CN1129947C

CN1129947C - 等离子显示器的阻隔壁的制造方法及显示器的后板结构

Info

Publication number: CN1129947C
Application number: CN01121483A
Authority: CN
Inventors: 许国彬
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2001-06-12
Filing date: 2001-06-12
Publication date: 2003-12-03
Anticipated expiration: 2021-06-12
Also published as: CN1317815A

Abstract

一种等离子显示器的阻隔壁的制造方法及其结构。该方法包括：在玻璃基板上同时形成相互交错排列的寻址电极和基部板，于寻址电极、基部板和玻璃基板上覆盖一层阻隔材料层，于阻隔材料层上形成掩模图案层，做为砂阻，进行一喷砂工艺，去除未被掩模图案层覆盖的阻隔材料层。由于阻隔材料层与光滑的玻璃基板的附着力不佳，故玻璃基板上的阻隔材料层比基板部上的阻隔材料层容易移除，而形成仅位于基部板上方的阻隔壁。

Description

等离子显示器的阻隔壁的制造方法及显示器的后板结构

技术领域

本发明涉及一种等离子显示器(plasma display panel；PDP)，特别是涉及一种PDP的后板结构及PDP的阻隔壁(rib)的制造方法。

背景技术

等离子显示器是一种藉由气体放电来产生发光的平面显示器(flat paneldisplay；FPD)，其主要的特色是轻、薄、易大型化，且无视角问题。

通常等离子显示器是由前板(front panel)与后板(rear panel)封装组合而成，等离子显示器的阻隔壁形成在后板上，做为放电空间的间隔，用以确保微小的放电空间与防止RGB三色荧光体的混合。传统的阻隔壁的制造方法，如图1A至图1B所示，并于叙述于下文中。

首先，请参照图1A，于后玻璃基板10表面形成寻址电极(addresselectrode)12后，藉由印刷和烧结工艺于其上覆盖一层介电层14，用以保护电极。接着在介电层14表面形成阻隔壁材料层16，并于其上贴上干膜光致抗蚀剂，经曝光显影后，形成如图所示的干膜光致抗蚀剂18。

接着请参照图1B，利用干膜光致抗蚀剂18做为砂阻，进行喷砂(sandblasting)，以形成阻隔壁16a。

在上述的传统的阻隔壁16a的工艺中，虽然阻隔壁16a下方的介电层14可保护寻址电极12，避免其在喷砂工艺时遭到破坏，但是为了制作介电层14，需要多一道高温的烧结步骤。此外，由于阻隔壁16a的高度约为100～200微米，以砂材去除不需要的阻隔材料时，阻隔壁底部的宽度常常不易控制。若在喷砂过程中，砂材对阻隔材料的横向作用力过大时，会形成底面积过小的阻隔壁16a。而阻隔壁16a的大小会影响放电空间的大小以及等离子显示器的结构强度，当阻隔壁较窄时，可增加放电空间，进而增加萤光体的涂布率，以提高亮度和降低消耗电力。由于阻隔壁16a的高度已相当高，要是进一步缩小其宽度，或是增加其高度，以提高放电空间，会使结构不稳，而容易崩塌。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种可以少一道烧结步骤的PDP的阻隔壁的制造方法，并且可以有效控制阻隔壁的顶部和底部的宽度，以及在兼顾阻隔壁的结构的稳定度下，增加放电空间，以提高亮度和降低消耗电力。

因此，本发明提供一种等离子显示器的阻隔壁的制造方法，包括：于玻璃基板上形成相互交错排列的寻址电极和基部板，每一寻址电极和每一基部板之间相隔一距离，之后于寻址电极、基部板和玻璃基板上覆盖一层阻隔材料层，并于阻隔材料层上形成一掩模层，并定义其图案做为砂阻，之后进行一喷砂工艺，去除未被掩模图案层覆盖的阻隔材料层，以形成仅位于基部板上方的阻隔壁。其中，基部板的形状可依需求做任意改变，藉以改变阻隔壁的立体结构，还可选择在寻址电极上形成一层保护膜，以避免喷砂工艺对寻址电极造成伤害。

本发明并提供一种等离子显示器的后板构造，包括：一玻璃基板；多个寻址电极和基部板，相互交错排列于玻璃基板上，且每一寻址电极和每一基部板之间相隔一距离；以及多个阻隔壁，分别形成于每一基部板上，且每一阻隔壁的底部宽度与每一基部板的宽度相同。其中，一保护膜还形成于寻址电极表面。

附图说明

为使本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一优选实施例，并配合附图作详细说明。附图中：

图1A至图1B绘示现有的等离子显示器的阻隔壁的制造方法示意图。

图2A至图2D绘示本发明的阻隔壁的制造流程示意图。

图3绘示本发明的一种阻隔壁的形状变化示意图。

后玻璃基板：10、100基部板：102b

寻址电极：12、102a保护膜：104

介电层：14阻隔壁顶部：106’

阻隔材料层：16、106阻隔壁底部：106”

阻隔壁：16a、106a放电单元：110

干膜光致抗蚀剂：18掩模图案层：108

具体实施方式

本发明揭露一种等离子显示器的后板构造，如图2D所示，其至少包括：玻璃基板100、寻址电极102a、基部板102b以及阻隔壁106a。其中寻址电极102a与基部板102b相互交错排列于玻璃基板100上，且每一寻址电极102a和每一基部板102b之间相隔一距离。阻隔壁106a形成于基部板102b上，且阻隔壁106a的底部宽度与基部板102b的宽度相同。另外，还可选择性地于寻址电极102a表面形成一保护膜104a。

以下将配合图2A至图2D，详细说明本发明的阻隔壁的制造方法。

首先请参照图2A，于后玻璃基板100上形成多个寻址电极102a和基部板102b，其中寻址电极102a和基部板102b为同一材质，可用不同光罩曝光二次或同一光罩曝光一次后，经显影和烧结而同时形成，烧结的温度约为500℃至550℃之间。一般而言，寻址电极102a和基部板102b的材质含有导电材质(例如银)、感旋光性高分子、以及玻璃质(glass frit)，或者是其它与阻隔材料相同的玻璃(glass)。寻址电极102a和基部板102b之间距离一间隔d，约为20～50微米，而基部板102b的宽度约为140～150微米。

值得注意的是，此基部板102b虽与寻址电极102a同时形成，且同样由导电材质所构成，但基部板102b不提供任何电性的功能，意即处于浮置状态。

接着请参照图2B，利用压膜(laminate)程序，于后玻璃基板100、寻址电极102a和基部板102b上，形成一层保护膜104，此保护膜104为含感旋光性材质和介电材质的干膜，厚度约为5～15微米左右。

接着请参照图2C，此保护膜104经曝光显影后，形成仅保护寻址电极102a的保护膜104a。此外，亦可以用有机黏着剂(organic binder)直接网印(screen-print)于寻址电极102a上。另外，若后续的喷砂工艺控制得宜，则可以不用形成保护膜104a。

接着，于后玻璃基板100、保护膜104a和基部板102b上，涂布一定厚度的阻隔材料层106。并于阻隔材料层106上形成掩模图案层108，其厚度约为30～100微米。举例来说，掩模图案层108形成方法可于阻隔材料层106上以压膜方法形成一层感旋光性干膜(photosensitive dry film)，经曝光显影，定义其图案。

然后以掩模图案层108做为砂阻，进行喷砂工艺，去除未被掩模图案层108覆盖的阻隔材料层106，以形成阻隔壁106a。剥除掩模图案层108后，即形成此等离子显示器的后板。

值得注意的是，所形成的阻隔壁底部106”的宽度，是由基部板102b的宽度决定。因为基板部由含金属成分的导电材料组成，表面粗糙度比光滑玻璃高，所以阻隔材料层106与后玻璃基底100的附着力较差，而与基部板102b的附着力优选。因此在进行喷砂工艺时，位于后玻璃基底100上的阻隔材料层106会选择性地被去除，而形成阻隔壁底部106”与基部板102b同宽的阻隔壁106a。由于阻隔壁顶部的宽度是由掩模层图案所决定，因此，本发明的阻隔壁106a其顶部106’和底部106”的宽度，可视产品需求而较精确的自由调整。

另外，可藉由改变基部板102b的形状来改变阻隔壁底部106”的宽度。此基部板102b可为传统的直条状，或者可为具有凹凸侧边的条状，如图3所示。图3显示一种改变基部板102b形状的阻隔壁，藉由缩小每一放电单元110周边的基部板102b宽度，来缩小阻隔壁106a的宽度，以达到增加放电单元110的放电空间的目的。较大的放电空间可以增加萤光体涂布的表面积，提高发光效率，进而提高等离子显示器的亮度及降低消耗电力。

综上所述，本发明至少具有下列优点和特征：

1.本发明在寻址电极形成后，并未同现有覆盖一层介电层，而是仅于寻址电极上形成干膜式的保护膜，因此与现有相较，减少了一道高温的烧结步骤。因为减少了高温工艺，故可以降低成本，还可以提高产品的效能。

2.本发明于阻隔壁底部形成基部板的结构，而得以有效控制阻隔壁的底部的宽度。

3.本发明藉由改变基部板的形状，而得以改变阻隔壁的形状与放电空间的大小，因此可采用阻隔壁部份区域变窄的方式来增加放电空间，以提高PDP的亮度，还可兼顾阻隔壁的结构的稳定度。

4.本发明的阻隔壁的底部由基部板所控制，顶部由掩模图案层所控制，因此提高了工艺的可变性。

虽然本发明已结合优选实施例揭露如上，然而其并非用以限制本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，可以做更动与润饰，因此本发明的保护范围应当视后附的权利要求范围所界定者为准。

Claims

1.一种等离子显示器(PDP)的阻隔壁的制造方法，包括：

提供一玻璃基板；

在该玻璃基板上形成相互交错排列的多个寻址电极和多个基部板，每一寻址电极和每一基部板之间相隔一距离；

在该些寻址电极、该些基部板和该玻璃基板上覆盖一阻隔材料层；

在该阻隔材料层上形成一掩模图案层；以及

进行一喷砂工艺，去除未被该掩模图案层覆盖且对应于该玻璃基底和该些寻址电极上方的该阻隔材料层，以形成多个位于该些基部板上方的阻隔壁。

2.如权利要求1所述的等离子显示器的阻隔壁的制造方法，其中该些寻址电极和该些基部板的材质相同。

3.如权利要求1所述的等离子显示器的阻隔壁的制造方法，还包括于该些寻址电极上形成一保护膜。

4.如权利要求3所述的等离子显示器的阻隔壁的制造方法，其中该保护膜的形成方法包括：

(a)进行一压膜程序，于该些寻址电极、该些基部板和该玻璃基板上覆盖一含感旋光性材质和介电材质的干膜；

(b)对该干膜进行一曝光显影工艺，以于该些寻址电极上形成该保护膜。

5.如权利要求3所述的等离子显示器的阻隔壁的制造方法，其中该保护膜的形成方法为进行一网印工艺，于该些寻址电极上形成含有机黏着剂的该保护膜。

6.如权利要求1所述的等离子显示器的阻隔壁的制造方法，其中每一寻址电极和每一基部板之间相隔的距离介于20至50微米之间。

7.如权利要求1所述的等离子显示器的阻隔壁的制造方法，其中该些基部板的宽度介于140至150微米之间。

8.如权利要求1所述的等离子显示器的阻隔壁的制造方法，其中该些基部板的形状为直条状。

9.如权利要求1所述的等离子显示器的阻隔壁的制造方法，其中该些基部板的形状为具有凹凸侧边的条状。

10.一种等离子显示器的后板构造，包括：

一玻璃基板；

多个寻址电极和多个基部板，相互交错排列于该玻璃基板上，每一寻址电极和每一基部板之间相隔一距离；以及

多个阻隔壁，形成于该些基部板上，该些阻隔壁的底部宽度与该些基部板的宽度相同。

11.如权利要求10所述的等离子显示器的后板结构，还包括一保护膜形成于该些寻址电极上。

12.如权利要求10所述的等离子显示器的后板结构，其中每一寻址电极和每一基部板之间相隔的距离介于20至50微米之间。

13.如权利要求10所述的等离子显示器的后板结构，其中该些基部板的宽度介于140至150微米之间。

14.如权利要求10所述的等离子显示器的后板结构，其中该些基部板的形状为直条状。

15.如权利要求10所述的等离子显示器的后板结构，其中该些基部板的形状为具有凹凸侧边的条状。