第二初始位置；获取所述缺陷点的第一偏移矢量，所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点由所述第二初始位置移动至任一所述布局图形所对应的初始位置处；计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量；根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形，使所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置由所述初始位置变更为优化后位置。
本发明实施例中，所述第一偏移矢量适于使缺陷点由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处，因此，计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量，所述第二偏移矢量即为所述布局图形的偏移矢量，根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形后，能够使得所有缺陷点均位于所述遮挡区所对应位置处，相应的，当完成掩膜版的制作后，所有缺陷点均位于掩膜版的掩膜图形层的下方，从而避免所述缺陷点对光刻工艺的影响，进而提高光刻图形的精度。
参考图2，示出了本发明布局图形的矫正方法一实施例的流程图。本实施例所述布局图形的矫正方法用于在确定掩膜基底后，实现光学邻近修正前的预矫正，所述布局图形的矫正方法包括以下基本步骤：
步骤S1：提供原始版图，所述原始版图包括与所述掩膜基底相对应的布局图形，并确定所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置作为第一初始位置，在所述原始版图中，所述布局图形所在的区域为图形区，剩余的区域为遮挡区；
步骤S2：对所述掩膜基底进行检测，获取所述掩膜基底上的缺陷点，并确定所述缺陷点在所述掩膜基底上的位置作为第二初始位置；
步骤S3：获取所述缺陷点的第一偏移矢量，所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处；
步骤S4：计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量；
步骤S5：根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形，使所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置由所述第一初始位置变更为优化后位置。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参考图3，执行步骤S1，提供原始版图100，所述原始版图100包括与所述掩膜基底相对应的布局图形110，并确定所述布局图形110对应于所述掩膜基底上的位置作为第一初始位置，在所述原始版图100中，所述布局图形110所在的区域为图形区(未标示)，剩余的区域为遮挡区(未标示)。
所述原始版图100存储于原始版图文件中。其中，原始版图文件是指利用EDA工具设计形成的包含布局图形的版图文件。通常地，原始版图文件是通过了DRC(design rulecheck)验证的版图文件。作为一种示例，所述原始版图100的文件格式为GDS格式。在其他实施例中，所述原始版图的文件格式还可以为OASIS等其他格式。
所述掩膜基底用于为制作掩膜版作准备，所述布局图形110用于制作在光刻过程中使用的掩膜版，所述布局图形110为预先设定的需要在掩膜版中生成的图形，从而能够以所述掩膜版为掩膜对晶圆上的光刻胶进行曝光，形成光刻胶图形层。
在所述原始版图100中，所述布局图形110所在的区域为图形区，剩余的区域为遮挡区。其中，所述遮挡区与掩膜版上的掩膜图形层所在的区域相对应，即与晶圆上的光刻胶图形层所在的区域相对应；所述图形区则与形成于掩膜图形层中的掩膜开口所在的区域相对应，也就是说，所述布局图形110用于定义掩膜开口的形状、尺寸和位置。相应的，所述布局图形110与掩膜基底具有初始的相对位置关系，从而能够将完成光学邻近修正后的布局图形110写入掩膜版中，以完成掩膜版的制作。
本实施例中，所述布局图形110对应于掩膜基底上的位置作为第一初始位置。具体地，确定所述布局图形110对应于所述掩膜基底上的位置作为第一初始位置的步骤包括：获取所述布局图形110对应于所述掩膜基底上的坐标，所述坐标用于表征所述布局图形110在所述掩膜基底上的位置。
其中，所述布局图形110的坐标信息存储于原始版图文件中，因此，可利用布局图形读取软件，提供所述原始版图100，并获取所述布局图形110的坐标。
如图3所示，本实施例中，以所形成的掩膜版为暗场(darkfield)掩膜版作为示例。暗场掩膜版指的是在掩膜版中，掩膜基底上大部分区域被掩膜图形层所覆盖，例如，当掩膜版为透射式掩膜版时，该掩膜图形层则为遮挡层(铬层)，当掩膜版为反射式掩膜版时，该掩膜图形层则为吸收(absorber)层。
参考图4，执行步骤S2，对所述掩膜基底200进行检测，获取所述掩膜基底200上的缺陷点210，并确定所述缺陷点210在所述掩膜基底200上的位置作为第二初始位置。
本实施例中，所述掩膜版为反射式掩膜版。其中，反射式掩膜版指的是：当采用所述掩膜版对晶圆上的光敏材料进行曝光时，曝光光线照射到所述掩膜版具有图形的一面，经所述掩膜版反射的曝光光线照射到涂覆有所述光敏材料的晶圆上进行曝光。
具体地，所述掩膜版为极紫外(EUV)掩膜版，也就是说，所述掩膜版运用于极紫外光刻系统中。极紫外光刻技术是一种分辨率更高的光刻技术，极紫外光的波长约在10nm至20nm的范围内，甚至可以在13.4nm至13.5nm的范围内。极紫外光的波长较短，容易被透射式掩膜版中的材料吸收，因此，极紫外光刻技术采用反射式掩膜版而不是透射式掩膜版。
本实施例中，所述掩膜基底200为光学透明衬底。具体地，所述光学透明衬底可以为钛硅酸盐玻璃(titanium silicate glass)。
在掩膜版的制作过程中，后续还会在所述光学透明衬底上形成多层膜(multiplelayer，ML)，多层膜包括具有交替折射率的多层膜。例如：多层膜包括交替堆叠的钼(Mo)层和硅(Si)层。
需要说明的是，目前尚无法实现无缺陷点掩膜版的加工制作，所述掩膜基底200上容易形成有缺陷点210。因此，通过对所述掩膜基底200进行缺陷点检测，从而确定所述掩膜基底200上是否具有缺陷点210，进而为后续的修复工作做准备。
而且，所述掩膜版为极紫外掩膜版，由于极紫外光的波长较短，极紫外光刻系统对反射波前的相移和强度的变化更敏感，从而导致极紫外掩膜版中的缺陷点210对光刻工艺产生明显的不良影响。
本实施例中，以所述缺陷点210的数量为多个为例进行说明。如图4所示，作为一种示例，所述掩膜基底200上具有三个缺陷点210，分别为第一缺陷点211、第二缺陷点212和第三缺陷点213。在其他实施例中，所述缺陷点的数量也可以为一个。
还需要说明的是，当所述掩膜基底200上形成有多层膜时，检测多层膜底部的形貌的难度会变高，因此，本实施例中，在形成多层膜之前，对所述掩膜基底200进行检测，从而降低缺陷点检测的难度和精准度。
作为一种示例，所述缺陷点210为颗粒。在其他实施例中，所述缺陷点也可以为凹陷。具体地，所述缺陷点210位于所述光学透明衬底的表面。
所述缺陷点210的类型为相位型缺陷点，相位型缺陷点位于光学透明衬底的表面，从而导致后续多层膜的变形。而所述掩膜版为反射式掩膜版，在光刻过程中，所述缺陷点210的存在，会导致反射波前发生变形，从而导致反射波前的相移和强度降低，进而导致光刻图形的精度下降。
本实施例中，利用缺陷点检测装置进行缺陷点检测。具体地，所述缺陷点检测装置包括光学扫描设备，且所述光学扫描设备采用极紫外光进行扫描，以提高检测精度。例如：所述光学扫描设备为光学显微镜。
其中，利用缺陷点检测装置进行检测的过程中，利用光学系统进行检测，通过采集光学信息并进行信息提取，从而确定所述掩膜基底200上是否存在缺陷点210。而且，利用缺陷点检测装置进行检测的过程中，当捕捉到掩膜基底200上具有缺陷点210时，将该缺陷点210对应于所述掩膜基底200上的坐标记录下来，所述坐标用于表征所述缺陷点210在所述掩膜基底200上的位置，该位置即为所述缺陷点210对应的第二初始位置。
参考图5，执行步骤S3，获取所述缺陷点210的第一偏移矢量，所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点210由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处。
为了便于图示，图5示出了掩膜基底200和原始版图100(如图3所示)的叠加图，从而示意出在缺陷点210被移动后，所述缺陷点210和布局图形110的相对位置关系。其中，图5采用圆点表示缺陷点210的第二初始位置，采用虚线箭头表示缺陷点210的移动方向。
需要说明的是，所述缺陷点210无法在掩膜基底200上实现物理性的移动，因此，此处的移动指的是所述缺陷点210的相对位置的变化。
所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点210由第二初始位置移动至任一遮挡区，也就是说，当根据所述第一偏移矢量移动所述缺陷点210后，即可将所有缺陷点210移出所述布局图形110所在的区域，相应的，后续计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量，并根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形110(即实现所述布局图形110的全局平移)后，即可使所有缺陷点210均位于所述遮挡区所对应位置处，从而避免所述缺陷点210对光刻工艺的影响。
其中，布局图形110的数量和复杂度较高，因此，通过移动所述缺陷点210的方式，降低了该矫正方法的复杂度，且减少运算量，相应提高了矫正效率。
需要说明的是，所述第一偏移矢量的矢量长度不宜过小，也不宜过大。如果所述第一偏移矢量的矢量长度过小，则所述缺陷点210根据所述第一偏移矢量进行移动后，无法移动任一所述遮挡区所对应位置处，即无法将所述缺陷点210移出所述布局图形110所对应的区域；如果所述第一偏移矢量的矢量长度过长，则所述缺陷点210根据所述第一偏移矢量进行移动后，容易移入其他布局图形110所对应的区域中。为此，本实施例中，所述第一偏移矢量的矢量长度在1倍至20倍的预设线宽范围内，所述预设线宽为15纳米至40纳米。例如，所述第一偏移矢量的矢量长度为预设线宽的2倍或者10倍，所述预设线宽为20纳米至30纳米。
如图6所示，图6示出了图2中步骤S3一实施例的流程图。本实施例中，获取所述缺陷点的第一偏移矢量的步骤包括：
执行步骤S31，设定矢量长度和多个矢量角度；
执行步骤S32，利用所述矢量长度和多个矢量角度设定多个预设偏移矢量，并使所述多个预设偏移矢量构成预设偏移矢量集；
执行步骤S33，对所述预设偏移矢量集进行偏移矢量提取操作，从所述预设偏移矢量集中，选取使所述缺陷点210由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处的一个或多个所述预设偏移矢量作为可选偏移矢量，所述可选偏移矢量用于构成可选偏移矢量集；
执行步骤S34，从所述可选偏移矢量集中提取任一所述可选偏移矢量作为所述第一偏移矢量。
本实施例中，通过设定矢量长度和多个矢量角度，从而预设多个预设偏移矢量，进而为后续对所述多个预设偏移矢量进行系统化的验证做准备。
具体地，可以在计算机系统中对矢量长度和矢量角度进行设定。
在确定矢量长度和多个矢量角度后，利用所述矢量长度和多个矢量角度设定多个预设偏移矢量，并使所述多个预设偏移矢量构成预设偏移矢量集。其中，一个预设偏移矢量具有一个矢量角度，各预设偏移矢量的矢量角度不同。
本实施例中，所述矢量角度指的是：矢量方向与X轴方向的夹角。
本实施例中，利用公式(Ⅰ)和公式(Ⅱ)设定所述矢量角度，
θν＝＝n×Δθ，n＝0,1,2,3,…,m (Ⅰ)；
其中，θν为第n+1个预设偏移矢量的矢量角度，Δθ为矢量角度变化量，且2π为Δθ的整数倍，m+1为预设偏移矢量的数量。
本实施例中，以固定的矢量角度变化量，通过沿逆时针方向进矢量旋转变换的方式，设定多个预设偏移矢量，从而简化降低了设定矢量角度的步骤的复杂度，相应降低了构建预设偏移矢量集的复杂度。
本实施例中，为了降低了构建预设偏移矢量集的复杂度，所述预设偏移矢量的数量为偶数个。
需要说明的是，所述预设偏移矢量的数量越多，布局图形的矫正精度则越高，但是，增加所述预设偏移矢量的数量，相应会导致数据运算量的增加、矫正效率的下降。为此，本实施例中，综合上述两个因素，所述预设偏移矢量的数量为4个至36个。例如，8个、16个。
如图7所示，作为一种示例，所述预设偏移矢量的数量为8个。具体地，所述预设偏移矢量集为νm＝{a,b,c,d,e,f,g,h}。
本实施例中，为了降低了构建预设偏移矢量集的复杂度，所述多个预设偏移矢量的矢量长度均相等。
所述设偏移矢量集中的预设偏移矢量均为待验证的偏移矢量，后续从所述预设偏移矢量集中选取可选偏移矢量，从而使得任一缺陷点210根据所述可选偏移矢量移动后，所述缺陷点210均能够移动至任一所述遮挡区所对应位置处。
本实施例中，所述缺陷点210的数量为多个，相应的，对所述预设偏移矢量集进行偏移矢量提取操作的步骤包括：对同一个所述缺陷点210进行多次偏移测试，所述偏移测试与所述预设偏移矢量一一对应，每一次所述偏移测试适于根据相对应的所述预设偏移矢量将所述缺陷点210由所述第二初始位置移动至预设位置；判断所述预设位置是否在任一所述遮挡区所对应位置处，若所述预设位置在任一所述遮挡区所对应位置处，将所述预设偏移矢量作为所述缺陷点210对应的预选偏移矢量，且所述缺陷点210对应的预选偏移矢量构成所述缺陷点210对应的预选偏移矢量集；计算所述多个缺陷点210的预选偏移矢量集的交集作为可选偏移矢量集，所述可选偏移矢量集包括一个或多个可选偏移矢量。
通过对同一个所述缺陷点210进行多次偏移测试，从而对所述设偏移矢量集中的每一个预设偏移矢量进行验证。
其中，所述缺陷点210无法在掩膜基底200上实现物理性的移动，此处的移动指的是所述缺陷点210的相对位置的变化。具体地，所述偏移测试的步骤包括：根据所述预设偏移矢量，更新所述缺陷点210对应于所述掩膜基底200上的坐标。通过更新所述缺陷点210对应于所述掩膜基底200上的坐标，从而模拟所述缺陷点210在所述掩膜基底200上的移动。
本实施例中，根据所述缺陷点210的更新后的坐标，判断所述缺陷点210是否被移动至任一所述遮挡区所对应位置处。
本实施例中，以所述掩膜基底200上具有三个缺陷点210为例进行说明。所述三个缺陷点210分别为第一缺陷点211、第二缺陷点212和第三缺陷点213。
具体地，对所述第一缺陷点211进行多次偏移测试，并获取所述第一缺陷点211对应的预选偏移矢量集。作为一种示例，所述第一缺陷点211对应的预选偏移矢量集为νA＝{a,b,d,e,f,h}。
同理，对所述第二缺陷点212进行多次偏移测试，并获取所述第二缺陷点212对应的预选偏移矢量集。作为一种示例，所述第一缺陷点211对应的预选偏移矢量集为νB＝{b,c,d,e,f,g,h}。
同理，对所述第三缺陷点213进行多次偏移测试，并获取所述第三缺陷点213对应的预选偏移矢量集。作为一种示例，所述第三缺陷点213对应的预选偏移矢量集为νC＝{a,d,e,f}。
因此，通过计算所述第一缺陷点211、第二缺陷点212和第三缺陷点213的预选偏移矢量集的交集，获得可选偏移矢量集。具体地，所述可选偏移矢量集为νF＝νA∩νB∩νC＝{d,e,f}。
计算所述多个缺陷点210的预选偏移矢量集的交集作为可选偏移矢量集，所述可选偏移矢量集包括一个或多个可选偏移矢量。所述可选偏移矢量集中的任一个可选偏移矢量适用于所有缺陷点210。也就是说，根据所述可选偏移矢量集中的任一个可选偏移矢量，移动所述缺陷点210后，所有缺陷点210均能被移动至任一所述遮挡区所对应位置处。
相应的，获得所述可选偏移矢量集后，从所述可选偏移矢量集νF中提取任一所述可选偏移矢量作为所述第一偏移矢量。作为一种示例，从所述可选偏移矢量集νF中提取可选偏移矢量d作为所述第一偏移矢量。
需要说明的是，在其他实施例中，当所述掩膜基底上仅具有一个缺陷点时，则无需进行矢量集运算的操作。相应的，对所述预设偏移矢量集进行偏移矢量提取操作的步骤包括：对所述缺陷点进行多次偏移测试，所述偏移测试与所述预设偏移矢量一一对应，每一次所述偏移测试适于根据相对应的所述预设偏移矢量将所述缺陷点由所述第二初始位置移动至预设位置；判断所述预设位置是否在任一所述遮挡区所对应位置处，若所述预设位置在任一所述遮挡区所对应位置，将所述预设偏移矢量作为所述可选偏移矢量。
继续参考图2，执行步骤S4，计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量。
所述第一偏移矢量为所述缺陷点210的偏移矢量，因此，所述第一偏移矢量的负矢量即为所述布局图形120的偏移矢量，所述第二偏移矢量用于定义所述布局图形120的移动距离和移动方向。
例如，从所述可选偏移矢量集νF中提取可选偏移矢量d作为所述第一偏移矢量，相应的，所述第二偏移矢量为Smask＝-d。其中，Smask为所述第二偏移矢量。
继续参考图2，执行步骤S5，根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形110(如图3所示)，使所述布局图形110对应于所述掩膜基底200(如图4所示)上的位置由所述第一初始位置变更为优化后位置。
所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点210由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应的位置处，因此，根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形110后，能够保证各缺陷点210均被移动至所述遮挡区所对应的位置处，也就是说，使得各缺陷点210均被移出布局图形110所对应的区域。
本实施例中，所述布局图形110对应于所述掩膜基底200上的坐标用于表征所述布局图形110在所述掩膜基底200上的位置，因此，根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形110，使所述布局图形110对应于所述掩膜基底200上的位置由所述第一初始位置变更为优化后位置的步骤包括：根据所述第二偏移矢量，更新所述布局图形110对应于所述掩膜基底200上的坐标。
需要说明的是，所述布局图形110用于形成掩膜版，根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形110后，能够保证各缺陷点210均被移动至所述遮挡区所对应的位置处，相应的，当完成掩膜版的制作后，所有缺陷点210均位于掩膜版的掩膜图形层的下方，从而避免所述缺陷点210对光刻工艺造成影响，进而提高光刻图形的精度。
尤其是，当所述掩膜版为极紫外掩膜版时，极紫外光的波长较短，极紫外光刻系统对反射波前的相移和强度的变化更敏感，从而导致极紫外掩膜版中的缺陷点210对光刻工艺产生明显的不良影响，因此，所述矫正方法的效果更显著。
相应的，本发明还提供一种布局图形的矫正系统。参考图8，示出了本发明布局图形的矫正系统一实施例的功能框图。
所述布局图形的矫正系统用于在确定掩膜基底后，实现光学邻近修正前的预矫正，所述布局图形的矫正系统包括：图形获取模块50，用于提供原始版图100(如图3所示)，所述原始版图100包括与所述掩膜基底200(如图4所示)相对应的布局图形110(如图3所示)，所述图形获取模块50还用于确定所述布局图形110对应于所述掩膜基底200上的位置作为第一初始位置，在所述原始版图100中，所述布局图形110所在的区域为图形区(未标示)，剩余的区域为遮挡区(未标示)；检测模块60，用于对所述掩膜基底200进行检测，获取所述掩膜基底200上的缺陷点210，并确定所述缺陷点210在所述掩膜基底200上的位置作为第二初始位置；偏移量获取模块70，用于获取所述缺陷点210的第一偏移矢量，所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点210由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处；计算模块80，用于计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量；更新模块90，用于根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形110，使所述布局图形110对应于所述掩膜基底200上的位置由所述第一初始位置变更为优化后位置。
目前难以实现无缺陷点掩膜版的加工制作，所述掩膜基底200上容易形成有缺陷点210。所述布局图形的矫正系统用于在确定掩膜基底200后，基于所述掩膜基底200上具有缺陷点210的情况下，利用偏移量获取模块70获取能够将所述缺陷点210移出所述布局图形110所对应区域的第一偏移矢量，并利用计算模块80计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量。其中，所述第二偏移矢量即为所述布局图形110的偏移矢量，因此，所述更新模块90根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形110后，能够使得所有缺陷点210均位于所述遮挡区所对应位置处，相应的，当完成掩膜版的制作后，所有缺陷点210均位于掩膜版的掩膜图形层的下方，以实现光学邻近修正前的预矫正，从而避免所述缺陷点210对光刻工艺的影响，进而提高光刻图形的精度。
所述原始版图100存储于原始版图文件中，其中，原始版图文件是指利用EDA工具设计形成的包含布局图形的版图文件。所述原始版图100的文件格式可以为GDS格式或OASIS等其他格式。
因此，所述图形获取模块50可以为布局图形读取软件，所述图形获取模块50用于读取所述原始版图文件，从而获取所述布局图形110的信息。
所述掩膜基底200用于为制作掩膜版作准备，所述布局图形110用于制作在光刻过程中使用的掩膜版，所述布局图形110为预先设定的需要在掩膜版中生成的图形，从而能够以所述掩膜版为掩膜对晶圆上的光刻胶进行曝光，形成光刻胶图形层。
在所述原始版图100中，所述布局图形110所在的区域为图形区，剩余的区域为遮挡区。其中，所述遮挡区与掩膜版上的掩膜图形层所在的区域相对应，即与晶圆上的光刻胶图形层所在的区域相对应。
相应的，所述布局图形110与掩膜基底200具有初始的相对位置关系，从而能够将完成光学邻近修正后的布局图形110写入掩膜版中，以完成掩膜版的制作。
本实施例中，所述布局图形110对应于掩膜基底200上的位置作为第一初始位置。具体地，所述图形获取模块50用于获取所述布局图形110对应于所述掩膜基底200上的坐标，所述坐标用于表征所述布局图形110在所述掩膜基底200上的位置。
其中，所述布局图形110的坐标信息存储于原始版图文件中，因此，可利用布局图形读取软件，提供所述原始版图100，并获取所述布局图形110的坐标。
所述检测模块690用于对所述掩膜基底200进行检测，获取所述掩膜基底200上的缺陷点210，并确定所述缺陷点210在所述掩膜基底200上的位置作为第二初始位置。
所述掩膜基底200用于为制作掩膜版作准备。本实施例中，所述掩膜版为暗场掩膜版，且所述掩膜版为反射式掩膜版。
具体地，所述掩膜版为EUV掩膜版。因此，所述掩膜基底200为光学透明衬底。在掩膜版的制作过程中，后续还会在光学透明衬底上形成多层膜，多层膜包括具有交替折射率的多层膜。例如：多层膜包括交替堆叠的钼层和硅层。
所述检测模块60用于对所述掩膜基底200进行检测，从而确定所述掩膜基底200上是否具有缺陷点210，进而为后续的修复工作做准备。
本实施例中，所述检测模块60为缺陷点检测装置。具体地，所述检测模块包括光学扫描设备，且所述光学扫描设备采用极紫外光进行扫描，以提高检测精度。例如：所述光学扫描设备为光学显微镜。
其中，所述检测模块60采用光学系统进行检测，通过采集光学信息并进行信息提取，从而确定所述掩膜基底200上是否存在缺陷点210。而且，利用所述检测模块60进行检测的过程中，当捕捉到掩膜基底200上具有缺陷点210时，将该缺陷点210对应于所述掩膜基底200上的坐标记录下来，所述坐标用于表征所述缺陷点210在所述掩膜基底200上的位置，该位置即为所述缺陷点210对应的第二初始位置。
所述偏移量获取模块70与所述图形获取模块50以及检测模块60相连，所述偏移量获取模块70用于获取所述缺陷点210的第一偏移矢量，所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点210由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区(未标示)所对应位置处。
其中，所述缺陷点210无法在掩膜基底200上实现物理性的移动，因此，此处的移动指的是所述缺陷点210的相对位置的变化。
所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点210由第二初始位置移动至任一遮挡区，也就是说，当根据所述第一偏移矢量移动所述缺陷点210后，即可将所有缺陷点210移出所述布局图形110所在的区域，相应的，后续计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量，并根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形110(即实现所述布局图形110的全局平移)后，即可使所有缺陷点210均位于所述遮挡区所对应位置处，从而避免所述缺陷点210对光刻工艺的影响。
其中，布局图形110的数量和复杂度较高，因此，通过移动所述缺陷点210的方式，降低了该矫正方法的复杂度，且减少运算量，相应提高了矫正效率。
本实施例中，所述偏移量获取模块70包括：矢量参数设定单元71，用于设定矢量长度和多个矢量角度；偏移矢量集设定单元72，用于利用所述矢量长度和多个矢量角度设定多个预设偏移矢量，并使所述多个预设偏移矢量构成预设偏移矢量集；偏移矢量集筛选单元73，用于对所述预设偏移矢量集进行偏移矢量筛选操作，从所述预设偏移矢量集中，选取使所述缺陷点210由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处的一个或多个所述预设偏移矢量作为可选偏移矢量，所述可选偏移矢量用于构成可选偏移矢量集；偏移矢量提取单元74，从所述可选偏移矢量集中提取任一所述可选偏移矢量作为所述第一偏移矢量。
本实施例中，通过所述矢量参数设定单元71设定矢量长度和多个矢量角度，从而为后续设定多个预设偏移矢量做准备。其中，所述矢量角度指的是：矢量方向与X轴方向的夹角。
本实施例中，所述矢量参数设定单元70利用公式(Ⅰ)和公式(Ⅱ)设定所述矢量角度，
θν＝n×Δθ，n＝0,1,2,3,…,m (Ⅰ)；
其中，θν为第n+1个预设偏移矢量的矢量角度，Δθ为矢量角度变化量，且2π为Δθ的整数倍，m+1为预设偏移矢量的数量。
本实施例中，所述矢量参数设定单元70以固定的矢量角度变化量，设定多个预设偏移矢量，从而简化降低了设定矢量角度的步骤的复杂度，相应降低了构建预设偏移矢量集的复杂度。
所述偏移矢量集设定单元72与所述矢量参数设定单元71相连，利用所述矢量参数设定单元71确定矢量长度和多个矢量角度后，所述偏移矢量集设定单元72根据所述矢量长度和多个矢量角度设定多个预设偏移矢量，并使所述多个预设偏移矢量构成预设偏移矢量集；其中，一个预设偏移矢量具有一个矢量角度，各预设偏移矢量的矢量角度不同。通过获取所述预设偏移矢量集，从而为后续对所述多个预设偏移矢量进行系统化的验证做准备。
如图7所示，作为一种示例，所述预设偏移矢量的数量为8个。具体地，所述预设偏移矢量集为νm＝{a,b,c,d,e,f,g,h}。
所述偏移矢量集筛选单元73与所述偏移矢量集设定单元72相邻。所述设偏移矢量集中的预设偏移矢量均为待验证的偏移矢量，因此，所述偏移矢量集筛选单元73用于对所述预设偏移矢量集进行偏移矢量筛选操作，从而从所述预设偏移矢量集中选取可选偏移矢量，所述可选偏移矢量用于使任一缺陷点210能从第二初始位置被移动至任一所述遮挡区所对应位置处。
如图9所示，图9示出了偏移矢量筛选单元73一实施例的功能框图。
本实施例中，所述偏移矢量集筛选单元73包括：偏移测试子单元731，用于对同一个所述缺陷点210进行多次偏移测试，所述偏移测试与所述预设偏移矢量一一对应，每一次所述偏移测试适于根据相对应的所述预设偏移矢量将所述缺陷点210由所述第二初始位置移动至预设位置；判断子单元732，用于判断所述预设位置是否在任一所述遮挡区所对应位置处，若所述预设位置在任一所述遮挡区所对应位置处，将所述预设偏移矢量作为所述缺陷点210对应的预选偏移矢量，且所述缺陷点210对应的预选偏移矢量构成所述缺陷点210对应的预选偏移矢量集；矢量集运算子单元733，用于计算所述多个缺陷点210的预选偏移矢量集的交集作为可选偏移矢量集，所述可选偏移矢量集包括一个或多个可选偏移矢量。
通过所述偏移测试子单元731对同一个所述缺陷点210进行多次偏移测试，从而对所述设偏移矢量集中的每一个预设偏移矢量进行验证。
其中，所述缺陷点210无法在掩膜基底200上实现物理性的移动，此处的移动指的是所述缺陷点210的相对位置的变化。具体地，所述偏移测试子单元731用于在每一次偏移测试中，根据所述预设偏移矢量，更新所述缺陷点对应于所述掩膜基底200上的坐标。通过更新所述缺陷点对应于所述掩膜基底200上的坐标，从而模拟所述缺陷点210在所述掩膜基底200上的移动。
本实施例中，根据所述缺陷点210的更新后的坐标，判断所述缺陷点210是否被移动至任一所述遮挡区所对应位置处。
本实施例中，以所述掩膜基底200上具有三个缺陷点210为例进行说明。所述三个缺陷点210分别为第一缺陷点211、第二缺陷点212和第三缺陷点213。
具体地，所述偏移测试子单元731对所述第一缺陷点211进行多次偏移测试，并获取所述第一缺陷点211对应的预选偏移矢量集。作为一种示例，所述第一缺陷点211对应的预选偏移矢量集为νA＝{a,b,d,e,f,h}。
同理，所述偏移测试子单元731对所述第二缺陷点212进行多次偏移测试，并获取所述第二缺陷点212对应的预选偏移矢量集。作为一种示例，所述第一缺陷点211对应的预选偏移矢量集为νB＝{b,c,d,e,f,g,h}。
同理，所述偏移测试子单元731对所述第三缺陷点213进行多次偏移测试，并获取所述第三缺陷点213对应的预选偏移矢量集。作为一种示例，所述第三缺陷点213对应的预选偏移矢量集为νC＝{a,d,e,f}。
各缺陷点210对应的预选偏移矢量集通常都不相同，因此，利用所述矢量集运算子单元733，计算所述多个缺陷点210的预选偏移矢量集的交集，以作为可选偏移矢量集，所述可选偏移矢量集包括一个或多个可选偏移矢量。所述可选偏移矢量集中的任一个可选偏移矢量适用于所有缺陷点210。也就是说，根据所述可选偏移矢量集中的任一个可选偏移矢量移动所述缺陷点210后，所有缺陷点210均能被移动至任一所述遮挡区所对应位置处。
本实施例中，所述矢量集运算子单元733通过计算所述第一缺陷点211、第二缺陷点212和第三缺陷点213的预选偏移矢量集的交集，获得可选偏移矢量集。具体地，所述可选偏移矢量集为νF＝νA∩νB∩νC＝{d,e,f}。
因此，利用所述矢量集运算子单元733获得所述可选偏移矢量集后，所述偏移矢量提取单元74即可从所述可选偏移矢量集中提取任一所述可选偏移矢量作为所述第一偏移矢量。
需要说明的是，在其他实施例中，所述布局图形的矫正系统也可以不设有所述矢量集运算子单元。所述偏移矢量集筛选单元包括：偏移测试子单元，用于对同一个所述缺陷点进行多次偏移测试，所述偏移测试与所述预设偏移矢量一一对应，每一次所述偏移测试适于根据相对应的所述预设偏移矢量将所述缺陷点由所述第二初始位置移动至预设位置；判断子单元，用于判断所述预设位置是否在任一所述遮挡区所对应位置处，若所述预设位置在任一所述遮挡区所对应位置处，将所述预设偏移矢量作为所述缺陷点对应的预选偏移矢量，且所述缺陷点对应的预选偏移矢量构成所述缺陷点对应的预选偏移矢量集；矢量集运算子单元，用于获取所述多个缺陷点的预选偏移矢量集的交集作为可选偏移矢量集，所述可选偏移矢量集包括一个或多个可选偏移矢量。在该实施例中，所述布局图形的矫正系统适用于当缺陷点的数量为一个时的情况。
所述计算模块80与所述偏移量获取模块70相连，所述计算模块80用于计算第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量。
所述第一偏移矢量为所述缺陷点210的偏移矢量，因此，所述第一偏移矢量的负矢量即为所述布局图形120的偏移矢量，所述第二偏移矢量用于定义所述布局图形120的移动距离和移动方向。
所述更新模块90与所述计算模块80相连，所述更新模块90用于根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形110。
所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点210由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应的位置处，因此，根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形110后，能够保证各缺陷点210均被移动至所述遮挡区所对应的位置处，也就是说，使得各缺陷点210均被移出布局图形110所对应的区域。
本实施例中，所述布局图形110对应于所述掩膜基底200上的坐标用于表征所述布局图形110在所述掩膜基底200上的位置，因此，所述更新模块90用于根据所述第二偏移矢量，更新所述布局图形110对应于所述掩膜基底200上的坐标。
所述布局图形110用于形成掩膜版，根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形110后，能够保证各缺陷点210均被移动至所述遮挡区所对应的位置处，相应的，当完成掩膜版的制作后，所有缺陷点210均位于掩膜版的掩膜图形层的下方，从而避免缺陷点210对光刻工艺造成影响，进而提高光刻图形的精度。
尤其是，当所述掩膜版为极紫外掩膜版时，极紫外光的波长较短，极紫外光刻系统对反射波前的相移和强度的变化更敏感，从而导致极紫外掩膜版中的缺陷点210对光刻工艺产生明显的不良影响，因此，所述矫正系统的效果更显著。
相应的，本发明实施例还提供一种掩膜版。参考图10，示出了本发明掩膜版一实施例的俯视图。
所述掩膜版300包括：掩膜基底(图未示)；掩膜图形层310，位于所述掩膜基底上，所述掩膜图形层310中形成有掩膜开口320，所述掩膜开口320由前述的布局图形的矫正方法设置。
所述掩膜版300用于作为对晶圆上的光刻胶进行曝光时的掩膜，从而能够以所述掩膜版300为掩膜对晶圆上的光刻胶进行曝光，形成光刻胶图形层。
本实施例中，所述掩膜版300为反射式掩膜版。具体地，所述掩膜版300为极紫外掩膜版，也就是说，所述掩膜版300运用于极紫外光刻系统中。极紫外光的波长较短，容易被透射式掩膜版中的材料吸收，因此，极紫外光刻技术采用反射式掩膜版而不是透射式掩膜版。
本实施例中，所述掩膜基底为光学透明衬底。具体地，所述光学透明衬底可以为钛硅酸盐玻璃。
本实施例中，所述掩膜图形层310为吸收层。在其他实施例中，当掩膜版为透射式掩膜版时，所述掩膜图形层相应为遮挡层(铬层)。
本实施例中，所述光学透明衬底和掩膜图形层310之间还形成有多层膜(图未示)，多层膜包括具有交替折射率的多层膜。例如：多层膜包括交替堆叠的钼层和硅层。
所述掩膜图形层310中形成有掩膜开口320，以所述掩膜版300为掩膜对晶圆上的光刻胶进行曝光时，所述掩膜开口320用于定义形成于光刻胶中的图形。
由前述的实施例可知，采用前述实施例的布局图形的矫正方法设置了所述掩膜开口320的位置后，所有缺陷均位于掩膜图形层的下方，即所述掩膜开口320的位置处不会存在缺陷，从而避免所述缺陷对光刻工艺的影响，进而提高光刻图形的精度。
本发明实施例还提供一种设备，该设备可以通过装载程序形式的上述布局图形的矫正方法，以实现本发明实施例提供的布局图形的矫正方法。
结合参考图11，示出了本发明一实施例所提供的设备的硬件结构图。本实施例所述设备包括：至少一个处理器01、至少一个通信接口02、至少一个存储器03和至少一个通信总线04。
本实施例中，所述处理器01、通信接口02、存储器03和通信总线04的数量均为至少一个，且所述处理器01、通信接口02以及存储器03通过所述通信总线04完成相互间的通信。
所述通信接口02可以为用于进行网络通信的通信模块的接口，例如为GSM模块的接口。
所述处理器01可能是中央处理器CPU，或者是特定集成电路ASIC(ApplicationSpecific Integrated Circuit)，或者是被配置成实施本实施例所述布局图形的矫正方法的一个或多个集成电路。
所述存储器03可能包含高速RAM存储器，也可能还包括非易失性存储器(non-volatile memory)，例如至少一个磁盘存储器。
其中，所述存储器03存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令被所述处理器01执行以实现本发明实施例提供的布局图形的矫正方法。
需要说明的是，上述的实现终端设备还可以包括与本发明实施例公开内容可能并不是必需的其他器件(未示出)；鉴于这些其他器件对于理解本发明实施例公开内容可能并不是必需，本发明实施例对此不进行逐一介绍。
本发明实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现本发明实施例提供的布局图形的矫正方法。
本发明实施例所提供的布局图形的矫正方法中，在确定布局图形对应于所述掩膜基底上的位置作为第一初始位置、以及确定所述缺陷点在所述掩膜基底上的位置作为第二初始位置后，获取所述缺陷点的第一偏移矢量，所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处，接着计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量，所述第二偏移矢量即为所述布局图形的偏移矢量，因此，根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形后，能够使得所有缺陷均位于所述遮挡区所对应位置处，相应的，当完成掩膜版的制作后，所有缺陷均位于掩膜图形层的下方，从而避免所述缺陷对光刻工艺的影响，进而提高光刻图形的精度。
上述本发明的实施方式是本发明的元件和特征的组合。除非另外提及，否则所述元件或特征可被视为选择性的。各个元件或特征可在不与其它元件或特征组合的情况下实践。另外，本发明的实施方式可通过组合部分元件和/或特征来构造。本发明的实施方式中所描述的操作顺序可重新排列。任一实施方式的一些构造可被包括在另一实施方式中，并且可用另一实施方式的对应构造代替。对于本领域技术人员而言明显的是，所附权利要求中彼此没有明确引用关系的权利要求可组合成本发明的实施方式，或者可在提交本申请之后的修改中作为新的权利要求包括。
本发明的实施方式可通过例如硬件、固件、软件或其组合的各种手段来实现。在硬件配置方式中，根据本发明示例性实施方式的方法可通过一个或更多个专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)、数字信号处理器件(DSPD)、可编程逻辑器件(PLD)、现场可编程门阵列(FPGA)、处理器、控制器、微控制器、微处理器等来实现。
在固件或软件配置方式中，本发明的实施方式可以模块、过程、功能等形式实现。软件代码可存储在存储器单元中并由处理器执行。存储器单元位于处理器的内部或外部，并可经由各种己知手段向处理器发送数据以及从处理器接收数据。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (15)

1.一种布局图形的矫正方法，用于在确定掩膜基底后，实现光学邻近修正前的预矫正，其特征在于，包括：
提供原始版图，所述原始版图包括与所述掩膜基底相对应的布局图形，并确定所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置作为第一初始位置，在所述原始版图中，所述布局图形所在的区域为图形区，剩余的区域为遮挡区；
对所述掩膜基底进行检测，获取所述掩膜基底上的缺陷点，并确定所述缺陷点在所述掩膜基底上的位置作为第二初始位置；
获取所述缺陷点的第一偏移矢量，所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处；
计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量；
根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形，使所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置由所述第一初始位置变更为优化后位置。
2.如权利要求1所述的布局图形的矫正方法，其特征在于，获取所述缺陷点的第一偏移矢量的步骤包括：设定矢量长度和多个矢量角度；
利用所述矢量长度和多个矢量角度设定多个预设偏移矢量，并使所述多个预设偏移矢量构成预设偏移矢量集；
对所述预设偏移矢量集进行偏移矢量提取操作，从所述预设偏移矢量集中，选取使所述缺陷点由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处的一个或多个所述预设偏移矢量作为可选偏移矢量，所述可选偏移矢量用于构成可选偏移矢量集；
从所述可选偏移矢量集中提取任一所述可选偏移矢量作为所述第一偏移矢量。
3.如权利要求2所述的布局图形的矫正方法，其特征在于，所述缺陷点的数量为一个；对所述预设偏移矢量集进行偏移矢量提取操作的步骤包括：
对所述缺陷点进行多次偏移测试，所述偏移测试与所述预设偏移矢量一一对应，每一次所述偏移测试适于根据相对应的所述预设偏移矢量将所述缺陷点由所述第二初始位置移动至预设位置；
判断所述预设位置是否在任一所述遮挡区所对应位置处，若所述预设位置在任一所述遮挡区所对应位置处，将所述预设偏移矢量作为所述可选偏移矢量。
4.如权利要求2所述的布局图形的矫正方法，其特征在于，所述缺陷点的数量为多个；对所述预设偏移矢量集进行偏移矢量提取操作的步骤包括：
对同一个所述缺陷点进行多次偏移测试，所述偏移测试与所述预设偏移矢量一一对应，每一次所述偏移测试适于根据相对应的所述预设偏移矢量将所述缺陷点由所述第二初始位置移动至预设位置；
判断所述预设位置是否在任一所述遮挡区所对应位置处，若所述预设位置在任一所述遮挡区所对应位置处，将所述预设偏移矢量作为所述缺陷点对应的预选偏移矢量，且所述缺陷点对应的预选偏移矢量构成所述缺陷点对应的预选偏移矢量集；
计算所述多个缺陷点的预选偏移矢量集的交集作为可选偏移矢量集，所述可选偏移矢量集包括一个或多个可选偏移矢量。
5.如权利要求1所述的布局图形的矫正方法，其特征在于，确定所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置作为第一初始位置的步骤包括：获取所述布局图形对应于所述掩膜基底上的坐标，所述坐标用于表征所述布局图形在所述掩膜基底上的位置；
根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形，使所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置由所述第一初始位置变更为优化后位置的步骤包括：根据所述第二偏移矢量，更新所述布局图形对应于所述掩膜基底上的坐标。
6.如权利要求3或4所述的布局图形的矫正方法，其特征在于，确定所述缺陷点在所述掩膜基底上的位置作为第二初始位置的步骤包括：获取所缺陷点对应于所述掩膜基底上的坐标，所述坐标用于表征所述缺陷点在所述掩膜基底上的位置；
所述偏移测试的步骤包括：根据所述预设偏移矢量，更新所述缺陷点对应于所述掩膜基底上的坐标。
7.如权利要求2所述的布局图形的矫正方法，其特征在于，利用公式(Ⅰ)和公式(Ⅱ)设定所述矢量角度，
θν＝n×Δθ，n＝0,1,2,3,…,m (Ⅰ)；
其中，θν为第n+1个预设偏移矢量的矢量角度，Δθ为矢量角度变化量，且2π为Δθ的整数倍，m+1为预设偏移矢量的数量。
8.如权利要求7所述的布局图形的矫正方法，其特征在于，所述预设偏移矢量的数量为4个至36个，且所述预设偏移矢量的数量为偶数个。
9.如权利要求1所述的布局图形的矫正方法，其特征在于，所述第一偏移矢量的矢量长度在1倍至20倍的预设线宽范围内，所述预设线宽为15纳米至40纳米。
10.如权利要求1所述的布局图形的矫正方法，其特征在于，所述掩膜基底用于制作掩膜版，所述掩膜版为反射式掩膜版。
11.如权利要求10所述的布局图形的矫正方法，其特征在于，所述掩膜版为EUV掩膜版。
12.一种布局图形的矫正系统，用于在确定掩膜基底后，实现光学邻近修正前的预矫正，其特征在于，包括：
图形获取模块，用于提供原始版图，所述原始版图包括与所述掩膜基底相对应的布局图形，所述图形获取模块还用于确定所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置作为第一初始位置，在所述原始版图中，所述布局图形所在的区域为图形区，剩余的区域为遮挡区；
检测模块，用于对所述掩膜基底进行检测，获取所述掩膜基底上的缺陷点，并确定所述缺陷点在所述掩膜基底上的位置作为第二初始位置；
偏移量获取模块，用于获取所述缺陷点的第一偏移矢量，所述第一偏移矢量适于使所述缺陷点由所述第二初始位置移动至任一所述遮挡区所对应位置处；
计算模块，用于计算所述第一偏移矢量的负矢量作为第二偏移矢量；
更新模块，用于根据所述第二偏移矢量移动所述布局图形，使所述布局图形对应于所述掩膜基底上的位置由所述第一初始位置变更为优化后位置。
13.一种掩膜版，其特征在于，包括：
掩膜基底；
掩膜图形层，位于所述掩膜基底上，所述掩膜图形层中形成有掩膜开口，所述掩膜开口由如权利要求1至11任一项所述的布局图形的矫正方法设置。
14.一种设备，其特征在于，包括至少一个存储器和至少一个处理器，所述存储器存储有一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行以实现如权利要求1至11任一项所述的布局图形的矫正方法。
15.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有一条或多条计算机指令，所述一条或多条计算机指令用于实现如权利要求1至11任一项所述的布局图形的矫正方法。
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