CN113049598A - 照明系统及检测设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种照明系统及检测设备。照明系统包括至少一个光源装置。光源装置包括导光件及整形件。导光件用于接收及传导光线。整形件与导光件的出光面之间的距离的取值范围为[15mm，20mm]，整形件用于接收来自导光件的光线并将经过整形件的光线整形，并出射至工件。本申请的照明系统及检测设备中，整形件与导光件的出光面之间的距离的取值范围为[15mm，20mm]，如此，依次经过导光件及整形件后出射的光线的集中程度较高，在光线集中区域的光线能量的均一性较高，能量利用率较高，以能够减少缺陷的漏检。

Description

照明系统及检测设备

技术领域

本申请涉及检测技术领域，特别涉及一种照明系统及检测设备。

背景技术

暗场照明作为明场照明的补充，在光学检测尤其是半导体(例如晶圆)缺陷检测上有着广泛的应用。一般的环形暗场照明形成的圆形光斑的能量利用率就十分低。如果用高亮的线性光源，虽然能量利用率可以提高，但是相比于环形光源，线性照明光源的角度单一，且照明光的能量均一性难以得到保证，会使得被测物很多细节不能得到体现，尤其一些带有镜面反射的微结构被测物的细节难以被检测到，从而产生漏检。

发明内容

本申请实施方式提供一种照明系统及检测设备。

本申请实施方式的照明系统包括至少一个光源装置。所述光源装置包括导光件及整形件。所述导光件用于接收及传导光线。所述整形件与所述导光件的出光面之间的距离的取值范围为[15mm，20mm]，所述整形件用于接收来自所述导光件的光线并将经过所述整形件的光线整形，并出射至工件。

在某些实施方式中，所述光源装置的数量为多个，多个所述光源装置用于提供多路光线至所述工件，多个所述光源装置环绕所述工件的中心的法线均匀分布。

在某些实施方式中，根据权利要求1所述的照明系统，其特征在于，所述光源装置的数量为四个，在以所述工件的中心的法线为中心轴的圆周上，每个所述光源装置依次间隔90°沿所述圆周分布。

在某些实施方式中，每个所述光源装置提供的光线在所述工件形成的光斑至少部分重合；或每个所述光源装置提供的光线在所述工件形成的光斑完全重合。

在某些实施方式中，平行于所述出光面的长轴并经过所述出光面的中心的第一平面与所述工件的法平面之间的夹角范围为[60°，80°]。

在某些实施方式中，多个所述光源装置提供的光线在所述工件形成的光斑包括内接的矩形区域，所述矩形区域的长边的取值范围为[20mm，40mm]，短边的取值范围为[2mm，8mm]。

在某些实施方式中，所述出光面的中心与所述工件的中心之间的距离的取值范围为[100mm，140mm]。

在某些实施方式中，所述出光面的长轴的长度的取值范围为[10mm，50mm]。

在某些实施方式中，所述导光件包括光纤。

在某些实施方式中，所述整形件包括柱面镜。

在某些实施方式中，所述出光面呈长方形、椭圆形、圆形、正方形中的至少一种。

本申请实施方式的检测设备包括照明系统及上述任一实施方式的检测装置，在所述照明系统照射工件时，所述检测装置用于检测所述工件。

本申请的照明系统及检测设备中，整形件与导光件的出光面之间的距离的取值范围为[15mm，20mm]，如此，依次经过导光件及整形件后出射的光线的集中程度较高，在光线集中区域的光线能量的均一性较高，能量利用率较高，以能够减少缺陷的漏检。

附图说明

本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本申请某些实施方式的照明系统的结构示意图；

图2是本申请某些实施方式的照明系统的光源装置的立体示意图；

图3是本申请某些实施方式的检测设备的结构示意图；

图4是本申请某些实施方式的光源装置的整形件的立体示意图；

图5是本申请某些实施方式的照明系统的光源装置的安装位置示意图；

图6是本申请某些实施方式的光源装置投射光斑的场景示意图；

图7是本申请某些实施方式的照明系统的光源装置的安装位置示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“厚度”、“上”、“顶”、“底”、“内”、“外”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

请参阅图1及图2，本申请提供一种照明系统100，照明系统100包括至少一个光源装置10，光源装置10包括导光件11及整形件12。导光件11用于接收及传导光线。导光件11包括出光面111，整形件12与导光件11的出光面111之间的距离的取值范围为[15mm，20mm]。整形件12用于接收来自导光件11的光线并将经过整形件12的光线整形，并出射至工件2000，以为工件2000提供照明光。其中，照明系统100可应用于图3所示的检测设备1000，具体地，检测设备1000可用作工件2000的暗场检测，以检测工件2000的表面缺陷，照明系统100能够为检测设备1000提供暗场光源。

其中，工件2000可以为金属工件2000、合金工件2000、非金属工件2000等，例如工件2000可以是铜制、铁制、铝制、钢制、铜合金制、铝合金制等半导体工件2000(例如晶圆)等，在此不作限制。在工件2000的暗场检测过程中，照明系统100能够将具有预设能量的光线投射至工件2000表面的检测区域，再由检测设备1000的检测装置200接收工件2000表面检测区域散射或反射的光线，并根据工件2000表面检测区域散射或反射的光线判断该检测区域是否存在缺陷。

请继续参阅图1及图2，导光件11用于接收光源(图未示出)发射的光线，并将光线传导至整形件12。其中，光源发射的光线为具有预设的光功率，或具有预设能量的光线。光源可以位于光源装置10内部，也可以位于照明系统100内部，并设置于光源装置10外部，还可以位于照明系统100外部，在此不作限制。

例如，光源位于光源装置10内部，导光件11包括一个或多个透镜和/或反射镜。再例如，光源位于照明系统100内部，并设置于光源装置10外部，导光件11可包括一个或多个透镜和/或反射镜，或者导光件11为光纤。再例如，光源位于照明系统100外部，导光件11为光纤。

请参阅图2，在某些实施方式中，光源装置10还包括基座13、第一盖板14、第二盖板15、及连接件16,。导光件11和整形件12设置于基座13内。导光件11和连接件16之间形成空腔131，来自光源(图未示出)的光线能够经由连接件16进入空腔131，再经由导光件11导引至整形件12。第一盖板14用于遮挡空腔131，第二盖板15安装于基座13，第二盖板15与基座13、连接件16、及整形件12共同形成光源装置10的边界。

图1及图2示意的导光件11为光纤，图1及图2仅示意了导光件11的出光面111所在的一侧，光纤的线缆和入光面的一侧没有示出。

请结合图3，在某些实施方式中，光纤11的入光面112所在的一侧连接光源300，光纤11的出光面111一侧连接光源装置10，以将光源300出射的光线传导至整形件12。

整形件12用于接收来自导光件11的光线并将经过整形件12的光线整形，并出射至工件2000，使出射至工件2000的光线能量均匀。整形件12可以是透镜，或多个透镜组成的透镜组。透镜可以是球面镜、柱面镜、鲍威尔棱镜等，在此不一一列举。以整形件12为柱面镜为例，经过柱面镜的光线将被整形为平行的光线出射，且自柱面镜出射的光线的能量分布均匀，均一性好。

进一步地，请参阅图4，在某些实施方式中，整形件12为平凸柱面镜，请结合图2，平凸柱面镜的平面部分朝向发光面111。整形件12的平面侧宽度W1的取值范围为[12mm±0.1mm，20mm±0.1mm]，例如宽度W1的取值为12mm±0.1mm、13mm±0.1mm、14mm±0.1mm、15mm±0.1mm、16mm±0.1mm、17mm±0.1mm、18mm±0.1mm、19mm±0.1mm、20mm±0.1mm等，在此不一一列举。整形件12的凸面侧的曲率半径R1的取值范围为[6mm，14mm]，例如曲率半径R1的取值为6mm、7mm、8mm、9mm、10mm、11mm、12mm、13mm、14mm等，在此不一一列举。整形件12的厚度D1的取值范围为[3mm±0.1mm，7mm±0.1mm]，例如厚度D1的取值为3mm±0.1mm、4mm±0.1mm、5mm±0.1mm、6mm±0.1mm、7mm±0.1mm等，在此不一一列举。整形件12的长度H1的取值范围为[36mm±0.1mm，44mm±0.1mm]，例如长度H1的取值为36mm±0.1mm、37mm±0.1mm、38mm±0.1mm、39mm±0.1mm、40mm±0.1mm、41mm±0.1mm、42mm±0.1mm、43mm±0.1mm、44mm±0.1mm等，在此不一一列举。经过如此尺寸设计的柱面镜的光线将被整形为平行的光线出射，且出射的光线具有较好的均一性。

在暗场检测过程中，需要一定强度能量的光线照射到工件2000表面的检测区域，才能够检测到缺陷。具体地，检测装置200接收自工件2000表面的检测区域反射或散射的光线，若检测装置200接收到的光线的强度超过预设的强度阈值，则确定该检测区域存在缺陷。然而，如果照射工件2000表面的检测区域的光线的集中程度较低，光线能量的均一性较低，则可能光线入射至检测区域形成的光斑中，部分位置(例如光斑的中部位置)的能量强度能够达到检测缺陷需要的强度；而另一部分位置(例如光斑的边缘位置)的能量强度不足以检测出缺陷，即光线虽然照射到了缺陷，但由于入射光线的能量强度不够，检测装置200接收到的自缺陷反射或散射的光线的强度没有超过预设的强度阈值，则会导致将有缺陷的位置误判为没有缺陷，从而产生漏检。也即是说，若光线能量的均一性较低，则仅有强度能够达到检测缺陷需要的强度的部分能量得以利用，而强度未能到检测缺陷需要的强度的部分能量无法检测出缺陷，被白白浪费。

请参阅图2，整形件12与导光件11的出光面111之间的距离的取值范围为[15mm，20mm]，例如，整形件12与导光件11的出光面111之间的距离的取值为15mm、16mm、17mm、18mm、19mm、20mm等，在此不一一列举。若整形件12与导光件11的出光面111之间的距离的取值小于15mm，则依次经过导光件11及整形件12后出射的光线的集中程度较低，光线的均一度较低；若整形件12与导光件11的出光面111之间的距离的取值大于20mm，则依次经过导光件11及整形件12后出射的光线的集中程度过高，需要非常精确地设置整形件12与导光件11的安装位置及安装角度，才能确保依次经过导光件11及整形件12后出射的光线能够准确地入射至工件2000表面的检测区域，且整形件12与导光件11的出光面111之间的距离较远，需要更大尺寸的光源装置10安装整形件12与导光件11，不利于实现光源装置10的轻薄化。本申请的实施方式中，整形件12与导光件11的出光面111之间的距离的取值范围为[15mm，20mm]，如此，可以使依次经过导光件11及整形件12后出射的光线具能够集中程度较高，且在光线集中区域光线能量有较高的均一性，均一性能够达到90％以上，且导光件11及整形件12的安装难度较低，光源装置10的尺寸也可以设计的较小，便于实现光源装置10的轻薄化。

综上，本申请实施方式的光源装置10中，整形件12与导光件11的出光面111之间的距离的取值范围为[15mm，20mm]，如此，依次经过导光件11及整形件12后出射的光线的集中程度较高，在光线集中区域光线能量的均一性较高，能量利用率较高，以能够减少缺陷的漏检。

请一并参阅图1及图2，在某些实施方式中，光源装置10的数量为多个，多个光源装置10用于提供多路光线至工件2000，多个光源装置10环绕工件2000的中心2010的法线L0均匀分布。

例如，光源装置10的数量为2个，在以工件2000的法线L0为中心轴的圆周上，2个光源装置10依次间隔180°沿圆周分布，每个光源装置10的发光视场的中心到工件2000的中心2010的法线之间的距离(即光源装置10所在的圆周的半径)相等。

再例如，光源装置10的数量为6个，在以工件2000的法线为中心轴的圆周上，6个光源装置10依次间隔60°沿圆周分布，每个光源装置10的发光视场的中心到工件2000的中心2010的法线之间的距离(即光源装置10所在的圆周的半径)相等。

光源装置10的数量还可以是3个、4个、5个、7个或7个以上，在此不一一列举。

多个光源装置10环绕工件2000的中心2010的法线均匀分布，是初始状态时光源装置10与工件2000之间的相对位置。其中，初始状态指对工件2000的缺陷检测开始的第0秒。在一个实施例中，检测开始的第0秒后，工件2000保持在初始状态时的位置，光源装置10及检测设备1000的检测装置200相对工件2000移动，以检测工件2000表面不同检测区域的缺陷。在另一个实施例中，工件2000承载在检测设备1000的承载件(图未示出)上，检测开始的第0秒后，光源装置10及检测设备1000的检测装置200保持在初始状态时的位置，承载件带动工件2000相对光源装置10及检测设备1000的检测装置200移动，以使工件2000表面不同的检测区域均能够被检测到。在又一个实施例中，工件2000承载在检测设备1000的承载件(图未示出)上，检测开始的第0秒后，工件2000、光源装置10、及检测设备1000的检测装置200均保持在初始状态时的位置，承载件带动工件2000相对光源装置10及检测设备1000的检测装置200绕工件2000的中心2010的法线转动，以使工件2000表面不同的检测区域均能够被检测到。可见，在初始状态时，光源装置10与工件2000之间的相对位置在上述实施例中均相同。

多个光源装置10提供多路光线至工件2000，能够避免仅有单独一路光线入射至工件2000时，该路光线的角度单一，该路光线的角度照射不到的细节(如缺陷)不能得到体现，从而导致的漏检或错检。

在某些实施方式中，光源装置10的数量为四个，在以工件2000的中心2010的法线为中心轴的圆周上，每个光源装置10依次间隔90°沿圆周分布，每个光源装置10的发光视场的中心到工件2000的中心2010的法线之间的距离(即光源装置10所在的圆周的半径)相等。

请参阅图2及图5，图5为照明系统100在俯视角下的四个光源装置10及工件2000。具体地，在设置光源装置10时，可以在工件2000表面选择过工件2000的中心2010，且相互垂直的第一法平面P1及第二法平面P2；再设置一个光源装置10(A)的位置，其中，设定经过该光源装置10(A)的导光件11的出光面111的中心1111，且垂直于该出光面111的长轴L1的平面为第一基准面Z1，使第一基准面Z1与第一法平面P1之间的夹角α均为45°，及使第一基准面Z1与第二法平面P2之间的夹角α均也为45°。在完成第一个光源装置10(A)的位置的设置后，将该光源装置10(A)分别相对第一法平面P1、第二法平面P2镜像对称后可以得到另外两个光源装置10(B)/10(C)的位置；将第一个光源装置10(A)相对第一法平面P1镜像对称后得到的光源装置10(C)相对第二法平面P2对称后，或将第一个光源装置10(A)相对第二法平面P2镜像对称后得到的光源装置10(B)相对第一法平面P1对称后，可以得到最后一个光源装置10(D)的位置。

请参阅图6，四个光源装置10能分别从依次间隔90°的四个角度发射光线，且每个光源装置10的照射范围为90°，如此，当四个光源装置10发射的光线在工件2000表面分别形成的光斑S1、S2、S3、及S4有重合部分S5时，对于重合部分S5而言，形成重合部分S5的入射光的角度覆盖了360°，即与环形光源发射光线在工件2000表面形成的光斑对应的360°的入射光角度一致。

本申请实施方式的照明系统100，通过设置四个光源装置10，即可达到与设置环形光源相同的，使入射工件2000表面检测区域的光线环绕360°均匀分布的效果，能够提高入射至工件2000表面检测区域的光线的均匀程度，且相较于环形光源而言能够减少成本，提高能量利用率。

请参阅图6，在某些实施方式中，每个光源装置10提供的光线在工件2000形成的光斑至少部分重合。光斑的重合部分(例如图6所示的S5部分)的能量集中度较高，容易达到能够检测出缺陷的强度。若仅使用一个角度入射的光线形成的光斑检测缺陷，且光斑的能量能够达到能够检测出缺陷的强度，则由于光斑对应的入射角度单一，可能导致缺陷漏检。若使用多个角度入射的光线形成的光斑的重合部分检测缺陷，且每个光斑的能量均能够达到能够检测出缺陷的强度，则会导致多个光斑的重合部分的能量过高，能量利用率低。本申请的实施方式中，使用多个角度入射的光线形成的光斑的重合部分检测缺陷，以从多个角度检测同一位置的缺陷。每个光斑的能量均不能够达到能够检测出缺陷的强度，仅有多个光斑的重合部分的能量能够达到能够检测出缺陷的强度，以提高检测光线的能量利用率。

在某些实施方式中，每个光源装置10提供的光线在工件2000形成的光斑完全重合。进一步地，每个光源装置10提供的光线在工件2000形成的光斑的能量不足以达到能够检测出缺陷的强度，每个光源装置10提供的光线在工件2000形成的光斑完全重合后，重合的光斑的能量能够达到能够检测出缺陷的强度，从而能够从多个角度检测同一位置的缺陷，及提高检测光线的能量利用率。

请参阅图6，在某些实施方式中，多个光源装置10提供的光线在工件2000形成的光斑包括内接的矩形区域S5。矩形区域S5的长边的取值范围为[20mm，40mm]，例如，长边的取值可以为20mm、22mm、24mm、26mm、28mm、30mm、32mm、34mm、36mm、38mm、40mm等，在此不一一列举。短边的取值范围为[2mm，8mm]，例如，短边的取值可以为2mm、3mm、4mm、5mm、6mm、7mm、8mm等，在此不一一列举。

当矩形区域S5的长边的取值范围为[20mm，40mm]，短边的取值范围为[2mm，8mm]时，在矩形区域S5，光斑的能量集中度较高，且光斑中光线能量的均一性较好。若光斑被拉长，导致矩形区域S5的长边的取值大于40mm，短边的取值小于2mm，则可能导致矩形区域S5中间部分的能量过高，边缘部分的能量低，能量的均一性下降，且只有中间部分的能量能够利用，能量的利用率也降低。若光斑被缩短，导致矩形区域S5的长边的取值小于20mm，短边的取值大于8mm，则使用线阵相机扫描矩形区域S5以检测缺陷时，每帧能够扫描到的区域随矩形区域S5的长边缩短而缩短，导致缺陷检测的效率降低。进一步地，在一个实施例中，矩形区域S5的长边的取值为30mm，短边的取值为4mm，使光源装置10提供的光斑内光线的能量具有较好的均一性，且当光源装置10用于检测缺陷时，能够具有较高的检测效率。

此外，请结合图3，检测装置200可以为线阵相机或面阵相机。当检测装置200为线阵相机时，线阵相机视场的长边方向对齐矩形区域S5的长边，线阵相机视场的短边方向对齐矩形区域S5的短边，当线阵相机扫描完一个矩形区域S5后，多个光源装置10提供的光线在工件2000形成的光斑照射工件2000的下一个检测区域，线阵相机扫描下一个矩形区域S5。当检测装置200为面阵相机时，面阵相机的视场恰好覆盖一个矩形区域S5。如此，照明系统100既能够配合线阵相机使用，又能够配合面阵相机使用，可根据用户的需求灵活选取。

请参阅图2，在某些实施方式中，出光面111呈长方形、椭圆形、圆形、正方形中的至少一种，在此不作限制。在一个实施例中，出光面111呈长方形，以使入射至工件2000表面形成的光斑的形状呈矩形

出光面111的长轴L1的长度的取值范围为[10mm，50mm]，例如，长轴L1的取值可以为10mm、14mm、18mm、22mm、26mm、30mm、34mm、38mm、42mm、46mm、50mm等，在此不一一列举。若长轴L1的长度小于10mm，则会导致缺陷检测的效率降低。若长轴L1的长度大于50mm，则会导致光源装置10提供的光斑内的光线的能量的均一性降低。本申请的实施方式中，出光面111的长轴L1的长度的取值范围为[10mm，50mm]，进一步地，在一个实施例中，出光面111的长轴L1的长度为30mm，使光源装置10提供的光斑内光线的能量具有较高的均一性，且当光源装置10用于检测缺陷时，能够具有较高的检测效率。

请参阅图2及图7，在某些实施方式中，平行于出光面111的长轴L1并经过出光面111的中心1111的第一平面M1与工件2000的法平面之间的夹角θ范围为[60°，80°]，例如夹角的取值可以为60°、62°、64°、66°、68°、70°、72°、74°、76°、78°、80°等，在此不一一列举。

具体地，夹角θ相当于出光面111的中心相对工件2000的法线的倾角。可将工件2000的任意一个法平面作为第三法平面P3；经过出光面111的中心1111，且平行于出光面111的长轴L1的第一平面M1与第三法平面之间的夹角θ的范围为[60°，80°]。若夹角θ的取值小于60°，则夹角θ较小，能够照射到的缺陷数量较少，缺陷检测的灵敏度较低；若夹角θ的取值大于80°，则夹角θ较大，则以该夹角θ入射工件2000的光线形成的光斑在边缘处的光强小于中心处的光强，难以保证以该夹角θ入射工件2000的光线形成的光斑的光强均匀分布，即光斑内光线能量的均一性较低。本申请的实施方式中，平行于出光面111的长轴L1并经过出光面111的中心的第一平面M1与工件2000的法平面之间的夹角θ范围为[60°，80°]，进一步地，夹角θ的取值为70°，以确保缺陷检测具有较高的灵敏度，及光斑内光线能量具有较高的均一性。

请参阅图2及图7，在某些实施方式中，出光面111的中心1111与工件2000的中心2010之间的距离D1的取值范围为[100mm，140mm]，例如，该距离D1的取值可以为100mm、104mm、108mm、112mm、116mm、120mm、124mm、128mm、132mm、136mm、140mm等，在此不一一列举。

若出光面111的中心与工件2000的中心2010之间的距离D1小于100mm，则当光源装置10的数量为多个时，多个光源装置10之间的距离太近，难以安装调试，且当光源装置10出射的光线能量较高时存在安全隐患。若出光面111的中心与工件2000的中心2010之间的距离D1大于140mm，则出光面111的中心与工件2000的中心2010之间的距离太远，导致光线传播途中能量损失较多，能量利用率较低。本申请的实施方式中，出光面111的中心与工件2000的中心2010之间的距离D1的取值范围为[100mm，140mm]，进一步地，该距离的取值为120mm，以便于安装调试光源装置10、减小光源装置10工作时的安全隐患、及提高光源装置10出射的光线的能量利用率。

请参阅图3，本申请提供一种检测设备1000。检测设备1000包括上述任一实施方式中的照明系统100及检测装置200，检测装置200用于检测工件2000。具体地，检测装置200可以是线阵相机或面阵相机，在检测工件2000时，照明系统100向工件2000表面的检测区域发射光线，检测装置200接收检测区域反射或散射的光线，并根据收到的光线的强度判断检测区域是否存在缺陷。

请结合图2，在一个实施例中，照明系统100包括四个光源装置10，在以工件2000的中心2010的法线为中心轴的圆周上，每个光源装置10依次间隔90°沿圆周分布，光源装置10的导光件11的出光面111与整形件12之间的距离的取值范围为[15mm，20mm]，平行于出光面111的长轴L1并经过出光面111的中心的第一平面与工件2000的法平面之间的夹角范围为[60°，80°]，出光面111的中心与工件2000的中心2010之间的距离的取值范围为[100mm，140mm]，出光面111的长轴L1的长度的取值范围为[10mm，50mm]。如此，照明系统100出射的光线的具有较高的能量均一性及能量利用率，且光线的照明角度可以达到环形光源的360°的照明角度。如此，能够减少检测设备1000的漏检率。

综上，本申请实施方式的检测设备1000及照明系统100中，整形件12与导光件11的出光面111之间的距离的取值范围为[15mm，20mm]，如此，依次经过导光件11及整形件12后出射的光线的集中程度较高，光线集中区域的光线能量的均一性较高，能量利用率较高，以能够减少缺陷的漏检。

本说明书的描述中，参考术语“某些实施方式”、“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个，除非另有明确具体的限定。

尽管上面已经示出和描述了本申请的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，本申请的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种照明系统，其特征在于，包括至少一个光源装置，所述光源装置包括：

导光件，所述导光件用于接收及传导光线；

整形件，所述整形件与所述导光件的出光面之间的距离的取值范围为[15mm，20mm]，所述整形件用于接收来自所述导光件的光线并将经过所述整形件的光线整形，并出射至工件。

2.根据权利要求1所述的照明系统，其特征在于，所述光源装置的数量为多个，多个所述光源装置用于提供多路光线至所述工件，多个所述光源装置环绕所述工件的中心的法线均匀分布。

3.根据权利要求1所述的照明系统，其特征在于，所述光源装置的数量为四个，在以所述工件的中心的法线为中心轴的圆周上，每个所述光源装置依次间隔90°沿所述圆周分布。

4.根据权利要求2或3所述的照明系统，其特征在于，每个所述光源装置提供的光线在所述工件形成的光斑至少部分重合；或

每个所述光源装置提供的光线在所述工件形成的光斑完全重合。

5.根据权利要求1所述的照明系统，其特征在于，平行于所述出光面的长轴并经过所述出光面的中心的第一平面与所述工件的法平面之间的夹角范围为[60°，80°]。

6.根据权利要求1所述的照明系统，其特征在于，多个所述光源装置提供的光线在所述工件形成的光斑包括内接的矩形区域，所述矩形区域的长边的取值范围为[20mm，40mm]，短边的取值范围为[2mm，8mm]。

7.根据权利要求1所述的照明系统，其特征在于，所述出光面的中心与所述工件的中心之间的距离的取值范围为[100mm，140mm]。

8.根据权利要求1所述的照明系统，其特征在于，所述出光面的长轴的长度的取值范围为[10mm，50mm]。

9.根据权利要求1所述的照明系统，其特征在于，

所述导光件包括光纤；和/或

所述整形件包括柱面镜；和/或

所述出光面呈长方形、椭圆形、圆形、正方形中的至少一种。

10.一种检测设备，其特征在于，包括：

权利要求1-9任意一项所述的照明系统；及

检测装置，在所述照明系统照射工件时，所述检测装置用于检测所述工件。

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