CN112964983A - 保护电路、保护电路的控制方法和测试设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种保护电路、保护电路的控制方法和测试设备，包括电源、测试端、电感、二极管和第一开关。所述电感的两端分别与所述电源的正极和所述测试端一端连接。所述测试端的另一端与所述电源的负极连接。所述二极管的阳极与所述电源的负极连接。所述二极管的阴极与所述电源的正极连接。所述第一开关串联于所述电感、所述测试端和所述二极管构成的回路。所述保护电路在进行测试时能够通过所述电感对连接于所述测试端的被测试器件进行放电测试。所述第一开关能够在雪崩测试异常时断开所述电感、所述测试端和所述二极管构成的回路，因此可以迅速降低和阻断所述电感的能量释放，确保测试过程中测试设备的安全。

Description

保护电路、保护电路的控制方法和测试设备

技术领域

本申请涉及测试领域，特别是涉及一种保护电路、保护电路的控制方法和测试设备。

背景技术

雪崩测试是大电流开关器件的重要测试项目。在实际的测试中，需要将被测器件与电感连接导通，使电感上电流达到预设的电流值并存储相应的能量。然后快速关断被测器件的栅极驱动信号，使被测试器件进入雪崩击穿状态进行雪崩测试。在此期间，电流达到预设的电流值所需要的充电时间就是雪崩测试的充电时间。通过电感的能量进入到被测试器件的电流称为雪崩电流。施加在被测器件上的电压是雪崩电压。电流从预设的电流值到零的放电时间是雪崩时间。

其中，正常的雪崩测试中，电流为预设值，所以被测器件的夹具等测试装置的电流都是可承受的。但是如果发生了异常雪崩测试，被测试器件发生了异常短路，导致电感中的能量需要很长的时间才能在被测试器件和电感之间泄放，也就产生了能够维持长时间的异常电流。维持长时间的异常电流会使被测试器件和测试夹具及测试回路损坏。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种保护电路、保护电路的控制方法和测试设备。

一种保护电路，包括：

电源；

电感和测试端，所述电感的两端分别与所述电源的正极和所述测试端一端连接，所述测试端的另一端与所述电源的负极连接；

二极管，所述二极管的阳极与所述电源的负极连接，所述二极管的阴极与所述电源的正极连接；

第一开关，所述第一开关串联于所述电感、所述测试端和所述二极管构成的回路。

在一个实施例中，所述第一开关的两端分别与电源的负极和所述二极管的阳极连接。

在一个实施例中，所述第一开关串联于所述电感和所述测试端之间。

在一个实施例中，还包括第一泄放电路，所述第一泄放电路的一端连接于所述电感和所述第一开关之间，所述第一泄放电路的另一端连接于所述电源的负极，所述第一泄放电路导通时用于释放所述电感的能量。

在一个实施例中，所述第一泄放电路包括：

第二开关，所述第二开关的一端连接于所述电感和所述第一开关之间；

第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第二开关的另一端连接；

第三开关，所述第三开关的一端与所述第一电阻的另一端连接，所述第三开关的另一端与所述电源的负极连接。

在一个实施例中，还包括第二泄放电路，所述第二泄放电路并联于所述电感的两端，所述第二泄放电路闭合时用于释放所述电感的能量。

在一个实施例中，所述第二泄放电路包括第四开关、第二电阻和第五开关，所述第四开关、所述第二电阻和所述第五开关串联后并联于所述电感的两端。

在一个实施例中，还包括第六开关，所述第六开关并联于所述测试端的两端。

在一个实施例中，还包括第七开关，所述第七开关的两端分别与所述电源的正极和所述二极管的阴极连接。

在一个实施例中，还包括：

第一切换开关，所述第一切换开关串联于所述电源的正极和所述电感之间；

第二切换开关，所述第二切换开关串联于所述述电源的正极和所述测试端之间；

第三切换开关，所述第三切换开关串联于所述电源的负极和所述电感之间；

第四切换开关，所述第四切换开关串联于所述电源的负极和所述测试端之间。

本申请实施例还提供一种测试设备，包括所述的保护电路。

一种保护电路的控制方法，所述保护电路包括电源、电感、测试端、二极管和第一开关，所述电感的两端分别与所述电源的正极和所述测试端一端连接，所述测试端的另一端与所述电源的负极连接，所述二极管的阳极与所述电源的负极连接，所述二极管的阴极与所述电源的正极连接，所述第一开关串联于所述电感、所述测试端和所述二极管构成的回路，所述方法包括：

监控所述测试端的电流；

当所述测试段开关的电流超过电流阈值时，控制所述第一开关断开。

本申请实施例提供的所述保护电路包括电源、测试端、电感、二极管和第一开关。所述电感的两端分别与所述电源的正极和所述测试端一端连接。所述测试端的另一端与所述电源的负极连接。所述二极管的阳极与所述电源的负极连接。所述二极管的阴极与所述电源的正极连接。所述第一开关串联于所述电感、所述测试端和所述二极管构成的回路。所述保护电路在进行测试时能够通过所述电感对连接于所述测试端的被测试器件进行放电测试。所述第一开关能够在雪崩测试异常时断开所述电感、所述测试端和所述二极管构成的回路，因此可以迅速降低和阻断所述电感的能量释放，确保测试过程中测试设备的安全。

附图标记说明：

保护电路10、电感110、测试端120、第一开关130、二极管140、电源150、第一泄放电路200、第二开关210、第一电阻220、第三开关230、第二泄放电路300、第四开关310、第二电阻320、第五开关330、第六开关410、第七开关420、第一切换开关510、第二切换开关520、第三切换开关530、第四切换开关540。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例提供的保护电路结构图；

图2为本申请另一个实施例提供的保护电路结构图；

图3为本申请另一个实施例提供的保护电路结构图；

图4为本申请一个实施例提供的正常测试时的保护电路时序信号图；

图5为本申请一个实施例提供的异常测试时的保护电路时序信号图；

图6为本申请另一个实施例提供的正常测试时的保护电路时序信号图；

图7为本申请另一个实施例提供的异常测试时的保护电路时序信号图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

雪崩测试是大电流开关器件的重要测试项目。在实际的测试中，需要将被测器件与电感连接导通，使电感上电流达到预设的电流值并存储相应的能量。然后快速关断被测器件的栅极驱动信号，使被测试器件进入雪崩击穿状态进行雪崩测试。在此期间，电流达到预设的电流值所需要的充电时间就是雪崩测试的充电时间。通过电感的能量进入到被测试器件的电流称为雪崩电流。施加在被测器件上的电压是雪崩电压。电流从预设的电流值到零的放电时间是雪崩时间。正常的雪崩测试中，电流为预设的电流值。所以被测器件的夹具等测试装置能够承受该电流。但是如果发生了异常雪崩测试，被测试器件发生了异常短路，导致电感中的能量需要很长的时间才能在被测试器件和电感之间泄放，也就产生了能够维持长时间的异常电流。维持长时间的异常电流会使被测试器件、测试夹具及测试回路损坏。并且，根据测试最大电流的脉冲时间来进行计算，异常雪崩测试情况下的时间通过会比正常雪崩测试时间长数倍至数十倍。因此异常雪崩测试会对被测试器件、测试夹具及测试回路造成损坏。所以有效的防止大电流长时间连续的流过测试夹具(Prober探针台)是防止相关器件损坏的关键因素。

请参见图1-3，本申请实施例提供一种保护电路10。所述保护电路10包括电源150、测试端120、电感110、二极管140和第一开关130。所述电感110的两端分别与所述电源150的正极和所述测试端120一端连接。所述测试端120的另一端与所述电源150的负极连接。所述二极管140的阳极与所述电源150的负极连接。所述二极管140的阴极与所述电源150的正极连接。所述第一开关130串联于所述电感110、所述测试端120和所述二极管140构成的回路。

所述电源150可以为直流电源150。在一个实施例中，所述电源150可以为充电电容。所述保护电路10可以应用于测试设备。测试设备通过所述测试端120向外输出电流，以对测试器件进行检测。在一个实施例中，所述测试端120可以插接所述测试器件。所述测试端120也可以设置开关，以控制所述测试端120的开闭。在正常状态下，所述测试端120可以保持开启的状态。当所述测试设备不工作时，可以控制所述测试端120关闭。

所述测试端120的两端分别与所述电感110的一端和所述电源150的负极连接。所述测试端120可以为MOS管。所述MOS管的源极可以与所述电源150的负极连接。所述MOS管的漏极与所述电感110的一端连接。

所述二极管140可以为续流二极管140。所述二极管140的阳极与所述电源150的负极连接。所述二极管140的阴极与所述电源150的正极连接。因此，所述电源150正极的电流无法通过所述二极管140流向所述电源150的负极。所述电感110、所述测试端120和所述二极管140串联形成一个回路。所述电源150和所述二极管140串联形成一个回路。所述第一开关130串联于所述电感110、所述测试端120和所述二极管140构成的回路。

在正常的雪崩测试时，可以控制所述测试端120导通给被测试器件供电。所述电源150先给所述电感110充电。当所述电感110的电流值达到预设值后，所述电感110可以通过所述测试端120给被测试器件放电，对所述被测试器件进行测试。当测试过程发生异常，例如被测试器件发生了异常短路，导致电感110中的能量需要很长的时间才能在被测试器件和电感110之间泄放，也就产生了能够维持长时间的异常电流。维持长时间的异常电流会对测试夹具、测试回路等器件造成损坏。此时可以控制所述第一开关130断开，也就是说断开所述电感110、所述测试端120和所述二极管140构成的回路。因此可以迅速降低和阻断所述电感110的能量释放，确保测试过程中测试设备的安全。

本申请实施例提供的所述保护电路10包括电源150、测试端120、电感110、二极管140和第一开关130。所述电感110的两端分别与所述电源150的正极和所述测试端120一端连接。所述测试端120的另一端与所述电源150的负极连接。所述二极管140的阳极与所述电源150的负极连接。所述二极管140的阴极与所述电源150的正极连接。所述第一开关130串联于所述电感110、所述测试端120和所述二极管140构成的回路。所述保护电路10在进行测试时能够通过所述电感110对连接于所述测试端120的被测试器件进行放电测试。所述第一开关130能够在雪崩测试异常时断开所述电感110、所述测试端120和所述二极管140构成的回路，因此可以迅速降低和阻断所述电感110的能量释放，确保测试过程中测试设备的安全。

请再参见图1，在一个实施例中，所述第一开关130的两端分别与电源150的负极和所述二极管140的阳极连接。在一个实施例中，所述第一开关130可以为MOS管。所述MOS管的源极与所述电源150的负极连接。所述MOS管的漏极与所述二极管140的阳极连接。本实施例中，若测试异常时二极管140被击穿，所述第一开关130断开，能够避免所述电源150的正负极被短路。

请再参见图2和图3，在一个实施例中，所述第一开关130串联于所述电感110和所述测试端120之间。也就是说，所述第一开关130的一端与所述电感110的一端连接。所述第一开关130的另一端与所述测试端120的一端连接。在一个实施例中，所述第一开关130可以为MOS管。所述MOS管的漏极与所述电感110的一端连接。所述MOS管的源极与所述测试端120的一端连接。当所述测试端120为MOS管时，所述第一开关130的源极与所述测试端120的漏极连接。本实施例中，所述第一开关130断开后，能够迅速阻断所述电感110向连接于所述测试端120的被测试器件释放能量，达到快速保护的目的。

请再参见图3，在一个实施例中，所述保护电路10还包括第一泄放电路200。所述第一泄放电路200的一端连接于所述电感110和所述第一开关130之间。

所述第一泄放电路200的另一端连接于所述电源150的负极。所述第一泄放电路200导通时用于释放所述电感110的能量。所述第一开关130为MOS管时，所述MOS管的漏极连接于所述电感110的一端。所述第一泄放电路200的一端连接于所述MOS管的漏极。

当雪崩测试正常时，控制所述第一开关130闭合，所述第一泄放电路200断开。

当雪崩测试异常时，控制所述第一开关130断开，避免所述电感110中的能量对被测试器件造成冲击，同时控制所述第一泄放电路200导通。此时所述电感110、所述第一泄放电路200和所述二极管140构成回路。所述电感110的中的能量可以在所述电感110、所述第一泄放电路200和所述二极管140构成回路中释放。因此能够避免电感110中的能量对第一开关130冲击造成损伤。

在一个实施例中，所述第一泄放电路200包括第二开关210、第一电阻220和第三开关230。所述第二开关210的一端连接于所述电感110和所述第一开关130之间。所述第一电阻220的一端与所述第二开关210的另一端连接。所述第三开关230的一端与所述第一电阻220的另一端连接，所述第三开关230的另一端与所述电源150的负极连接。所述第一电阻220连接于所述第二开关210和所述第三开关230之间。当雪崩测试异常时，同时控制所述第二开关210和所述第三开关230导通。所述电感110中的能量可以在所述电感110、所述第二开关210、所述第一电容和所述第三开关230、所述二极管140构成的回路中释放。所述第一电阻220可以通过发热的方式消耗所述电感110中的能量。

在一个实施例中，所述第二开关210和所述第三开关230可以均为MOS管。所述第二开关210的源极连接于所述电感110和所述第一开关130之间。所述第二开关210的漏极与所述第一电阻220连接。所述第一电阻220的另一端与所述第二开关210的漏极连接。所述第二开关210的源极与所述电源150的负极连接。

请再参见图1和图2，在一个实施例中，所述保护电路10还包括第二泄放电路300。所述第二泄放电路300并联于所述电感110的两端。所述第二泄放电路300闭合时用于释放所述电感110的能量。所述第二释放电路和所述电感110并联构成回路。

当雪崩测试正常时，控制所述第二泄放电路300断开。所述第一开关130闭合。所述电感110正常给被测试器件放电。

当雪崩测试异常时，控制所述第一开关130断开，避免所述电感110中的能量对被测试器件造成冲击。同时控制所述第二泄放电路300导通。此时所述电感110和所述第二泄放电路300构成回路。所述电感110的中的能量可以在所述电感110、所述第二泄放电路300构成的回路中释放。因此能够避免电感110中的能量对第一开关130冲击造成损伤。

在一个实施例中，所述第二泄放电路300包括第四开关310、第二电阻320和第五开关330，所述第四开关310、所述第二电阻320和所述第五开关330串联后并联于所述电感110的两端。所述第二电阻320连接于所述第四开关310和所述第五开关330之间。当所述第四开关310和所述第五开关330闭合后，所述电感110释放的能量可以在所述第二电阻320中通过发热的形式消耗。

在一个实施例中，所述第四开关310和所述第五开关330可以为MOS管。所述第四开关310的源极与所述二极管140的阴极连接。所述第四开关310的漏极与所述第二电阻320的一端连接。所述第二电阻320的另一端与所述第五开关330的漏极连接。所述电感110一端与所述第四开关310的源极连接。所述电感110的另一端与所述第五开关330的源极连接。

所述第四开关310和所述第五开关330同时断开时，所述第二泄放电路300断开。当所述第四开关310和所述四五开关关闭时，所述第二泄放电路300关闭。

在一个实施例中，所述保护电路10还包括第六开关410。所述第六开关410并联于所述测试端120的两端。当雪崩测试正常时，所述第六开关410断开。所述第六开关410不会对所述电感110、所述测试端120和所述二极管140构成的回路产生影响。当雪崩测试异常时，可以控制所述第六开关410导通。此时包括所述电感110和所述二极管140的外围电路中的杂散电感S7的能量通过所述测试端120和所述第六开关410组成的泄放回路泄放，通过上述电路可以避免被测试器件上长时间流过异常电流。

在一个实施例中，所述第六开关410可以为MOS管。所述第六开关410的漏极与所述测试端120的漏极连接。所述第六开关410的源极与所述测试开关的源极连接。

在一个实施例中，所述保护电路10还包括第七开关420。所述第七开关420的两端分别与所述电源150的正极和所述二极管140的阴极连接。

开始测试时，可以控制所述第七开关420导通。所述电源150可以给所述电感110充电。当所述测试端120的电流增加到一定程度时，说明此时电感110已经完成充电。此时控制所述第七开关420断开。所述电感110开始对被测试器件放电。

可以理解，当所述保护电路10设置所述第七开关420时，所述保护电路10可以在VDD-OFF的模式下进行测试。也就是在所述电感110给被测试器件放电时，通过所述第七开关420切断电源150的供电路径。在该模式下的测试速度更快，能量密度测量精度更高。

当所述保护电路10不设置所述第七开关420时，所述保护电路10可以在VDD-ON模式下测试。也就是在进行雪崩测试时，所述电源150持续给电感110供电。所述保护电路10在VDD-ON模式下电路结构简单，可以不使用所述第七开关420和所述二极管140。

在一个实施例中，所述第七开关420可以为高速开关。

在一个实施例中，所述保护电路10还包括第一切换开关510、第二切换开关520、第三切换开关530和第四切换开关540。所述第一切换开关510串联于所述电源150的正极和所述电感110之间。所述第二切换开关520串联于所述述电源150的正极和所述测试端120之间。所述第三切换开关530串联于所述电源150的负极和所述电感110之间。所述第四切换开关540串联于所述电源150的负极和所述测试端120之间。

当所述电感110的电流方向为由所述电源150的正极向所述测试端120时，可以控制所述第一切换开关510和所述第四切换开关540导通。所述第二切换开关520和所述第三切换开关530断开。因此，所述电源150、所述第一切换开关510、所述电感110、所述测试端120、所述第四切换开关540形成回路。

当所述电感110的电流方向为由所述测试端120向所述电源150的正极时，可以控制所述第二切换开关520和所述第三切换开关530导通，所述第一切换开关510和所述第四切换开关540断开。因此，所述电感110、所述第三切换开关530、所述电源150、所述第二切换开关520、所述测试端120形成回路。

可以理解，电感110的电流方向可以根据被测试器件的类型选择。

请参见图4和图5，当被测器件为PMOS管，可以控制所述第二切换开关520和所述第三切换开关530导通，所述第一切换开关510和所述第四切换开关540断开。

图4和图5为当被测器件为PMOS管时，在正常状态测试和异常状态测试时，所述第一切换开关510(Tnpn)、所述第二切换开关520(Tpnp)、所述第三切换开关530(Tpnp)、所述第四切换开关540(Tnpn)、所述第四开关310(T1)、所述第五开关330(T2)、所述第一开关130(T3)，所述测试端120设置的开关T4、所述第六开关410(T5)、所述第七开关420(T6)的时序控制信号，以及对应的时间段被测试器件(DUT)的电流(Current)、栅极驱动(Gate)以及漏极(Drain)的信号变化。

请参见图6和图7，当被测试器件为NMOS管，可以控制所述第一切换开关510和所述第四切换开关540导通。所述第二切换开关520和所述第三切换开关530断开。

图6和图7为当被测器件为NMOS管时，在正常状态测试和异常状态测试时，所述第一切换开关510(Tnpn)、所述第二切换开关520(Tpnp)、所述第三切换开关530(Tpnp)、所述第四切换开关540(Tnpn)、所述第四开关310(T1)、所述第五开关330(T2)、所述第一开关130(T3)，所述测试端120设置的开关T4、所述第六开关410(T5)、所述第七开关420(T6)的时序控制信号，以及对应的时间段被测试器件(DUT)的电流(Current)、栅极驱动(Gate)以及漏极(Drain)的信号变化。

在一个实施例中，所述保护电路10包括第一驱动器(DriverA)、第二驱动器(DriverB)、第三驱动器(DriverD)和第四驱动器(DUTDriver)。其中，所述第一驱动器(DriverA)分别与所述第四开关310和所述第五开关330的控制端连接。所述第一驱动器(DriverA)用于控制所述第四开关310和所述第五开关330的断开和导通。所述第二驱动器(DriverB)与所述第一开关130的控制端连接。所述第二驱动器(DriverB)用于控制所述第一开关130的断开和导通。所述第三驱动器(DriverD)与所述第六开关410的控制端连接。所述第三驱动器(DriverD)用于控制所述第六开关410的断开和导通。所述第四驱动器(DUTDriver)与所述测试端120的控制端连接。所述第四驱动器(DUTDriver)用于控制所述测试端120的断开和导通。

在一个实施例中，所述线圈和所述测试端120之间还设置有电流监测装置(Monitor)。所述电流监测装置可以为电感线圈，用来测量流向所述测试端120的电流(Current)的变化。

本申请实施例还提供一种保护电路10的控制方法。所述保护电路10包括源、电感110、测试端120、二极管140和第一开关130。所述电感110的两端分别与所述电源150的正极和所述测试端120一端连接。所述测试端120的另一端与所述电源150的负极连接。所述二极管140的阳极与所述电源150的负极连接。所述二极管140的阴极与所述电源150的正极连接。所述第一开关130串联于所述电感110、所述测试端120和所述二极管140构成的回路。所述控制方法包括：

S10,监控所述测试端120的电流；

S20,当所述测试段开关的电流超过电流阈值时，控制所述第一开关130断开。

所述S10中，可以通过所述电流监测装置(Monitor)监控所述测试端120输出的电流。所述第一开关130能够在雪崩测试异常时断开所述电感110、所述测试端120和所述二极管140构成的回路，因此可以迅速降低和阻断所述电感110的能量释放，确保测试过程中测试设备的安全。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为本专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种保护电路，其特征在于，包括：

电源(150)；

电感(110)和测试端(120)，所述电感(110)的两端分别与所述电源(150)的正极和所述测试端(120)一端连接，所述测试端(120)的另一端与所述电源(150)的负极连接；

二极管(140)，所述二极管(140)的阳极与所述电源(150)的负极连接，所述二极管(140)的阴极与所述电源(150)的正极连接；

第一开关(130)，所述第一开关(130)串联于所述电感(110)、所述测试端(120)和所述二极管(140)构成的回路。

2.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，所述第一开关(130)的两端分别与电源(150)的负极和所述二极管(140)的阳极连接。

3.如权利要求2所述的保护电路，其特征在于，所述第一开关(130)串联于所述电感(110)和所述测试端(120)之间。

4.如权利要求3所述的保护电路，其特征在于，还包括第一泄放电路(200)，所述第一泄放电路(200)的一端连接于所述电感(110)和所述第一开关(130)之间，所述第一泄放电路(200)的另一端连接于所述电源(150)的负极，所述第一泄放电路(200)导通时用于释放所述电感(110)的能量。

5.如权利要求4所述的保护电路，其特征在于，所述第一泄放电路(200)包括：

第二开关(210)，所述第二开关(210)的一端连接于所述电感(110)和所述第一开关(130)之间；

第一电阻(220)，所述第一电阻(220)的一端与所述第二开关(210)的另一端连接；

第三开关(230)，所述第三开关(230)的一端与所述第一电阻(220)的另一端连接，所述第三开关(230)的另一端与所述电源(150)的负极连接。

6.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，还包括第二泄放电路(300)，所述第二泄放电路(300)并联于所述电感(110)的两端，所述第二泄放电路(300)闭合时用于释放所述电感(110)的能量。

7.如权利要求6所述的保护电路，其特征在于，所述第二泄放电路(300)包括第四开关(310)、第二电阻(320)和第五开关(330)，所述第四开关(310)、所述第二电阻(320)和所述第五开关(330)串联后并联于所述电感(110)的两端。

8.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，还包括第六开关(410)，所述第六开关(410)并联于所述测试端(120)的两端。

9.如权利要求1所述的保护电路，其特征在于，还包括第七开关(420)，所述第七开关(420)的两端分别与所述电源(150)的正极和所述二极管(140)的阴极连接。

10.如权利要求1-9任一项所述的保护电路，其特征在于，还包括：

第一切换开关(510)，所述第一切换开关(510)串联于所述电源(150)的正极和所述电感(110)之间；

第二切换开关(520)，所述第二切换开关(520)串联于所述述电源(150)的正极和所述测试端(120)之间；

第三切换开关(530)，所述第三切换开关(530)串联于所述电源(150)的负极和所述电感(110)之间；

第四切换开关(540)，所述第四切换开关(540)串联于所述电源(150)的负极和所述测试端(120)之间。

11.一种测试设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的保护电路。

12.一种保护电路的控制方法，所述保护电路包括电源(150)、电感(110)、测试端(120)、二极管(140)和第一开关(130)，所述电感(110)的两端分别与所述电源(150)的正极和所述测试端(120)一端连接，所述测试端(120)的另一端与所述电源(150)的负极连接，所述二极管(140)的阳极与所述电源(150)的负极连接，所述二极管(140)的阴极与所述电源(150)的正极连接，所述第一开关(130)串联于所述电感(110)、所述测试端(120)和所述二极管(140)构成的回路，其特征在于，所述方法包括：

监控所述测试端(120)的电流；

当所述测试段开关的电流超过电流阈值时，控制所述第一开关(130)断开。

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