CN113126204A - 一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法 - Google Patents
一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113126204A CN113126204A CN202110397219.XA CN202110397219A CN113126204A CN 113126204 A CN113126204 A CN 113126204A CN 202110397219 A CN202110397219 A CN 202110397219A CN 113126204 A CN113126204 A CN 113126204A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- waveguide
- lithium niobate
- tapered waveguide
- thin film
- grating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 69
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 21
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 21
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1228—Tapered waveguides, e.g. integrated spot-size transformers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/34—Optical coupling means utilising prism or grating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12035—Materials
- G02B2006/12045—Lithium tantalate (LiTaO3)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
本发明为克服薄膜铌酸锂上可见光波段的光端面耦合中难以实现在任意位置进行光耦合的缺陷，提出一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法，其中光栅耦合器中包括由下至上依次连接的硅衬底、埋氧层、铌酸锂薄膜层，其中，铌酸锂薄膜层包括周期性光栅、第一锥形波导、第二锥形波导、第一矩形波导、第二矩形波导；第一锥形波导的最宽端与周期性光栅的一端连接，第一锥形波导的最窄端与第一矩形波导的一端连接；第二锥形波导、第二矩形波导分别设置在第一矩形波导的上方，且第二锥形波导的最窄端与第一锥形波导的最窄端重合，第二锥形波导的最窄端宽度小于第一锥形波导的最窄端宽度；第二矩形波导的一端与第二锥形波导的最宽端连接。
Description
技术领域
本发明涉及光子器件技术领域，更具体地，涉及一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法。
背景技术
铌酸锂具有优异的物理特性，它具有较大的热电系数，压电系数，电光系数和光弹性系数，被广泛应用于各种集成光子器件中。传统的铌酸锂器件基于低折射率对比度波导，通常采用钛扩散技术或质子交换形成铌酸锂波导。这种器件的模式限制较弱，器件尺寸大，非线性效率低。在铌酸锂上施加高强度的电场，可以使铌酸锂晶体内电偶极子的方向发生翻转，可以制备周期极化铌酸锂。周期极化铌酸锂是一种可用于非线性波长转换的高效介质，可用于倍频，差分频率生成，总和频率生成，光学参数振荡等，且周期极化铌酸锂具有二次谐波效应，可以将近红外波段的光波长(如1550nm)转换为可见光波长(775nm)。
目前铌酸锂上的光耦合技术主要有端面耦合技术和光栅耦合技术。端面耦合技术通常利用锥型光纤或透镜聚焦光斑，与光波导端面对接实现光耦合。光栅耦合技术利用周期性光栅结构的衍射效果，实现单模光纤与芯片光耦合。已有许多针对光通信C波段的光栅耦合器的研究，但目前还没有针对可见光波段(775nm)附近的薄膜铌酸锂光栅耦合器的研究报导出现。且目前薄膜铌酸锂上可见光波段的耦合主要采用的是端面耦合技术，端面耦合的优点在于工作带宽大，且通常为偏振不相关，但端面耦合要求波导靠近芯片边缘，无法实现在任意位置进行光耦合，存在一定局限性。
发明内容
本发明为克服上述现有技术所述的薄膜铌酸锂上可见光波段的光端面耦合中难以实现在任意位置进行光耦合的缺陷，提供一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器，以及一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器的制备方法。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下：
一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器，包括由下至上依次连接的硅衬底、埋氧层、铌酸锂薄膜层，其中，所述铌酸锂薄膜层包括周期性光栅、第一锥形波导、第二锥形波导、第一矩形波导、第二矩形波导；所述第一锥形波导的最宽端与所述周期性光栅的一端连接，所述第一锥形波导的最窄端与所述第一矩形波导的一端连接；所述第二锥形波导、第二矩形波导分别设置在所述第一矩形波导的上方，且所述第二锥形波导的最窄端与所述第一锥形波导的最窄端重合，所述第二锥形波导的最窄端宽度小于所述第一锥形波导的最窄端宽度所述第二矩形波导的一端与所述第二锥形波导的最宽端连接。
作为优选方案，所述周期性光栅所在铌酸锂薄膜层的厚度为150-300nm。
作为优选方案，所述周期性光栅的周期范围为450-520nm，占空比范围为0.35-0.45，刻蚀深度为80-120nm。
作为优选方案，所述周期性光栅的周期数量为10-20个。
作为优选方案，所述周期性光栅的光栅尺寸为5-10μm。
作为优选方案，所述第一锥形波导的最窄端至最宽端为由1μm至10μm渐变。
作为优选方案，所述第二锥形波导的最窄端至最宽端为由1μm至10μm渐变。
本发明还提出一种用于制备上述任一技术方案提出的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器的制备方法，包括以下步骤：
S1：在绝缘体上铌酸锂薄膜的基片上利用光刻显影技术制备出波导的掩膜并对铌酸锂薄膜进行刻蚀得到第二锥形波导和第二矩形波导；
S2：在所述步骤S1得到的结构中，利用光刻显影技术制备出周期性光栅和第一锥形波导、第一矩形波导的掩膜，并刻蚀得到周期性光栅、第一锥形波导、第一矩形波导，得到可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器。
作为优选方案，所述第一锥形波导、第二锥形波导的波导宽度采用本征模展开计算方法进行设计。
作为优选方案，所述周期性光栅的周期范围为450-520nm，占空比范围为0.35-0.45，刻蚀深度为80-120nm。
与现有技术相比，本发明技术方案的有益效果是：本发明通过采用减薄处理的铌酸锂薄膜层，并在铌酸锂薄膜上刻蚀光栅及双层波导结构，无需进行波导端面抛光，可以在芯片任意位置制备本实施例的光栅耦合器，实现快速便捷地光耦合，且对准容差大，适用于封装前的晶圆级别的测试。
附图说明
图1为实施例1的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器的结构示意图。
图2为实施例1的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器的俯视图。
图3为实施例1的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器的截面图。
图4为实施例2的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器的制备方法的流程图。
具体实施方式
附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；
为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；
对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的说明。
实施例1
本实施例提出一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器，如图1～3所示，为本实施例的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器的结构示意图。其中A-A’为截线。
本实施例提出的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器中，包括由下至上依次连接的硅衬底1、埋氧层2、铌酸锂薄膜层3，其中，所述铌酸锂薄膜层3包括周期性光栅301、第一锥形波导302、第二锥形波导、第一矩形波导304、第二矩形波导305；所述第一锥形波导302的最宽端与所述周期性光栅301的一端连接，所述第一锥形波导302的最窄端与所述第一矩形波导304的一端连接；所述第二锥形波导、第二矩形波导305分别设置在所述第一矩形波导304的上方，且所述第二锥形波导的最窄端与所述第一锥形波导302的最窄端重合，第二锥形波导303的最窄端宽度小于所述第一锥形波导302的最窄端宽度，所述第二矩形波导305的一端与所述第二锥形波导的最宽端连接。
其中，铌酸锂薄膜层3经过减薄处理后其厚度为150-300nm，且铌酸锂薄膜层3为双层结构，其中周期性光栅301、第一锥形波导302、第一矩形波导304组成铌酸锂薄膜层3的下层结构，第二锥形波导、第二矩形波导305组成铌酸锂薄膜层3的上层结构。
本实施例中的第一锥形波导302、第一矩形波导304和第二锥形波导、第二矩形波导305组成双层锥形波导结构，用于将光模式在纵向进行拓宽或压缩，其中第一锥形波导302、第二锥形波导的最窄端至最宽端为由1μm至10μm渐变。
本实施例中，周期性光栅301通过直接在减薄后的铌酸锂薄膜层3刻蚀得到，其周期范围为450-520nm，占空比范围为0.35-0.45，刻蚀深度为80-120nm，以满足可见光波段(775nm波长)光耦合的需求。
进一步的，本实施例中的周期性光栅301的周期数量为10-20个，光栅尺寸为5-10μm。
此外，从光栅耦合器的工作过程中可知，光经过光栅耦合器时会向上和向上衍射光，向下衍射的光会有一部分在埋氧层2与硅衬底1的界面处发生菲涅尔反射，部分光经反射后重新回到光栅中向上衍射出去。这部分反射光的比例与埋氧层2的厚度有关。本实施例能够通过设置适当的埋氧层2厚度可以使向下衍射的光能量最大程度地向上反射。
在具体实施过程中，先设置适当的单模光纤倾角(约5°～10°)，光能量经过周期性光栅301后耦合进入与光栅直接相连的第一锥形波导302中，第一锥形波导302将传输的光模式收窄，并随着第一锥形波导302的波导宽度逐渐减小，其等效折射率减小；当该等效折射率与第二锥形波导最窄端的等效折射率接近时，第一锥形波导302中的光能量耦合进第二锥形波导中，当光能量波导拓宽到合适宽度之后进入第二矩形波导305中传输，完成薄膜铌酸锂上可见光波段的垂直耦合。
本实施例提出的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器中，相比目前仅有的端面耦合技术方案，无需进行波导端面抛光，可以在芯片任意位置制备本实施例的光栅耦合器，实现快速便捷地光耦合，且对准容差大，适用于封装前的晶圆级别的测试。
实施例2
本实施例提出一种制备实施例1提出的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器的制备方法，如图4所示，为本实施例的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器的制备方法的流程图。
本实施例提出的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器的制备方法中，包括以下步骤：
S1：在绝缘体上铌酸锂薄膜的基片上利用光刻显影技术制备出波导的掩膜并对铌酸锂薄膜进行刻蚀得到第二锥形波导303和第二矩形波导305；
S2：在所述步骤S1得到的结构中，利用光刻显影技术制备出周期性光栅301、第一锥形波导302、第一矩形波导304的掩膜，并刻蚀得到周期性光栅301、第一锥形波导302、第一矩形波导304，得到可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器。
本实施例中，绝缘体上铌酸锂薄膜的基片包括由下至上依次连接的硅衬底1、埋氧层2、铌酸锂薄膜层3。
本实施例中，第一锥形波导302、第二锥形波导的波导宽度采用本征模展开计算方法进行设计，第一锥形波导302、第二锥形波导的波导宽度的最窄端至最宽端为由1μm至10μm渐变。
本实施例中，周期性光栅301的周期范围为450-520nm，占空比范围为0.35-0.45，刻蚀深度为80-120nm。
相同或相似的标号对应相同或相似的部件；
附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器，其特征在于，包括由下至上依次连接的硅衬底(1)、埋氧层(2)、铌酸锂薄膜层(3)，其中，所述铌酸锂薄膜层(3)包括周期性光栅(301)、第一锥形波导(302)、第二锥形波导(303)、第一矩形波导(304)、第二矩形波导(305)；所述第一锥形波导(302)的最宽端与所述周期性光栅(301)的一端连接，所述第一锥形波导(302)的最窄端与所述第一矩形波导(304)的一端连接；所述第二锥形波导(303)、第二矩形波导(305)分别设置在所述第一矩形波导(304)的上方，且所述第二锥形波导(303)的最窄端与所述第一锥形波导(302)的最窄端重合，所述第二锥形波导(303)的最窄端宽度小于所述第一锥形波导(302)的最窄端宽度，所述第二矩形波导(305)的一端与所述第二锥形波导(303)的最宽端连接。
2.根据权利要求1所述的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器，其特征在于，所述铌酸锂薄膜层(3)的厚度为150-300nm。
3.根据权利要求1所述的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器，其特征在于，所述周期性光栅(301)的周期范围为450-520nm，占空比为0.35-0.45，刻蚀深度为80-120nm。
4.根据权利要求3所述的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器，其特征在于，所述周期性光栅(301)的周期数量为10-20个。
5.根据权利要求3或4所述的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器，其特征在于，所述周期性光栅(301)的光栅尺寸为5-10μm。
6.根据权利要求1所述的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器，其特征在于，所述第一锥形波导的最窄端至最宽端为由1μm至10μm渐变。
7.根据权利要求6所述的可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器，其特征在于，所述第二锥形波导(303)的最窄端至最宽端为由1μm至10μm渐变。
8.一种根据权利要求1～7任一项所述可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在绝缘体上铌酸锂薄膜的基片上利用光刻显影技术制备出波导的掩膜并对铌酸锂薄膜进行刻蚀得到第二锥形波导(303)和第二矩形波导(305)；
S2：在所述步骤S1得到的结构中，利用光刻显影技术制备出周期性光栅(301)、第一锥形波导(302)、第一矩形波导(304)的掩膜，并刻蚀得到周期性光栅(301)、第一锥形波导(302)、第一矩形波导(304)，得到可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一锥形波导(302)、第二锥形波导(303)的波导宽度采用本征模展开计算方法进行设计。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述周期性光栅(301)的周期范围为450-520nm，占空比范围为0.35-0.45，刻蚀深度为80-120nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110397219.XA CN113126204A (zh) | 2021-04-13 | 2021-04-13 | 一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110397219.XA CN113126204A (zh) | 2021-04-13 | 2021-04-13 | 一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113126204A true CN113126204A (zh) | 2021-07-16 |
Family
ID=76776639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110397219.XA Pending CN113126204A (zh) | 2021-04-13 | 2021-04-13 | 一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113126204A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113917712A (zh) * | 2021-10-18 | 2022-01-11 | 北京邮电大学 | 一种消除铌酸锂热电效应的d型光纤m-z电光调制器及其制备方法 |
| CN114815438A (zh) * | 2022-04-18 | 2022-07-29 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种带宽可调谐频率转化器及其控制方法 |
| CN116880010A (zh) * | 2023-09-06 | 2023-10-13 | 之江实验室 | 基于铌酸锂的集成环形布拉格金属光栅耦合器及制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1547791A (zh) * | 2001-01-19 | 2004-11-17 | ����˹�ٴ�ѧ���»� | 非对称波导电吸收调制激光器 |
| CN103688428A (zh) * | 2011-03-30 | 2014-03-26 | 英特尔公司 | 高效绝缘体上硅光栅耦合器 |
| CN103901563A (zh) * | 2014-03-31 | 2014-07-02 | 北京工业大学 | 一种折射率可调的光栅耦合器及其制作方法 |
| US20150115219A1 (en) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Superluminescent diode and method for implementing the same |
| CN112255727A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-22 | 联合微电子中心有限责任公司 | 端面耦合器和半导体器件 |
-
2021
- 2021-04-13 CN CN202110397219.XA patent/CN113126204A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1547791A (zh) * | 2001-01-19 | 2004-11-17 | ����˹�ٴ�ѧ���»� | 非对称波导电吸收调制激光器 |
| CN103688428A (zh) * | 2011-03-30 | 2014-03-26 | 英特尔公司 | 高效绝缘体上硅光栅耦合器 |
| US20150115219A1 (en) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Superluminescent diode and method for implementing the same |
| CN103901563A (zh) * | 2014-03-31 | 2014-07-02 | 北京工业大学 | 一种折射率可调的光栅耦合器及其制作方法 |
| CN112255727A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-01-22 | 联合微电子中心有限责任公司 | 端面耦合器和半导体器件 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113917712A (zh) * | 2021-10-18 | 2022-01-11 | 北京邮电大学 | 一种消除铌酸锂热电效应的d型光纤m-z电光调制器及其制备方法 |
| CN113917712B (zh) * | 2021-10-18 | 2023-05-16 | 北京邮电大学 | 一种消除铌酸锂热电效应的d型光纤m-z电光调制器及其制备方法 |
| CN114815438A (zh) * | 2022-04-18 | 2022-07-29 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种带宽可调谐频率转化器及其控制方法 |
| CN116880010A (zh) * | 2023-09-06 | 2023-10-13 | 之江实验室 | 基于铌酸锂的集成环形布拉格金属光栅耦合器及制备方法 |
| CN116880010B (zh) * | 2023-09-06 | 2023-12-19 | 之江实验室 | 基于铌酸锂的集成环形布拉格金属光栅耦合器及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN113126204A (zh) | 一种可见光波段薄膜铌酸锂光栅耦合器及其制备方法 | |
| CN101620296B (zh) | 一种光电衬底上的高约束波导 | |
| CN112596161B (zh) | 一种多层结构的模斑转换器及其实现方法 | |
| CN109407229B (zh) | 一种端面耦合器 | |
| CN111175896A (zh) | 一种大带宽的高效率光栅耦合器 | |
| CN113640913B (zh) | 一种与单模光纤直接耦合的lnoi基模斑转换器 | |
| Mahmoud et al. | Lithium niobate on insulator (LNOI) grating couplers | |
| CN111367014B (zh) | 一种用于光互联的具有模斑转换功能的片上边缘耦合器 | |
| CN115877506B (zh) | 覆盖可见光波段的薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法 | |
| CN111487715A (zh) | 基于lnoi的光波导端面耦合结构及其应用 | |
| CN115857091A (zh) | 一种铌酸锂薄膜mmi起偏分束器 | |
| US11520175B2 (en) | Active region-less modulator and method | |
| CN117192686A (zh) | 高效率薄膜铌酸锂锥形亚波长光栅端面耦合器及其制备方法 | |
| Van Laere et al. | Compact grating couplers between optical fibers and Silicon-on-Insulator photonic wire waveguides with 69% coupling efficiency | |
| CN113406745A (zh) | 一种波导到光纤三维聚合物水平透镜耦合器 | |
| CN111308612B (zh) | 一种反mmi型波导马赫-曾德干涉器的制备方法 | |
| CN113267847A (zh) | 一种用于耦合多芯光纤与集成光芯片的光耦合器件及其制备方法 | |
| CN102636841B (zh) | 一种微环辅助的环镜结构 | |
| CN102033264A (zh) | 脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法 | |
| CN215833739U (zh) | 基于双折射相位匹配的宽带倍频波导器件 | |
| Van Laere et al. | Compact focusing grating couplers between optical fibers and silicon-on-insulator photonic wire waveguides | |
| CN115373082B (zh) | 一种基于硅和铌酸锂复合薄膜的端面耦合器 | |
| Xu et al. | Ultra-Compact Fiber-to-Chip Metasurface-Based Edge Coupler | |
| CN220526033U (zh) | 分束器及量子光源 | |
| CN220526032U (zh) | 分束器及量子光源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210716 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |