CN113113326A - 半导体制程机台 - Google Patents

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CN113113326A CN202010025322.7A CN202010025322A CN113113326A CN 113113326 A CN113113326 A CN 113113326A CN 202010025322 A CN202010025322 A CN 202010025322A CN 113113326 A CN113113326 A CN 113113326A
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pumping
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林艺民
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李佳蓉
郑智龙
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Abstract

一种半导体制程机台，包含缓冲室、机器手臂、气流供应源、抽气系统以及多个腔室。缓冲室具有一缓冲室本体，其中缓冲室本体具有进气口、抽气口、一第一晶圆通道以及一第二晶圆通道，其中进气口邻近该第一晶圆通道，抽气口邻近该第二晶圆通道，其中该第一晶圆通道与该第二晶圆通道相对设置。机器手臂设置于缓冲室中。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。多个腔室分别连接缓冲室的第一晶圆通道以及第二晶圆通道。

Description

半导体制程机台
技术领域
本揭露是关于半导体制程机台。
背景技术
在半导体制程中，利用适当制程方法，可进行薄膜沉积以及蚀刻等制程。此类制程可再具有多重反应室的群集工具(cluster tools)下执行，将不同的制程整合在一个系统中，使制程之间的闲歇时间减少，以增加产能。
然而，在运行群集工具时，群集工具的反应室与缓冲室的气压可能存在差异，此差异造成晶圆转移时气体流向，进而影响群集工具中尘粒的流向，进而在薄膜沉积过程中造成薄膜缺陷。
发明内容
本揭露的部分实施方式提供一种半导体制程机台，包含缓冲室、机器手臂、气流供应源、抽气系统以及多个腔室。缓冲室具有一缓冲室本体，其中缓冲室本体具有进气口、抽气口、一第一晶圆通道以及一第二晶圆通道，其中进气口邻近该第一晶圆通道，抽气口邻近该第二晶圆通道，其中该第一晶圆通道与该第二晶圆通道相对设置。机器手臂设置于缓冲室中。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。多个腔室分别连接缓冲室的第一晶圆通道以及第二晶圆通道。
本揭露的部分实施方式提供一种半导体制程机台，包含缓冲室、机器手臂、气流供应源、抽气系统以及至少一制程反应室。缓冲室具有一缓冲室本体，其中缓冲室本体具有多个晶圆通道，其中：缓冲室本体具有进气口以及围绕进气口的至少一抽气口；或者，缓冲室本体具有抽气口以及围绕抽气口的至少一进气口。机器手臂设置于缓冲室中。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。制程反应室连接缓冲室的多个晶圆通道的一者。
本揭露的部分实施方式提供一种半导体制程机台，包含缓冲室、第一盖体、气流供应源以及抽气系统。缓冲室具有缓冲室本体，其中缓冲室本体具有一进气口以及一抽气口。第一盖体设置于进气口与抽气口的一者上，其中第一盖体具有第一顶部、第一底部以及第一侧部，且第一底部具有第一底开口以流通连接进气口与抽气口的所述一者，第一侧部具有至少一第一侧开口以使进气口与抽气口的所述一者的气流与缓冲室的气流流通。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。
附图说明
图1是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台的配置示意图；
图2A是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台的缓冲室的立体示意图；
图2B是图2A的缓冲室的上视示意图；
图2C是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台的缓冲室的剖面示意图；
图3是根据本揭露的部分实施方式的进气孔盖体的立体示意图；
图4是根据本揭露的部分实施方式的抽气孔盖体的立体示意图；
图5A至图5D是根据本揭露的多个实施方式的半导体制程机台的缓冲室的上视示意图；
图6是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台的缓冲室的剖面示意图；
图7是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台的缓冲室的剖面示意图；
图8是根据本揭露的部分实施方式的应用半导体制程机台的方法的流程图。
【符号说明】
100…半导体制程机台
110…缓冲室本体
110A…底板
110B…侧墙
112…进气口
114…抽气口
120…气体扩散器
120L…气体管线
130…抽气系统
130L…气体管线
140…盖体
140H…高度
140W…宽度
142…底部
142O…开口
144…顶部
146…侧部
146O…开口
150…盖体
150H…高度
150W…宽度
152…底部
152O…开口
154…顶部
156…侧部
156O…开口
190…控制器
LP…装载端口
FI…工厂接口
LC…负载锁定室
BC…缓冲室
R1～R4…反应室
G1～G6…晶圆通道
WI…晶圆进入室
WO…晶圆送出室
WP…晶圆传送盒
A1、A2…机械手臂
GS…气体供应源
GC1…流量控制器
GC2…流量阀件
V1～V6…阀门
C…中心
M…方法
S1～S9…步骤
具体实施方式
以下本揭露将提供许多个不同的实施方式或实施例以实现所提供的专利标的的不同特征。许多元件与设置将以特定实施例在以下说明，以简化本揭露。当然这些实施例仅用以示例而不应用以限制本揭露。举例而言，叙述「第一特征形成于第二特征上」包含多种实施方式，其中涵盖第一特征与第二特征直接接触，以及额外的特征形成于第一特征与第二特征之间而使两者不直接接触。此外，于各式各样的实施例中，本揭露可能会重复标号以及/或标注字母。此重复是为了简化并清楚说明，而非意图表明这些讨论的各种实施方式以及/或配置之间的关系。
更甚者，空间相对的词汇，例如“下层的”、“低于”、“下方”、“之下”、“上层的”、“上方”等相关词汇，于此用以简单描述元件或特征与另一元件或特征的关系，如图所示。在使用或操作时，除了图中所绘示的转向之外，这些空间相对的词汇涵盖装置的不同的转向。或者，这些装置可旋转(旋转90度或其他角度)，且在此使用的空间相对的描述语可作对应的解读。
图1是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台100的配置示意图。半导体制程机台100可以是一群集工具(cluster tool)，包含工厂接口(Factory Interface；FI)FI、负载锁定(load-lock)室LC、缓冲室BC以及制程反应室R1～R4。
工厂接口FI可例如为设备前端模组(Equipment Front-End Module；EFEM)。工厂接口FI包含装载端口LP，以承载晶圆传送盒WP。晶圆传送盒WP可以装载多个晶圆，并被适当自动化搬动系统运送，例如空中单轨无人搬送系统(Overhead Hoist Transfer；OHT)。
工厂接口FI与负载锁定室LC交界。负载锁定室LC可用以装载或卸载晶圆，举例而言，负载锁定室LC包含晶圆进入室WI、晶圆送出室WO。工厂接口FI中可设有机械手臂A1，以将晶圆从装载端口LP所承载的晶圆传送盒WP中取出而传送至负载锁定室LC的晶圆进入室WI中，也可以将晶圆从负载锁定室LC的晶圆送出室WO中取出传送到装载端口LP所承载的晶圆传送盒WP中。
缓冲室BC又称为转移室(Transfer Chamber)。缓冲室BC连接负载锁定室LC以及反应室R1～R4。缓冲室BC可设有机械手臂A2，以使晶圆在负载锁定室LC以及反应室R1～R4之间传送。
于部分实施方式中，反应室R1～R4可用以进行化学气相沉积、如高密度电浆(highdensity plasma；HDP)制程、原子层沉积、溅镀、蚀刻、清洗等步骤，其中化学气相沉积可以是低压化学气相沉积、电浆化学气相沉积或其他适当的制程。反应室R1～R4的数量仅为示意，不应以此数量为限。在制程中，反应室R1～R4与缓冲室BC之间以阀门V1～V4来连接，其控制缓冲室与反应室之间的开关。举例而言，阀门V1～V4可以是狭缝活门(slit valve)、弹簧箱(bellow)或其他适当元件。阀门V1～V4可以包含适当的弹性垫片，例如橡胶垫片。
成长薄膜的步骤如下：晶圆传送盒WP中的硅晶圆经由工厂接口FI配置到晶圆进入室WI，再由晶圆进入室WI进入缓冲室BC中，然后缓冲室BC内的机械手臂A2将晶圆传送至负责薄膜沉积的制程反应室R1中。接着，于晶圆上进行薄膜沉积。其后，机械手臂A2将晶圆从制程反应室R1夹回缓冲室BC中，依制程需要再进入制程反应室R2、制程反应室R3或制程反应室R4，进行其他制程步骤。
缓冲室BC中可能存在有尘粒，其中尘粒可能来自制程反应室R1～R4、负载锁定室LC或其他可能的元件。在制程过程中，缓冲室BC中的气流可能分布不均，而使进入缓冲室BC的晶圆容易受到缓冲室BC内的尘粒的污染。本发明的多个实施方式中，在晶圆进入缓冲室BC之前，调控缓冲室BC的气流使其稳定，以避免进入缓冲室BC的晶圆受到尘粒的污染。举例而言，可在缓冲室BC中对称设置进气口112与抽气口114，以达到对称的气流流场，借此可以降低缓冲室BC内的气流流速差异，以达到均匀的气流覆盖率，进而避免扬尘。于图1中，进气口112与抽气口114可被机器手臂A2遮挡，故以虚线绘示进气口112与抽气口114。
于本文中，所称“气流流场”是指气流在空间中的流速与密度分布。所称“气流覆盖率”是指气流空间中达到目标流速的面积占整体面积的比例。举例而言，于本实施方式中，目标流速可在大约1cm/s至大约0.01cm/s的范围内。
图2A是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台100的缓冲室BC的立体示意图。半导体制程机台100包含缓冲室BC，其具有缓冲室本体110围绕一空间。于部分实施方式中，缓冲室本体110至少包含底板110A以及连接底板110A侧边的侧墙110B。缓冲室本体110的底板110A用以承载机器手臂A2。进气口112与抽气口114设置于底板110A中。缓冲室本体110的侧墙110B可设有多个晶圆通道G1～G4以分别连接各个反应室R1～R4(参照图1)，且缓冲室本体110设有多个晶圆通道G5、G6以分别连接负载锁定室LC的晶圆进入室WI、晶圆送出室WO(参照图1)。借此，机械手臂A2可以经由晶圆通道G1～G6搬运晶圆。如前所述，晶圆通道G1～G6分别设有阀门V1～V6(参照图1)。借此，可以通过控制阀门V1～V6，来开启或关闭晶圆通道G1～G6。
图2B是图2A的缓冲室BC的上视示意图。同时参照图2A与图2B，于本实施方式中，进气口112与抽气口114分别邻近于晶圆通道G4～G5以及晶圆通道G1～G2，其中晶圆通道G4～G5以及晶圆通道G1～G2相对设置。借此，可以产生大致对称的气流流场中，经由适当控制进气口112与抽气口114的流速，可以降低流速差异，而达到均匀的气流覆盖率。
进一步而言，进气口112与抽气口114分别配置于缓冲室BC的中心C的相对两侧(例如进气口112与抽气口114的连线通过缓冲室BC的中心C)，而可大致产生以进气口112与抽气口114的连线为对称线的气流流场，而达到均匀的气流覆盖率。
于本发明的部分实施方式中，可以设计进气口112与中心C的距离以及抽气口114与中心C的距离合计大于大约450mm。若进气口112与中心C的距离以及抽气口114与中心C的距离合计小于大约450mm，则气流局部效应明显，而会有气流覆盖率明显不均匀的问题。于部分实施方式中，进气口112/抽气口114与中心C的距离可为大约130mm至大约345mm，且如果此进气口112/抽气口114与中心C的距离小于大约130mm，则可能与机器手臂A2结构干涉，或者气流流场所覆盖的范围可能过小而无法达到均匀的气流覆盖率。若此进气口112/抽气口114与中心C的距离大于大约345mm，则气流可能明显受到墙壁作用而不均，且也可能会对其他腔室的气流造成明显影响。
为了达到均匀的气流覆盖率，于部分实施方式中，可以设计进气口112与中心C的距离大约等于抽气口114与中心C的距离。于部分实施方式中，进气口112与中心C的距离可不等于抽气口114与中心C的距离。举例而言，进气口112与中心C的距离以及抽气口114与中心C的距离的比值在范围大约1/3至大约3内。若此距离比值小于1/3或大于3，则会有气流覆盖率明显不均匀的问题。或者，可以设置进气口112与中心C的距离以及抽气口114与中心C的距离的差值小于大约450mm，甚至小于大约100mm，若进气口112与中心C的距离以及抽气口114与中心C的距离的差值大于450mm，则可能会有气流覆盖率明显不均匀的问题。于本文中，缓冲室BC的中心C可以是缓冲室BC的晶圆通道G1～G6的中心延伸线的交会点。机器手臂A2可能设置于缓冲室BC的中心C上。
于部分实施方式中，进气口112与抽气口114的位置大致位于任两个相邻的晶圆通道G1～G6之间。举例而言，于此，进气口112大致位于晶圆通道G4～G5之间，抽气口114大致位于晶圆通道G1～G2之间。如此一来，可以降低缓冲室BC的气流对其他腔室的气流的影响。
于部分实施方式中，参照图2A，半导体制程机台100还可包含受到底板110A承载的进气口盖体140以及抽气口盖体150，分别设置于进气口112与抽气口114上，以调整气流的速度。盖体140、150的结构将在后续进行说明。
图2C是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台100的缓冲室BC的剖面示意图。半导体制程机台100可包含气体扩散器(gas diffuser)120，设置于进气口112中。气体扩散器120可以将气体往四周喷散。气体扩散器120可经由适当气体管线120L连接一气体供应源GS，以稳定地提供气体。举例而言，气体供应源GS可容纳氮气、惰性气体(例如氦气、氖气以及氩气)、适当压缩干燥空气(compressor dry air；CDA)等。于部分实施方式中，流量控制器GC1可以设置于气体管线120L上，其中流量控制器GC1可控制气体管线120L的气体流速。举例而言，流量控制器GC1为质量流量控制器(Mass FlowController；MFC)、限流器(flow restrictor)或质量流量计(Mass Flow Meter；MFM)。
于部分实施方式中，半导体制程机台100可包含一抽气系统130，例如真空抽气系统，其通过适当气体管线130L连接抽气口114。举例而言，抽气系统130可以是一抽气帮浦。于部分实施方式中，流量阀件GC2可以设置于气体管线130L上，其中流量阀件GC2可控制气体管线130L的气体流速或气体压力，进而控制抽气的气体的流速。举例而言，流量阀件GC2可例如为隔离阀(isolation valve)、节流阀(throttle valve)或限流阀(restrictedflow valves)。
于部分实施方式中，进气口112、抽气口114的上下开口是等宽的。于部分其他实施方式中，进气口112、抽气口114的下开口小于上开口，而使进气口112、抽气口114呈现倒梯形状。
半导体制程机台100可还包含控制器190。控制器190用以控制沉积制程中的多个制程条件。举例而言，控制器190连接至流量控制器GC1以控制气体扩散器120的进气操作；控制器190连接至流量阀件GC2以控制抽气口114的抽气操作；控制器190也可连接至抽气系统130以控制抽气口114的抽气操作。在部分实施方式中，控制器190为包含一或多个处理单元以及一或多个记忆体设备的计算机设备。处理单元可以以多种方式实行，例如：使用微代码或软件指令的专属硬件或通用硬件(例如：单处理器、多处理器或能够平行计算的圆形处理单元等等)以执行在此所述的功能。每一个记忆体设备可为随机存取记忆体、只读记忆体等等。
图3是根据本揭露的部分实施方式的进气孔盖体140的立体示意图。具体而言，盖体140具有底部142、顶部144以及连接底部142与顶部144的侧部146。于本实施方式中，盖体140的底部142具有开口142O，且对应进气口112(参考图2A、2C)设置。于本实施方式中，盖体140的侧部146具有开口146O。举例而言，侧部146包含多个支撑柱146C，支撑柱146C之间有间隙，而形成开口146O。于本实施方式中，盖体140的顶部144为实心而不具开口的。如此一来，进气口112提供的气体能受到盖体140的顶部144阻挡而降速，并经由开口142O、146O流通至缓冲室BC中。
于本实施方式中，盖体140的底部142、顶部144以及侧部146可以是由任何具有适当刚性的材料所形成，例如铝板、塑胶等。盖体140的底部142、顶部144以及侧部146的材料可以是相同或不同的。于部分实施方式中，底部142、顶部144以及侧部146可以通过适当方法(例如焊接、粘接、组装等方式)相对固定而形成盖体140。于其他实施方式中，底部142、顶部144以及侧部146可以通过一体成形(例如射出成形)的方式而形成盖体140。于部分其他方式中，盖体140的顶部144上可以开设小于开口142O的一或多个开口，而使顶部144仍具有阻挡气流的功效。
图4是根据本揭露的部分实施方式的抽气孔盖体150的立体示意图。同时参考图2A、2C与图4。类似地，盖体150具有底部152、顶部154以及连接底部152与顶部154的侧部156。盖体150的底部152具有开口152O。盖体150的侧部156具有开口156O，且对应抽气口114(参考图2A、2C)设置。举例而言，侧部156包含多个支撑柱156C，支撑柱156C之间有间隙，而形成开口156O。于本实施方式中，盖体150的顶部154为实心而不具开口的。如此一来，缓冲室BC的气体能受到盖体150的顶部154阻挡而降速，并经由开口152O、156O流通至抽气口114中。
于本实施方式中，盖体150的底部152、顶部154以及侧部156可以是由任何具有适当刚性的材料所形成，例如铝板、塑胶等。盖体150的底部152、顶部154以及侧部156的材料可以是相同或不同的。于部分实施方式中，底部152、顶部154以及侧部156可以通过适当方法(例如焊接、粘接、组装等方式)相对固定而形成盖体150。于其他实施方式中，底部152、顶部154以及侧部156可以通过一体成形(例如射出成形)的方式而形成盖体150。于部分其他方式中，盖体150的顶部154上可以开设小于开口152O的一或多个开口，而使顶部154仍具有阻挡气流的功效。
同时参照图2C、图3与图4。于部分实施方式中，为了优化供气与抽气的气流流速，可以调整盖体140的尺寸不同于盖体150的尺寸。举例而言，有鉴于气体扩散器120能分散供气的气流，盖体140相较于盖体150可以设计成提供较低的气流的分散效果。具体而言，可设计盖体150的宽度150W(例如底部152/顶部154的直径)大于盖体140的宽度140W(例如底部142/顶部144的直径)，还可以设计盖体150的高度150H(例如侧部156的高度)大于盖体140的高度140H(例如底部侧部146的高度)。借此，盖体150对气流的阻力较大，而可以对抽气的气流造成大的分散效果。于部分实施例中，盖体140、150的底部142、152的直径可不同于顶部144、154的直径，而使盖体140、150的剖面呈正梯形或倒梯形状。
图5A至图5D是根据本揭露的多个实施方式的半导体制程机台100的缓冲室BC的上视示意图。在以下实施方式中，通过调整进气口112与抽气口114的数量、分布、形状，也可以使气流的流场平均且对称地分布，而不限于将进气口112与抽气口114配置于中心C的相对两侧。
参考图5A，抽气口114设置于缓冲室BC的中心C，多个进气口112a～112f设置于中心C的周围。具体而言，多个进气口112a～112f围绕抽气口114。于本实施方式中，每个进气口112a～112f与该抽气口114的距离大致相同，且进气口112a～112f的分布以抽气口114对称设置。如此一来，可以产生均匀且对称的由外往内吹的流场。
于部分实施方式中，各进气口112a～112f之间的间距大致相同。于其他实施方式中，进气口112a～112f之间的间距可以不同。进气口112a～112f的数量不以此为限。举例而言，可以省略进气口112b与112e，而使进气口112a、112c、112d、112f之间的间距不同，但仍能产生对称的流场。
于部分实施方式中，各个进气口112a～112f的位置分别大致位于任两个相邻的晶圆通道G1～G6之间，以降低缓冲室BC的气流对其他腔室的影响。于本实施方式中，通过设置进气口112a～112f邻近于各个晶圆通道G1～G6之间，可以防止在阀门V1～V6(参考图1)之一开启时，反应室R1～R4(参考图1)或负载锁定室LC(参考图1)往缓冲室BC(参考图1)吹气。
图5B的实施方式类似图5A的实施方式，差别在于：图5B的实施方式中，抽气口114为一环状，而围绕缓冲室BC的中心C。环状抽气口114的中心可以大致对齐于缓冲室BC的中心C。于本实施方式中，每个进气口112a～112f与该抽气口114的中心的距离大致相同，且进气口112a～112f的分布以抽气口114的中心对称设置。如此一来，可以产生均匀且对称的由外往内吹的流场。本实施方式中，可将前述的气体管线130L(参考图2C)配置为环状的管路，以环状方式连接环状的抽气口114。本实施方式的其他细节大致如图5A所述，在此不再赘言。
参考图5C，进气口112设置于缓冲室BC的中心C，多个抽气口114a～114f设置于中心C的周围。具体而言，多个抽气口114a～114f围绕进气口112。于本实施方式中，每个抽气口114a～114f与进气口112的距离大致相同，且抽气口114a～114f的分布以进气口112对称设置。如此一来，可以产生均匀且对称的由内往外吹的流场。
于部分实施方式中，各抽气口114a～114f之间的间距大致相同。于其他实施方式中，各抽气口114a～114f之间的间距可以不同。抽气口114a～114f的数量不以此为限。举例而言，可以省略抽气口114b与114e，而使抽气口114a、114c、114d、114f之间的间距不同，但仍能产生对称的流场。
于部分实施方式中，抽气口114a～114f的位置分别大致位于任两个相邻的晶圆通道111～116之间，以降低缓冲室BC的气流对其他腔室的影响。
图5D的实施方式类似图5C的实施方式，差别在于：本实施方式中，进气口112为一环状，而围绕缓冲室BC的中心C。环状进气口112的中心可以大致对齐于缓冲室BC的中心C于本实施方式中，每个抽气口114a～114f与进气口112的中心的距离大致相同，且抽气口114a～114f的分布以进气口112的中心对称设置。如此一来，可以产生均匀且对称的由内往外吹的流场。本实施方式中，气体扩散器120(参考图2C)可以环状设置。于部分实施方式中，可将前述的气体管线120L(参考图2C)配置为环状的管路，以环状连接气体扩散器120。本实施方式的其他细节大致如图5A所述，在此不再赘言。
图6是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台100的缓冲室BC的剖面示意图。本实施方式与图2C的实施方式相似，本实施方式与图2C的实施方式的差别在于：本实施方式省略了控制抽气流速的流量阀件GC2。在本实施方式中，通过流量控制器GC1来控制供气流速，进而控制缓冲室BC中的气体流速。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘言。
图7是根据本揭露的部分实施方式的半导体制程机台100的缓冲室BC的剖面示意图。本实施方式与图2C的实施方式相似，本实施方式与图2C的实施方式的差别在于：本实施方式省略了控制供气流速的流量控制器GC1。在本实施方式中，通过流量阀件GC2来控制抽气流速，进而控制缓冲室BC中的气体流速。本实施方式的其他细节大致如前所述，在此不再赘言。
图8是根据本揭露的部分实施方式的应用半导体制程机台的方法M的流程图。方法M包含步骤S1～S9。
同时参考图1、图2C与图8。在步骤S1，将晶圆传送盒放置于装载端口LP，之后将晶圆传送至负载锁定室LC。在步骤S2，通过连接气体供应源GS的流量控制器GC1或连接抽气系统130的流量阀件GC2，调整缓冲室BC内的气压至一固定压力。举例而言，为了配合反应室R1的压力，此固定压力可以是大约在100mTorr至300mTorr的范围内。若气压大于300mTorr，则可能使缓冲室BC内的灰尘扬尘。
在步骤S3，开启阀门V5，将晶圆从负载锁定室LC传送至缓冲室BC，其后关闭阀门V5。在步骤S4，准备反应室R1的压力，使反应室R1的压力低于缓冲室BC的压力。在步骤S5，开启阀门V1，将晶圆从缓冲室BC传送至反应室R1，其后关闭阀门V6。
在步骤S6，于反应室R1中，对晶圆进行制程。如前所述，此制程可以是高密度电浆(high density plasma；HDP)制程。于部分实施方式中，此高密度电浆可以同时沉积薄膜并移除部分薄膜。
在步骤S7，通过连接气体供应源GS的流量控制器GC1或连接抽气系统130的流量阀件GC2，维持缓冲室BC内的压力至该固定压力。在步骤S8，开启阀门V1，将晶圆从反应室R1传送至缓冲室BC，其后关闭阀门V1。在步骤S9，将晶圆从缓冲室BC传送至反应室R2～R4或负载锁定室LC。
本揭露的多个实施方式中，通过对称地配置进气口与抽气孔的位置，可以提升气流覆盖率而使气流流场的分布更为均匀，进而避免扬尘。
本揭露的部分实施方式提供一种半导体制程机台，包含缓冲室、机器手臂、气流供应源、抽气系统以及多个腔室。缓冲室具有一缓冲室本体，其中缓冲室本体具有进气口、抽气口、一第一晶圆通道以及一第二晶圆通道，其中进气口邻近该第一晶圆通道，抽气口邻近该第二晶圆通道，其中该第一晶圆通道与该第二晶圆通道相对设置。机器手臂设置于缓冲室中。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。多个腔室分别连接缓冲室的第一晶圆通道以及第二晶圆通道。
于部分实施方式中，进气口与抽气口分别设置于缓冲室的一中心的相对两侧。
于部分实施方式中，缓冲室还包含第三晶圆通道，进气口邻近该一晶圆通道以及第三晶圆通道之间。
本揭露的部分实施方式提供一种半导体制程机台，包含缓冲室、机器手臂、气流供应源、抽气系统以及至少一制程反应室。缓冲室具有一缓冲室本体，其中缓冲室本体具有多个晶圆通道，其中：缓冲室本体具有进气口以及围绕进气口的至少一抽气口；或者，缓冲室本体具有抽气口以及围绕抽气口的至少一进气口。机器手臂设置于缓冲室中。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。制程反应室连接缓冲室的多个晶圆通道的一者。
于部分实施方式中，当缓冲室本体具有进气口以及至少一抽气口时，至少一抽气口为多个且分别邻近于晶圆通道的相邻二者之间；或者当缓冲室本体具有抽气口以及至少一进气口时，至少一进气口为多个且分别邻近于晶圆通道的相邻二者之间。
于部分实施方式中，当缓冲室本体具有进气口以及至少一抽气口时，进气口为环状；或者当缓冲室本体具有该抽气口以及至少一进气口时，抽气口为环状。
本揭露的部分实施方式提供一种半导体制程机台，包含缓冲室、第一盖体、气流供应源以及抽气系统。缓冲室具有缓冲室本体，其中缓冲室本体具有一进气口以及一抽气口。第一盖体设置于进气口与抽气口的一者上，其中第一盖体具有第一顶部、第一底部以及第一侧部，且第一底部具有第一底开口以流通连接进气口与抽气口的所述一者，第一侧部具有至少一第一侧开口以使进气口与抽气口的所述一者的气流与缓冲室的气流流通。气流供应源连接进气口。抽气系统连接抽气口。
于部分实施方式中，半导体制程机台还包含一第二盖体，设置于进气口与抽气口的另一者上，其中第二盖体具有第二顶部、第二底部以及第二侧部，且第二底部具有第二底开口以流通连接进气口与抽气口的所述另一者，第二侧部具有至少一第二侧开口以使进气口与抽气口的所述一者的气流与缓冲室的气流流通。
于部分实施方式中，第一盖体设置于进气口上，第二盖体设置于抽气口上，且第二盖体的第二侧部的高度大于第一盖体的第一侧部的高度。
于部分实施方式中，第一盖体设置于进气口上，第二盖体设置于抽气口上，且第二盖体的第二顶部的宽度大于第一盖体的第一顶部的宽度。
以上概述多个实施方式的特征，该技术领域具有通常知识者可较佳地了解本揭露的多个态样。该技术领域具有通常知识者应了解，可将本揭露作为设计或修饰其他程序或结构的基础，以实行实施方式中提到的相同的目的以及/或达到相同的好处。该技术领域具有通常知识者也应了解，这些相等的结构并未超出本揭露的精神与范围，且可以进行各种改变、替换、转化，在此，本揭露精神与范围涵盖这些改变、替换、转化。

Claims (10)

1.一种半导体制程机台，其特征在于，包含：
一缓冲室，具有一缓冲室本体，其中该缓冲室本体具有一进气口、一抽气口、一第一晶圆通道以及一第二晶圆通道，其中该进气口邻近该第一晶圆通道，该抽气口邻近该第二晶圆通道，其中该第一晶圆通道与该第二晶圆通道相对设置；
一机器手臂，设置于该缓冲室中；
一气流供应源，连接该进气口；
一抽气系统，连接该抽气口；以及
多个腔室，分别连接该缓冲室的该第一晶圆通道以及该第二晶圆通道。
2.根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于，其中该进气口与该抽气口分别设置于该缓冲室的一中心的相对两侧。
3.根据权利要求1所述的半导体制程机台，其特征在于，其中该缓冲室还包含一第三晶圆通道，该进气口邻近该第一晶圆通道以及该第三晶圆通道之间。
4.一种半导体制程机台，其特征在于，包含：
一缓冲室，具有一缓冲室本体，其中该缓冲室本体具有多个晶圆通道，其中：该缓冲室本体具有一进气口以及围绕该进气口的至少一抽气口；或者，该缓冲室本体具有一抽气口以及围绕该抽气口的至少一进气口；
一机器手臂，设置于该缓冲室中；
一气流供应源，连接该进气口；
一抽气系统，连接该抽气口；以及
至少一制程反应室，连接该缓冲室的所述多个晶圆通道的一者。
5.根据权利要求4所述的半导体制程机台，其特征在于，其中当该缓冲室本体具有该进气口以及该至少一抽气口时，该至少一抽气口为多个且分别邻近于所述多个晶圆通道的相邻二者之间；或者当该缓冲室本体具有该抽气口以及该至少一进气口时，该至少一进气口为多个且分别邻近于所述多个晶圆通道的相邻二者之间。
6.根据权利要求4所述的半导体制程机台，其特征在于，其中当该缓冲室本体具有该进气口以及该至少一抽气口时，该进气口为环状；或者当该缓冲室本体具有该抽气口以及该至少一进气口时，该抽气口为环状。
7.一种半导体制程机台，其特征在于，包含：
一缓冲室，具有一缓冲室本体，其中该缓冲室本体具有一进气口以及一抽气口；
一第一盖体，设置于该进气口与该抽气口的一者上，其中该第一盖体具有一第一顶部、一第一底部以及一第一侧部，且该第一底部具有一第一底开口以流通连接该进气口与该抽气口的所述一者，该第一侧部具有至少一第一侧开口以使该进气口与该抽气口的所述一者的气流与该缓冲室的气流流通；
一气流供应源，连接该进气口；以及
一抽气系统，连接该抽气口。
8.根据权利要求7所述的半导体制程机台，其特征在于，还包含：
一第二盖体，设置于该进气口与该抽气口的另一者上，其中该第二盖体具有一第二顶部、一第二底部以及一第二侧部，且该第二底部具有一第二底开口以流通连接该进气口与该抽气口的所述另一者，该第二侧部具有至少一第二侧开口以使该进气口与该抽气口的所述一者的气流与该缓冲室的气流流通。
9.根据权利要求8所述的半导体制程机台，其特征在于，其中该第一盖体设置于该进气口上，该第二盖体设置于该抽气口上，且该第二盖体的该第二侧部的高度大于该第一盖体的该第一侧部的高度。
10.根据权利要求8所述的半导体制程机台，其特征在于，其中该第一盖体设置于该进气口上，该第二盖体设置于该抽气口上，且该第二盖体的该第二顶部的宽度大于该第一盖体的该第一顶部的宽度。
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