CN113078145B - 一种阵列式发光二极管器件及其制作方法 - Google Patents
一种阵列式发光二极管器件及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113078145B CN113078145B CN202110343349.5A CN202110343349A CN113078145B CN 113078145 B CN113078145 B CN 113078145B CN 202110343349 A CN202110343349 A CN 202110343349A CN 113078145 B CN113078145 B CN 113078145B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- layer
- emitting diode
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 114
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 133
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 9
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 11
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 abstract description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/90—Methods of manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种阵列式发光二极管器件及其制作方法，将第一类电极引线和第二类电极引线制作于电极背离衬底一侧，使得第一类电极引线和第二类电极引线无需经过发光二极管的侧壁处，进而降低了阵列式发光二极管器件的制作难度，且改善了电极引线容易断裂的情况；同时能够避免了电极引线吸收发光二极管的侧壁出光问题，提高了光效测试准确性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，更为具体地说，涉及一种阵列式发光二极管器件及其制作方法。
背景技术
由于石油能源危机的到来，发展更高效率更省电的电子与照明设备越来越受到重视，在此趋势之下具有省电、环保无污染、寿命长、亮度高、反应快、体积小、高发光效率等优点的发光二极管（Light-Emitting Diode，LED）组件渐渐在照明产业中露出头角，应用范围遍及于日常生活中。发光二极管的类型众多，Micro-LED即为其中之一。
Micro-LED发光器件具有自发光、厚度薄、高效率、高亮度、高解析度、反应时间快等优势，被越来越多的应用到各种照明领域中。由于Micro-LED发光器件的尺寸非常小，对于单个Micro-LED发光器件进行测试较为困难，故而需要以Micro-LED阵列方式对其进行测试。Micro-LED阵列中需要通过电极引线将不同Micro-LED发光器件相连，现有电极引线设置于Micro-LED器件的侧壁处，由于Micro-LED器件的侧壁较为陡直，将电极引线形成于Micro-LED器件的侧壁处使得制备难度大且容易出现断裂的情况；并且电极引线设置于Micro-LED器件的侧壁处会吸收其侧壁出光而影响光效。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种阵列式发光二极管器件及其制作方法，有效解决了现有技术存在的技术问题，降低了阵列式发光二极管器件的制作难度，且改善了电极引线容易断裂的情况；同时能够避免了电极引线吸收发光二极管的侧壁出光问题，提高了光效测试准确性。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种阵列式发光二极管器件的制作方法，包括：
提供发光二极管阵列和连接板材，所述发光二极管阵列包括衬底及位于所述衬底一侧的多个发光二极管，所述发光二极管包括背离所述衬底一侧表层的第一电极和第二电极；所述连接板材包括基板，位于所述基板一侧的剥离过渡层及位于所述剥离过渡层背离所述基板一侧的第一类电极引线和第二类电极引线；
将所述发光二极管阵列和所述连接板材对位设置，以将所述第一类电极引线与所述第一电极、及将所述第二类电极引线与所述第二电极热压键合；
剥离所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件。
可选的，所述发光二极管阵列的制作方法包括：
提供衬底，所述衬底划分有多个发光区；
在所述衬底上生长外延层，所述外延层包括沿所述衬底至所述外延层方向依次叠加N型层、量子阱层和P型层；
在所述发光区处对所述外延层进行部分刻蚀，形成裸露所述N型层的台面；
在所述发光区处形成位于所述P型层背离所述衬底一侧的透明导电薄膜；
对所述外延层进行刻蚀直至裸露所述衬底，以将相邻所述发光区相互隔离；
在所述衬底朝向所述外延层一侧，形成覆盖所述衬底、所述外延层和所述透明导电薄膜的裸露面的绝缘层；
在所述发光区处形成位于所述绝缘层上的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔裸露所述P型层，所述第二通孔裸露所述台面处的所述N型层；
在所述绝缘层背离所述衬底一侧形成所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极通过所述第一通孔与所述P型层接触，所述第二电极通过所述第二通孔与所述N型层接触。
可选的，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Au层；
或者，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Al层。
可选的，所述连接板材中形成所述第一类电极引线和第二类电极引线的同时，还形成位于所述剥离过渡层背离所述基板一侧的第一焊盘和第二焊盘；
其中，所述第一类电极引线与所述第一焊盘相连，所述第二类电极引线与所述第二焊盘相连；及，所述发光二极管阵列和所述连接板材对位设置时，所述第一焊盘和所述第二焊盘位于所述多个发光二极管所在区域之外。
可选的，所述剥离过渡层为GaN剥离过渡层，其中，剥离所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件，包括：
采用激光剥离工艺去除所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件。
可选的，所述发光二极管为Micro-LED。
相应的，本发明还提供了一种阵列式发光二极管器件，包括：
发光二极管阵列，所述发光二极管阵列包括衬底及位于所述衬底一侧的多个发光二极管，所述发光二极管包括背离所述衬底一侧表层的第一电极和第二电极；
位于所述第一电极背离所述衬底一侧的第一类电极引线，及位于所述第二电极背离所述衬底一侧的第二类电极引线，所述第一类电极引线与所述第一电极键合接触，所述第二电极引线与所述第二电极键合接触，其中，在相邻所述发光二极管之间处，所述第一类电极引线和所述第二类电极引线悬空。
可选的，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Au层；
或者，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Al层。
可选的，所述阵列式发光二极管器件还包括：
与所述第一类电极引线同层的第一焊盘，及与所述第二类电极引线同层的第二焊盘，所述第一类电极引线与所述第一焊盘相连，所述第二类电极引线与所述第二焊盘相连，且所述第一焊盘和所述第二焊盘位于所述多个发光二极管所在区域之外。
可选的，所述发光二极管为Micro-LED。
相较于现有技术，本发明提供的技术方案至少具有以下优点：
本发明提供了一种阵列式发光二极管器件及其制作方法，包括：提供发光二极管阵列和连接板材，所述发光二极管阵列包括衬底及位于所述衬底一侧的多个发光二极管，所述发光二极管包括背离所述衬底一侧表层的第一电极和第二电极；所述连接板材包括基板，位于所述基板一侧的剥离过渡层及位于所述剥离过渡层背离所述基板一侧的第一类电极引线和第二类电极引线；将所述发光二极管阵列和所述连接板材对位设置，以将所述第一类电极引线与所述第一电极、及将所述第二类电极引线与所述第二电极热压键合；剥离所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件。
由上述内容可知，本发明提供的技术方案，将第一类电极引线和第二类电极引线制作于电极背离衬底一侧，使得第一类电极引线和第二类电极引线无需经过发光二极管的侧壁处，进而降低了阵列式发光二极管器件的制作难度，且改善了电极引线容易断裂的情况；同时能够避免了电极引线吸收发光二极管的侧壁出光问题，提高了光效测试准确性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种阵列式发光二极管器件的制作方法的流程图；
图2a-图2c为图1中各步骤相应的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种发光二极管阵列的制作方法的流程图；
图4为本发明实施例提供的一种阵列式发光二极管器件的结构示意图；
图5为图4中AA’方向的切面图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
正如背景技术所述，Micro-LED发光二极管具有自发光、厚度薄、高效率、高亮度、高解析度、反应时间快等优势，被越来越多的应用到各种照明领域中。由于Micro-LED发光二极管的尺寸非常小，对于单个Micro-LED发光二极管进行测试较为困难，故而需要以Micro-LED阵列方式对其进行测试。Micro-LED阵列中需要通过电极引线将不同Micro-LED发光二极管相连，现有电极引线设置于Micro-LED器件的侧壁处，由于Micro-LED器件的侧壁较为陡直，将电极引线形成于Micro-LED器件的侧壁处使得制备难度大且容易出现断裂的情况；并且电极引线设置于Micro-LED器件的侧壁处会吸收其侧壁出光而影响光效。
基于此，本发明实施例提供了一种阵列式发光二极管器件及其制作方法，有效解决了现有技术存在的技术问题，降低了阵列式发光二极管器件的制作难度，且改善了电极引线容易断裂的情况；同时能够避免了电极引线吸收发光二极管的侧壁出光问题，提高了光效测试准确性。
为实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图5对本发明实施例提供的技术方案进行详细的描述。
如图1所示，为本发明实施例提供的一种阵列式发光二极管器件的制作方法的流程图，其中，阵列式发光二极管器件的制作方法包括：
S1、提供发光二极管阵列和连接板材，所述发光二极管阵列包括衬底及位于所述衬底一侧的多个发光二极管，所述发光二极管包括背离所述衬底一侧表层的第一电极和第二电极；所述连接板材包括基板，位于所述基板一侧的剥离过渡层及位于所述剥离过渡层背离所述基板一侧的第一类电极引线和第二类电极引线。
S2、将所述发光二极管阵列和所述连接板材对位设置，以将所述第一类电极引线与所述第一电极、及将所述第二类电极引线与所述第二电极热压键合。
S3、剥离所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件。
可以理解的，本发明实施例提供的技术方案，将第一类电极引线和第二类电极引线制作于电极背离衬底一侧，使得第一类电极引线和第二类电极引线无需经过发光二极管的侧壁处，能够保证第一类电极引线和第二类电极引线的厚度均一性高，不仅降低了阵列式发光二极管器件的制作难度，而且还改善了电极引线容易断裂的情况；同时能够避免了电极引线吸收发光二极管的侧壁出光问题，提高了光效测试准确性。
下面结合图2a至图2c对本发明实施例提供的制作方法进行更详细的描述，图2a至图2c为图1中各步骤相应的结构示意图。
如图2a所示，对应步骤S1，提供发光二极管阵列和连接板材，所述发光二极管阵列包括衬底110及位于所述衬底一侧的多个发光二极管120，所述发光二极管120包括背离所述衬底一侧表层的第一电极121和第二电极122；所述连接板材包括基板210，位于所述基板210一侧的剥离过渡层220及位于所述剥离过渡层220背离所述基板210一侧的第一类电极引线231和第二类电极引线232。
在本发明一实施例中，本发明提供的第一类电极引线和第二类电极引线的数量可以为单根电极引线或多根电极引线，对此本发明不做具体限制。
及，本发明实施例提供的基板可以为蓝宝石基板，剥离过渡层可以为GaN剥离过渡层，第一类电极引线和第二类电极引线的材质可以为Au、In、Sn、AuSn合金等金属或合金，对此本发明不做具体限制。
如图2b所示，对应步骤S2，将所述发光二极管阵列和所述连接板材对位设置，以将所述第一类电极引线231与所述第一电极121、及将所述第二类电极引线（未画出）与所述第二电极（未画出）热压键合。
在本发明一实施例中，本发明采用的热压键合工艺中，键合温度可以为160-300℃，包括端点值。
如图2c所示，对应步骤S3，剥离所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件。其中，本发明实施例提供的第一类电极引线231和第二类电极引线（未画出），在相邻发光二极管120之间处的部分呈悬空状态。
在本发明一实施例中，本发明提供的所述剥离过渡层为GaN剥离过渡层，其中，剥离所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件，包括：采用激光剥离工艺去除所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件。其中，通过激光剥离工艺将基板去除的同时，能够通过激光剥离工艺产生的热量去除GaN剥离过渡层，进而达到通过激光剥离工艺同时去除基板和剥离过渡层的目的。
如图3所示，为本发明实施例提供的一种发光二极管阵列的制作方法的流程图，其中，本发明实施例提供的所述发光二极管阵列的制作方法包括：
S11、提供衬底，所述衬底划分有多个发光区。
在本发明一实施例中，本发明提供的多个发光区可以呈矩阵排列等，亦即本发明实施例提供的多个发光二极管可以呈矩阵排列等，对此本发明不做具体限制。
S12、在所述衬底上生长外延层，所述外延层包括沿所述衬底至所述外延层方向依次叠加N型层、量子阱层和P型层。
在本发明一实施例中，本发明提供的N型层可以为N型GaN层，P型层可以为P型GaN层。及，本发明实施例提供的外延层的厚度可以为4-8μm，包括端点值。
S13、在所述发光区处对所述外延层进行部分刻蚀，形成裸露所述N型层的台面。
在本发明一实施例中，本发明可以采用ICP对外延层进行刻蚀，以形成裸露N型层的台面；其中，刻蚀深度等参数需要根据实际外延层的厚度等进行具体设计，本发明不做具体限制。
S14、在所述发光区处形成位于所述P型层背离所述衬底一侧的透明导电薄膜。
在本发明一实施例中，本发明提供的透明导电薄膜可以为ITO透明导电薄膜。其中，透明导电薄膜的厚度可以为100-1100埃，对此本发明不做具体限制。
S15、对所述外延层进行刻蚀直至裸露所述衬底，以将相邻所述发光区相互隔离。
在本发明一实施例中，本发明可以采用光刻工艺及ICP刻蚀对外延层进行刻蚀裸露衬底，以将相邻发光区之间隔离。其中，刻蚀深度等参数需要根据实际外延层的厚度等进行具体设计，本发明不做具体限制。
S16、在所述衬底朝向所述外延层一侧，形成覆盖所述衬底、所述外延层和所述透明导电薄膜的裸露面的绝缘层。
在本发明一实施例中，本发明所提供的绝缘层的材质可以为SiO2、Si3N4等，及厚度范围可以为1-1.5μm，对此材质和厚度的具体选择本发明不做限制。
S17、在所述发光区处形成位于所述绝缘层上的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔裸露所述P型层，所述第二通孔裸露所述台面处的所述N型层。
S18、在所述绝缘层背离所述衬底一侧形成所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极通过所述第一通孔与所述P型层接触，所述第二电极通过所述第二通孔与所述N型层接触。
在本发明一实施例中，本发明所提供的所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Au层；或者，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Al层，进而通过Ni层提高电极的粘附性。
在本发明一实施例中，本发明提供的所述连接板材中形成所述第一类电极引线和第二类电极引线的同时，还形成位于所述剥离过渡层背离所述基板一侧的第一焊盘和第二焊盘；其中，所述第一类电极引线与所述第一焊盘相连，所述第二类电极引线与所述第二焊盘相连；及，所述发光二极管阵列和所述连接板材对位设置时，所述第一焊盘和所述第二焊盘位于所述多个发光二极管所在区域之外。
可以理解的，通过设置与第一类电极引线相连的第一焊盘，和设置与第二类电极引线相连的第二焊盘，便于外接测试电路。同时，将第一焊盘和第二焊盘设置于多个发光二极管所在区域之外，能够避免焊盘对发光二极管的出光造成影响。
相应的，本发明实施例还提供了一种阵列式发光二极管器件。结合图4和图5所示，图4为本发明实施例提供的一种阵列式发光二极管器件的结构示意图，图5为图4中AA’方向的切面图。其中，阵列式发光二极管器件包括：
发光二极管阵列，所述发光二极管阵列包括衬底110及位于所述衬底110一侧的多个发光二极管120，所述发光二极管120包括背离所述衬底一侧表层的第一电极121和第二电极122。
位于所述第一电极121背离所述衬底110一侧的第一类电极引线231，及位于所述第二电极122背离所述衬底110一侧的第二类电极引线232，所述第一类电极引线231与所述第一电极121键合接触，所述第二电极引线232与所述第二电极122键合接触，其中，在相邻所述发光二极管120之间处，所述第一类电极引线231和所述第二类电极引线232悬空。
如图4所示，本发明实施例提供的所述阵列式发光二极管器件还包括：与所述第一类电极引线231同层的第一焊盘2311，及与所述第二类电极引线232同层的第二焊盘2322，所述第一类电极引线231与所述第一焊盘2311相连，所述第二类电极引线232与所述第二焊盘2322相连，且所述第一焊盘2311和所述第二焊盘2322位于所述多个发光二极管120所在区域之外。
可以理解的，通过设置与第一类电极引线相连的第一焊盘，和设置与第二类电极引线相连的第二焊盘，便于外接测试电路。同时，将第一焊盘和第二焊盘设置于多个发光二极管所在区域之外，能够避免焊盘对发光二极管的出光造成影响。
在本发明一实施例中，本发明所提供的所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Au层；或者，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Al层，进而通过Ni层提高电极的粘附性。
在本发明上述任意一实施例中，本发明提供的所述发光二极管可以为Micro-LED。
本发明实施例提供了一种阵列式发光二极管器件及其制作方法，包括：提供发光二极管阵列和连接板材，所述发光二极管阵列包括衬底及位于所述衬底一侧的多个发光二极管，所述发光二极管包括背离所述衬底一侧表层的第一电极和第二电极；所述连接板材包括基板，位于所述基板一侧的剥离过渡层及位于所述剥离过渡层背离所述基板一侧的第一类电极引线和第二类电极引线；将所述发光二极管阵列和所述连接板材对位设置，以将所述第一类电极引线与所述第一电极、及将所述第二类电极引线与所述第二电极热压键合；剥离所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件。
由上述内容可知，本发明实施例提供的技术方案，将第一类电极引线和第二类电极引线制作于电极背离衬底一侧，使得第一类电极引线和第二类电极引线无需经过发光二极管的侧壁处，进而降低了阵列式发光二极管器件的制作难度，且改善了电极引线容易断裂的情况；同时能够避免了电极引线吸收发光二极管的侧壁出光问题，提高了光效测试准确性。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (7)
1.一种阵列式发光二极管器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供发光二极管阵列和连接板材，所述发光二极管阵列包括衬底及位于所述衬底一侧的多个发光二极管，所述发光二极管包括背离所述衬底一侧表层的第一电极和第二电极；所述连接板材包括基板，位于所述基板一侧的剥离过渡层及位于所述剥离过渡层背离所述基板一侧的第一类电极引线和第二类电极引线；
将所述发光二极管阵列和所述连接板材对位设置，以将所述第一类电极引线与所述第一电极、及将所述第二类电极引线与所述第二电极热压键合；
剥离所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件；
所述连接板材中形成所述第一类电极引线和第二类电极引线的同时，还形成位于所述剥离过渡层背离所述基板一侧的第一焊盘和第二焊盘；
其中，所述第一类电极引线与所述第一焊盘相连，所述第二类电极引线与所述第二焊盘相连；及，所述发光二极管阵列和所述连接板材对位设置时，所述第一焊盘和所述第二焊盘位于所述多个发光二极管所在区域之外；
所述剥离过渡层为GaN剥离过渡层，其中，剥离所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件，包括：
采用激光剥离工艺去除所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件。
2.根据权利要求1所述的阵列式发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述发光二极管阵列的制作方法包括：
提供衬底，所述衬底划分有多个发光区；
在所述衬底上生长外延层，所述外延层包括沿所述衬底至所述外延层方向依次叠加N型层、量子阱层和P型层；
在所述发光区处对所述外延层进行部分刻蚀，形成裸露所述N型层的台面；
在所述发光区处形成位于所述P型层背离所述衬底一侧的透明导电薄膜；
对所述外延层进行刻蚀直至裸露所述衬底，以将相邻所述发光区相互隔离；
在所述衬底朝向所述外延层一侧，形成覆盖所述衬底、所述外延层和所述透明导电薄膜的裸露面的绝缘层；
在所述发光区处形成位于所述绝缘层上的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔裸露所述P型层，所述第二通孔裸露所述台面处的所述N型层；
在所述绝缘层背离所述衬底一侧形成所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极通过所述第一通孔与所述P型层接触，所述第二电极通过所述第二通孔与所述N型层接触。
3.根据权利要求1所述的阵列式发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Au层；
或者，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Al层。
4.根据权利要求1所述的阵列式发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述发光二极管为Micro-LED。
5.一种阵列式发光二极管器件，其特征在于，采用权利要求1-4任意一项所述的制作方法制备而成，包括：
发光二极管阵列，所述发光二极管阵列包括衬底及位于所述衬底一侧的多个发光二极管，所述发光二极管包括背离所述衬底一侧表层的第一电极和第二电极；
位于所述第一电极背离所述衬底一侧的第一类电极引线，及位于所述第二电极背离所述衬底一侧的第二类电极引线，所述第一类电极引线与所述第一电极键合接触，所述第二电极引线与所述第二电极键合接触，其中，在相邻所述发光二极管之间处，所述第一类电极引线和所述第二类电极引线悬空；
所述阵列式发光二极管器件还包括：
与所述第一类电极引线同层的第一焊盘，及与所述第二类电极引线同层的第二焊盘，所述第一类电极引线与所述第一焊盘相连，所述第二类电极引线与所述第二焊盘相连，且所述第一焊盘和所述第二焊盘位于所述多个发光二极管所在区域之外。
6.根据权利要求5所述的阵列式发光二极管器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Au层；
或者，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Al层。
7.根据权利要求5所述的阵列式发光二极管器件，其特征在于，所述发光二极管为Micro-LED。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110343349.5A CN113078145B (zh) | 2021-03-30 | 2021-03-30 | 一种阵列式发光二极管器件及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110343349.5A CN113078145B (zh) | 2021-03-30 | 2021-03-30 | 一种阵列式发光二极管器件及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113078145A CN113078145A (zh) | 2021-07-06 |
| CN113078145B true CN113078145B (zh) | 2022-06-21 |
Family
ID=76612004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110343349.5A Active CN113078145B (zh) | 2021-03-30 | 2021-03-30 | 一种阵列式发光二极管器件及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113078145B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103474445A (zh) * | 2013-08-14 | 2013-12-25 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 微型led集成阵列器件及制备方法 |
| CN110311029A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-10-08 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种Mirco LED阵列基板及其制作方法 |
| CN111969097A (zh) * | 2020-10-20 | 2020-11-20 | 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 | Led芯片测试治具、方法、系统及测试治具的制作方法 |
| WO2020238099A1 (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 云谷（固安）科技有限公司 | 微发光二极管的转移方法及显示面板的制作方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017034379A1 (ko) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자의 이송 헤드, 이송 시스템 및 반도체 발광소자를 이송하는 방법 |
| US10290785B2 (en) * | 2017-10-03 | 2019-05-14 | Center For Integrated Smart Sensors Foundation | Laminating structure of electronic device using transferring element, transferring apparatus for fabricating the electronic device and method for fabricating the electronic device |
-
2021
- 2021-03-30 CN CN202110343349.5A patent/CN113078145B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103474445A (zh) * | 2013-08-14 | 2013-12-25 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 微型led集成阵列器件及制备方法 |
| WO2020238099A1 (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 云谷（固安）科技有限公司 | 微发光二极管的转移方法及显示面板的制作方法 |
| CN110311029A (zh) * | 2019-07-02 | 2019-10-08 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种Mirco LED阵列基板及其制作方法 |
| CN111969097A (zh) * | 2020-10-20 | 2020-11-20 | 深圳市Tcl高新技术开发有限公司 | Led芯片测试治具、方法、系统及测试治具的制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113078145A (zh) | 2021-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7683539B2 (en) | Light emitting device package and method for manufacturing the same | |
| US9711693B2 (en) | Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same | |
| TWI422065B (zh) | 發光二極體晶片、包含其之封裝結構以及其製造方法 | |
| US8847248B2 (en) | Light-emitting device and the manufacturing method thereof | |
| US7452755B2 (en) | Embedded metal heat sink for semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JP2010103186A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| US20100258827A1 (en) | Light-emitting diode package and wafer-level packaging process of light-emitting diode | |
| TW201508947A (zh) | 具有複數個發光結構之發光元件 | |
| TWI661585B (zh) | 發光二極體封裝 | |
| WO2014139338A1 (zh) | 一种双面发光二极管结构及其制作方法 | |
| TW201519467A (zh) | 發光元件 | |
| TW201939739A (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
| WO2014105403A1 (en) | High performance light emitting diode | |
| CN101409318B (zh) | 发光二极管芯片的制造方法 | |
| KR100781917B1 (ko) | 반도체 소자의 히트씽크 제조방법 | |
| US8178886B2 (en) | Multi-layered LED epitaxial structure with light emitting unit | |
| JP7208961B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| CN113078145B (zh) | 一种阵列式发光二极管器件及其制作方法 | |
| JP2023510170A (ja) | 発光素子およびそれを有するｌｅｄディスプレイ装置 | |
| KR101221568B1 (ko) | Ｌｅｄ를 구비한 백라이트 유닛 및 그 제조방법 | |
| CN113629095B (zh) | 发光显示装置以及发光显示装置的制作方法 | |
| JP2001085750A (ja) | 窒化物半導体発光チップ | |
| JP2020004882A (ja) | 発光モジュールの製造方法 | |
| US8076675B2 (en) | Light-emitting diode chip and method of manufacturing the same | |
| TWI467808B (zh) | 發光二極體元件、其製作方法以及發光裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231205 Address after: Unit 201, No. 19 Xiangyue Road, Xiang'an Industrial Zone, Xiamen Torch High tech Zone, Fujian Province, 361000 Patentee after: Xiamen Future Display Technology Research Institute Co.,Ltd. Address before: 361100 No.267 xiangtian Road, industrial zone, torch hi tech Zone (Xiang'an), Xiamen City, Fujian Province Patentee before: XIAMEN QIANZHAO SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY Co.,Ltd. |