CN113013119B - 一种阵列式结构的led芯片 - Google Patents

一种阵列式结构的led芯片 Download PDF

Info

Publication number
CN113013119B
CN113013119B CN202110232483.8A CN202110232483A CN113013119B CN 113013119 B CN113013119 B CN 113013119B CN 202110232483 A CN202110232483 A CN 202110232483A CN 113013119 B CN113013119 B CN 113013119B
Authority
CN
China
Prior art keywords
heat
liquid storage
chip body
conducting
conduction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110232483.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113013119A (zh
Inventor
李晓波
张江鹏
唐兰香
路立锋
孟立智
张乾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tonghui Electronics Co ltd
Original Assignee
Tonghui Electronics Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tonghui Electronics Co ltd filed Critical Tonghui Electronics Co ltd
Priority to CN202110232483.8A priority Critical patent/CN113013119B/zh
Publication of CN113013119A publication Critical patent/CN113013119A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113013119B publication Critical patent/CN113013119B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/38—Cooling arrangements using the Peltier effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes

Abstract

本发明涉及LED芯片技术领域，具体为一种阵列式结构的LED芯片，包括芯片本体，芯片本体的顶端安装有多个处理器，芯片本体的顶端固定连接有多个第一传导带，第一传导带呈横向排列，芯片本体的底端固定连接有多个第二传导带，第二传导带呈纵向排列，芯片本体的前端、后端、左端和右端均固定连接有导热板，芯片本体的左端和右端均固定连接有储液箱，各相邻的导热板均连通，储液箱和对应导热板连通，储液箱的内部设置有导热液，各储液箱的内部均设置有帕尔贴组，帕尔贴组的外侧壁缠绕有导热丝，各储液箱的自由端均设置有开口，各储液箱的自由端均安装有盖板；其散热效果较高，使用寿命较高。

Description

一种阵列式结构的LED芯片
技术领域
本发明涉及LED芯片技术领域，具体为一种阵列式结构的LED芯片。
背景技术
LED芯片为一种固态的半导体器件，LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来，LED芯片的内部设置有多个处理单元。
经检索，专利公开号为CN110085620A公开了一种微阵列集成LED芯片，包括通过阵列式结构相连的多个GaN基LED芯片，相邻的GaN基LED芯片通过透明绝缘层相连且衬底为一体式结构；每个GaN基LED芯片结构包括从下到上依次包括：衬底、缓冲层、N型GaN层、MQW层、P型GaN层、ITO层和透明绝缘层；还包括从上到下贯穿至N型GaN层的第一台面和从N型GaN层到衬底的第二台面，N电极设置在N型GaN层的第一台面上且端部裸露在透明绝缘层外，P电极贯穿透明绝缘层和ITO层与P型GaN层相连。本发明还提供了该微阵列集成LED芯片的制备方法，该微阵列集成LED芯片高密度集成封装、亮度高，同时还能够实现小尺寸芯片的快速整体转移和封装。
其在使用的过程中，散热效果较低，在进行大量计算后，部分热量散发不及时，长期处于高温环境中，影响使用寿命。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种散热效果较高，使用寿命较高的阵列式结构的LED芯片。
(二)技术方案
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种阵列式结构的LED芯片，包括芯片本体，所述芯片本体的顶端安装有多个处理器，所述芯片本体的顶端固定连接有多个第一传导带，所述第一传导带呈横向排列，所述芯片本体的底端固定连接有多个第二传导带，所述第二传导带呈纵向排列，所述芯片本体的前端、后端、左端和右端均固定连接有导热板，所述芯片本体的左端和右端均固定连接有储液箱，所述第一传导带、第二传导带和导热板的内部均设置有空腔，各相邻的导热板均连通，所述储液箱和对应所述导热板连通，所述储液箱的内部设置有导热液，各所述储液箱的内部均设置有帕尔贴组，所述帕尔贴组的外侧壁缠绕有导热丝，所述导热丝的一端穿过各第一传导带、第二传导带和导热板，各所述储液箱的自由端均设置有开口，各所述储液箱的自由端均安装有盖板。
优选的，所述芯片本体的前侧设置有连接箱，所述连接箱的顶端和储液箱的底端固定连接，所述连接箱的内部设置有铝管，所述铝管呈弯折状，所述连接箱的内部设置有玻璃纤维，所述玻璃纤维位于所述铝管的下侧，所述铝管的左端和右端均连通有传导管，所述传导管的顶端均连通有转接管，各所述转接管均和各所述储液箱连通。
优选的，所述导热液为导热硅油。
优选的，所述储液箱和各对应所述盖板通过螺钉连接，所述盖板和所述储液箱之间设置有密封垫。
优选的，所述导热丝的外壁固定连接有多个长丝，所述长丝的一端和对应所述第一传导带、第二传导带和导热板的内壁固定连接。
优选的，所述导热丝和长丝均为银丝。
优选的，所述第一传导带和第二传导带均为金刚石。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种阵列式结构的LED芯片，具备以下有益效果：
该阵列式结构的LED芯片，通过芯片本体和处理器产生热量之后，热量传递给导热液、第一传导带、第二传导带和导热板，进而将热量散发到周围，并通过帕尔贴组产生低温，进而对导热液、导热丝、第一传导带、第二传导带和导热板进行降温，达到散热效果较高，使用寿命较高的效果。
附图说明
图1为本发明结构示意图；
图2为本发明的俯视结构示意图。
图中：1、芯片本体；2、处理器；3、第一传导带；4、第二传导带；5、导热板；6、储液箱；7、导热液；8、帕尔贴组；9、导热丝；10、盖板；11、连接箱；12、铝管；13、玻璃纤维；14、传导管；15、转接管；16、密封垫；17、长丝。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例：
请参阅图1-2，一种阵列式结构的LED芯片，包括芯片本体1，芯片本体1的顶端安装有多个处理器2，芯片本体1的顶端固定连接有多个第一传导带3，第一传导带3呈横向排列，芯片本体1的底端固定连接有多个第二传导带4，第二传导带4呈纵向排列，第一传导带3和第二传导带4均为金刚石；通过金刚石的导热效果较好，并且其硬度较高，进一步提高实用性，芯片本体1的前端、后端、左端和右端均固定连接有导热板5，芯片本体1的左端和右端均固定连接有储液箱6，第一传导带3、第二传导带4和导热板5的内部均设置有空腔，各相邻的导热板5均连通，储液箱6和对应导热板5连通。
进一步的，储液箱6的内部设置有导热液7，导热液7为导热硅油；通过导热硅油导热的效果较好，代替水，进一步提高导热效率，并通过导热硅油的导电性能较低，进而减少导热油泄露后，对芯片本体1造成影响的情况，各储液箱6的内部均设置有帕尔贴组8，帕尔贴组8的外侧壁缠绕有导热丝9，导热丝9的外壁固定连接有多个长丝17，长丝17的一端和对应第一传导带3、第二传导带4和导热板5的内壁固定连接；通过长丝17扩大传导热量的效率，进一步提高导热效果，导热丝9和长丝17均为银丝；通过银的导热效果较好，进一步提高导热的效果，导热丝9的一端穿过各第一传导带3、第二传导带4和导热板5，各储液箱6的自由端均设置有开口，各储液箱6的自由端均安装有盖板10，储液箱6和各对应盖板10通过螺钉连接，盖板10和储液箱6之间设置有密封垫16；通过密封垫16的密封效果减少导热液的泄露，并通过盖板10和储液箱6可拆卸，便于对储液箱6进行清洗，芯片本体1的前侧设置有连接箱11，连接箱11的顶端和储液箱6的底端固定连接，连接箱11的内部设置有铝管12，铝管12呈弯折状，连接箱11的内部设置有玻璃纤维13，玻璃纤维13位于铝管12的下侧，铝管12的左端和右端均连通有传导管14，传导管14的顶端均连通有转接管15，各转接管15均和各储液箱6连通；通过铝管12传递导热液7，进而将热量传递到连接箱11内部，通过连接箱11扩大散热面积，并通过在外界较高温度时，通过玻璃纤维13减少外界传递热量给铝管12，提高实用性；通过芯片本体1和处理器2产生热量之后，热量传递给导热液7、第一传导带3、第二传导带4和导热板5，进而将热量散发到周围，并通过帕尔贴组8产生低温，进而对导热液7、导热丝9、第一传导带3、第二传导带4和导热板5进行降温，达到散热效果较高，使用寿命较高的效果。
综上所述，该阵列式结构的LED芯片的工作原理和工作过程为，芯片本体1和处理器2产生热量之后，热量传递给导热液7、第一传导带3、第二传导带4和导热板5，进而将热量散发到周围，并通过帕尔贴组8产生低温，进而对导热液7、导热丝9、第一传导带3、第二传导带4和导热板5进行降温。
帕尔贴组8为多个帕尔贴串联成的，各帕尔贴的冷端均位于储液箱6的内部，其为半导体致冷器件，品质优良，价格低廉，为市场上可购买到的常规部件，其使用方法和安装方法为该领域技术人员所熟知。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (4)

1.一种阵列式结构的LED芯片，其特征在于：包括芯片本体（1），所述芯片本体（1）的顶端安装有多个处理器（2），所述芯片本体（1）的顶端固定连接有多个第一传导带（3），所述第一传导带（3）呈横向排列，所述芯片本体（1）的底端固定连接有多个第二传导带（4），所述第二传导带（4）呈纵向排列，所述芯片本体（1）的前端、后端、左端和右端均固定连接有导热板（5），所述芯片本体（1）的左端和右端均固定连接有储液箱（6），所述第一传导带（3）、第二传导带（4）和导热板（5）的内部均设置有空腔，各相邻的导热板（5）均连通，所述储液箱（6）和对应所述导热板（5）连通，所述储液箱（6）的内部设置有导热液（7），各所述储液箱（6）的内部均设置有帕尔贴组（8），所述帕尔贴组（8）的外侧壁缠绕有导热丝（9），所述导热丝（9）的一端穿过各第一传导带（3）、第二传导带（4）和导热板（5），各所述储液箱（6）的自由端均设置有开口，各所述储液箱（6）的自由端均安装有盖板（10）。
2.根据权利要求1所述的一种阵列式结构的LED芯片，其特征在于：所述芯片本体（1）的前侧设置有连接箱（11），所述连接箱（11）的顶端和储液箱（6）的底端固定连接，所述连接箱（11）的内部设置有铝管（12），所述铝管（12）呈弯折状，所述连接箱（11）的内部设置有玻璃纤维（13），所述玻璃纤维（13）位于所述铝管（12）的下侧，所述铝管（12）的左端和右端均连通有传导管（14），所述传导管（14）的顶端均连通有转接管（15），各所述转接管（15）均和各所述储液箱（6）连通。
3.根据权利要求2所述的一种阵列式结构的LED芯片，其特征在于：所述导热液（7）为导热硅油。
4.根据权利要求3所述的一种阵列式结构的LED芯片，其特征在于：所述储液箱（6）和各对应所述盖板（10）通过螺钉连接，所述盖板（10）和所述储液箱（6）之间设置有密封垫（16）。
CN202110232483.8A 2021-03-03 2021-03-03 一种阵列式结构的led芯片 Active CN113013119B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110232483.8A CN113013119B (zh) 2021-03-03 2021-03-03 一种阵列式结构的led芯片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110232483.8A CN113013119B (zh) 2021-03-03 2021-03-03 一种阵列式结构的led芯片

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113013119A CN113013119A (zh) 2021-06-22
CN113013119B true CN113013119B (zh) 2022-07-12

Family

ID=76402978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110232483.8A Active CN113013119B (zh) 2021-03-03 2021-03-03 一种阵列式结构的led芯片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113013119B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202650448U (zh) * 2009-02-09 2013-01-02 惠州元晖光电股份有限公司 挠性网格显示装置以及发光二极管装置
CN203250734U (zh) * 2013-01-21 2013-10-23 容云 可更换芯片的芯片队列散热器及芯片阵列散热器
CN203823519U (zh) * 2014-04-24 2014-09-10 肖建省 大功率高散热led灯具
CN111696925A (zh) * 2020-05-18 2020-09-22 马鞍山芯海科技有限公司 一种芯片封装结构和方法
CN211743136U (zh) * 2020-04-23 2020-10-23 杭州感想信息技术有限公司 一种传导型结构的散热器

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN209169192U (zh) * 2018-12-20 2019-07-26 同辉电子科技股份有限公司 一种高亮度大功率硅基氮化镓led芯片
US10900839B2 (en) * 2019-05-06 2021-01-26 Behr Process Corporation Systems and methods for illuminating paint color chip locations within a display assembly
CN211017059U (zh) * 2019-11-15 2020-07-14 江苏康芯微电子科技有限公司 一种高效能二极管结构

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202650448U (zh) * 2009-02-09 2013-01-02 惠州元晖光电股份有限公司 挠性网格显示装置以及发光二极管装置
CN203250734U (zh) * 2013-01-21 2013-10-23 容云 可更换芯片的芯片队列散热器及芯片阵列散热器
CN203823519U (zh) * 2014-04-24 2014-09-10 肖建省 大功率高散热led灯具
CN211743136U (zh) * 2020-04-23 2020-10-23 杭州感想信息技术有限公司 一种传导型结构的散热器
CN111696925A (zh) * 2020-05-18 2020-09-22 马鞍山芯海科技有限公司 一种芯片封装结构和方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113013119A (zh) 2021-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE47530E1 (en) Light-emitting diode apparatus
KR100996048B1 (ko) 패널형 반도체모듈
CN101978208A (zh) 面光源装置
RU2542569C1 (ru) Светодиодная осветительная лампа с жидкостным охлаждением
CN108692200A (zh) 具有散热效果的发光二极管灯具
CN113013119B (zh) 一种阵列式结构的led芯片
KR20080000241U (ko) Ｌｅｄ 모듈
KR100873458B1 (ko) 조명용 ｌｅｄ 모듈
US20150280092A1 (en) Floating heat sink support with copper sheets and led package assembly for led flip chip package
CN108925124B (zh) 模块浸泡式冷却机构和变频器
CN102997084A (zh) Led单元及使用该led单元的led照明器具
CN213453542U (zh) 一种散热效果好的led灯控制器
CN213184342U (zh) 一种陶瓷面led灯封装结构
CN213636101U (zh) 一种电池电芯液冷散热结构
CN208186285U (zh) 一种led灯散热器
CN209840040U (zh) 一种密封式照明散热器
CN207364958U (zh) 一种新能源汽车专用led光源封装模块
CN216868221U (zh) 一种具有散热结构的led灯丝
CN214198213U (zh) 一种快速散热的led灯珠
CN212625630U (zh) 一种高性能二极管封装装置
CN220382960U (zh) 半导体热能发电装置
CN213119004U (zh) 一种内封IC的Mini LED灯珠
CN212571028U (zh) 一种倒装式led灯封装结构
CN218379031U (zh) 可调节光强度的led光源
CN113280273B (zh) 一种深海照明灯

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant