CN113067167B - 基于石墨烯的波束扫描微带天线及其制备方法和扫描方法 - Google Patents

基于石墨烯的波束扫描微带天线及其制备方法和扫描方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种基于石墨烯的波束扫描微带天线及其制备方法和扫描方法，包括：偏置电极、金属相控阵列、石墨烯连接点、天线辐射单元、金属接地层和衬底隔离层；所述金属相控阵列包括多个金属反射块，多个所述金属反射块之间通过所述石墨烯连接点相连，形成多条传播波束的反射链路；每条所述反射链路的末端连接所述天线辐射单元；所述偏置电极和所述金属接地层形成所述石墨烯连接点的外加电场；所述偏置电极用于为每个所述石墨烯连接点分配电压，使每个所述石墨烯连接点为导电状态或绝缘状态，以调节所述波束的传播路径。本发明实施例实现对波束扫描角度进行快速、灵活控制。

Description

基于石墨烯的波束扫描微带天线及其制备方法和扫描方法
技术领域
本发明属于无线通信技术领域，尤其涉及一种基于石墨烯的波束扫描微带天线及其制备方法和扫描方法。
背景技术
波束扫描在无线通信和传感系统，包括卫星通信和军事雷达中具有重要的应用价值。传统的口径天线通过机械扫描实现自适应扫描，但扫描速度受到机械电机转动速率的限制，因而扫描速度较慢。
相控阵天线阵列允许以电子灵活性实时重新配置和扫描波束图案，但是相控阵天线的馈电网络复杂度高且能耗高，导致实施成本高。与口径天线和相控阵天线阵列相比，平面反射阵列天线具有波束扫描方便，辐射效率高等优点。
现有平面微带天线的组成材料多为石墨烯薄膜、金属贴片及相关集成元件，通过改变器件性能或尺寸来调制其中传播波束的相位角，使辐射出去的主波束指向角度灵活改变，进而实现波束扫描功能。随着通信频谱的拓展，波束频率升高，离散元件的尺寸需要相应减小。而现有的平面微带天线无法对频率高的波束，如毫米波、太赫兹频段等进行扫描。
发明内容
为克服上述现有的口径天线扫描速度慢，相控阵天线馈电网络复杂度高且能耗高，平面微带天线无法对频率高的波束进行扫描的问题或者至少部分地解决上述问题，本发明实施例提供一种基于石墨烯的波束扫描微带天线及其制备方法和扫描方法。
根据本发明实施例的第一方面，提供一种基于石墨烯的波束扫描微带天线，包括偏置电极、金属相控阵列、石墨烯连接点、天线辐射单元、金属接地层和衬底隔离层；
所述金属相控阵列包括多个金属反射块，多个所述金属反射块之间通过所述石墨烯连接点相连，形成多条传播波束的反射链路；
每条所述反射链路的末端连接所述天线辐射单元；
所述偏置电极和所述金属接地层形成所述石墨烯连接点的外加电场；
所述偏置电极用于为每个所述石墨烯连接点分配电压，使每个所述石墨烯连接点为导电状态或绝缘状态，以调节所述波束的传播路径；
所述偏置电极位于所述石墨烯连接点的上方，所述金属接地层位于所述石墨烯连接点的下方；
所述衬底隔离层位于所述石墨烯连接点与所述偏置电极之间，以及所述石墨烯连接点与所述金属接地层之间。
具体地，每个所述金属反射块包括多个金属反射单元；
所述金属反射单元用于在所述波束经过所述金属反射单元时改变所述波束的相位。
具体地，所述偏置电极为偏压控制阵列；
所述偏压控制阵列中的偏压控制单元与所述石墨烯连接点一一对应；
每个所述偏压控制单元用于设置与所述偏压控制单元对应的石墨烯连接点的电压值。
具体地，每个所述石墨烯连接点为T形结构；
其中，所述T形结构中的两端连接相邻两个所述金属反射块，所述T形结构中除所述两端以外的另一端与所述天线辐射单元相连。
具体地，所述T形结构中的两端连接同一行相邻的两个所述金属反射块；
连接同一行相邻两个所述金属反射块的所有T形结构的所述另一端与同一个所述天线辐射单元相连。
根据本发明实施例第二方面提供一种基于石墨烯的波束扫描微带天线的制备方法，包括：
在衬底隔离层的下表面形成金属接地层；
在所述衬底隔离层的上表面形成金属相控阵列和天线辐射单元；
将石墨烯薄膜作为石墨烯连接点放置到所述金属相控阵列中金属反射块之间的连接处，形成多条传播波束的反射链路，每条所述反射链路的末端连接所述天线辐射单元；
在所述金属相控阵列的图案的上表面生长一层衬底隔离层；
在生长的所述衬底隔离层的上表面形成偏置电极；
其中，所述偏置电极用于设置每个所述石墨烯连接点的电压值，使每个所述石墨烯连接点为导电状态或绝缘状态，以调节所述波束的传播路径。
具体地，在衬底隔离层的下表面形成金属接地层的步骤包括：
在衬底隔离层的下表面旋涂光刻胶，使用曝光法在所述光刻胶上形成金属接地层的图案；
溶解曝光部分的光刻胶，使用刻蚀法在溶解后的曝光部分形成凹陷；
在所述金属接地层的图案上生长一层金属电极，并溶解未曝光部分的光刻胶，形成所述金属接地层。
具体地，在所述衬底隔离层的上表面形成金属相控阵列和天线辐射单元的步骤包括：
在所述衬底隔离层的上表面旋涂光刻胶，采用曝光法形成包含金属相控阵列和天线辐射单元的图案；
溶解曝光部分对应的光刻胶，并在溶解后的曝光部分生长一层金属材料，形成所述金属相控阵列和所述天线辐射单元。
具体地，在所述金属相控阵列的图案的上表面生长一层衬底隔离层，在生长的所述衬底隔离层的上表面形成偏置电极的步骤包括：
在所述天线辐射单元的上表面旋涂光刻胶；
在所述金属相控阵列的图案的上表面生长一层衬底隔离层，将所述金属相控阵列的图案进行覆盖；
在生长的所述衬底隔离层的上表面旋涂光刻胶，使用刻蚀法在生长的所述衬底隔离层的上表面刻蚀出偏置电极的图案；
在所述偏置电极的图案上生长一层金属材料，形成偏置电极；
对所有所述光刻胶进行溶解。
根据本发明实施例的第三个方面，提供一种基于石墨烯的波束扫描微带天线的扫描方法，包括：
根据波束的预设待扫描角度，以及所述预设待扫描角度与所述波束在金属相控阵列中输出的相位之间的映射关系，获取所述波束在金属相控阵列中输出的相位；其中，所述映射关系为预先获取；
根据每个所述石墨烯连接点的状态，通过偏置电极为每个所述石墨烯连接点分配电压；
通过偏置电极为每个所述石墨烯连接点分配电压，使每个所述石墨烯连接点为导电状态或绝缘状态，以调节所述波束的传播路径；
使所述波束通过调节的所述传播路径后经过天线辐射单元进行扫描。
本发明实施例提供一种基于石墨烯的波束扫描微带天线及其制备方法和扫描方法，通过偏置电极为连接金属反射块的每个石墨烯连接点分配电压，将每个所述石墨烯连接点调节为导电状态或绝缘状态，从而对波束的传播路径进行调节，而传播路径上的金属反射块通过对波束的反射对波束的相位进行调节，不同长度的传播路径对应不同的相位调节值，通过调节传播路径调节波束的相位，最终实现波束的扫描，偏置电极和石墨连接点的使用可对波束扫描角度进行快速、灵活控制。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的基于石墨烯的波束扫描微带天线的结构示意图；
图2为本发明又一实施例提供的基于石墨烯的波束扫描微带天线的俯视图结构示意图；
图3为本发明实施例提供的基于石墨烯的波束扫描微带天线中偏压控制阵列结构示意图；
图4-图13为本发明实施例提供的基于石墨烯的波束扫描微带天线的制备步骤示意图；
图14为本发明实施例提供的基于石墨烯的波束扫描微带天线的扫描方法流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的一个实施例中提供一种基于石墨烯的波束扫描微带天线，图1为本发明实施例提供的基于石墨烯的波束扫描微带天线的结构示意图，包括偏置电极、金属相控阵列、石墨烯连接点、天线辐射单元、金属接地层和衬底隔离层；所述金属相控阵列包括多个金属反射块，多个所述金属反射块之间通过所述石墨烯连接点相连，形成多条传播波束的反射链路；每条所述反射链路的末端连接所述天线辐射单元；
其中，石墨烯连接点可以将金属相控阵列中的金属反射块以任意方式连接，比如在金属反射块以阵列方式排列时，将相邻的金属反射块进行相连，但不限于这种连接方式。每条反射链路为通过石墨烯连接点串行连接在一起的多个金属反射块构成的链路。每条反射链路的末端与天线辐射单元连接，如图2所示，天线辐射单元用于对通过链路后的波束进行发射和接收。一个金属反射块可以属于一条反射链路，也可以属于多条反射链路。
波束每经过一个金属反射块相位改变值为θ，经过N个金属反射块相位改变值为N*θ。因此波束经过不同长度的反射链路后输出的波束的相位值不同，对应着不同的波束指向角。反射链路的长度是指反射链路上金属反射块的数量。
所述偏置电极和所述金属接地层形成所述石墨烯连接点的外加电场；所述偏置电极用于为每个所述石墨烯连接点分配电压，使每个所述石墨烯连接点为导电状态或绝缘状态，以调节所述波束的传播路径；所述偏置电极位于所述石墨烯连接点的上方，所述金属接地层位于所述石墨烯连接点的下方；所述衬底隔离层位于所述石墨烯连接点与所述偏置电极之间，以及所述石墨烯连接点与所述金属接地层之间。
其中，金属接地层用于进行接地处理。衬底隔离层用于对石墨烯连接点和金属接地层、偏置电极进行隔离。虽然通过石墨烯连接点连接金属反射块形成了多条反射链路，但波束并不会通过每条反射链路。这是因为偏置电极通过设置每个石墨烯连接点的电压改变了石墨烯连接点的导电特性，即调节石墨烯连接点为导电状态或绝缘状态。在导电状态下波束可以通过石墨烯连接点，而在绝缘状态下波束无法通过石墨烯连接点。只有石墨烯连接点都为导电状态的反射链路波束才能通过，将波束能通过的反射链路作为波束的传播路径。
本实施例中微带天线的所有组件可以一体化集成，具备CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺体积小巧、易于生产、稳定性高和设计灵活等优点；通过偏置电极和石墨连接点的设计实现对波束扫描角度快速、灵活的控制；基于平面反射阵列天线结构，馈电网络更简单、辐射效率更高。
本实施例中微带天线的扫描原理为：忽略边界效应，石墨烯的特性可用其表面电导率表示在毫米波及太赫兹频段，表面电导率中的带内电导率占主导。表面电导率公式中的化学势由载流子浓度决定。一般来讲，调制载流子浓度的方法主要有掺杂法、化学调制法和外加偏压法。因此，通过改变石墨烯连接点的化学势，即表面电导率可以影响其导电特性。
本实施例通过偏置电极为连接金属反射块的每个石墨烯连接点分配电压，将每个所述石墨烯连接点调节为导电状态或绝缘状态，从而对波束的传播路径进行调节，而传播路径上的金属反射块通过对波束的反射对波束的相位进行调节，不同长度的传播路径对应不同的相位调节值，通过调节传播路径调节波束的相位，最终实现波束的扫描，偏置电极和石墨连接点的使用可对波束扫描角度进行快速、灵活控制。
在上述实施例的基础上，本实施例中每个所述金属反射块包括多个金属反射单元；所述金属反射单元用于在所述波束经过所述金属反射单元时改变所述波束的相位。
其中，每个金属反射块包括多个金属反射单元，金属反射单元的作用是使得波束每经过一个金属反射块相位改变，从而形成了传输波束的反射链路。金属反射单元为微米级的反射单元。
在上述实施例的基础上，本实施例中所述偏置电极为偏压控制阵列；所述偏压控制阵列中的偏压控制单元与所述石墨烯连接点一一对应；每个所述偏压控制单元用于设置与所述偏压控制单元对应的石墨烯连接点的电压值。
其中，在石墨烯连接点的上方设置偏置电极，如图3所示，偏置电极为与石墨烯连接点一一对应的偏压控制单元构成的偏压控制阵列，偏压控制单元为与其对应的石墨烯连接点分配电压。
在上述实施例的基础上，如图2所示，本实施例中每个所述石墨烯连接点为T形结构；其中，所述T形结构中的两端连接相邻两个所述金属反射块，所述T形结构中除所述两端以外的另一端与所述天线辐射单元相连。
本实施例中T形结构中的两端可以连接任意相邻两个金属反射块，不限于图2中的连接方式。
在上述实施例的基础上，如图2所示，本实施例中所述T形结构中的两端连接同一行相邻的两个所述金属反射块；连接同一行相邻两个所述金属反射块的所有T形结构的所述另一端与同一个所述天线辐射单元相连。
本实施例中金属相控阵列与天线辐射单元相互分离，使得波束辐射性能受到的干扰小。
在本发明的另一个实施例中提供一种基于石墨烯的波束扫描微带天线的制备方法，包括:在衬底隔离层的下表面形成金属接地层；
首先，提供一层衬底隔离层，衬底隔离层可以为聚酰亚胺材料。如图4所示，在衬底隔离层的下表面形成金属接地层。本实施例不限于金属接地层的形成方法。
如图5所示，在所述衬底隔离层的上表面形成金属相控阵列和天线辐射单元；本实施例不限于金属相控阵列和天线辐射单元的形成方法；
如图6所示，将石墨烯薄膜作为石墨烯连接点放置到所述金属相控阵列中金属反射块之间的连接处，形成多条传播波束的反射链路，每条所述反射链路的末端连接所述天线辐射单元；
其中，石墨烯连接点可以为T形结构。T形结构中的两端连接相邻两个金属反射块，T形结构中除两端以外的另一端与天线辐射单元相连。例如，T形结构中的两端连接同一行相邻的两个金属反射块。连接同一行相邻两个金属反射块的所有T形结构的另一端与同一个天线辐射单元相连。
在所述金属相控阵列的图案的上表面生长一层衬底隔离层；如图1所示，在生长的所述衬底隔离层的上表面形成偏置电极；其中，所述偏置电极用于设置每个所述石墨烯连接点的电压值，使每个所述石墨烯连接点为导电状态或绝缘状态，以调节所述波束的传播路径。
在上述实施例的基础上，本实施例中在衬底隔离层的下表面形成金属接地层的步骤包括：如图7所示，在衬底隔离层的下表面旋涂光刻胶，使用曝光法在所述光刻胶上形成金属接地层的图案；
如图8所示，溶解曝光部分的光刻胶，使用刻蚀法在溶解后的曝光部分形成凹陷；其中，刻蚀至衬底隔离层；
如图4所示，在所述金属接地层的图案上生长一层金属电极，并溶解未曝光部分的光刻胶，形成所述金属接地层。
在上述实施例的基础上，本实施例中在所述衬底隔离层的上表面形成金属相控阵列和天线辐射单元的步骤包括：如图9所示，在所述衬底隔离层的上表面旋涂光刻胶，采用曝光法形成包含金属相控阵列和天线辐射单元的图案；
如图5所示，溶解曝光部分的光刻胶，并在溶解后的曝光部分生长一层金属材料，形成所述金属相控阵列和所述天线辐射单元。
在上述实施例的基础上，本实施例中在所述金属相控阵列的图案的上表面生长一层衬底隔离层，在生长的所述衬底隔离层的上表面形成偏置电极的步骤包括：如图10所示，在所述天线辐射单元的上表面旋涂光刻胶，露出金属相控阵列；
如图11所示，在所述金属相控阵列的图案的上表面生长一层衬底隔离层，将所述金属相控阵列的图案进行覆盖；其中，生长的衬底隔离层可以为聚酰亚胺材料；
如图12所示，在生长的所述衬底隔离层的上表面旋涂光刻胶，使用刻蚀法在生长的所述衬底隔离层的上表面刻蚀出偏置电极的图案；
如图13所示，在所述偏置电极的图案上生长一层金属材料，形成偏置电极；对所有所述光刻胶进行溶解。
对偏置电极上的光刻胶进行溶解后，光刻胶上生长的金属材料会自动脱离偏置电极。对天线辐射单元上的两层光刻胶进行溶解后第一层光刻胶上生长的衬底隔离层和第二层光刻胶上生长的金属材料会自动脱离天线辐射单元，最终得到如图1所示的微带天线。
在本发明的又一个实施例中提供一种基于石墨烯的波束扫描微带天线的扫描方法，如图14所示，根据上述基于石墨烯的波束扫描微带天线的扫描原理，基于该微带天线的工作流程包括：S141，根据波束的预设待扫描角度，以及所述预设待扫描角度与所述波束在金属相控阵列中输出的相位之间的映射关系，获取所述波束在金属相控阵列中输出的相位；其中，所述映射关系为预先获取；
其中，预设待扫描角度为预先设定的波束需要扫描的角度。这里的波束一般为主波束。根据预设待扫描角度与波束在金属相控阵列中输出的相位之间的映射关系，反推得到波束在金属相控阵列中输出的相位。
S142，根据所述相位确定每个石墨烯连接点的状态；其中，所述状态包括导电状态和绝缘状态；
由输出的相位确定连接金属相控阵列中金属反射块的每个石墨烯连接点的状态。具体通过输出的相位计算波束通过金属相控阵列后相位的变化值，根据相位的变化值计算波束的传播路径的长度，根据传播路径的长度选择反射链路，将选择反射链路中的石墨烯连接点的状态设为导电状态，未选择的反射链路中的石墨烯连接点的状态设为绝缘状态。
S143，根据每个所述石墨烯连接点的状态，通过偏置电极为每个所述石墨烯连接点分配电压；
其中，偏置电极为导电状态和绝缘状态的石墨烯连接点分配的电压分别对应石墨烯连接点不同的导电特征。
S144，使所述波束通过调节的所述传播路径后经过天线辐射单元进行扫描。
本实施例通过偏置电极为连接金属反射块的每个石墨烯连接点分配电压，将每个所述石墨烯连接点调节为导电状态或绝缘状态，从而对波束的传播路径进行调节，而传播路径上的金属反射块通过对波束的反射对波束的相位进行调节，不同长度的传播路径对应不同的相位调节值，通过调节传播路径调节波束的相位，最终实现波束的扫描，偏置电极和石墨连接点的使用可对波束扫描角度进行快速、灵活控制。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种基于石墨烯的波束扫描微带天线，其特征在于，包括偏置电极、金属相控阵列、石墨烯连接点、天线辐射单元、金属接地层和衬底隔离层；
所述金属相控阵列包括多个金属反射块，多个所述金属反射块之间通过所述石墨烯连接点相连，形成多条传播波束的反射链路；
每条所述反射链路的末端连接所述天线辐射单元；
所述偏置电极和所述金属接地层形成所述石墨烯连接点的外加电场；
所述偏置电极用于为每个所述石墨烯连接点分配电压，使每个所述石墨烯连接点为导电状态或绝缘状态，以调节所述波束的传播路径；
所述偏置电极位于所述石墨烯连接点的上方，所述金属接地层位于所述石墨烯连接点的下方；
所述衬底隔离层位于所述石墨烯连接点与所述偏置电极之间，以及所述石墨烯连接点与所述金属接地层之间。
2.根据权利要求1所述的基于石墨烯的波束扫描微带天线，其特征在于，每个所述金属反射块包括多个金属反射单元；
所述金属反射单元用于在所述波束经过所述金属反射单元时改变所述波束的相位。
3.根据权利要求1所述的基于石墨烯的波束扫描微带天线，其特征在于，所述偏置电极为偏压控制阵列；
所述偏压控制阵列中的偏压控制单元与所述石墨烯连接点一一对应；
每个所述偏压控制单元用于设置与所述偏压控制单元对应的石墨烯连接点的电压值。
4.根据权利要求1所述的基于石墨烯的波束扫描微带天线，其特征在于，每个所述石墨烯连接点为T形结构；
其中，所述T形结构中的两端连接相邻两个所述金属反射块，所述T形结构中除所述两端以外的另一端与所述天线辐射单元相连。
5.根据权利要求4所述的基于石墨烯的波束扫描微带天线，其特征在于，所述T形结构中的两端连接同一行相邻的两个所述金属反射块；
连接同一行相邻两个所述金属反射块的所有T形结构的所述另一端与同一个所述天线辐射单元相连。
6.一种基于权利要求1-5任一所述的基于石墨烯的波束扫描微带天线的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底隔离层的下表面形成金属接地层；
在所述衬底隔离层的上表面形成金属相控阵列和天线辐射单元；
将石墨烯薄膜作为石墨烯连接点放置到所述金属相控阵列中金属反射块之间的连接处，形成多条传播波束的反射链路，每条所述反射链路的末端连接所述天线辐射单元；
在所述金属相控阵列的图案的上表面生长一层衬底隔离层；
在生长的所述衬底隔离层的上表面形成偏置电极；
其中，所述偏置电极用于设置每个所述石墨烯连接点的电压值，使每个所述石墨烯连接点为导电状态或绝缘状态，以调节所述波束的传播路径。
7.根据权利要求6所述的基于石墨烯的波束扫描微带天线的制备方法，其特征在于，在衬底隔离层的下表面形成金属接地层的步骤包括：
在衬底隔离层的下表面旋涂光刻胶，使用曝光法在所述光刻胶上形成金属接地层的图案；
溶解曝光部分的光刻胶，使用刻蚀法在溶解后的曝光部分形成凹陷；
在所述金属接地层的图案上生长一层金属电极，并溶解未曝光部分的光刻胶，形成所述金属接地层。
8.根据权利要求6所述的基于石墨烯的波束扫描微带天线的制备方法，其特征在于，在所述衬底隔离层的上表面形成金属相控阵列和天线辐射单元的步骤包括：
在所述衬底隔离层的上表面旋涂光刻胶，采用曝光法形成包含金属相控阵列和天线辐射单元的图案；
溶解曝光部分对应的光刻胶，并在溶解后的曝光部分生长一层金属材料，形成所述金属相控阵列和所述天线辐射单元。
9.根据权利要求6所述的基于石墨烯的波束扫描微带天线的制备方法，其特征在于，在所述金属相控阵列的图案的上表面生长一层衬底隔离层，在生长的所述衬底隔离层的上表面形成偏置电极的步骤包括：
在所述天线辐射单元的上表面旋涂光刻胶；
在所述金属相控阵列的图案的上表面生长一层衬底隔离层，将所述金属相控阵列的图案进行覆盖；
在生长的所述衬底隔离层的上表面旋涂光刻胶，使用刻蚀法在生长的所述衬底隔离层的上表面刻蚀出偏置电极的图案；
在所述偏置电极的图案上生长一层金属材料，形成偏置电极；
对所有所述光刻胶进行溶解。
10.一种基于权利要求1-5任一所述的基于石墨烯的波束扫描微带天线的扫描方法，其特征在于，包括：
根据波束的预设待扫描角度，以及所述预设待扫描角度与所述波束在金属相控阵列中输出的相位之间的映射关系，获取所述波束在金属相控阵列中输出的相位；其中，所述映射关系为预先获取；
根据每个所述石墨烯连接点的状态，通过偏置电极为每个所述石墨烯连接点分配电压；
通过偏置电极为每个所述石墨烯连接点分配电压，使每个所述石墨烯连接点为导电状态或绝缘状态，以调节所述波束的传播路径；
使所述波束通过调节的所述传播路径后经过天线辐射单元进行扫描。
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