CN113037067B - Rcd吸收回路的匹配电阻计算方法及瞬变电磁发射机 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种RCD吸收回路的匹配电阻计算方法,包括确定RCD吸收回路的电路参数和工作状态;分析震荡阶段的状态得到震荡微分方程;求解震荡微分方程得到RCD吸收回路的匹配电阻的理论值;调整RCD吸收回路的匹配电阻值得到最终的RCD吸收回路的匹配电阻。本发明提供的这种RCD吸收回路的匹配电阻计算方法及瞬变电磁发射机,通过基尔霍夫定理进行定量计算,并根据实际情况进行调整,从而得到最优化匹配电阻阻值;因此本发明方法能够得到较为精确的匹配电阻值,而且可靠性高、应用效果好且实用性较好。

Description

RCD吸收回路的匹配电阻计算方法及瞬变电磁发射机
技术领域
本发明属于地质勘探领域,具体涉及一种RCD吸收回路的匹配电阻计算方法及瞬变电磁发射机。
背景技术
瞬变电磁法是采用电磁感应原理,通过不接地回路或接地电偶源发送脉冲电磁场,在电磁场的激励下,地下地质体将产生随时间变化的感应电磁场(通常称之为二次场)。在一次脉冲磁场的间歇期间,利用线圈或接地电极观测二次场,通过对这些相应信息的提取和分析,从而达到探测地下地质体的目的。一般的,瞬变电磁发射场源采用多周期性的脉冲序列,例如:矩形,三角形,半正弦波,梯形等等。本专利以双极性矩形波为例展开讨论。
在实际情况中,负载线圈对于发射系统感性为主,上升和下降本身并不是一个瞬时跃迁的过程,而是一个呈指数上升和下降的过程。接收机接收到的实际信号为一次场与二次场信号之和。当电流完全关闭时,接收机接收到的信号为纯粹的二次场,但是在电流下降期间,一次场信号与二次场信号分离困难,因此瞬变电磁仪器只用了电流完全关断后的二次场信号,从而也造成了一部分信号的丢失,进而对瞬变电磁浅层勘探的结果造成了影响。目前,一般的在电路中加入吸收回路,以此来缩短关断时间。而经典RCD吸收回路由于适用性高,结构简单,线性度好,关断时间短而被广泛运用于瞬变电磁发射机中。
最早的RCD吸收回路于1993年提出,主要运用于MOSFET与IGBT中,具有保护开关,吸收电压波涌的作用,但是该回路存在冲量小,吸收回路寄生电感大等缺点。针对此问题,研究人员在1997年提出经典RCD吸收回路,与早期的RCD吸收回路相比,它有过压抑制效果更好,容量大,吸收回路寄生电感小等优势。2017年,Fei Liu,Wenjun Liu等又针对经典RCD吸收回路进行进一步改进。但是,无论是哪种RCD回路,其在电流下降沿末期,自身的负载线圈、负载线圈自身电阻、分布电容与吸收回路都会形成一个典型的二阶电路,导致发射电流在末期会出现过冲,震荡等问题。对于此问题,目前采用的方法是,在负载线圈两端加上匹配电阻。
但是,目前增加匹配电阻的技术方案,其依据存在如下技术缺陷:匹配电阻阻值的选取过程中,人们仅关注负载线圈的内阻与分布电容,很少有人与实际电路结合进行计算,导致匹配电阻阻值不精确,使得匹配电阻的实际效果大打折扣。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种可靠性高、应用效果好且实用性较好的RCD吸收回路的匹配电阻计算方法。
本发明的目的之二在于提供一种包括了所述RCD吸收回路的匹配电阻计算方法的瞬变电磁发射机。
本发明提供的这种RCD吸收回路的匹配电阻计算方法,包括如下步骤:
S1.确定RCD吸收回路的电路参数和工作状态;
S2.采用基尔霍夫定理,对RCD吸收回路的震荡阶段的状态进行分析,得到震荡微分方程;
S3.对步骤S2得到的震荡微分方程进行求解,得到RCD吸收回路的匹配电阻的理论值;
S4.将步骤S3得到的理论值与实际的标准电阻值进行对比,对RCD吸收回路的匹配电阻值进行调整,从而得到最终的RCD吸收回路的匹配电阻。
步骤S2所述的采用基尔霍夫定理,对RCD吸收回路的震荡阶段的状态进行分析,得到震荡微分方程,具体为采用如下方程式作为震荡微分方程:
Figure BDA0002961839250000031
式中C为RCD吸收回路的电容与负载线圈分布电容并联后的等效电容值;u(t)为开关管的等效电容两端的电压值;i(t)为负载线圈的电流值;r为RCD吸收回路的匹配电阻值;R为RCD吸收回路的电阻值;L为负载线圈的电感值。
步骤S3所述的对步骤S2得到的震荡微分方程进行求解,得到RCD吸收回路的匹配电阻的理论值,具体为采用如下步骤进行求解并得到匹配电阻的理论值:
A.列出震荡微分方程的特征方程为:
Figure BDA0002961839250000032
式中C为RCD吸收回路的电容与负载线圈分布电容并联后的等效电容值;u(t)为开关管的等效电容两端的电压值;i(t)为负载线圈的电流值;r为RCD吸收回路的匹配电阻值;R为RCD吸收回路的电阻值;L为负载线圈的电感值;
B.列出步骤A的特征方程的判定式为
Figure BDA0002961839250000033
C.令步骤B得到的判定式Δ为0,从而得到RCD吸收回路的匹配电阻的理论值为
Figure BDA0002961839250000041
Figure BDA0002961839250000042
本发明还提供了一种瞬变电磁发射机,其包括了所述的RCD吸收回路的匹配电阻计算方法。
本发明提供的这种RCD吸收回路的匹配电阻计算方法及瞬变电磁发射机,通过基尔霍夫定理进行定量计算,并根据实际情况进行调整,从而得到最优化匹配电阻阻值;因此本发明方法能够得到较为精确的匹配电阻值,而且可靠性高、应用效果好且实用性较好。
附图说明
图1为本发明方法的方法流程示意图。
图2为本发明方法所对应的RCD吸收回路的电路示意图。
图3为本发明方法所对应的电路在电流下降沿时的电流示意图。
图4为本发明方法所对应的电路在电流下降沿时的等效电路示意图。
图5为本发明方法所对应的电路在电流下降沿时的电流震荡过程示意图。
具体实施方式
如图1所示为本发明方法的方法流程示意图:本发明提供的这种RCD吸收回路的匹配电阻计算方法,包括如下步骤:
S1.确定RCD吸收回路的电路参数和工作状态;如图2所示;
该吸收电路适合大功率电路,特点是过电压抑制效果好,损耗低,关断时间短且线性度好。该电路主要由电容、电阻、二极管三部分构成。其中电容C1~C4的电容值相同,电阻R1~R4的阻值相同,开关管K1~K4为MOS管,而CK1~CK4为MOS管两端结电容,并假定DK1~DK4为MOS管的反向二极管。工作时,先闭合K1和K4,在电流稳定的状态下关闭开关,得到关断波形,等到电流完全降为0之后,闭合K2和K3,重复上述操作,可得到双极性方波。关断波形如图3所示,从图中可以看出,下降波形尾端存在明显的震荡。但在实际运用中,并不希望出现电流过冲与震荡的现象,所以就需要加入匹配电阻,使关断波形在t1时刻直接降为0;
S2.采用基尔霍夫定理,对RCD吸收回路的震荡阶段的状态进行分析,得到震荡微分方程;
当MOS管突然关闭时,负载线圈、负载线圈自身电阻、负载线圈自身分布电容、匹配电阻与吸收回路电容形成一个典型的二阶电路;由于吸收回路电容与负载线圈分布电容处于并联关系,可等效为一个电容,等效图如图4所示;
因此,对电路进行分析,可以得到如下方程式作为震荡微分方程:
Figure BDA0002961839250000051
式中C为RCD吸收回路的电容与负载线圈分布电容并联后的等效电容值;u(t)为开关管的等效电容两端的电压值;i(t)为负载线圈的电流值;r为RCD吸收回路的匹配电阻值;R为RCD吸收回路的电阻值;L为负载线圈的电感值
S3.对步骤S2得到的震荡微分方程进行求解,得到RCD吸收回路的匹配电阻的理论值;具体为采用如下步骤进行求解并得到匹配电阻的理论值:
A.列出震荡微分方程的特征方程为:
Figure BDA0002961839250000052
式中C为RCD吸收回路的电容与负载线圈分布电容并联后的等效电容值;u(t)为开关管的等效电容两端的电压值;i(t)为负载线圈的电流值;r为RCD吸收回路的匹配电阻值;R为RCD吸收回路的电阻值;L为负载线圈的电感值;
B.列出步骤A的特征方程的判定式为
Figure BDA0002961839250000061
C.由二阶电路分析可得,当Δ>0时,负载线圈处于非振荡放电过程,此时关断时间被拉长;当Δ=0时,负载线圈处于临界状态,此时关断时间最短;当Δ<0时,负载线圈处于震荡放电过程,此时关断波形尾端出现震荡效果;等效图如图5所示;因此,令步骤B得到的判定式Δ为0,从而得到RCD吸收回路的匹配电阻的理论值为
Figure BDA0002961839250000062
Figure BDA0002961839250000063
S4.将步骤S3得到的理论值与实际的标准电阻值进行对比,对RCD吸收回路的匹配电阻值进行调整,从而得到最终的RCD吸收回路的匹配电阻;具体实施时,首先舍弃计算得到的理论值中不合理的一个(比如为负数的一个);然后,由于实际市场上的电阻,并非任何电阻值都有,因此需要根据实际情况,对理论值进行调整或者采用实际市场上现成的电阻进行串并联组合,从而得到最终的RCD吸收回路的匹配电阻。
最后,本发明还提供了一种瞬变电磁发射机,该瞬变电磁发射机包括了所述的RCD吸收回路的电路,然后所述的RCD吸收回路的匹配电阻由上述的方法进行计算得到。

Claims (3)

1.一种RCD吸收回路的匹配电阻计算方法,包括如下步骤:
S1.确定RCD吸收回路的电路参数和工作状态;
S2.采用基尔霍夫定理,对RCD吸收回路的震荡阶段的状态进行分析,得到震荡微分方程;具体为采用如下方程式作为震荡微分方程:
Figure FDA0003854553680000011
式中C为RCD吸收回路的电容与负载线圈分布电容并联后的等效电容值;u(t)为开关管的等效电容两端的电压值;i(t)为负载线圈的电流值;r为RCD吸收回路的匹配电阻值;R为RCD吸收回路的电阻值;L为负载线圈的电感值;
S3.对步骤S2得到的震荡微分方程进行求解,得到RCD吸收回路的匹配电阻的理论值;
S4.将步骤S3得到的理论值与实际的标准电阻值进行对比,对RCD吸收回路的匹配电阻值进行调整,从而得到最终的RCD吸收回路的匹配电阻。
2.根据权利要求1所述的RCD吸收回路的匹配电阻计算方法,其特征在于步骤S3所述的对步骤S2得到的震荡微分方程进行求解,得到RCD吸收回路的匹配电阻的理论值,具体为采用如下步骤进行求解并得到匹配电阻的理论值:
A.列出震荡微分方程的特征方程为:
Figure FDA0003854553680000012
式中C为RCD吸收回路的电容与负载线圈分布电容并联后的等效电容值;u(t)为开关管的等效电容两端的电压值;i(t)为负载线圈的电流值;r为RCD吸收回路的匹配电阻值;R为RCD吸收回路的电阻值;L为负载线圈的电感值;
B.列出步骤A的特征方程的判定式为
Figure FDA0003854553680000021
C.令步骤B得到的判定式Δ为0,从而得到RCD吸收回路的匹配电阻的理论值为
Figure FDA0003854553680000022
Figure FDA0003854553680000023
3.一种瞬变电磁发射机,其特征在于包括了权利要求1或2所述的RCD吸收回路的匹配电阻计算方法。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0534719A2 (en) * 1991-09-26 1993-03-31 National Semiconductor Corporation Integrated circuit having reduced electromagnetic emissions
CN105717544A (zh) * 2016-04-26 2016-06-29 吉林大学 实时采集存储及数据成图解释的瞬变电磁发射接收系统
CN107017610A (zh) * 2017-05-11 2017-08-04 中国地质大学(武汉) 一种瞬变电磁发射机无源恒压钳位快速关断电路
CN108254791A (zh) * 2018-01-18 2018-07-06 国网重庆市电力公司电力科学研究院 一种瞬变电磁发射机阻尼匹配装置及方法
CN111799997A (zh) * 2020-07-22 2020-10-20 湖南五维地质科技有限公司 经典rcd吸收回路的最优化设计方法及瞬变电磁发送机

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0534719A2 (en) * 1991-09-26 1993-03-31 National Semiconductor Corporation Integrated circuit having reduced electromagnetic emissions
US5317207A (en) * 1991-09-26 1994-05-31 National Semiconductor Corporation Integrated circuit having reduced electromagnetic emissions an integrated circuit including a variable impedance for reduced electromagnetic emission
CN105717544A (zh) * 2016-04-26 2016-06-29 吉林大学 实时采集存储及数据成图解释的瞬变电磁发射接收系统
CN107017610A (zh) * 2017-05-11 2017-08-04 中国地质大学(武汉) 一种瞬变电磁发射机无源恒压钳位快速关断电路
CN108254791A (zh) * 2018-01-18 2018-07-06 国网重庆市电力公司电力科学研究院 一种瞬变电磁发射机阻尼匹配装置及方法
CN111799997A (zh) * 2020-07-22 2020-10-20 湖南五维地质科技有限公司 经典rcd吸收回路的最优化设计方法及瞬变电磁发送机

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Research of RCD Clamp Snubber for High Power;Yu Chen,et al;《 2008 International Conference on Electrical Machines and Systems》;20090202;第1797-1801页 *
瞬变电磁实验教学模型系统设计;滕飞,等;《瞬变电磁实验教学模型系统设计》;20200731;第38卷(第4期);第439-447页 *

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