CN113109308B - 一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法 - Google Patents
一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113109308B CN113109308B CN202110392178.5A CN202110392178A CN113109308B CN 113109308 B CN113109308 B CN 113109308B CN 202110392178 A CN202110392178 A CN 202110392178A CN 113109308 B CN113109308 B CN 113109308B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- sensor array
- vocs
- vocs gas
- rgb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 120
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 7
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 6
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 claims description 6
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 claims description 5
- GTZCNONABJSHNM-UHFFFAOYSA-N 5,10,15,20-tetraphenyl-21,23-dihydroporphyrin zinc Chemical compound [Zn].c1cc2nc1c(-c1ccccc1)c1ccc([nH]1)c(-c1ccccc1)c1ccc(n1)c(-c1ccccc1)c1ccc([nH]1)c2-c1ccccc1 GTZCNONABJSHNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CVKFXBUVLBFHGO-UHFFFAOYSA-N cobalt 5,10,15,20-tetraphenyl-21,23-dihydroporphyrin Chemical compound [Co].c1cc2nc1c(-c1ccccc1)c1ccc([nH]1)c(-c1ccccc1)c1ccc(n1)c(-c1ccccc1)c1ccc([nH]1)c2-c1ccccc1 CVKFXBUVLBFHGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N tetraphenylporphyrin Chemical compound C1=CC(C(=C2C=CC(N2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3N2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 YNHJECZULSZAQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 241000270295 Serpentes Species 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 3
- ZWYCMWUUWAFXIA-UHFFFAOYSA-N iron(2+);5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,23-diide Chemical compound [Fe+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C([N-]2)C(C=2C=CC=CC=2)=C2C=CC3=N2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 ZWYCMWUUWAFXIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 claims description 3
- 238000010606 normalization Methods 0.000 claims description 3
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims description 2
- IPFASKMZBDWRNG-UHFFFAOYSA-N manganese 5,10,15,20-tetraphenyl-21,23-dihydroporphyrin Chemical compound [Mn].c1cc2nc1c(-c1ccccc1)c1ccc([nH]1)c(-c1ccccc1)c1ccc(n1)c(-c1ccccc1)c1ccc([nH]1)c2-c1ccccc1 IPFASKMZBDWRNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 copper tetraphenylporphyrin derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
- 238000011160 research Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000036541 health Effects 0.000 description 2
- 210000004400 mucous membrane Anatomy 0.000 description 2
- 210000002345 respiratory system Anatomy 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 210000001035 gastrointestinal tract Anatomy 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008816 organ damage Effects 0.000 description 1
- 210000003491 skin Anatomy 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
- G01N21/6428—Measuring fluorescence of fluorescent products of reactions or of fluorochrome labelled reactive substances, e.g. measuring quenching effects, using measuring "optrodes"
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/20—Air quality improvement or preservation, e.g. vehicle emission control or emission reduction by using catalytic converters
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By The Use Of Chemical Reactions (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
本发明公开了一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法,属于VOCs气体传感器研究领域。通过在不同MEMS芯片上涂覆不同敏感材料制备传感器阵列,传感器阵列与VOCs气体反应后,在LED紫外灯激发下,传感器阵列上的敏感材料产生荧光颜色的变化,通过微型摄像头模组采集反应前后的图像,利用图像处理技术提取各传感器单元对应位置上RGB的变化值,判断VOCs气体的种类;同时,MEMS芯片叉指电极两端产生电信号的变化,利用此变化获得气体的响应曲线,判断出VOCs气体的浓度值;结合在同一传感阵列上检测到的两类变化,实现VOCs气体的定性和定量测量。本发明所制备的气体传感器阵列尺寸微小、制造成本低、易于集成,检测方法简单高效,检测范围广,具有广阔的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法,属于VOCs气体传感器研究领域。
背景技术
挥发性有机物(VOCs)对人类的健康造成严重威胁,可经呼吸道、皮肤、消化道等途径进入人体,对人体皮肤黏膜、呼吸道粘膜等产生强烈的刺激,造成器官损伤,严重影响人体健康。
卟啉类功能分子与有机挥发气体之间发生络合作用会改变卟啉材料的结构和性质,引起电信号的变化,同时在紫外激发灯照射下,卟啉会产生荧光效应,与有机挥发气体相互作用时,吸收光谱发生改变,从而引起荧光颜色的变化,利用以上原理可实现对有机挥发气体的高效检测。
目前常用的荧光传感器虽然可实现VOCs气体的定性定量测量,但往往需要与大型光学仪器结合使用,尺寸大,携带困难,对操作人员的专业性要求高;而半导体传感器受环境温度的影响较大,常温下通入低浓度的气体后检测效果并不明显,并且多种气体的存在会同时对检测结果造成干扰,选择性较差,难以实现定性测量。
而利用传感器阵列采集荧光图像信号对气体进行定性测量与采集电信号对气体进行定量测量相结合的方法可解决上述问题,目前未见报导,荧光图像传感可作为半导体传感的一种互补功能,在传统的半导体传感的基础上拓展荧光图像传感,实现对有机挥发性气体的精准识别和快速响应。
发明内容
针对现有的改进需求,本发明提供了一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法,制备出可以同时检测电信号和图像信号的传感器阵列,利用传感阵列与不同的VOCs气体反应后产生不同的荧光颜色变化以及电信号的变化来共同判断VOC气体的种类和浓度,实现定性定量测量,所制备的传感器阵列尺寸小、易于器件化、可重复使用,检测方法简单高效,检测范围广,具有广阔的应用前景。
本发明通过以下技术方案实现:
一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法,所述气体传感器阵列由卟啉类衍生物与MEMS芯片复合制备而成,所述传感器阵列与VOCs气体反应后,在LED紫外灯激发下,传感器阵列上敏感材料产生荧光颜色的变化,利用图像处理技术提取各传感单元对应位置上RGB的变化值,判断VOCs气体的种类;MEMS芯片叉指电极两端产生电信号的变化,利用此变化获得气体的响应曲线判断出VOCs气体的浓度值;结合在同一传感阵列上采集到的两类变化,共同判断待测气体的种类和浓度。
优选的,所述方法按照以下步骤进行:
步骤(1)敏感材料的筛选,将卟啉类衍生物粉末配置成溶液,与不同种类和浓度的VOCs气体反应,根据反应前后敏感材料溶液的荧光颜色变化程度,筛选出对VOCs气体敏感的卟啉材料。
步骤(2)MEMS芯片的制备:a.选取尺寸为1mm×1mm×0.5mm的单晶硅片,利用紫外光刻技术在单晶硅片表面制备带有所需图案的光刻胶掩膜板,以30%浓度的氢氧化钠作为腐蚀液,60℃下以1μm/min的速率腐蚀60min,得到带有所需悬臂梁图形结构的单晶硅衬底;b.使用紫外光刻技术在腐蚀后的硅衬底表面制备带有叉指电极图案的光刻胶掩膜板,利用磁控溅射技术溅射一层厚300nm的银作为叉指电极;c.在带有加热电极图案的光刻胶掩膜板上溅射一层厚300nm的铜作为加热电极,完成MEMS芯片的制备。
步骤(3)传感器阵列的制备,取步骤(1)筛选出来的卟啉敏感材料的粉末于玛瑙研钵,加入松油醇机械研磨2~3小时,在显微镜下分别点涂在MEMS芯片的叉指电极区域上,避光干燥24h,真空干燥1~2小时,干燥温度为100~150℃;将涂覆完敏感材料的MEMS芯片固定在PCB板上,用导电胶连接PCB板与传感器芯片的对应电极,组成n×n的传感器阵列。
步骤(4)气体传感器模块的集成,利用3D打印技术制备尺寸为5cm×3cm×2mm的气体传感器集成模块的外壳装置,所述外壳装置内部涂黑,包括底座和顶盖两个部分,底座中间位置留有凹槽,用于放置传感器阵列,顶盖留有微型摄像头模组以及LED紫外激发灯放置位置,箱体留有入气口和出气口;将所制得的传感器阵列放入外壳装置底座的凹槽内,放置微型摄像头模组于顶盖中心处,使其位于传感器阵列的正上方位置,LED紫外激发灯放置于外壳装置的四角处,检查上下底盖之间的气密性,完成传感器模块的集成。
步骤(5)气体测试平台的搭建,将传感器集成模块的入气口与连接有气瓶的全自动动态配气仪相连,出气口与废气回收装置相连,传感器阵列的叉指电极端连接数据采集卡,数据采集卡与PC端相连,微型摄像机模组通过USB数据线与PC端相连,检查测试装置的密闭性。
步骤(6)打开LED紫外激发灯,通入待测VOCs气体,采集荧光传感器阵列反应前后的图像,提取前后图像的RGB值,判断VOCs气体种类。
步骤(7)打开数据采集系统,进行电信号采集,获得气体响应曲线,对应VOCs气体的浓度值。
步骤(8)不同的气体种类和浓度对应出不同的电信号变化值与图像RGB的变化值,共同判断出所通气体的种类和浓度。
进一步优选的,所述敏感材料含有:四苯基卟啉、四苯基卟啉锌、四苯基卟啉锰、四苯基卟啉钴、四苯基卟啉铁、四苯基卟啉铜等卟啉衍生物中的一种或多种。
优选的,所制备的叉指电极为圆形梳状结构,加热电极以蛇形穿插于叉指电极之间;叉指电极用于检测电信号,加热电极用于对敏感材料进行加热,起到提高材料与气体反应速率的作用。
优选的,所述LED紫外灯选用365nm~515nm的激发波长,用以激发出荧光传感阵列的荧光。
优选的,所述VOCs气体选择丙酮、三乙胺、甲苯和乙酸四种气体。
优选的,所述图像处理技术为:首先对采集到的反应前后两张图片通过归一化和消噪步骤进行预处理,再进行特征值提取,选取图像中传感器阵列各单元的位置和所对应的RGB的值作为特征值,计算出反应前后两幅图片中同一传感阵列位置的不同RGB变化值,即RGB差值,根据不同气体响应产生不同的RGB差值,对应出待测气体的种类。
优选的,所述电信号的采集和处理方法是利用所测气体的浓度值与输出电信号之间的对应关系,通过获得气体的响应曲线,利用采集到的表示待测气体浓度的电信号值对应出所测气体的浓度值。
总体而言,通过本发明所构成的以上技术方案与现有技术相比,能够取得以下有益效果:
(1)本发明设计的气体传感器阵列具有体积小、易于器件化、检测快速、选择性好的特点。
(2)所制备的传感器阵列可以同时检测两类变化,一是反应前后电信号的变化,二是图像荧光颜色的变化,两种变化相互结合判断,实现对VOCs气体的定性和定量测量,提高了检测结果的准确性。
附图说明
图1为本发明实施例中VOCs气体检测方法流程图;
图2为本发明实施例中所制备的单晶硅衬底示意图;
图3为本发明实施例中所制备的MEMS芯片示意图;
图4为本发明实施例中所制备的VOCs气体传感器阵列示意图;
图5为本发明实施例中VOCs气体传感器集成模块示意图;
图6为本发明实施例中VOCs气体传感器气体测试平台示意图;
附图标记:101-传感器阵列;102-COMS微型摄像头模组;103-LED紫外激发灯;104-入气孔;105-出气孔;1-气体传感器集成模块;2-气瓶;3-全自动动态配气仪;4-数据采集卡;5-PC端;6-废气回收装置。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式做进一步详细的描述,以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
本发明提供了一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法,具体实施方式如下:
一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法,所述气体传感器阵列由卟啉类衍生物与MEMS芯片复合制备而成,通过采集图像信号与电信号的变化来检测VOCs气体的种类和浓度,整个VOCs气体检测方法流程图如图1所示,所述方法按照以下步骤进行:
(1)敏感材料的筛选,将卟啉、四苯基卟啉、四苯基卟啉锌、四苯基卟啉铜、四苯基卟啉钴、四苯基卟啉铁六种材料粉末分别配置成溶液,分别与20ppm的丙酮、三乙胺、甲苯和乙酸四种气体反应,在365nm的LED紫外激发灯的照射下,根据反应前后敏感材料溶液的荧光颜色变化程度,筛选出四苯基卟啉、四苯基卟啉锌、四苯基卟啉铜、四苯基卟啉钴四种对四种气体敏感的卟啉材料。
(2)MEMS芯片的制备:a.选取尺寸为1mm×1mm×0.5mm的单晶硅片,利用紫外光刻技术在单晶硅片表面制备带有所需图案的光刻胶掩膜板,以30%浓度的氢氧化钠作为腐蚀液,60℃下以1μm/min的速率腐蚀60min,如图2所示,得到带有所需悬臂梁图形结构的单晶硅衬底;b.使用紫外光刻技术在腐蚀后的硅衬底表面制备带有叉指电极图案的光刻胶掩膜板,利用磁控溅射技术溅射一层厚300nm的银作为叉指电极;c.在带有加热电极图案的光刻胶掩膜板上溅射一层厚300nm的铜作为加热电极,图3为所制备的MEMS芯片。
(3)传感器阵列的制备,取(1)筛选出来的四种卟啉敏感材料的粉末于玛瑙研钵,加入松油醇机械研磨2小时,在显微镜下分别点涂在四个MEMS芯片的叉指电极区域上,避光干燥24h,真空干燥2小时,干燥温度为100℃;将涂覆完敏感材料的MEMS芯片固定在PCB板中间的四个方形位置处,PCB板尺寸为2cm×2cm,板上共有16个电极连接引脚,分别用导电胶与每个MEMS芯片的四个电极连接,组成2×2的传感器阵列,所制备的气体传感器阵列如图4所示。
(4)气体传感器模块的集成,气体传感器集成模块如图5所示,具体包括:101-传感器阵列;102-COMS微型摄像头模组;103-LED紫外激发灯;104-入气孔;105-出气孔;利用3D打印技术制备尺寸为5cm×3cm×2mm的气体传感器集成模块的外壳装置,所述外壳装置内部涂黑,包括底座和顶盖两个部分,底座中间位置留有凹槽,用于放置传感器阵列,顶盖留有微型摄像头模组以及LED紫外激发灯放置位置,壳体留有入气口和出气口;将所制得的传感器阵列放入外壳装置底座的凹槽内,放置COMS微型摄像头模组于顶盖中心处,使其位于传感器阵列的正上方位置,便于采集完整的传感器阵列图像;LED紫外激发灯放置于外壳装置的四角处,保证整个装置光线均匀;检查上下底盖之间的气密性,完成气体传感器模块的集成。
(5)气体测试平台的搭建,气体测试平台如图6所示,具体包括:1-气体传感器集成模块;2-气瓶;3-全自动动态配气仪;4-数据采集卡;5-PC端;6-废气回收装置,将传感器集成模块的入气口与连接有气瓶的全自动动态配气仪相连,出气口与废气回收装置相连,传感器阵列的叉指电极端连接数据采集卡,数据采集卡与PC端相连,微型摄像机模组通过USB数据线与PC端相连,检查测试装置的密闭性。
(6)打开LED紫外激发灯,通入待测VOCs气体,用氮气作为稀释气,利用全自动动态配气仪控制所通入气体的流量;微型摄像头模组采集荧光传感阵列反应前后的图像,传输至PC端,提取前后图像的RGB值,计算前后图像的RGB差值,判断VOCs气体种类。
(7)打开数据采集系统,进行电信号采集,通入不同浓度的待测气体获得不同的气体响应曲线,对应VOCs气体的浓度值。
(8)不同的气体种类和浓度对应出不同的电信号变化值与图像RGB的变化值,共同判断出所通气体的种类和浓度。
本实施例中所制备的叉指电极为圆形梳状结构,加热电极以蛇形穿插于叉指电极之间;叉指电极用于检测电信号,加热电极用于对敏感材料进行加热,起到提高材料与气体反应速率的作用。
本实施例中所述LED紫外灯选用365nm的激发波长,用以激发出荧光传感阵列的荧光。
本实施例中所述图像处理技术为:首先对采集到的反应前后两张图片通过归一化和消噪步骤进行预处理,再进行特征值提取,计算出反应前后两幅图片中同一传感阵列位置的不同RGB变化值,即反应前的RGB各自的值减去反应后RGB各自的值,选取四个传感器的位置与三个RGB的变化值作为作为特征值,即12(4×3)个特征值,利用12个特征值构建出不同气体种类和浓度的特征矩阵,对应出待测气体的种类。
本实施例中所述电信号的采集和处理方法是利用利用数据采集卡采集传感阵列的电信号的变化值,并输出气体的响应曲线,得到所测气体的浓度值与输出电信号之间的对应关系,将采集到的表示待测气体浓度的电信号值对应出所测气体的浓度值。
申请人申明:凡是对本发明技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,均应涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (4)
1.一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法,其特征在于,所述气体传感器阵列由卟啉类衍生物与MEMS芯片复合制备而成,所述传感器阵列与VOCs气体反应后,在365nm的LED紫外灯激发下,传感器阵列上敏感材料产生荧光颜色的变化,利用图像处理技术提取各传感单元对应位置上RGB的变化值,判断VOCs气体的种类;MEMS芯片叉指电极两端产生电信号的变化,利用此变化获得气体的响应曲线,判断出VOCs气体的浓度值;结合在同一传感器阵列上采集到的RGB的变化以及电信号的变化,共同判断待测气体的种类和浓度,包括如下步骤:
步骤(1)敏感材料的筛选,将卟啉类衍生物粉末配置成溶液,与不同种类和浓度的VOCs气体反应,根据反应前后敏感材料溶液的荧光颜色变化程度,筛选出对VOCs气体敏感的卟啉材料;
步骤(2)MEMS芯片的制备:a.选取尺寸为1mm×1mm×0.5mm的单晶硅片,利用紫外光刻技术在单晶硅片表面制备带有所需图案的光刻胶掩膜板,以30%浓度的氢氧化钠作为腐蚀液,60℃下以1μm/min的速率腐蚀60min,得到带有所需悬臂梁图形结构的单晶硅衬底;b.使用紫外光刻技术在腐蚀后的硅衬底表面制备带有叉指电极图案的光刻胶掩膜板,利用磁控溅射技术溅射一层厚300nm的银作为叉指电极;c.在带有加热电极图案的光刻胶掩膜板上溅射一层厚300nm的铜作为加热电极,完成MEMS芯片的制备;
步骤(3)传感器阵列的制备,取步骤(1)筛选出来的卟啉敏感材料的粉末于玛瑙研钵,加入松油醇机械研磨2~3小时,在显微镜下分别点涂在MEMS芯片的叉指电极区域上,避光干燥24h,真空干燥1~2小时,干燥温度为100~150℃;将涂覆完敏感材料的MEMS芯片固定在PCB板上,用导电胶连接PCB板与传感器芯片的对应电极,组成n×n的传感器阵列;
步骤(4)气体传感器模块的集成,利用3D打印技术制备尺寸为5cm×3cm×2mm的气体传感器集成模块的外壳装置,所述外壳装置内部涂黑,包括底座和顶盖两个部分,底座中间位置留有凹槽,用于放置传感器阵列,顶盖留有微型摄像头模组以及LED紫外激发灯的放置位置,箱体留有入气口和出气口;将所制得的传感器阵列放入外壳装置底座的凹槽内,放置微型摄像头模组于顶盖中心处,使其位于传感器阵列的正上方位置,LED紫外激发灯放置于外壳装置的四角处,检查上下底盖之间的气密性,完成传感器模块的集成;
步骤(5)气体测试平台的搭建,将传感器集成模块的入气口与连接有气瓶的全自动动态配气仪相连,出气口与废气回收装置相连,传感器阵列的叉指电极端连接数据采集卡,数据采集卡与PC端相连,微型摄像机模组通过USB数据线与PC端相连,检查测试装置的密闭性;
步骤(6)打开LED紫外激发灯,通入待测VOCs气体,采集荧光传感器阵列反应前后的图像,对采集到的反应前后两张图片通过归一化和消噪步骤进行预处理,再进行特征值提取,选取图像中传感器阵列各单元的位置和所对应的RGB的值作为特征值,计算出反应前后两幅图片中同一传感阵列位置的不同RGB变化值,即RGB差值,根据不同气体响应产生不同的RGB差值,对应出待测气体的种类;
步骤(7)打开数据采集系统,进行电信号采集,利用所测气体的浓度值与输出电信号之间的对应关系,获得气体的响应曲线,利用采集到的表示待测气体浓度的电信号值对应出所测气体的浓度值;
步骤(8)不同的气体种类和浓度对应出不同的电信号变化值与图像RGB的变化值,共同判断出所通气体的种类和浓度。
2.根据权利要求1所述的一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法,其特征在于,所述敏感材料含有:卟啉、四苯基卟啉、四苯基卟啉锌、四苯基卟啉锰、四苯基卟啉钴、四苯基卟啉铁、四苯基卟啉铜卟啉衍生物中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法,其特征在于,所制备的叉指电极为圆形梳状结构,加热电极以蛇形穿插于叉指电极之间;叉指电极用于检测电信号,加热电极用于对敏感材料进行加热,起到提高材料与气体反应速率的作用。
4.根据权利要求1所述的一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法,其特征在于,所述VOCs气体选择丙酮、三乙胺、甲苯和乙酸四种气体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110392178.5A CN113109308B (zh) | 2021-04-13 | 2021-04-13 | 一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110392178.5A CN113109308B (zh) | 2021-04-13 | 2021-04-13 | 一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113109308A CN113109308A (zh) | 2021-07-13 |
CN113109308B true CN113109308B (zh) | 2022-09-30 |
Family
ID=76716101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110392178.5A Expired - Fee Related CN113109308B (zh) | 2021-04-13 | 2021-04-13 | 一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113109308B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114778617A (zh) * | 2022-05-13 | 2022-07-22 | 安徽维纳物联科技有限公司 | 一种超灵敏MEMS VOCs气体传感器的制备方法及使用的微型移印装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102735712A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-17 | 电子科技大学 | 一种基于微井的气体传感器阵列及其制作方法 |
CN104698039A (zh) * | 2015-03-26 | 2015-06-10 | 哈尔滨理工大学 | 一种AlN陶瓷基热隔离结构四单元阵列气体传感器及其制作方法 |
CN106433618A (zh) * | 2016-09-21 | 2017-02-22 | 天津工业大学 | 一种荧光比色化学传感器的制备方法及其在气体检测中的应用 |
WO2018182481A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Innoscentia Ab | Sensing materials, method for making functional devices and applications thereof |
CN109406500A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-01 | 江苏大学 | 一种基于嗅觉可视化阵列的腊肠快速分级方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101169207B1 (ko) * | 2009-07-16 | 2012-07-26 | 한국과학기술연구원 | 혼합 가스의 성분 검출 장치 및 방법 |
-
2021
- 2021-04-13 CN CN202110392178.5A patent/CN113109308B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102735712A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-17 | 电子科技大学 | 一种基于微井的气体传感器阵列及其制作方法 |
CN104698039A (zh) * | 2015-03-26 | 2015-06-10 | 哈尔滨理工大学 | 一种AlN陶瓷基热隔离结构四单元阵列气体传感器及其制作方法 |
CN106433618A (zh) * | 2016-09-21 | 2017-02-22 | 天津工业大学 | 一种荧光比色化学传感器的制备方法及其在气体检测中的应用 |
WO2018182481A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | Innoscentia Ab | Sensing materials, method for making functional devices and applications thereof |
CN109406500A (zh) * | 2018-09-30 | 2019-03-01 | 江苏大学 | 一种基于嗅觉可视化阵列的腊肠快速分级方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
用于食品气味快速检测的可视传感器特性研究;黄星奕等;《传感技术学报》;20090720;第22卷(第07期);913-917 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113109308A (zh) | 2021-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113109308B (zh) | 一种VOCs气体传感器阵列的制备及检测方法 | |
CN105548106B (zh) | 一种原位同步获取水体、土壤或沉积物中活性磷和溶解氧二维分布的方法 | |
CN106833628B (zh) | 表面修饰的碳纳米点的制备方法和作为荧光探针检测Cu2+及谷胱甘肽的应用 | |
CN107315003A (zh) | 一种尿检试纸反应色分析方法 | |
CN110530965A (zh) | 一种硅纳米线阵列芯片检测细胞代谢物、脂质的方法 | |
CN108344723B (zh) | 一种湿地土壤的原位同步监测方法 | |
IL294049A (en) | Portable instruments for chemical analysis and methods | |
CN202916200U (zh) | 医用荧光定量分析仪 | |
Huang et al. | An optical-fiber sensor based on time-gated fluorescence for detecting water content in organic solvents | |
CN108514899A (zh) | 一种用于污染物痕量金属快速检测的纸基微流控芯片系统 | |
CN104007081A (zh) | 气体检测装置及系统和气体检测方法 | |
CN113324966B (zh) | 一种菊花产地鉴别方法 | |
CN109342414B (zh) | 一种可视化传感阵列芯片及其制备方法 | |
CN108586382B (zh) | 一种希夫碱化合物及其制备和在铜离子检测中的应用 | |
CN1327225C (zh) | 一种用于免疫学分析的蛋白质芯片的制备方法 | |
CN111122531B (zh) | 一种可视化识别多种有机溶剂的比率荧光传感方法 | |
TW200822697A (en) | Method for aligning color filters to a back-illuminated imaging array | |
CN109776519B (zh) | 一种7-硝基-1,2,3-苯并恶二唑衍生物及其合成方法和应用 | |
CN101408514B (zh) | 基于气体放电光谱分析的气体传感器及其检测气体的方法 | |
CN116678858A (zh) | 一种基于比率型荧光试纸片检测草甘膦的方法 | |
CN114166808B (zh) | 可视化定量检测Vc含量的方法及便携式智能传感系统 | |
US6362005B1 (en) | Nitrogen dioxide gas sensing method, nitrogen dioxide gas sensor element, and nitrogen dioxide gas sensor using the same | |
CN109358196A (zh) | 一种检测肺癌的双通道呼气分析系统 | |
CN114486824B (zh) | 一种模拟pH变化的面向土壤系统的高分辨技术耦合的重金属原位表征系统 | |
CN109738411B (zh) | 一种基于量子点荧光猝灭的仿生阵列传感器及其应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20220930 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |