CN112960674A - 多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉 - Google Patents

Abstract

本发明公开多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉，包括盘体，所述盘体具有多个进气口组和多个还原尾气出口组；和多个电极基座组，多个所述电极基座组沿所述盘体的径向间隔开地设在所述盘体上，每个所述电极基座组包括沿所述盘体的周向间隔开的多个电极基座，其中多个所述电极基座组和多个所述进气口组沿所述盘体的径向交替设置，一个所述还原尾气出口组位于多个所述电极基座组的外侧，其余的每个所述还原尾气出口组在所述盘体的径向上位于相邻两个所述电极基座组之间。通过进气口组和还原尾气出口组的设置，使得多晶硅还原炉内的温度场均匀，从而不仅可以有利于硅棒的沉积，从而改善硅棒的表面质量。

Description

多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉

技术领域

本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉。

背景技术

多晶硅是太阳能电池和集成电路的基础原材料，随着近年来光伏产业的迅速发展以及集成电路的需求激增，多晶硅作为其原材料在近年的需求急剧增加，目前，作为多晶硅生产的关键装备还原炉，存在转化率底下，产品外观质量较差、产品能耗高等问题。

相关技术中，对60对棒还原炉内的复杂生长并没有完全掌握清楚，运行中出现倒炉、缺相等异常情况，从而导致原炉装备存在着单炉产能有限，一次转化率不高，产品硅棒外观质量菜花料比例大，单位产品多晶硅的能耗高等问题。如：CN2072108464.4多晶硅还原炉，公开了48对多晶硅还原炉的内部结构，但是在实际生产中，从48对棒还原炉到60对棒还原炉跨跃过大，前期启炉困难，还原炉很难正常运行，单炉产品重量与生产能耗与预期相差较大。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本发明的实施例提出一种多晶硅还原炉的底盘、底盘组件以及还原炉。

根据本发明实施例的一种用于多晶硅还原炉的底盘，包括：盘体，所述盘体具有多个进气口组和多个还原尾气出口组，每个所述进气口组包括至少一个进气口，每个所述还原尾气出口组包括沿所述盘体的周向间隔开的多个所述还原尾气出口，其中多个所述进气口组沿所述盘体的径向间隔开地设置，多个所述还原尾气出口组沿所述盘体的径向间隔开地设置；和多个电极基座组，多个所述电极基座组沿所述盘体的径向间隔开地设在所述盘体上，每个所述电极基座组包括沿所述盘体的周向间隔开的多个电极基座，其中多个所述电极基座组和多个所述进气口组沿所述盘体的径向交替设置，一个所述还原尾气出口组位于多个所述电极基座组的外侧，其余的每个所述还原尾气出口组在所述盘体的径向上位于相邻两个所述电极基座组之间。

根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘，可以使多个硅棒均匀生长、大幅提升硅棒的外观质量、提高硅棒的生长稳定性、降低能耗。

在一些实施例中，所述盘体还具有中心进气口，所述中心进气口位于最内侧的所述电极基座组的内侧，可选地，最外侧的所述电极基座组位于最外层的所述进气口组的外侧，最内侧的所述电极基座组位于最内侧的所述进气口组的内侧。

在一些实施例中，一个所述进气口组和一个所述尾气出口组位于第一圆周上，所述第一圆周上的所述进气口组的多个所述进气口和所述还尾气出口组的多个所述还原尾气出口在所述第一圆周上交替设置，所述第一圆周的周向与所述底盘的周向一致。

在一些实施例中，所述第一圆周上的多个所述进气口和多个所述还原尾气出口构成多个进气出气组，多个所述进气出气组在所述底盘的径向上两两相对，每个所述进气出气组包括两个所述进气口和一个所述还原尾气出口，每个所述进气出气组的所述还原尾气出口在所述第一圆周的周向上位于相应的所述进气出气组的两个所述进气口之间；可选地，位于所述电极基座组的外侧的所述还原尾气出口组的多个所述还原尾气出口在底盘的径向上两两相对。

在一些实施例中，每个所述电极基座组的多个所述电极基座在所述底盘的周向上等间距地设置，每个所述电极基座组的相邻两个所述电极基座在所述底盘的周向上的间距为210mm-240mm。

在一些实施例中，所述进气口组为4个，所述还原尾气出口组为2个，所述电极基座组为5个，可选地，一个所述还原尾气出口组与从内向外的第三个所述进气口组位于第一圆周上。

在一些实施例中，从内向外，5个所述电极基座组分别包括8个所述电极基座、16个所述电极基座、24个所述电极基座、32个所述电极基座、40个所述电极基座；4个所述进气口组分别包括4个所述进气口、4个所述进气口、8个所述进气口，12个所述进气口；2个所述还原尾气出口组分别包括3-4个所述还原尾气出口、6-8个所述还原尾气出口。

在一些实施例中，所述底盘包括第一盘体和第二盘体，所述第一盘体设在所述第二盘体上，所述第一盘体与所述第二盘体之间限定出冷却腔，所述第一盘体具有多个所述进气口组和多个所述还原尾气出口组。

根据本发明的第二方面的实施例的一种底盘组件，包括：上述实施例所述底盘和多个电极，多个所述电极一一对应地设在所述底盘的多个所述电极基座下方。

根据本发明的第三方面的实施例的一种还原炉，包括：炉体和上述实施例所述底盘组件，所述炉体设在所述底盘组件的所述底盘上。

附图说明

图1是底盘的结构示意图。

图2是还原炉的结构示意图。

图3是底盘的主视剖视图。

图4是炉体的主视剖视图。

附图标记：

底盘100；

盘体1；第一盘体11；第二盘体12；进气环管13；进气支管131；还原尾气冷却环管14；冷却腔15；冷却液进管16；冷却液进液口17；冷却液出管18；

进气口组2；进气口21；

还原尾气出口组3；还原尾气出口31；

电极基座组4；电极基座41；

中心进气口5；进气出气组6；

炉体7；进水管71；出水管72；外壁73；吊具74；内壁75；冷却腔76。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

如图1-图4所示，根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘100包括盘体1和多个电极基座组4。

盘体1具有多个进气口组2和多个还原尾气出口组3，每个进气口组2包括至少一个进气口21，每个还原尾气出口组3包括沿盘体1的周向间隔开的多个还原尾气出口31。其中，多个进气口组2沿盘体1的径向间隔开地设置，多个还原尾气出口组3沿盘体1的径向间隔开地设置。

每个电极基座组4包括沿盘体1的周向间隔开的多个电极基座41，多个电极基座组4沿盘体1的径向间隔开地设在盘体1上。其中，多个电极基座组4和多个进气口组2沿盘体1的径向交替设置，一个还原尾气出口组3位于多个电极基座组4的外侧，其余的每个还原尾气出口组3在盘体1的径向上位于相邻两个电极基座组4之间。

本领域技术人员可以理解的是，电极设在电极基座41下方与电器供电相连，电极基座41上方安装有石墨套装，沉积载体安装在石墨套装上，硅棒气相沉积在沉积载体上，由此设在同一个电极基座组4的多个电极基座41上的多个硅棒形成硅棒圈。

根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘100通过使多个电极基座组4和多个进气口组2沿盘体1的径向交替设置，从而可以使从进气口组2进入到多晶硅还原炉内的物料(三氯氢硅和氢气的混合气体)均匀地分布。由此可以使多晶硅还原炉内的物料场均匀地、平稳地分布，从而可以使多个硅棒均匀生长，内外硅棒均一性好，改善了硅棒的外观品质，最大限度的避免菜花料的出现，大幅提升硅棒的外观质量。

根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘100通过设置沿盘体1的径向间隔开的多个电极基座组4、且每个电极基座组4包括沿盘体1的周向间隔开的多个电极基座41，从而可以使设在电极基座41上的多个硅棒比较均匀地分布在多晶硅还原炉内。由此多个硅棒之间的辐射大体相当，从而可以使多晶硅还原炉内的温度场分布均匀，硅棒的表面温度基本能控制在合理的硅沉积温度范围内(1050℃—1080℃之间)，不仅有利于硅棒的沉积，从而改善硅棒的表面质量，而且可以更加有效地利用相互之间辐射热能，节能效果明显。

此外，根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘100通过设置多个进气口组2和多个还原尾气出口组3，从而可以使多晶硅还原炉内的温度场分布均匀，硅棒的表面温度基本能控制在合理的硅沉积温度范围内，从而不仅可以有利于硅棒的沉积，从而改善硅棒的表面质量，而且可以更加有效地利用相互之间的辐射热能，节能效果明显。

根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘100通过其余的每个还原尾气出口组3在盘体1的径向上位于相邻两个电极基座组4之间，从而可以使得还原后的气体及时排出，因此可以缓解多晶硅还原炉的内部过热的问题，从而使得多晶硅还原炉内部温度降低，进一步促进了硅棒的稳定的生长。

因此，通过利用根据本发明实施例的多晶硅还原炉的底盘100，从而可以使多个硅棒均匀生长、大幅提升硅棒的外观质量、提高硅棒的生长稳定性、降低能耗。

如图1所示，盘体1还具有中心进气口5，中心进气口5位于最内侧的电极基座组4的内侧，即中心进气口5位于盘体1的盘心处。由此能够促进盘心处的气体处于流动，从而防止在盘心处形成流动死区，进而使得每个硅棒下部区域的生长速率得到显著提高。

可选地，最外侧的电极基座组4位于最外层的进气口组2的外侧，最内侧的电极基座组4位于最内侧的进气口组2的内侧。由此布局进气口组2进一步保证每个硅棒都能获得充足的物料，进一步使得多个硅棒能够更加均匀地生长，进一步保证了每个硅棒的外观质量。

一个进气口组2和一个还原尾气出口组3位于第一圆周上，第一圆周上的进气口组2的多个进气口21和还原尾气出口组3的多个还原尾气出口31在第一圆周上交替设置，第一圆周的周向与底盘100的周向一致。有效地利用了盘体1的面积，减小了盘体1的直径，提高了盘体1的利用率。

具体而言，第一圆周可以是以盘体1的中心为圆心的假想圆。

第一圆周上的多个进气口21和多个还原尾气出口31构成多个进气出气组6，多个进气出气组6在底盘100的径向上两两相对，每个进气出气组6包括两个进气口21和一个还原尾气出口31，每个进气出气组6的还原尾气出口31在第一圆周的周向上位于相应的进气出气组6的两个进气口21之间。由此能够使得进气出气组6(进气口21和还原尾气出口31)在底盘100上的布局更加合理，从而满足了进气和出气两方面的均匀性，保证了硅棒均匀生长。

可选地，位于多个电极基座组4的外侧的还原尾气出口组3的多个还原尾气出口31在底盘100的径向上两两相对。由此不仅能够使得还原尾气出口31在底盘100上的布局更加合理，而且使得还原后的尾气能够通过盘体1的还原尾气出口组3均匀地出气，从而保证气体的均匀性，进而保证了硅棒的生长。

每个电极基座组4的多个电极基座41在底盘100的周向上等间距地设置，每个电极基座组4的相邻两个电极基座41在底盘100的周向上的间距为210mm-240mm。由此可以使多个硅棒之间的辐射基本相等，从而可以使多晶硅还原炉内的温度场分布更加均匀。而且，相邻两个硅棒间距在210mm-240mm之间能够更加利于生产大尺寸硅棒。

进气口组2为4个，还原尾气出口组3为2个，电极基座组4为5个。可选地，一个还原尾气出口组3与从内向外的第三个进气口组2位于第一圆周上。具体而言，第一圆周在盘体1的径向上位于第三个电极基座组4与第四个电极基座组4之间，从而使得还原后的气体能够及时排出，有效解地决了硅棒生长过程中内部热量集聚严重问题，避免了还原后的尾气出口在盘体1的盘心处过热富集，而且保证了多晶硅还原炉内温度场均匀，从而保证了硅棒的生长稳定性，进一步提高了硅棒的质量。

从内向外，5个电极基座组4分别包括8个电极基座41、16个电极基座41、24个电极基座41、32个电极基座41、40个电极基座41。由于物料在在硅棒表面气相沉积，而气相沉积的过程是有热辐射存在的，因此如此布局电极基座41能够使得硅棒布置的更加均匀，相邻的两个硅棒相互之间的辐射热也会相当，因此可使得每个硅棒周围热场比较均匀，保证了每个硅棒能够垂直且均匀的生长，最大限度的实现了热能利用，生产效率大幅提升，节能效果明显。

4个进气口组2分别包括4个进气口21、4个进气口21、8个进气口21，12个进气口21，由此可以保证每个硅棒都有合适的具有合适的供气量和进料量，保证了硅棒的表面质量。2个还原尾气出口组3分别包括3-4个还原尾气出口31、6-8个还原尾气出口31。

通过模拟计算，计算结果表明该布局下，每根硅棒周围热场比较均匀，内外圈硅棒表面温度基本能控制在合理的硅沉积温度范围内(1050—1080℃之间)，而且物料场的分布也平稳，生产效率大幅提升，节能效果明显，有效地解决硅棒内粗外细的表观不一致问题，并且能够大幅提升硅棒的外观质量。

如图3所示，底盘100包括第一盘体11和第二盘体12，第一盘体11设在第二盘体12上，第一盘体11与第二盘体12之间限定出冷却腔15，第一盘体11具有进气口组2、还原尾气出口组3和电极基座组4。通过向冷却腔15内通入冷却液，从而对底盘100进行降温，防止温度过高而导致底盘100变形或损坏。

如图3所示，根据本发明实施例的一种底盘100组件，包括上述实施例的底盘100、多个电极、多个进气管端、多个出气管端、进气环管13、还原尾气冷却环管14、多个冷却液进管16和多个冷却液出管18。多个所述电极一一对应地设在底盘100的多个电极基座41下方。多个进气管端安装在所述第二盘体12上，每个进气管端穿过冷却腔15与每个进气口21连通。多个出气管端安装在第二盘体12上，每个出气管端穿过冷却腔15与每个还原尾气出口31连通。进气环管13上设有多个进气支管131，多个进气支管131连接在进气环管13上且每个进气支管131与一个进气端管相连。出气环管上设有多个出气支管，多个出气支管连接在出气环管上且分别与多个出气端管相连。由此，可以保证硅棒生长过程中气体均匀进入炉体7内，并且减少了底盘100下方的供气管数量，优化了底盘100下方的空间，有利于底盘100的维护，节省底盘100下方的安装空间。

多个冷却液进管16的下端均连接在还原尾气冷却环管14上，其中一个冷却液进管16嵌套在与底盘100的中心进气口5连通的进气支管131上，剩余的冷却液进管16分别嵌套在与第一盘体11上的最外圈的还原尾气出口31连通的出气支管上，多个冷却液出管18的上端伸入冷却腔15内，还原尾气冷却环管14包括冷却液出水管和出气环管，且冷却液出水管嵌套在出气环管外，多个冷却液出管18的下端与冷却液出水管连通，还原尾气冷却环管14上设有冷却液进液口17。不仅保证底盘100冷却的均匀性，而且由于冷却液出水管套设在出气环管外，因此可以对出气环管内的还原后的高温气体进行降温，使得还原后的出气温度显著降低，有利于降低下游设备的热量负荷。另外可以减少底盘100下部的管路数量，节省底盘100下部的安装空间。冷却液出管18设在第二盘体12上，且冷却液出管18与冷却腔15连通，且冷却液出管18的上端高于底盘100冷却腔15的内底面，以保证底盘100冷却腔15内始终有一定高度的冷却液存在。

如图2和图4所示，根据本发明实施例的一种还原炉，包括炉体7和上述实施例的底盘组件，炉体7设在上述实施例的底盘组件的底盘100上，炉体7包括外壁73和内壁75，外壁73和内壁75之间限定出冷却腔76，外壁3上具有保温层，外壁73上端设有出水管72，外壁73下端设有进水管71，进水管71、出水管72的每一者与冷却腔76连通，炉体7上具有以观察炉腔硅棒生长情况的观察孔，炉体7的顶部具有用于吊装运行的吊具74。冷却液可从从炉体7的进水管71进入冷却腔76内，从出水管72流出，从而对炉体7进行降温，炉体7的外壁面保温层可以避免热量损失，从而控制炉体7内的温度保持稳定。

下面参考图1—图4描述根据本发明具体实施例的还原炉

如图1所示，还原炉包括整体炉体7和底盘100组件。

底盘100组件包括盘体1、多个电极、多个进气管端、多个出气管端、进气环管13和还原尾气冷却环管14。

盘体1包括第一盘体11和第二盘体12，第一盘体11设在第二盘体12上，第一盘体11与第二盘体12之间限定出冷却腔15，第一盘体11上设有5个电极基座组4，5个电极基座组4包括沿所述盘体1的周向间隔开的120个电极基座41，5个电极基座组4沿盘体1的径向间隔开地设在盘体1上，每个电极基座组4的相邻两个电极基座41在底盘100的周向上的间距为210mm-240mm。且由盘体1内向外每个电极基座41的数量分别为8个电极基座41、16个电极基座41、24个电极基座41、32个电极基座41、40个电极基座41。

第一盘体11上设有4个进气口组2和一个中心进气口5，4个进气口组2包括沿所述盘体1的周向间隔开的28个进气口21，其中4个进气口组2沿盘体1的径向间隔开地设置且每个进气口组2设置在相邻的两个电极基座组4之间，且由盘体1内向外每个进气口组2的进气口21的数量分别为4个进气口21、4个进气口21、8个进气口21，12个进气口21。中心进气口5设置在第一盘体11的盘心处。

第一盘体11上还设有2个还原尾气出口组3，2个还原尾气出口组3包括沿盘体1的周向间隔开的12个还原尾气出口31，其中2个还原尾气出口组3沿盘体1的径向间隔开地设置，一个还原尾气出口组3设置在5个电极基座组4的最外侧，且还原尾气出口31的数量为8个，另一个还原尾气出口组3与从内向外的第三个进气口组2位于第一圆周上，且还原尾气出口31的数量为4个。其中，第一圆周位于从内向外电极基座组4的第三个电极基座组4与第四个电极基座组4之间。

第二盘体12上设有29个进气端管个12个出气端管，且29个进气端管与第一盘体11的29个进气口21一一对应连通，12个出气端管与第一盘体11的还原尾气出口31一一对应连通。盘体1的下方设有进气环管13和还原尾气冷却环管14，进气环管13上设有进气支管131，进气支管131连接在进气环管13上且与29个进气端管一一对应相连。还原尾气冷却环管14包括冷却液出水管和出气环管，且冷却液出水管嵌套在出气环管外，出气环管上设有12个出气支管，12个出气支管连接在出气环管上且与12个出气端管一一对应相连。

第二盘体12上还设有9个冷却液进管16和6个冷却液出管18，其中一个冷却液进管16嵌套在与底盘100的中心进气口5连通的进气支管131上，剩余的冷却液进管16分别嵌套在与第一盘体11上的最外圈的还原尾气出口31连通的出气支管上，另外，冷却液出管18的上端高于底盘100冷却腔15的内底面，多个冷却液出管18的下端与冷却液出水管连通。

炉体7包括外壁73和内壁75，外壁73和内壁75之间限定出冷却腔76，外壁73上具有保温层，外壁73上端设有出水管72，外壁73下端设有进水管71，进水管71、出水管72的每一者与冷却腔76连通，炉体7上具有以观察炉腔硅棒生长情况的观察孔，炉体7的顶部具有用于吊装运行的吊具74。冷却液可从从炉体7进水管71进入冷却腔76内，从出水管72流出，从而对炉体7进行降温，炉体7的外壁面保温层可以避免热量损失，从而控制炉体7内的温度保持稳定。

因此，根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘100具有结构布置合理，尺寸合适，从而便于安装和维护，利于集成大型化，并且能够最大限度的释放多晶硅的产能，有效地降低多晶硅的生产能耗，提高硅棒的生产质量和生产效率。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接或彼此可通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，包括：

盘体，所述盘体具有多个进气口组和多个还原尾气出口组，每个所述进气口组包括至少一个进气口，每个所述还原尾气出口组包括沿所述盘体的周向间隔开的多个所述还原尾气出口，其中多个所述进气口组沿所述盘体的径向间隔开地设置，多个所述还原尾气出口组沿所述盘体的径向间隔开地设置；和

多个电极基座组，多个所述电极基座组沿所述盘体的径向间隔开地设在所述盘体上，每个所述电极基座组包括沿所述盘体的周向间隔开的多个电极基座，其中多个所述电极基座组和多个所述进气口组沿所述盘体的径向交替设置，一个所述还原尾气出口组位于多个所述电极基座组的外侧，其余的每个所述还原尾气出口组在所述盘体的径向上位于相邻两个所述电极基座组之间。

2.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述盘体还具有中心进气口，所述中心进气口位于最内侧的所述电极基座组的内侧，可选地，最外侧的所述电极基座组位于最外层的所述进气口组的外侧，最内侧的所述电极基座组位于最内侧的所述进气口组的内侧。

3.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，一个所述进气口组和一个所述尾气出口组位于第一圆周上，所述第一圆周上的所述进气口组的多个所述进气口和所述还尾气出口组的多个所述还原尾气出口在所述第一圆周上交替设置，所述第一圆周的周向与所述底盘的周向一致。

4.根据权利要求3所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述第一圆周上的多个所述进气口和多个所述还原尾气出口构成多个进气出气组，多个所述进气出气组在所述底盘的径向上两两相对，每个所述进气出气组包括两个所述进气口和一个所述还原尾气出口，每个所述进气出气组的所述还原尾气出口在所述第一圆周的周向上位于相应的所述进气出气组的两个所述进气口之间；

可选地，位于所述电极基座组的外侧的所述还原尾气出口组的多个所述还原尾气出口在底盘的径向上两两相对。

5.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，每个所述电极基座组的多个所述电极基座在所述底盘的周向上等间距地设置，每个所述电极基座组的相邻两个所述电极基座在所述底盘的周向上的间距为210mm-240mm。

6.根据权利要求1-5任一项所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述进气口组为4个，所述还原尾气出口组为2个，所述电极基座组为5个，可选地，一个所述还原尾气出口组与从内向外的第三个所述进气口组位于第一圆周上。

7.根据权利要求1-6任一项所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，从内向外，5个所述电极基座组分别包括8个所述电极基座、16个所述电极基座、24个所述电极基座、32个所述电极基座、40个所述电极基座；

4个所述进气口组分别包括4个所述进气口、4个所述进气口、8个所述进气口，12个所述进气口；

2个所述还原尾气出口组分别包括3-4个所述还原尾气出口、6-8个所述还原尾气出口。

8.根据权利要求1所述用于多晶硅还原炉的底盘，其特征在于，所述底盘包括第一盘体和第二盘体，所述第一盘体设在所述第二盘体上，所述第一盘体与所述第二盘体之间限定出冷却腔，所述第一盘体具有多个所述进气口组和多个所述还原尾气出口组。

9.一种底盘组件，其特征在于，包括：上述权利要求1-8中任一项所述底盘和多个电极，多个所述电极一一对应地设在所述底盘的多个所述电极基座下方。

10.一种还原炉，其特征在于，包括：炉体和上述权利要求9所述底盘组件，所述炉体设在所述底盘组件的所述底盘上。

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