CN112921185A - 一种tu1铸胚晶粒均匀性的生产方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及无氧铜铸胚的技术领域，尤其是一种TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法，其包括如下生产步骤：S1、称取铜板；S2、将铜板加入熔化炉内融化；S3、翻滚造渣；S4、吸附除氧；S5、将得到的铜液转注到保温炉；S6、静止除氧；S7、铸胚牵引；S8、锯切下料。该TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法，通过一体结晶器配合加长的二次冷却系统，对铸坯四周实现定向冷却，从而达到细化铸坯晶粒的目的，当具有细化晶粒的TU1铸坯生产成热管后，可以耐980℃高温烧结，且不会出现鱼鳞现象。
Description
技术领域
本发明涉及无氧铜铸胚的技术领域，尤其是一种TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法。
背景技术
TU1铜是无氧铜内一种，是不含氧且不含任何脱氧剂残留的纯铜，在国标GB/T5231要求内TU1氧含量小于20ppm，此牌号铜管广泛用于计算机热管及手机热管行业。因为TU1铸坯在生产过程中不能投加脱氧的物质，导致大部分的TU铸坯生产出来后均存在晶粒不均匀现象，导致烧结过程中出现鱼鳞及铜管表面凹陷现象。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为了解决上述背景技术中存在的问题，提供一种TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法，通过一体结晶器配合加长的二次冷却系统，对铸坯四周实现定向冷却，从而达到细化铸坯晶粒的目的，当具有细化晶粒的TU1铸坯生产成热管后，可以耐980℃高温烧结，且不会出现鱼鳞现象。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法，包括如下生产步骤：S1、称取铜板；S2、将铜板加入熔化炉内融化；S3、翻滚造渣；S4、吸附除氧；S5、将得到的铜液转注到保温炉；S6、静止除氧；S7、铸胚牵引；S8、锯切下料。
进一步地说明，上述技术方案中，所述的S2中融化温度为1170℃～1200℃。
进一步地说明，上述技术方案中，所述的S5中保温炉内的温度为1150℃～1200℃。
进一步地说明，上述技术方案中，所述的S7中采用一体结晶器进行铸胚牵引，铸胚牵引过程中一体结晶器采用两次冷却成型。
进一步地说明，上述技术方案中，所述的一体结晶器的上部一侧设置上进水冷却管，所述的一体结晶器的下部一侧设置下进水冷却管。
进一步地说明，上述技术方案中，所述的两次冷却成型中一次水流量为1200-2400L/min；所述的两次冷却成型中二次水流量为1200-2000L/min。
本发明的有益效果是：本发明提出的一种TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法，通过一体结晶器配合加长的二次冷却系统，对铸坯四周实现定向冷却，从而达到细化铸坯晶粒的目的，当具有细化晶粒的TU1铸坯生产成热管后，可以耐980℃高温烧结，且不会出现鱼鳞现象。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明中一体结晶器的结构示意图；
图2是本发明中铸胚晶粒的结构示意图。
附图中的标号为：1、一体结晶器，2、上进水冷却管，3、下进水冷却管。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
见图1和图2所示的是一种TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法，包括如下生产步骤：S1、称取铜板；S2、将铜板加入熔化炉内融化；S3、翻滚造渣；S4、吸附除氧；S5、将得到的铜液转注到保温炉；S6、静止除氧；S7、铸胚牵引；S8、锯切下料。
其中，S2中融化温度为1170℃～1200℃。S5中保温炉内的温度为1150℃～1200℃。S7中采用一体结晶器1进行铸胚牵引，铸胚牵引过程中一体结晶器1采用两次冷却成型。一体结晶器1的上部一侧设置上进水冷却管2，一体结晶器1的下部一侧设置下进水冷却管3。两次冷却成型中一次水流量为1200-2400L/min；两次冷却成型中二次水流量为1200-2000L/min。
本申请中的一体结晶器1区别于普通结晶器地方在于锻造内部是空心结构，通过上下两路冷却水进入后可以充满整个结晶器腔体，因为一体结晶器1内部是中空的，可以实现大水流量的冲刷对铸坯进行冷却，同时也能对铸坯实现强化定向四周冷却，配合加长的二次冷却器；普通的二次冷却器150mm，加长后的冷却器是215mm；在大流量冷却水的作用下使得铸坯周围冷却水温度均为分布，在不添加任何微量元素的情况下可以生产出来晶粒均匀的TU1铸坯，而且提高了TU1铸坯的纯度，同时具有高导电率的优点。此时一次结晶器内的水冷却量可以达到8000L/h，二次水冷却量可以达到17000L/H。而原来的结晶器是两个或者3个冷却系统组合到一起，只能调整单个冷却器而无法实现整个冷却器的调整，导致铸坯晶粒无法实现均匀分布。
见图2，通过使用一体结晶器1配合加长的二次结晶器，可以牵引出晶粒均匀的TU1铸坯，此铸坯加工完成后导电率可以实现102％以上。
以上所述的，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法，其特征在于，包括如下生产步骤：S1、称取铜板；S2、将铜板加入熔化炉内融化；S3、翻滚造渣；S4、吸附除氧；S5、将得到的铜液转注到保温炉；S6、静止除氧；S7、铸胚牵引；S8、锯切下料。
2.如权利要求1所述的一种TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法，其特征在于：所述的S2中融化温度为1170℃～1200℃。
3.如权利要求1所述的一种TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法，其特征在于：所述的S5中保温炉内的温度为1150℃～1200℃。
4.如权利要求1所述的一种TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法，其特征在于：所述的S7中采用一体结晶器进行铸胚牵引，铸胚牵引过程中一体结晶器采用两次冷却成型。
5.如权利要求4所述的一种TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法，其特征在于：所述的一体结晶器的上部一侧设置上进水冷却管，所述的一体结晶器的下部一侧设置下进水冷却管。
6.如权利要求4所述的一种TU1铸胚晶粒均匀性的生产方法，其特征在于：所述的两次冷却成型中一次水流量为1200-2400L/min；所述的两次冷却成型中二次水流量为1200-2000L/min。
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