CN113114120A - 一种霍尔传感器信号处理电路 - Google Patents
一种霍尔传感器信号处理电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113114120A CN113114120A CN202110388319.6A CN202110388319A CN113114120A CN 113114120 A CN113114120 A CN 113114120A CN 202110388319 A CN202110388319 A CN 202110388319A CN 113114120 A CN113114120 A CN 113114120A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hall sensor
- switch
- amplifier
- processing circuit
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 29
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 43
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 18
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/38—DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers
- H03F3/387—DC amplifiers with modulator at input and demodulator at output; Modulators or demodulators specially adapted for use in such amplifiers with semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
本发明公开了一种霍尔传感器信号处理电路，该发明包括：霍尔感应片、AMP放大器、采样保持电路、比较器模块和输出级这五个单元，此电路通过霍尔感应片将外部磁场信号转换为电压信号，通过AMP放大器对电压信号进行放大，再配合霍尔感应片的同步斩波时钟，对放大器的放大信号进行采样保持，通过比较器控制霍尔传感器的灵敏度，输出级为开漏或开集电极输出，VOUT为最后的输出。该电路结构简单，响应速度快；通过斩波调制技术有效降低了运放直流失调电压误差；传感器的灵敏度和电源电压VDD无关，通过调整电阻的比例系数可以在很宽的供电范围内实现灵敏度的一致。
Description
技术领域：
本发明涉及集成电路技术领域，具体是涉及一种霍尔传感器信号处理电路。
背景技术：
在各种传感技术检测磁场的应用中，霍尔传感器是最普遍和最常用到的。在一些场合中，霍尔传感器完全取代了机械接触开关。全球每年有数以亿计的霍尔传感器生产出来被使用在各种各样的应用上，比如电脑、汽车、工业控制和消费类设备等。
开关型霍尔传感器可实现对被测物体的磁场变化进行检测，可将其应用于转数、转速、角度、加速度、角速度等相关物理量的测量。但是，在复杂的应用环境下或者在弱磁场中进行检测时，开关型霍尔传感器所感应到的磁强度较低所产生的电压值较小，同时会伴随较大的高频电磁噪声，使得霍尔信号处理电路对微弱的霍尔电压进行处理存在困难。因此，在有更高精度需求时，实现霍尔传感器信号处理电路的高灵敏度、强抗噪声能力显得越来越重要。
图1为传统的开关型霍尔传感器，它由霍尔元件、放大器和施密特触发器等部分组成，当磁场强度超过工作点时，其输出导通，而磁滞撤销后，其输出状态保持不变，必须施加反向磁场并超过释放点才能使其关断。该电路通常采用基于时钟控制的信号处理电路抑制失调电压，电路结构相对比较复杂，整体电路延时较大，同时电源噪声会对电路中的信号产生干扰，使得微弱的霍尔电压经过霍尔信号处理电路，其输出存在误差。
发明内容：
针对现有技术存在的不足，本发明实施例的目的在于提供一种霍尔传感器信号处理电路，通过霍尔感应片将外部磁场信号转换为电压信号，通过AMP放大器对电压信号进行放大，再配合霍尔感应片的同步斩波时钟，对放大器的放大信号进行采样保持，通过比较器控制霍尔传感器的灵敏度，输出级为开漏或开集电极输出，VOUT为最后的输出。该电路结构简单，响应速度快；通过斩波调制技术有效降低了运放直流失调电压误差；传感器的灵敏度和电源电压VDD无关，通过调整电阻的比例系数可以在很宽的供电范围内实现灵敏度的一致。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种霍尔传感器信号处理电路，包括霍尔感应片、AMP放大器、采样保持电路、比较器模块、输出级；
所述霍尔感应片：将外部磁场信号转换为电压信号。由于霍尔感应片会有直流偏差(DC offset),因此采用斩波调制技术(Chopping)将直流偏差调制成交流共模信号在采样保持电路中消除。外部磁场产生的差模信号会被放大采样比较后输出；所述AMP放大器：霍尔感应片产生的霍尔电压效应信号会经放大器进行放大，放大器可以是闭环结构或开环结构，放大倍数可设置在100倍左右；所述采样保持电路：配合霍尔感应片的同步斩波时钟，对放大器的放大信号进行采样保持。在采样保持的过程中，外部磁场产生的差模信号会被保持在保持电容1C中，由霍尔感应片或前级放大器产生的直流偏差电压作为共模信号会在采样保持过程中被抵消；所述比较器模块：比较器的迟滞电压由分压电阻R1及R2阻值比例决定；所述输出级：输出级为开漏或开集电极输出；NMOS管或NPN管的栅极接比较器的输出；开漏或开集电极端接上拉电阻RL；VOUT为最后的开关信号输出。
作为本发明进一步的方案，所述霍尔感应片连接有两个输入、两个输出，一个输入端通过开关与VDD相连，一个输入端通过开关与GND相连,一个输出端通过开关与AMP放大器的同向输入端相连，一个输出端通过开关与AMP放大器的反向输入端相连；所述AMP放大器，放大器可以是闭环结构或开环结构，可以由多级放大器级联构成，放大倍数可设置在100倍左右，AMP放大器的两个输出端分别和采样保持电路的两个输入端相连。
作为本发明进一步的方案，所述采样保持电路包括六个开关S1、S2、S3、S4、S5、S6和三个电容C1、C2、C3，其中：所述第一开关S1、第四开关S4的控制极与AMP放大器的同向输出端相连，第二开关S2、第三开关S3的控制极与AMP放大器的反向输出端相连；第一开关S1的静触点与第五开关S5的控制极及第一电容C1的下极板相连，第二开关S2的静触点与第六开关S6的控制极及第二电容C2的上极板相连；第三开关S3的静触点与第一电容C1的上极板相连，第四开关S4的静触点与第二电容C2的下极板相连；第五开关S5的静触点与第三电容C3的上极板相连，第六开关S5的静触点与第三电容C3的上极板相连；电容C1、C2、C3的电容值比为2C:2C:1C。
作为本发明进一步的方案，所述比较器模块包括一个迟滞比较器，四个电阻R1、R2、R3、R4及两个开关S7、S8，其中：所述迟滞比较器可由多级级联构成；所述电阻R1、R2、R3、R4相串联，并且R1的上端接VDD、R4的下端接GND；迟滞比较器的同向输入端、第三电容C3的上极板与电阻R2、R3的连线相连，迟滞比较器的反向输入端、第三电容C3的下极板与第七第八开关S7，S8的静触点相连；第七开关S7和电阻R3、R4的连线相连，第八开关S8和电阻R1、R2的连线相连。电阻R1、R4的阻值相等，电阻R2、R3的阻值相等。
作为本发明进一步的方案，所述输出级，输出级为开漏或开集电极输出。NMOS管的栅极或NPN管的基级接比较器的输出。开漏或开集电极端接上拉电阻RL，VOUT为最后的开关信号输出；所述霍尔感应片与斩波放大电路双路连接，所述斩波放大电路与比较器电路双路连接，所述比较器电路与输出级单向连接。
本发明提供一种霍尔传感器信号处理电路，可应用于对灵敏度、强抗噪声能力要求比较高的场合。此电路通过霍尔感应片将外部磁场信号转换为电压信号，通过AMP放大器对电压信号进行放大，再配合霍尔感应片的同步斩波时钟，对放大器的放大信号进行采样保持，通过比较器控制霍尔传感器的灵敏度，输出级为开漏或开集电极输出，VOUT为最后的输出。该电路结构简单，响应速度快；通过斩波调制技术有效降低了运放直流失调电压误差；霍尔传感器的灵敏度和供电电源VDD无关，只和比较器模块电阻R1、R2的比例系数有关，可以在很宽的供电范围内实现灵敏度的一致性。
本发明电路结构简单，占用芯片面积小，响应速度快，响应频率只与斩波时钟频率相关，无滤波延时；通过斩波调制技术有效降低了运放直流失调电压误差，减小了直流噪声。
为更清楚地阐述本发明的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本发明进行详细说明。
附图说明：
图1为传统的开关型霍尔传感器的电原理图；
图2为本发明一种霍尔传感器信号处理电路的方框图；
图3为本发明实施例中霍尔传感器信号处理电路的电原理图。
具体实施方式：
下面将结合附图和有关知识对本发明作出进一步的说明，进行清楚、完整地描述，显然，所描述的电路图应用仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。
参见图2-图3所示，一种霍尔传感器信号处理电路，包括：霍尔感应片、AMP放大器、采样保持电路、比较器模块、输出级。
其中，霍尔感应片：将外部磁场信号转换为电压信号。由于霍尔感应片会有直流偏差(DC offset),因此采用斩波调制技术(Chopping)将直流偏差调制成交流共模信号在采样保持电路中消除。外部磁场产生的差模信号会被放大采样比较后输出；
AMP放大器：霍尔感应片产生的霍尔电压效应信号会经放大器进行放大，放大器可以是闭环结构或开环结构，放大倍数可设置在100倍左右；
采样保持电路：配合霍尔感应片的同步斩波时钟，对放大器的放大信号进行采样保持。在采样保持的过程中，外部磁场产生的差模信号会被保持在保持电容中，由霍尔感应片或前级放大器产生的直流偏差电压作为共模信号会在采样保持过程中被抵消；
比较器模块：比较器的迟滞电压由分压电阻阻值比例决定；
输出级：输出级为开漏或开集电极输出。NMOS管的栅极或NPN管的基级接比较器的输出。开漏或开集电极端接上拉电阻RL。VOUT为最后的开关信号输。
进一步优选，采样保持电路包括六个开关S1、S2、S3、S4、S5、S6和三个电容C1、C2、C3，其中：
第一开关S1、第四开关S4的控制极与AMP放大器的同向输出端相连，第二开关S2、第三开关S3的控制极与AMP放大器的反向输出端相连；第一开关S1的静触点与第五开关S5的控制极及第一电容C1的下极板相连，第二开关S2的静触点与第六开关S6的控制极及第二电容C2的上极板相连；第三开关S3的静触点与第一电容C1的上极板相连，第四开关S4的静触点与第二电容C2的下极板相连；第五开关S5的静触点与第三电容C3的上极板相连，第六开关S5的静触点与第三电容C3的上极板相连。
在本发明中，电路通过霍尔感应片将外部磁场信号转换为电压信号；通过AMP放大器对电压信号进行放大；再配合霍尔感应片的同步斩波时钟，通过在斩波时钟控制的高电平时间及低电平时间分别切换开关，斩波开关包括S1～S6，通过交换正输入和负输入，对放大器的放大信号进行采样，外部磁场产生的差模信号会被保持在保持电容C3中，由霍尔感应片或前级放大器产生的直流偏差电压作为共模信号会在采样保持过程中被抵消；通过比较器控制霍尔传感器的灵敏度，霍尔传感器的灵敏度和电源电压VDD无关，只和R1、R2的比例系数有关。通过控制R1、R2的比例系数，可以调整霍尔传感器的灵敏度；输出级为开漏或开集电极输出，VOUT为最后的传感器输出；电容C1、C2、C3的电容值比为2C:2C:1C，电阻R1、R4的阻值相等，电阻R2、R3的阻值相等。本发明可以应用于对灵敏度、强抗噪声能力要求比较高的场合。此电路通过霍尔感应片将外部磁场信号转换为电压信号，通过AMP放大器对电压信号进行放大，再配合霍尔感应片的同步斩波时钟，对放大器的放大信号进行采样保持，通过比较器控制霍尔传感器的灵敏度，输出级为开漏或开集电极输出，VOUT为最后的输出。该电路结构简单，响应速度快；通过斩波调制技术有效降低了运放直流失调电压误差；传感器的灵敏度和电源电压VDD无关，通过调整R1,R2的比例系数可以在很宽的供电范围内实现灵敏度的一致。
以下提供本发明一具体的实施例
实施例1
参照图2-图3所示，本发明一种霍尔传感器信号处理电路包括：包括霍尔感应片、AMP放大器、采样保持电路、比较器模块、输出级；
霍尔感应片设有两路输出，将外部磁场信号转换为电压信号，正输出和负输出分别连接至AMP放大器的同向和反向输入端。由于霍尔感应片会有直流偏差，因此采用斩波调制方技术将直流偏差调制成交流共模信号在采样保持电路中消除。外部磁场产生的差模信号会被放大采样比较后输出；
AMP放大器的两路输出与采样保持电路的两路输入相连。霍尔感应片产生的霍尔电压效应信号会经放大器进行放大，放大器可以是闭环结构或开环结构，放大倍数可设置在100倍左右；
采样保持电路的输入端还包括斩波时钟，采样保持电路的两路输出连接比较器模块的同向和反向输入端。配合霍尔感应片的同步斩波时钟，对放大器的放大信号进行采样保持。在采样保持的过程中，外部磁场产生的差模信号会被保持在保持电容C3中，由霍尔感应片或前级放大器产生的直流偏差电压作为共模信号会在采样保持过程中被抵消；
比较器模块设有一路输出，和输出级相连。比较器的迟滞电压由分压电阻R1及R2阻值比例决定；
输出级最终产生一路输出，为开关型霍尔传感器的输出。
参考附图3，对本发明实施例中集成斩波和自动调零的高精度运算放大电路做详细描述。此处所描述的具体实施例仅用来解释本发明，本发明还可以通过另外不同的实施方式加以实施或应用。
霍尔感应片连接有两个输入、两个输出，一个输入端通过开关与VDD相连，一个输入端通过开关与GND相连,一个输出端通过开关与AMP放大器的同向输入端相连，一个输出端通过开关与AMP放大器的反向输入端相连；
AMP放大器，放大器可以是闭环结构或开环结构，由多级放大器级联构成，放大倍数可设置在100倍左右，AMP放大器的两个输出端分别和采样保持电路的两个输入端相连采样保持电路包括六个开关S1、S2、S3、S4、S5、S6和三个电容C1、C2、C3，其中：所述第一开关S1、第四开关S4的控制极与AMP放大器的同向输出端相连，第二开关S2、第三开关S3的控制极与AMP放大器的反向输出端相连；第一开关S1的静触点与第五开关S5的控制极及第一电容C1的下极板相连，第二开关S2的静触点与第六开关S6的控制极及第二电容C2的上极板相连；第三开关S3的静触点与第一电容C1的上极板相连，第四开关S4的静触点与第二电容C2的下极板相连；第五开关S5的静触点与第三电容C3的上极板相连，第六开关S5的静触点与第三电容C3的上极板相连。电容C1、C2、C3的电容值比为2C:2C:1C；
比较器模块包括一个迟滞比较器，四个电阻R1、R2、R3、R4及两个开关S7、S8，其中：迟滞比较器可由多级级联构成；电阻R1、R2、R3、R4相串联，并且R1的上端接VDD,R4的下端接GND；迟滞比较器的同向输入端、第三电容C3的上极板与电阻R2、R3的连线相连，迟滞比较器的反向输入端、第三电容C3的下极板与第七第八开关S7，S8的静触点相连；第七开关S7和电阻R3、R4的连线相连，第八开关S8和电阻R1、R2的连线相连。电阻R1、R4的阻值相等，电阻R2、R3的阻值相等；
输出级，输出级为开漏或开集电极输出。NMOS管的栅极或NPN管的基级接比较器的输出，开漏或开集电极端接上拉电阻RL，VOUT为最后的开关信号输出；
霍尔感应片与斩波放大电路双路连接，斩波放大电路与比较器电路双路连接，比较器电路与输出级单向连接。
本发明的具体工作原理是:
电路通过霍尔感应片将外部磁场信号转换为电压信号，由于霍尔感应片会有直流偏差,因此采用斩波调制技术将直流偏差调制成交流共模信号在采样保持电路中消除，外部磁场产生的差模信号会被放大采样比较后输出。
通过AMP放大器对电压信号进行放大，霍尔感应片产生的霍尔电压效应信号会经放大器进行放大，放大器可以是闭环结构或开环结构，放大倍数可设置在100倍左右；
采样保持电路配合霍尔感应片的同步斩波时钟，通过在斩波时钟控制的高电平时间及低电平时间分别切换开关，斩波开关包括S1～S6，通过交换正输入和负输入，对放大器的放大信号进行采样，外部磁场产生的差模信号会被保持在保持电容C3中，由霍尔感应片或前级放大器产生的直流偏差电压作为共模信号会在采样保持过程中被抵消。
通过比较器控制霍尔传感器的灵敏度，霍尔传感器的灵敏度和电源电压VDD无关，只和R1、R2的比例系数有关。通过控制R1、R2的比例系数，可以调整霍尔传感器的灵敏度。
输出级为开漏或开集电极输出。NMOS管或NPN管的栅极接比较器的输出，VOUT为最后的开关信号输出。
比较器正端输入电压为：
V3＝0.5×VDD
比较器负端输入电压为：
V2＝0.5×VDD-0.5×VDD×R2/(R1+R2)
比较器输入迟滞电压为：
Va＝(V3-V2)×0.2＝0.5×VDD×R2/(R1+R2)
其中0.2为保持电容值和采样电容值的比例系数。
霍尔磁场产生电压为：
Vb＝4.5×10-6×VDD×A×0.8＝3.6×10-6×VDD
其中0.8为保持电容值和采样电容值的比例系数，4.5×10-6为霍尔感应片的感应系数。
可以得到霍尔传感器的灵敏度为：
通过公式可以看出霍尔传感器的灵敏度和电源电压VDD无关，只和R1、R2的比例系数有关。通过控制R1、R2的比例系数，可以调整霍尔传感器的灵敏度，保证在很宽的供电范围内实现灵敏度的一致性；本发明可应用于对灵敏度、强抗噪声能力要求比较高的场合。此电路通过霍尔感应片将外部磁场信号转换为电压信号，通过AMP放大器对电压信号进行放大，再配合霍尔感应片的同步斩波时钟，对放大器的放大信号进行采样保持，通过比较器控制霍尔传感器的灵敏度，输出级为开漏或开集电极输出，VOUT为最后的输出。该电路结构简单，响应速度快；通过斩波调制技术有效降低了运放直流失调电压误差；传感器的灵敏度和电源电压VDD无关，通过调整R1,R2的比例系数可以在很宽的供电范围内实现灵敏度的一致。
以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理，仅是本发明的优选实施方式。本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种霍尔传感器信号处理电路，其特征在于，包括霍尔感应片、AMP放大器、采样保持电路、比较器模块、输出级；
所述霍尔感应片，将外部磁场信号转换为电压信号；
所述AMP放大器，将电压信号进行放大；
所述采样保持电路，对放大器的放大信号进行采样保持；
所述比较器模块，用于控制霍尔传感器的灵敏度；
所述输出级：输出级为开漏或开集电极输出。
2.如权利要求1的一种霍尔传感器信号处理电路，其特征在于，所述霍尔感应片采用斩波调制技术将直流偏差调制成交流共模信号在采样保持电路中消除。
3.如权利要求1的一种霍尔传感器信号处理电路，其特征在于，所述AMP放大器为闭环结构或开环结构。
4.如权利要求1的一种霍尔传感器信号处理电路，其特征在于，所述所述采样保持电路配合霍尔感应片的同步斩波时钟，对放大器的放大信号进行采样保持，在采样保持的过程中，外部磁场产生的差模信号会被保持在保持电容1C中，由霍尔感应片或AMP放大器产生的直流偏差电压作为共模信号会在采样保持过程中被抵消。
5.如权利要求1的一种霍尔传感器信号处理电路，其特征在于，所述霍尔传感器的灵敏度由分压电阻R1及R2阻值比例决定。
6.如权利要求1的一种霍尔传感器信号处理电路，其特征在于，所述霍尔感应片连接有两个输入、两个输出，一个输入端通过开关与VDD相连，一个输入端通过开关与GND相连, 一个输出端通过开关与AMP放大器的同向输入端相连，一个输出端通过开关与AMP放大器的反向输入端相连，所述AMP放大器的两个输出端分别和采样保持电路的两个输入端相连。
7.如权利要求1的一种霍尔传感器信号处理电路，其特征在于，所述采样保持电路包括六个开关S1、S2、S3、S4、S5、S6和三个电容C1、C2、C3，所述开关S1、S4的控制极与AMP放大器的同向输出端相连，开关S2、开关S3的控制极与AMP放大器的反向输出端相连；开关S1的静触点与开关S5的控制极及电容C1的下极板相连，开关S2的静触点与开关S6的控制极及电容C2的上极板相连；开关S3的静触点与电容C1的上极板相连，开关S4的静触点与电容C2的下极板相连；开关S5的静触点与电容C3的上极板相连。
8.如权利要求7的一种霍尔传感器信号处理电路，其特征在于，所述电容C1、C2、C3的电容值比为2C:2C:1C。
9.如权利要求7的一种霍尔传感器信号处理电路，其特征在于，所述比较器模块包括一个迟滞比较器，四个电阻R1、R2、R3、R4及两个开关S7、S8，所述迟滞比较器由多级级联构成；所述电阻R1、R2、R3、R4相串联，并且R1的上端接VDD、R4的下端接GND; 迟滞比较器的同向输入端、电容C3的上极板与电阻R2、R3的连线相连，迟滞比较器的反向输入端、电容C3的下极板与开关S7，S8的静触点相连；开关S7和电阻R3、R4的连线相连，开关S8和电阻R1、R2的连线相连。
10.如权利要求9的一种霍尔传感器信号处理电路，其特征在于，所述电阻R1、R4的阻值相等，电阻R2、R3的阻值相等。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110388319.6A CN113114120B (zh) | 2021-04-12 | 2021-04-12 | 一种霍尔传感器信号处理电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110388319.6A CN113114120B (zh) | 2021-04-12 | 2021-04-12 | 一种霍尔传感器信号处理电路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113114120A true CN113114120A (zh) | 2021-07-13 |
| CN113114120B CN113114120B (zh) | 2024-06-25 |
Family
ID=76715614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110388319.6A Active CN113114120B (zh) | 2021-04-12 | 2021-04-12 | 一种霍尔传感器信号处理电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113114120B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114336519A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-04-12 | 无锡市晶源微电子有限公司 | 漏电保护器控制电路 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010041543A1 (en) * | 1999-12-09 | 2001-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Switch for sensing opening-closing of radio terminal |
| US20080094055A1 (en) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Gerardo Monreal | Chopped hall effect sensor |
| CN101762796A (zh) * | 2008-12-24 | 2010-06-30 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 磁场检测器 |
| CN101777901A (zh) * | 2009-01-14 | 2010-07-14 | 易亨电子股份有限公司 | 一种可感应双边磁场感应精确控制装置 |
| CN103063232A (zh) * | 2011-10-21 | 2013-04-24 | 上海腾怡半导体有限公司 | 一种单片式锁存型霍尔传感器 |
| CN103095302A (zh) * | 2012-12-19 | 2013-05-08 | 天津大学 | 一种应用于高速高精度电路的采样保持电路 |
| CN103326702A (zh) * | 2013-05-31 | 2013-09-25 | 北京经纬恒润科技有限公司 | 一种霍尔开关电路 |
| CN107437934A (zh) * | 2017-09-08 | 2017-12-05 | 上海灿瑞科技股份有限公司 | 一种全极性霍尔传感器开关 |
-
2021
- 2021-04-12 CN CN202110388319.6A patent/CN113114120B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010041543A1 (en) * | 1999-12-09 | 2001-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Switch for sensing opening-closing of radio terminal |
| US20080094055A1 (en) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Gerardo Monreal | Chopped hall effect sensor |
| CN101762796A (zh) * | 2008-12-24 | 2010-06-30 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 磁场检测器 |
| CN101777901A (zh) * | 2009-01-14 | 2010-07-14 | 易亨电子股份有限公司 | 一种可感应双边磁场感应精确控制装置 |
| CN103063232A (zh) * | 2011-10-21 | 2013-04-24 | 上海腾怡半导体有限公司 | 一种单片式锁存型霍尔传感器 |
| CN103095302A (zh) * | 2012-12-19 | 2013-05-08 | 天津大学 | 一种应用于高速高精度电路的采样保持电路 |
| CN103326702A (zh) * | 2013-05-31 | 2013-09-25 | 北京经纬恒润科技有限公司 | 一种霍尔开关电路 |
| CN107437934A (zh) * | 2017-09-08 | 2017-12-05 | 上海灿瑞科技股份有限公司 | 一种全极性霍尔传感器开关 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114336519A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-04-12 | 无锡市晶源微电子有限公司 | 漏电保护器控制电路 |
| CN114336519B (zh) * | 2022-01-10 | 2023-08-22 | 无锡市晶源微电子股份有限公司 | 漏电保护器控制电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113114120B (zh) | 2024-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107436416B (zh) | 能处理垂直霍尔盘信号的磁开关系统及信号处理方法 | |
| CN108106747B (zh) | 一种基于电容数字转换器的温度传感器 | |
| CN113114120B (zh) | 一种霍尔传感器信号处理电路 | |
| CN111464136A (zh) | 一种集成斩波和自动调零的高精度运算放大电路 | |
| CN104007399A (zh) | 磁传感器装置 | |
| CN107121587A (zh) | 峰值及过峰时刻跟踪检测电路 | |
| CN112697343B (zh) | 电阻桥式压力传感器的检测电路、方法、电子设备及芯片 | |
| CN112781752A (zh) | 温度检测电路及芯片 | |
| CN111551864A (zh) | 应用于电池充放电的高精度双向电流检测电路及其方法 | |
| CN114675075A (zh) | 一种微弱电流检测装置 | |
| CN112904071A (zh) | 一种零磁通电流互感器 | |
| CN105680810B (zh) | 放大电路、信号放大方法及传感信号处理装置 | |
| CN113820029A (zh) | 一种用于采集终端的pt100温度采集电路 | |
| Sheng et al. | Design of PZT Micro-displacement acquisition system | |
| Mackensen et al. | Implementation of reconfigurable micro-sensor interfaces utilizing FPAAs | |
| Kong et al. | A Pseudo-Differential Capacitive MEMS Accelerometer Analog Front-End Design | |
| CN110672904A (zh) | 一种测量微弱信号的电阻传感器测量电路 | |
| CN211403151U (zh) | Pid控制电路 | |
| CN118274703B (zh) | 一种基于电容角位移编码器的角度检测电路 | |
| Chen et al. | A monolithic CMOS Hall switch sensor system with high precision and low power consumption | |
| CN217384485U (zh) | 一种铂电阻传感器检测电路 | |
| US20240337707A1 (en) | Signal processing circuit for tunneling magnetoresistance sensor | |
| CN215181632U (zh) | 一种精密可调电流源电路 | |
| CN117665397B (zh) | 一种电容器复数阻抗测量方法、电路和装置 | |
| CN112904111B (zh) | 一种离子信号检测电路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |