CN113098543B - 一种二线制复用电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种二线制复用电路,涉及通讯电路的技术领域。包括磁耦隔离电路、第一通信电路和第二通信电路,磁耦隔离电路的输出端与第一通信电路的输入端连接,第一通信电路的输出端与第二通信电路的输入端连接。无需发送或接收控制转换信号线,节省了输出或输入接口,节约了成本,提高了数据传输效率。

Description

一种二线制复用电路
技术领域
本发明涉及通讯电路的技术领域,具体而言,涉及一种二线制复用电路。
背景技术
通讯电路有多种形式,其中,一种为全隔离的通讯方案,其通讯方式采用的是全双工的方式,与之相匹配的通讯协议和标准无法与目前广泛应用的总线式的协议和标准相匹配。另外在实际使用时,出现过主控板与电源板通讯线过长造成通讯受到干扰的情况,隔离效果不理想。另一种为总线式通讯电路,可以挂载多个电脑板,但是由于挂载多个电路板,其I/O接口的需求便会增多,从而使得电路资源不能够充分利用,故由此需要一种更为简洁方便的通讯电路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种二线制复用电路,其无需发送或接收控制转换信号线,节省了输出或输入接口,节约了成本,提高了数据传输效率。
本发明的实施例是这样实现的:
本申请实施例提供一种二线制复用电路,其包括磁耦隔离电路、第一通信电路和第二通信电路,磁耦隔离电路的输出端与第一通信电路的输入端连接,第一通信电路的输出端与第二通信电路的输入端连接。
在本发明的一些实施例中,磁耦隔离电路包括NSI8121N1芯片,NSI8121N1芯片的VDD1端、VDD2端分别与外接电源连接,NSI8121N1芯片的VIA端、VOB端分别与第一通信模块的输入端连接。
在本发明的一些实施例中,第一通信电路包括逻辑控制电路和485通信模块,逻辑控制电路的输入端与NSI8121N1芯片的VIA端连接,逻辑控制电路的输出端与485通信模块的第一输入端连接,485通信模块的第二输入端与NSI8121N1芯片的VOB端连接。
在本发明的一些实施例中,逻辑控制电路包括74HC1G08芯片,74HC1G08芯片的Y端与NSI8121N1芯片的VIA端连接,74HC1G08芯片的A端与485通信模块的第一输入端连接。
在本发明的一些实施例中,485通信模块包括SN75LBC184DR芯片、电容C1、电阻R6、电阻R7、电阻R8、三极管Q1、电阻R9、电阻R10、电阻R13、贴片二极管TVS1、贴片二极管TVS2、贴片二极管TVS3、贴片自恢复保险丝JP1和贴片自恢复保险丝JP2,SN75LBC184DR芯片的RO端与电阻R8的一端连接,电阻R8的另一端与74HC1G08芯片的A端连接,SN75LBC184DR芯片的RE端与电阻R6的一端连接,电阻R6的另一端与外接电源连接,SN75LBC184DR芯片的DE端与SN75LBC184DR芯片的RE端连接,SN75LBC184DR芯片的DI端与三极管Q1的发射端连接,三极管Q1的基极与电阻R7的一端连接,电阻R7的另一端与NSI8121N1芯片的VOB端连接,三极管Q1的集电极与SN75LBC184DR芯片的RE端连接,SN75LBC184DR芯片的VCC端分别与电容C1的一端、外接电源连接,电容C1的另一端接地;SN75LBC184DR芯片的A/Y端与贴片自恢复保险丝JP1的输入端连接,贴片自恢复保险丝JP1的输出端与第二通信电路的输入端连接,电阻R9的一端与SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,电阻R9的另一端与外接电源连接,电阻R13的一端与SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,电阻R13的另一端与SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,SN75LBC184DR芯片的B/Z端与贴片自恢复保险丝JP2的输入端连接,贴片自恢复保险丝JP2的输出端与第二通信电路的输入端连接,贴片二极管TVS1一端与SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,贴片二极管TVS1的另一端与SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,贴片二极管TVS2的一端与SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,贴片二极管TVS2的另一端接地,贴片二极管TVS3的一端与SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,贴片二极管TVS3的另一端接地。
在本发明的一些实施例中,第二通信电路包括SP3232EEY芯片、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、贴片二极管TVS4和贴片二极管TVS5,SP3232EEY芯片的T1IN端与NSI8121N1芯片的VOB端连接,SP3232EEY芯片的R1OUT端与74HC1G08的B端连接,SP3232EEY芯片的C1+端与电容C2的一端连接,电容C2的另一端与SP3232EEY芯片的C1-端连接,SP3232EEY芯片的V-端与电容C3的一端连接,电容C3的另一端与接地;SP3232EEY芯片的T1OUT端与贴片自恢复保险丝JP1的输出端连接,贴片二极管TVS4的一端与SP3232EEY芯片的T1OUT端连接,贴片二极管TVS4的另一端接地;SP3232EEY芯片的R1IN端与贴片自恢复保险丝JP2的输出端连接,贴片二极管TVS5的一端与SP3232EEY芯片的R1IN端连接,贴片二极管TVS5的另一端接地,SP3232EEY芯片的C2+端与电容C4的一端连接,电容C4的另一端与SP3232EEY芯片的C2-端连接,SP3232EEY芯片的VCC端与外接电源连接,电容C6的一端与SP3232EEY芯片的VCC端连接,电容C6的另一端接地;SP3232EEY芯片的V+端与电容C5的一端连接,电容C5的另一端接地。
在本发明的一些实施例中,还包括通信电源隔离电路,通信电源隔离电路的输出端与SN75LBC184DR芯片的VCC端连接,通信电源隔离电路的输入端与外接电源连接。
在本发明的一些实施例中,通信电源隔离电路包括电源转换芯片TPK0505、第一滤波电路和第二滤波电路,第一滤波电路的输入端与外接电源连接,第一滤波电路的输出端与电源转换芯片TPK0505的输入端连接,电源转换芯片TPK0505的输出端与第二滤波电路的输入端连接,第二滤波电路的输出端与SN75LBC184DR芯片的VCC端连接。
在本发明的一些实施例中,第一滤波电路包括贴片二极管TVS6、电解电容C11、电容C10和电阻R14,电阻R14一端与外接电源连接,电阻R14的另一端与电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,贴片二极管TVS6的一端与电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,贴片二极管TVS6的另一端接地,电解电容C11的一端与电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,电解电容C11的另一端接地,电容C10的一端与电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,电容C10的另一端接地。
在本发明的一些实施例中,第二滤波电路包括电容C7、电容C8、电容C9和电阻R15,电阻R15的一端与电源转换芯片TPK0505的IVO端连接,电阻R15的另一端与SN75LBC184DR的VCC端连接,电容C7的一端与SN75LBC184DR的VCC端连接,电容C7的另一端接地,电容C8、电容C9分别与电容C7并联。
相对于现有技术,本发明的实施例至少具有如下优点或有益效果:
一种二线制复用电路,包括磁耦隔离电路、第一通信电路和第二通信电路,磁耦隔离电路的输出端与第一通信电路的输入端连接,第一通信电路的输出端与第二通信电路的输入端连接。
为避免电流直接从某一区域流到另外一区域故设置隔离电路,其目的在于处理通信子系统之间的接地电位差,以及提高抗噪能力,从而确保信号在不同电压层级传导中的安全和可靠。另外设置第一通信电路和第二通信电路的目的在于,通过跳线选择和逻辑电路选择可以完成第一通信电路和第二通信电路自由切换,从而节约一个控制信号,且对于多路通信电路来说,更加能节约IO口资源,在提高了性能的情况下还节约了成本。另外采用磁耦合隔离,相比于光电耦合,提高了数据收发的速率,提高了高低温时的通信稳定性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明一种二线制复用电路的结构框图;
图2为本发明中磁耦隔离电路的电路原理图;
图3为本发明中第一通信电路的电路原理图;
图4为本发明中第二通信电路的电路原理图;
图5为本发明中通信电源隔离电路的电路原理图。
图标:1、磁耦隔离电路;2、第一通信电路;21、逻辑控制电路;22、485通信模块;3、第二通信电路;4、通信电源隔离电路;41、第一滤波电路;42、第二滤波电路。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时,在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
在本申请的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面结合附图,对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下,下述的各个实施例及实施例中的各个特征可以相互组合。
实施例
请参阅图1,图1所示为本申请实施例提供的一种二线制复用电路,包括磁耦隔离电路1、第一通信电路2和第二通信电路3,磁耦隔离电路1的输出端与第一通信电路2的输入端连接,第一通信电路2的输出端与第二通信电路3的输入端连接。
在本发明的一些实施例中,为避免电流直接从某一区域流到另外一区域故设置隔离电路,其目的在于处理通信子系统之间的接地电位差,以及提高抗噪能力,从而确保信号在不同电压层级传导中的安全和可靠。另外设置第一通信电路2和第二通信电路3的目的在于,通过跳线选择和逻辑电路选择可以完成第一通信电路2和第二通信电路3自由切换,从而节约一个控制信号,且对于多路通信电路来说,更加能节约IO口资源,在提高了性能的情况下还节约了成本。另外采用磁耦合隔离,相比于光电耦合,提高了数据收发的速率,提高了高低温时的通信稳定性。
请参阅图2,在本发明的一些实施例中,磁耦隔离电路1包括NSI8121N1芯片,NSI8121N1芯片的VDD1端、VDD2端分别与外接电源连接,NSI8121N1芯片的VIA端、VOB端分别与第一通信模块的输入端连接。
在本发明的一些实施例中,磁耦隔离电路1中的芯片采用NSI8121N1的目的在于,该芯片为国产纳芯微的隔离芯片,其速率为500K,且为SOIC-8封装,成本较低,稳定性强,且由于采用了高速的iCOMS工艺,因此在功耗、体积、集成度、速度等各方面都优于光耦等其他隔离电子元器件;由此经上述连接后,可以有效的避免损坏设备或发生危害人员的潜在电流浪涌,提高了安全性。
请参阅图3,在本发明的一些实施例中,第一通信电路2包括逻辑控制电路21和485通信模块22,逻辑控制电路21的输入端与NSI8121N1芯片的VIA端连接,逻辑控制电路21的输出端与485通信模块22的第一输入端连接,485通信模块22的第二输入端与NSI8121N1芯片的VOB端连接。
在本发明的一些实施例中,设置逻辑控制电路21的目的在于,对数据进行判断和识别,其目的在于,对连接好的电路利用或门对第一通信电路2和第二通信电路3进行选择,使得同一种配置时只可能有一个接收信号,由此达到第一通信电路2和第二通信电路3进行切换,且互不影响,从而提高了稳定性。
请参阅图3,在本发明的一些实施例中,逻辑控制电路21包括74HC1G08芯片,74HC1G08芯片的Y端与NSI8121N1芯片的VIA端连接,74HC1G08芯片的A端与485通信模块22的第一输入端连接。
在本发明的一些实施例中,本设计采用的芯片型号为74HC1G08,其设计的目的在于74HC1G08芯片能够进行信息格式的转换,例如串行和并行的转换;能够协调芯片和外设两者在信息的类型和电平的差异,如电平转换、数/模或模/数转换等等。使得第一通信电路2和第二通信电路3可以根据信号的不同进行自由转换,从而达到通过跳线选择和逻辑电路选择可以完成第一通信电路2和第二通信电路3自由切换,由此节约一个控制信号,节约IO口资源,节约了成本,提高了实用性。
请参阅图3,在本发明的一些实施例中,485通信模块22包括SN75LBC184DR芯片、电容C1、电阻R6、电阻R7、电阻R8、三极管Q1、电阻R9、电阻R10、电阻R13、贴片二极管TVS1、贴片二极管TVS2、贴片二极管TVS3、贴片自恢复保险丝JP1和贴片自恢复保险丝JP2,SN75LBC184DR芯片的RO端与电阻R8的一端连接,电阻R8的另一端与74HC1G08芯片的A端连接,SN75LBC184DR芯片的RE端与电阻R6的一端连接,电阻R6的另一端与外接电源连接,SN75LBC184DR芯片的DE端与SN75LBC184DR芯片的RE端连接,SN75LBC184DR芯片的DI端与三极管Q1的发射端连接,三极管Q1的基极与电阻R7的一端连接,电阻R7的另一端与NSI8121N1芯片的VOB端连接,三极管Q1的集电极与SN75LBC184DR芯片的RE端连接,SN75LBC184DR芯片的VCC端分别与电容C1的一端、外接电源连接,电容C1的另一端接地;SN75LBC184DR芯片的A/Y端与贴片自恢复保险丝JP1的输入端连接,贴片自恢复保险丝JP1的输出端与第二通信电路3的输入端连接,电阻R9的一端与SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,电阻R9的另一端与外接电源连接,电阻R13的一端与SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,电阻R13的另一端与SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,SN75LBC184DR芯片的B/Z端与贴片自恢复保险丝JP2的输入端连接,贴片自恢复保险丝JP2的输出端与第二通信电路3的输入端连接,贴片二极管TVS1一端与SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,贴片二极管TVS1的另一端与SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,贴片二极管TVS2的一端与SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,贴片二极管TVS2的另一端接地,贴片二极管TVS3的一端与SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,贴片二极管TVS3的另一端接地。
在本发明的一些实施例中,485通信模块22采用SN75LBC184DR芯片,其目的在于利用SN75LBC184DR芯片的通信串口将数据进行转换,进行数据传输,节约了成本;当数据发送时,输入信号为0时,三极管Q1不导通,SN75LBC184DR芯片的DE接高电平,进入发送模式,SN75LBC184DR芯片会把DI上的电平反应到AB引脚上输出,因为DI已经接地,所以AB引脚会传输0。所以当输入信号为0时,AB引脚会传输0。当输入信号为1时,三极管导通,RE接到低电平,进入接收模式,SN75LBC184DR芯片的AB引脚进入高阻状态,由此电阻R9把A电位拉高,电阻R10把B电位拉低,所以AB传输的是1,所以当输入信号为1时,AB引脚发送1。同时利用跳线帽将贴片自恢复保险丝JP1和贴片自恢复保险丝JP2跳到1、2两脚接通时,为第一通信电路2;当用跳线帽将贴片自恢复保险丝JP1和贴片自恢复保险丝JP2跳到2、3两脚接通时,为第二通信电路3。由此完成第一通信电路2和第二通信电路3之间的转换。
请参阅图4,在本发明的一些实施例中,第二通信电路3包括SP3232EEY芯片、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、贴片二极管TVS4和贴片二极管TVS5,SP3232EEY芯片的T1IN端与NSI8121N1芯片的VOB端连接,SP3232EEY芯片的R1OUT端与74HC1G08的B端连接,SP3232EEY芯片的C1+端与电容C2的一端连接,电容C2的另一端与SP3232EEY芯片的C1-端连接,SP3232EEY芯片的V-端与电容C3的一端连接,电容C3的另一端与接地;SP3232EEY芯片的T1OUT端与贴片自恢复保险丝JP1的输出端连接,贴片二极管TVS4的一端与SP3232EEY芯片的T1OUT端连接,贴片二极管TVS4的另一端接地;SP3232EEY芯片的R1IN端与贴片自恢复保险丝JP2的输出端连接,贴片二极管TVS5的一端与SP3232EEY芯片的R1IN端连接,贴片二极管TVS5的另一端接地,SP3232EEY芯片的C2+端与电容C4的一端连接,电容C4的另一端与SP3232EEY芯片的C2-端连接,SP3232EEY芯片的VCC端与外接电源连接,电容C6的一端与SP3232EEY芯片的VCC端连接,电容C6的另一端接地;SP3232EEY芯片的V+端与电容C5的一端连接,电容C5的另一端接地。
在本发明的一些实施例中,第二通信电路3采用SP3232EEY芯片,其设计目的在于使得电平进行转换,从而使得电路运行平稳。且设置电容C2和电容C4的目的在于防止SP3232EEY芯片电压发生突变,由此保证电路中电压稳定,避免芯片受损,提高了芯片的使用寿命。同时还设置贴片二极管TVS4和贴片二极管TVS5,其设置目的在于当电路中受到反向瞬态高能量冲击时,贴片二极管TVS4和贴片二极管TVS5会以较高的速度将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,从而有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏,提高了安全性。
请参阅图5,在本发明的一些实施例中,还包括通信电源隔离电路4,通信电源隔离电路4的输出端与SN75LBC184DR芯片的VCC端连接,通信电源隔离电路4的输入端与外接电源连接。
在本发明的一些实施例中,设置通信电源隔离电路4的目的在于,对电子元器件进行强电弱电隔离、浪涌隔离保护和雷电隔离保护,从而有效的保护内部其他电子元器件被外界影响,从而增加了信号传输的准确性。同时通信电源隔离电路4还起到短路保护、过压保护、欠压保护和过流保护的作用,提高了安全性。
请参阅图5,在本发明的一些实施例中,通信电源隔离电路4包括电源转换芯片TPK0505、第一滤波电路41和第二滤波电路42,第一滤波电路41的输入端与外接电源连接,第一滤波电路41的输出端与电源转换芯片TPK0505的输入端连接,电源转换芯片TPK0505的输出端与第二滤波电路42的输入端连接,第二滤波电路42的输出端与SN75LBC184DR芯片的VCC端连接。
在本发明的一些实施例中,在隔离电路设置第一滤波电路41和第二滤波电路42的目的为,滤去整流输出电压中的纹波,由此尽可能减小脉动的直流电压中的交流成分,保留其直流成分,使输出电压纹波系数降低,波形变得比较平滑,从而减小电路信号波动对信号的影响。
请参阅图5,在本发明的一些实施例中,第一滤波电路41包括贴片二极管TVS6、电解电容C11、电容C10和电阻R14,电阻R14一端与外接电源连接,电阻R14的另一端与电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,贴片二极管TVS6的一端与电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,贴片二极管TVS6的另一端接地,电解电容C11的一端与电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,电解电容C11的另一端接地,电容C10的一端与电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,电容C10的另一端接地。
在本发明的一些实施例中,第一滤波电路41采用复式滤波电路,利用电阻R14使得电压平稳,同时起到过流保护的作用;而采用电解电容C11、电容C10的目的在于整个电路将交流变成脉动的直流,而在整流电路之后接入一个较大容量的电解电容,利用其充放电特性,使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压。在实际中,为了防止电路各部分供电电压因负载变化而产生变化,所以在电源的输出端及负载的电源输入端一般接有数十至数百微法的电解电容.由于大容量的电解电容一般具有一定的电感,对高频及脉冲干扰信号不能有效地滤除,故在其两端并联了一只容量较小的电容,以滤除高频及脉冲干扰。设置贴片二极管TVS6的目的在于当电路中受到反向瞬态高能量冲击时,贴片二极管TVS6会以较高的速度将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,从而有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏,由此既对电压进行过滤又提高了安全性。
请参阅图5,在本发明的一些实施例中,第二滤波电路42包括电容C7、电容C8、电容C9和电阻R15,电阻R15的一端与电源转换芯片TPK0505的IVO端连接,电阻R15的另一端与SN75LBC184DR的VCC端连接,电容C7的一端与SN75LBC184DR的VCC端连接,电容C7的另一端接地,电容C8、电容C9分别与电容C7并联。
在本发明的一些实施例中,第二滤波电路42主要除了滤波的作用,其中电容C7、电容C8和电容C9相互之间并联,可以防止趋附效应,并且可以提高滤波电路的可靠性,增加电容的使用寿命。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
对于本领域技术人员而言,显然本申请不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下,能够以其它的具体形式实现本申请。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

Claims (6)

1.一种二线制复用电路,其特征在于,包括磁耦隔离电路、第一通信电路和第二通信电路,所述磁耦隔离电路的输出端与所述第一通信电路的输入端连接,所述第一通信电路的输出端与所述第二通信电路的输入端连接;所述磁耦隔离电路包括NSI8121N1芯片,所述NSI8121N1芯片的VDD1端、VDD2端分别与外接电源连接,所述NSI8121N1芯片的VIA端、VOB端分别与所述第一通信电路 的输入端连接;所述第一通信电路包括逻辑控制电路和485通信模块,所述逻辑控制电路的输入端与所述NSI8121N1芯片的VIA端连接,所述逻辑控制电路的输出端与所述485通信模块的第一输入端连接,所述485通信模块的第二输入端与所述NSI8121N1芯片的VOB端连接;所述逻辑控制电路包括74HC1G08芯片,所述74HC1G08芯片的Y端与所述NSI8121N1芯片的VIA端连接,所述74HC1G08芯片的A端与所述485通信模块的第一输入端连接;所述485通信模块包括SN75LBC184DR芯片、电容C1、电阻R6、电阻R7、电阻R8、三极管Q1、电阻R9、电阻R10、电阻R13、贴片二极管TVS1、贴片二极管TVS2、贴片二极管TVS3、贴片自恢复保险丝JP1和贴片自恢复保险丝JP2,所述SN75LBC184DR芯片的RO端与所述电阻R8的一端连接,所述电阻R8的另一端与所述74HC1G08芯片的A端连接,所述SN75LBC184DR芯片的RE端与所述电阻R6的一端连接,所述电阻R6的另一端与外接电源连接,所述SN75LBC184DR芯片的DE端与所述SN75LBC184DR芯片的RE端连接,所述SN75LBC184DR芯片的DI端与所述三极管Q1的发射端连接,所述三极管Q1的基极与所述电阻R7的一端连接,所述电阻R7的另一端与所述NSI8121N1芯片的VOB端连接,所述三极管Q1的集电极与所述SN75LBC184DR芯片的RE端连接,所述SN75LBC184DR芯片的VCC端分别与电容C1的一端、外接电源连接,所述电容C1的另一端接地;所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端与所述贴片自恢复保险丝JP1的输入端连接,所述贴片自恢复保险丝JP1的输出端与所述第二通信电路的输入端连接,所述电阻R9的一端与所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,所述电阻R9的另一端与外接电源连接,所述电阻R13的一端与所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,所述电阻R13的另一端与所述SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,所述SN75LBC184DR芯片的B/Z端与所述贴片自恢复保险丝JP2的输入端连接,所述贴片自恢复保险丝JP2的输出端与所述第二通信电路的输入端连接,所述贴片二极管TVS1一端与所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,所述贴片二极管TVS1的另一端与所述SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,所述贴片二极管TVS2的一端与所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,所述贴片二极管TVS2的另一端接地,所述贴片二极管TVS3的一端与所述SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,所述贴片二极管TVS3的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的二线制复用电路,其特征在于,所述第二通信电路包括SP3232EEY芯片、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、贴片二极管TVS4和贴片二极管TVS5,所述SP3232EEY芯片的T1IN端与所述NSI8121N1芯片的VOB端连接,所述SP3232EEY芯片的R1OUT端与所述74HC1G08芯片 的B端连接,所述SP3232EEY芯片的C1+端与所述电容C2的一端连接,所述电容C2的另一端与所述SP3232EEY芯片的C1-端连接,所述SP3232EEY芯片的V-端与所述电容C3的一端连接,所述电容C3的另一端与接地;所述SP3232EEY芯片的T1OUT端与所述贴片自恢复保险丝JP1的输出端连接,所述贴片二极管TVS4的一端与所述SP3232EEY芯片的T1OUT端连接,所述贴片二极管TVS4的另一端接地;所述SP3232EEY芯片的R1IN端与所述贴片自恢复保险丝JP2的输出端连接,所述贴片二极管TVS5的一端与所述SP3232EEY芯片的R1IN端连接,所述贴片二极管TVS5的另一端接地,所述SP3232EEY芯片的C2+端与所述电容C4的一端连接,所述电容C4的另一端与所述SP3232EEY芯片的C2-端连接,所述SP3232EEY芯片的VCC端与外接电源连接,所述电容C6的一端与所述SP3232EEY芯片的VCC端连接,所述电容C6的另一端接地;所述SP3232EEY芯片的V+端与所述电容C5的一端连接,所述电容C5的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的二线制复用电路,其特征在于,还包括通信电源隔离电路,所述通信电源隔离电路的输出端与所述SN75LBC184DR芯片的VCC端连接,所述通信电源隔离电路的输入端与外接电源连接。
4.根据权利要求3所述的二线制复用电路,其特征在于,所述通信电源隔离电路包括电源转换芯片TPK0505、第一滤波电路和第二滤波电路,所述第一滤波电路的输入端与外接电源连接,所述第一滤波电路的输出端与所述电源转换芯片TPK0505的输入端连接,所述电源转换芯片TPK0505的输出端与所述第二滤波电路的输入端连接,所述第二滤波电路的输出端与所述SN75LBC184DR芯片的VCC端连接。
5.根据权利要求4所述的二线制复用电路,其特征在于,所述第一滤波电路包括贴片二极管TVS6、电解电容C11、电容C10和电阻R14,所述电阻R14一端与外接电源连接,所述电阻R14的另一端与所述电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,所述贴片二极管TVS6的一端与所述电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,所述贴片二极管TVS6的另一端接地,所述电解电容C11的一端与所述电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,所述电解电容C11的另一端接地,所述电容C10的一端与所述电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,所述电容C10的另一端接地。
6.根据权利要求5所述的二线制复用电路,其特征在于,所述第二滤波电路包括电容C7、电容C8、电容C9和电阻R15,所述电阻R15的一端与所述电源转换芯片TPK0505的IVO端连接,所述电阻R15的另一端与所述SN75LBC184DR芯片 的VCC端连接,所述电容C7的一端与所述SN75LBC184DR芯片 的VCC端连接,所述电容C7的另一端接地,所述电容C8、电容C9分别与所述电容C7并联。
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