CN112888109B - 高pf低thd的led驱动开关电源电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种高PF低THD的LED驱动开关电源电路，包括电磁干扰滤波电路、输入整流滤波电路、功率转换电路、输出整流滤波电路、直流输出电路、电压采样反馈电路、PWM控制电路以及用于连接交流市电的交流输入保护电路；输入整流滤波电路包括整流桥BD1和π型滤波电路，π型滤波电路连接包括有极性电容C1、极性电容C2和电感L3，极性电容C1和极性电容C2均为薄膜电容，整体电路结构设计巧妙合理，能够满足高PF低THD的谐波要求，相比传统技术中的LED驱动开关电源电路而言，其电路结构更加简化，节省电路设计成本。

Description

高PF低THD的LED驱动开关电源电路
技术领域
本发明涉及一种LED驱动开关电源技术领域，尤其是指一种高PF低THD的LED驱动开关电源电路。
背景技术
目前，在照明灯具行业，LED 灯具获得消费者的一致好评。LED 灯具用于贸易、办公、商务等场合，其亮度高、光线平均，美观，节能环保。LED 灯具在广受称赞的同时，其重要构成部件—驱动电源也不断为人所注重。现有的LED驱动开关电源电路普遍存在低PF值、高THD和结构复杂等问题，导致电路设计成本较高。还有，现有的LED驱动开关电源电路的PF值。
因此，本发明专利申请中，申请人精心研究了一种高PF低THD的LED驱动开关电源电路来解决上述问题。
发明内容
本发明针对上述现有技术所存在不足，主要目的在于提供一种高PF低THD的LED驱动开关电源电路，整体电路结构设计巧妙合理，能够满足高PF低THD的谐波要求，相比传统技术中的LED驱动开关电源电路而言，其电路结构更加简化，节省电路设计成本，而且，薄膜电容能够降低整流后峰值电流的同时耐高温和高压，进一步提高PF和降低THD。
为实现上述之目的，本发明采取如下技术方案：
一种高PF低THD的LED驱动开关电源电路，包括有电磁干扰滤波电路、输入整流滤波电路、功率转换电路、输出整流滤波电路、直流输出电路、电压采样反馈电路、PWM控制电路以及用于连接交流市电的交流输入保护电路；
所述交流输入保护电路连接电磁干扰滤波电路，所述输入整流滤波电路包括整流桥BD1以及π型滤波电路，所述电磁干扰滤波电路连接整流桥BD1的输入端；
所述π型滤波电路连接包括有极性电容C1、极性电容C2和电感L3，所述极性电容C1和极性电容C2均为薄膜电容，整流桥BD1的第一输出端连接极性电容C1的正极，整流桥BD1的第二输出端连接极性电容C1的负极，电感L3的两端分别连接极性电容C1的正极和极性电容C2的正极，极性电容C2的负极连接极性电容C1的负极且接地，所述极性电容C2的正极分别连接功率转换电路、电压采样反馈电路和PWM控制电路；
所述功率转换电路连接输出整流滤波电路，所述输出整流滤波电路连接直流输出电路，所述直流输出电路和电压采样反馈电路分别连接PWM控制电路，所述PWM控制电路通过开关MOS控制电路连接功率转换电路。
作为一种优选方案，所述交流输入保护电路包括有火线输入端L、零线输入端N、压敏电阻RV1、保险丝F1、泄放电阻RX1、泄放电阻RX2、泄放电阻RX3以及泄放电阻RX4；
所述火线输入端L连接保险丝F1的一端，保险丝F1的另一端连接电磁干扰滤波电路，所述压敏电阻RV1的两端分别连接保险丝F1的另一端和零线输入端N，所述泄放电阻RX1和泄放电阻RX2串联后分别并联于压敏电阻RV1的两端，所述泄放电阻RX3和泄放电阻RX4串联后分别并联于压敏电阻RV1的两端，所述泄放电阻RX1和泄放电阻RX2的串联节点连接泄放电阻RX3和泄放电阻RX4的串联节点。
作为一种优选方案，所述电磁干扰滤波电路包括有安规电容CX1和共模电感LF1，所述安规电容 CX1并联于压敏电阻RV1的两端，共模电感LF1之第一绕线组的两端分别连接保险丝F1的另一端和零线输入端N，所述整流桥BD1的输入端包括第一整流输入端和第二整流输入端，共模电感LF1之第二绕线组的两端分别连接第一整流输入端和第二整流输入端。
作为一种优选方案，所述功率转换电路包括有变压器T1，所述变压器T1包括有初级主线圈、初级副线圈和次级输出线圈；
初级主线圈的引脚5连接所述极性电容C2的正极，初级主线圈的引脚3通过开关MOS控制电路连接PWM控制电路，次级输出线圈的引脚10和引脚8均连接输出整流滤波电路，次级输出线圈的引脚8为等电位端。
作为一种优选方案，所述输出整流滤波电路包括有极性电容C10、极性电容C11、电阻R24、电阻R25以及整流二极管单元，所述电阻R24与电阻R25并联后与极性电容C10并联，所述极性电容C11与极性电容C10并联且所述极性电容C11的正极连接极性电容C10的正极，所述极性电容C10的正负极分别连接直流输出电路；
所述整流二极管单元包括有二极管D5，所述二极管D5的负极连接极性电容C10的正极，所述二极管D5的正极连接次级输出线圈的引脚10；
或者，所述整流二极管单元包括有两个并联的二极管，其分别为二极管D41和二极管D42，所述二极管D41和二极管D42两者的方向一致，所述二极管D41的负极连接极性电容C10的正极，所述二极管D41的正极连接次级输出线圈的引脚10。
作为一种优选方案，所述直流输出电路包括有正极输出端、负极输出端以及共模电感LF2，共模电感LF2之第二绕线组的两端分别连接正极输出端和负极输出端，共模电感LF2之第一绕线组的两端分别连接极性电容C10的正负极。
作为一种优选方案，所述PWM控制电路包括有PWM控制芯片U1、二极管D17、电阻R11、电阻R12、电阻R26、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R6、二极管D14、电阻R10、电容C21、电容C4、极性电容C24、电阻R3和电阻R4；
所述PWM控制芯片U1具有控制引脚1至控制引脚6，控制引脚1通过电阻R26连接开关MOS控制电路，
所述电阻R26的一端连接控制引脚1，所述电阻R26的另一端连接开关MOS控制电路，所述电阻R26的另一端还通过电阻R13连接电阻R12的一端和开关MOS控制电路，所述电阻R14、电阻R15和电阻R16三者并联后两端分别接地和连接电阻R26的另一端，电阻R12的另一端连接二极管D14的正极，二极管D14的负极连接控制引脚6，控制引脚6通过电阻R11连接电阻R12的一端，控制引脚2接地，控制引脚3通过电容C3接地，控制引脚3还串联电阻R10和电容C21后接地，控制引脚4连接电压采样反馈电路，所述电阻R4的一端连接输入整流滤波电路，所述电阻R4的另一端串联电阻R3后连接控制引脚5，控制引脚5连接极性电容C24的正极，极性电容C24的负极接地，电容C4并联于极性电容C24的正负极，控制引脚5还连接二极管D14的负极，二极管的正极D14通过电阻R6连接电压采样反馈电路。
作为一种优选方案，所述开关MOS控制电路包括有MOS管Q1、电容C6和RCD吸收电路，所述MOS管Q1的漏极通过RCD吸收电路连接功率转换电路，MOS管Q1的栅极连接电阻R12的一端，MOS管Q1的源极连接电阻R26的另一端，所述电容C6并联于MOS管Q1的漏极和源极。
作为一种优选方案，所述RCD吸收电路包括有电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电容C8、电容C13以及二极管D13；
所述电阻R18与电阻R21串联后连接二极管D13的负极，二极管D13的正极连接功率转换电路，二极管D13的正极还连接MOS管Q1的漏极，所述电阻R18、电容C13和电阻R19三者并联，所述电阻R20与电阻R21并联，所述电阻R18的一端连接功率转换电路，所述电阻R18的另一端为电阻R18与电阻R21的串联节点，所述电阻R22和电阻R23并联后通过电容C8连接输出整流滤波电路。
作为一种优选方案，所述整流桥BD1的第一输出端通过压敏电阻RV2连接整流桥BD1的第二输出端。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言：其主要是整体电路结构设计巧妙合理，能够满足高PF低THD的谐波要求，相比传统技术中的LED驱动开关电源电路而言，其电路结构更加简化，节省电路设计成本，尤其是，将极性电容C1和极性电容C2均为薄膜电容，薄膜电容能够降低整流后峰值电流的同时耐高温和高压，能够进一步提高PF和降低THD；
其次是，通过交流保护电路，能够对整体电路起到保护作用，延长其使用寿命，尤其是，通过压敏电阻RV1设置在交流市电和电磁干扰滤波电路之间，能够减轻因雷击对电磁干扰滤波电路中电子元件的损伤，而且，通过多个泄放电阻的配合，当交流市电被切断后，安规电容CX1上储存的电在泄放电阻上进行放电并于3秒内放至人体所能承受的安全电压范围内；
以及，通过PWM控制芯片U1采用6个引脚的芯片，其控制引脚3通过电阻R10与电容C21形成的RC滤波以及电容C3滤波，即根据电源输出电压的波动来改变占空比的原理，补偿峰值电流的方式来达到接近正弦波，进一步改善THD。
为更清楚地阐述本发明的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。
附图说明
图1是本发明之实施例的大致控制结构框图；
图2是本发明之实施例的局部原理图；
图3是本发明之另一实施例的局部原理图。
附图标号说明：
10、电磁干扰滤波电路 20、输入整流滤波电路
21、π型滤波电路 30、功率转换电路
40、输出整流滤波电路 50、直流输出电路
60、电压采样反馈电路 70、PWM控制电路
80、交流输入保护电路 90、开关MOS控制电路。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步描述。
如图1至图3所示，一种高PF低THD的LED驱动开关电源电路，其特征在于：包括有电磁干扰滤波电路10、输入整流滤波电路20、功率转换电路30、输出整流滤波电路40、直流输出电路50、电压采样反馈电路60、PWM控制电路70以及用于连接交流市电的交流输入保护电路80；
所述交流输入保护电路80连接电磁干扰滤波电路10，在本实施例中，所述交流输入保护电路80包括有火线输入端L、零线输入端N、压敏电阻RV1、保险丝F1、泄放电阻RX1、泄放电阻RX2、泄放电阻RX3以及泄放电阻RX4；
所述火线输入端L连接保险丝F1的一端，保险丝F1的另一端连接电磁干扰滤波电路10，在本实施例中，当单主线路中出现短路后造成输入电流过大时，超过保险丝F1的额定电流，则保险丝F1会快速熔断，从而达到电源保护作用。
所述压敏电阻RV1的两端分别连接保险丝F1的另一端和零线输入端N，所述泄放电阻RX1和泄放电阻RX2串联后分别并联于压敏电阻RV1的两端，所述泄放电阻RX3和泄放电阻RX4串联后分别并联于压敏电阻RV1的两端，所述泄放电阻RX1和泄放电阻RX2的串联节点连接泄放电阻RX3和泄放电阻RX4的串联节点。
优选地，所述电磁干扰滤波电路10包括有安规电容CX1和共模电感LF1，所述安规电容 CX1并联于压敏电阻RV1的两端，共模电感LF1之第一绕线组的两端分别连接保险丝F1的另一端和零线输入端N，所述整流桥BD1的输入端包括第一整流输入端和第二整流输入端，共模电感LF1之第二绕线组的两端分别连接第一整流输入端和第二整流输入端。通过电磁干扰滤波电路10，能够针对输入电源的电磁噪声及杂波进行抑制，防止对本实施例的干扰，同时也防止本实施例产生的高频杂波信号对电网的干扰，造成用户的其他电器产品的正常使用和损害。
所述输入整流滤波电路20包括整流桥BD1以及π型滤波电路21，所述电磁干扰滤波电路10连接整流桥BD1的输入端；所述π型滤波电路21连接包括有极性电容C1、极性电容C2和电感L3，优选地，所述极性电容C1和极性电容C2均为薄膜电容，能够提升功率因素PF，从而达到满足谐波的要求，也减少电源对电网的污染，同时配合下述PWM控制芯片U1的COMP补偿，根据电源输出电压的波动来改变占空比，补偿峰值电流的方式来达到接近正弦波，从而更好地改善THD。
整流桥BD1的第一输出端连接极性电容C1的正极，整流桥BD1的第二输出端连接极性电容C1的负极，优选地，所述整流桥BD1的第一输出端通过压敏电阻RV2连接整流桥BD1的第二输出端。通过压敏电阻RV1和压敏电阻RV2的配合，其作用是模拟现实生活中雷雨天气下，当有雷击产生的高压经电网导入输入电源时，经过压敏电阻的吸收，使得高压的能量消耗在压敏电阻上，达到减轻因雷击造成电路中其他关键器件的损伤。
电感L3的两端分别连接极性电容C1的正极和极性电容C2的正极，极性电容C2的负极连接极性电容C1的负极且接地，所述极性电容C2的正极分别连接功率转换电路30、电压采样反馈电路60和PWM控制电路70；
所述功率转换电路30连接输出整流滤波电路40，在本实施例中，所述功率转换电路30包括有变压器T1，所述变压器T1包括有初级主线圈、初级副线圈和次级输出线圈；
初级主线圈的引脚5连接所述极性电容C2的正极，初级主线圈的引脚3通过开关MOS控制电路90连接PWM控制电路70，次级输出线圈的引脚10和引脚8均连接输出整流滤波电路40，次级输出线圈的引脚8为等电位端。
在本实施例中，所述输出整流滤波电路40包括有极性电容C10、极性电容C11、电阻R24、电阻R25以及整流二极管单元，所述电阻R24与电阻R25并联后与极性电容C10并联，所述极性电容C11与极性电容C10并联且所述极性电容C11的正极连接极性电容C10的正极，所述极性电容C10的正负极分别连接直流输出电路50；
如图3所示，在另一实施例中，所述整流二极管单元包括有二极管D5，所述二极管D5的负极连接极性电容C10的正极，所述二极管D5的正极连接次级输出线圈的引脚10；
或者，如图2所示，在本实施例中，所述整流二极管单元包括有两个并联的二极管，其分别为二极管D41和二极管D42，所述二极管D41和二极管D42两者的方向一致，所述二极管D41的负极连接极性电容C10的正极，所述二极管D41的正极连接次级输出线圈的引脚10。
所述输出整流滤波电路40连接直流输出电路50，所述直流输出电路50和电压采样反馈电路60分别连接PWM控制电路70。在本实施例中，所述直流输出电路50包括有正极输出端、负极输出端以及共模电感LF2，共模电感LF2之第二绕线组的两端分别连接正极输出端和负极输出端，共模电感LF2之第一绕线组的两端分别连接极性电容C10的正负极。
所述PWM控制电路70通过开关MOS控制电路90连接功率转换电路30。在本实施例中，所述PWM控制电路70包括有PWM控制芯片U1、二极管D17、电阻R11、电阻R12、电阻R26、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R6、二极管D14、电阻R10、电容C21、电容C4、极性电容C24、电阻R3和电阻R4；
所述PWM控制芯片U1具有控制引脚1至控制引脚6，控制引脚1通过电阻R26连接开关MOS控制电路90；所述电阻R26的一端连接控制引脚1，所述电阻R26的另一端连接开关MOS控制电路90，所述电阻R26的另一端还通过电阻R13连接电阻R12的一端和开关MOS控制电路90，所述电阻R14、电阻R15和电阻R16三者并联后两端分别接地和连接电阻R26的另一端，电阻R12的另一端连接二极管D14的正极，二极管D14的负极连接控制引脚6，控制引脚6通过电阻R11连接电阻R12的一端，控制引脚2接地，在本实施例中，控制引脚3为COMP补偿，控制引脚3通过电容C3接地，控制引脚3还串联电阻R10和电容C21后接地，控制引脚4连接电压采样反馈电路60，所述电阻R4的一端连接输入整流滤波电路20，所述电阻R4的另一端串联电阻R3后连接控制引脚5。在本实施例中，所述电阻R3和电阻R4串联形成启动电路，经输入整流滤波电路20整流滤波后所输出的一直流电压可经启动电路分压后，提供给PWM控制芯片U1一个开启电压，然后经过电阻R6、二极管D14、电容C4和极性电容C24所形成的辅助整流滤波单元后持续提供直流电压给PWM控制芯片U1，PWM控制芯片U1开始持续工作。
所述电阻R26、电阻R14、电阻R15以及电阻R16形成电流保护电路，当输出负载电流过大时，变压器T1的次级线圈反馈到初级主线圈，MOS管Q1检测到的电压超过PWM控制芯片U1限流检测脚的最大电压时，PWM控制芯片U1进行关闭动作，由于此时PWM控制芯片U1的过流保护功能为恢复式，因此，当输出过载电流解除时，PWM控制芯片U1重新开窍，输出恢复正常。
控制引脚5连接极性电容C24的正极，极性电容C24的负极接地，电容C4并联于极性电容C24的正负极，控制引脚5还连接二极管D14的负极，二极管D14的正极通过电阻R6连接电压采样反馈电路60。
在本实施例中，所述电压采样反馈电路60包括有采样电阻R7、采样电阻R8和采样电阻R27，初级副线圈的引脚2接地，初级副线圈的引脚1通过采样电阻R7连接控制引脚4，初级副线圈的引脚1还通过电阻R6连接二极管D14的正极，控制引脚4通过电阻R8接地，控制引脚4还通过电阻R27接地，
所述PWM控制芯片U1通过控制引脚4的基准电压和相应采样电阻的比值参数决定输出电压。输出电压的稳定调控，通过输出电压浮动反馈给PWM控制芯片U1，PWM控制芯片U1内部经过调整脉宽大小，从而达到稳定电源输出的电压维持在正常要求范围内。
在本实施例中，所述开关MOS控制电路90包括有MOS管Q1、电容C6和RCD吸收电路，所述MOS管Q1的漏极通过RCD吸收电路连接功率转换电路30，MOS管Q1的栅极连接电阻R12的一端，MOS管Q1的源极连接电阻R26的另一端，所述电容C6并联于MOS管Q1的漏极和源极。所述MOS管Q1在本实施例中，起到开关的作用，所述PWM控制芯片U1需要开启的信号时，所述MOS管Q1导通，此时，变压器T1的初级主线圈储存能量，整流二极管单元截止，输出电压靠极性电容C10和极性电容C11维持。
所述PWM控制芯片U1需要关闭的信号时，所述MOS管Q1截止，此时，变压器T1的初级主线圈释放能量，整流二极管单元导通，极性电容C10和极性电容C11充电，同时维持输出正常电压。
优选地，所述RCD吸收电路包括有电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电容C8、电容C13以及二极管D13；
所述电阻R18与电阻R21串联后连接二极管D13的负极，二极管D13的正极连接功率转换电路30，二极管D13的正极还连接MOS管Q1的漏极，所述电阻R18、电容C13和电阻R19三者并联，所述电阻R20与电阻R21并联，所述电阻R18的一端连接功率转换电路30，所述电阻R18的另一端为电阻R18与电阻R21的串联节点，所述电阻R22和电阻R23并联后通过电容C8连接输出整流滤波电路40。通过RCD吸收电路，能够吸收MOS管Q1在关断时，变压器T1的初级主线圈漏感所产生的尖峰电压以及次级线圈反射电压的叠加。
本发明设计要点在于，其主要是整体电路结构设计巧妙合理，能够满足高PF低THD的谐波要求，相比传统技术中的LED驱动开关电源电路而言，其电路结构更加简化，节省电路设计成本，尤其是，将极性电容C1和极性电容C2均为薄膜电容，薄膜电容能够降低整流后峰值电流的同时耐高温和高压，能够进一步提高PF和降低THD；
其次是，通过交流保护电路，能够对整体电路起到保护作用，延长其使用寿命，尤其是，通过压敏电阻RV1设置在交流市电和电磁干扰滤波电路之间，能够减轻因雷击对电磁干扰滤波电路中电子元件的损伤，而且，通过多个泄放电阻的配合，当交流市电被切断后，安规电容CX1上储存的电在泄放电阻上进行放电并于3秒内放至人体所能承受的安全电压范围内；
以及，通过PWM控制芯片U1采用6个引脚的芯片，其控制引脚3通过电阻R10与电容C21形成的RC滤波以及电容C3滤波，即根据电源输出电压的波动来改变占空比的原理，补偿峰值电流的方式来达到接近正弦波，进一步改善THD。
以上所述，仅是本发明较佳实施例而已，并非对本发明的技术范围作任何限制，故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (6)

1.一种高PF低THD的LED驱动开关电源电路，其特征在于：包括有电磁干扰滤波电路、输入整流滤波电路、功率转换电路、输出整流滤波电路、直流输出电路、电压采样反馈电路、PWM控制电路以及用于连接交流市电的交流输入保护电路；
所述交流输入保护电路连接电磁干扰滤波电路，所述输入整流滤波电路包括整流桥BD1以及π型滤波电路，所述电磁干扰滤波电路连接整流桥BD1的输入端；
所述π型滤波电路连接包括有极性电容C1、极性电容C2和电感L3，所述极性电容C1和极性电容C2均为薄膜电容，整流桥BD1的第一输出端连接极性电容C1的正极，整流桥BD1的第二输出端连接极性电容C1的负极，电感L3的两端分别连接极性电容C1的正极和极性电容C2的正极，极性电容C2的负极连接极性电容C1的负极且接地，所述极性电容C2的正极分别连接功率转换电路、电压采样反馈电路和PWM控制电路；
所述功率转换电路连接输出整流滤波电路，所述输出整流滤波电路连接直流输出电路，所述直流输出电路和电压采样反馈电路分别连接PWM控制电路，所述PWM控制电路通过开关MOS控制电路连接功率转换电路；
所述交流输入保护电路包括有火线输入端L、零线输入端N、压敏电阻RV1、保险丝F1、泄放电阻RX1、泄放电阻RX2、泄放电阻RX3以及泄放电阻RX4；
所述火线输入端L连接保险丝F1的一端，保险丝F1的另一端连接电磁干扰滤波电路，所述压敏电阻RV1的两端分别连接保险丝F1的另一端和零线输入端N，所述泄放电阻RX1和泄放电阻RX2串联后分别并联于压敏电阻RV1的两端，所述泄放电阻RX3和泄放电阻RX4串联后分别并联于压敏电阻RV1的两端，所述泄放电阻RX1和泄放电阻RX2的串联节点连接泄放电阻RX3和泄放电阻RX4的串联节点；
所述电磁干扰滤波电路包括有安规电容CX1和共模电感LF1，所述安规电容 CX1并联于压敏电阻RV1的两端，共模电感LF1之第一绕线组的两端分别连接保险丝F1的另一端和零线输入端N，所述整流桥BD1的输入端包括第一整流输入端和第二整流输入端，共模电感LF1之第二绕线组的两端分别连接第一整流输入端和第二整流输入端；
所述功率转换电路包括有变压器T1，所述变压器T1包括有初级主线圈、初级副线圈和次级输出线圈；
所述输出整流滤波电路包括有极性电容C10、极性电容C11、电阻R24、电阻R25以及整流二极管单元，所述电阻R24与电阻R25并联后与极性电容C10并联，所述极性电容C11与极性电容C10并联且所述极性电容C11的正极连接极性电容C10的正极，所述极性电容C10的正负极分别连接直流输出电路；
所述整流二极管单元包括有二极管D5，所述二极管D5的负极连接极性电容C10的正极，所述二极管D5的正极连接次级输出线圈的引脚10；
或者，所述整流二极管单元包括有两个并联的二极管，其分别为二极管D41和二极管D42，所述二极管D41和二极管D42两者的方向一致，所述二极管D41的负极连接极性电容C10的正极，所述二极管D41的正极连接次级输出线圈的引脚10。
2.根据权利要求1所述的高PF低THD的LED驱动开关电源电路，其特征在于：所述直流输出电路包括有正极输出端、负极输出端以及共模电感LF2，共模电感LF2之第二绕线组的两端分别连接正极输出端和负极输出端，共模电感LF2之第一绕线组的两端分别连接极性电容C10的正负极。
3.根据权利要求1所述的高PF低THD的LED驱动开关电源电路，其特征在于：所述PWM控制电路包括有PWM控制芯片U1、二极管D17、电阻R11、电阻R12、电阻R26、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R6、二极管D14、电阻R10、电容C21、电容C4、极性电容C24、电阻R3和电阻R4；
所述PWM控制芯片U1具有控制引脚1至控制引脚6，控制引脚1通过电阻R26连接开关MOS控制电路，
所述电阻R26的一端连接控制引脚1，所述电阻R26的另一端连接开关MOS控制电路，所述电阻R26的另一端还通过电阻R13连接电阻R12的一端和开关MOS控制电路，所述电阻R14、电阻R15和电阻R16三者并联后两端分别接地和连接电阻R26的另一端，电阻R12的另一端连接二极管D14的正极，二极管D14的负极连接控制引脚6，控制引脚6通过电阻R11连接电阻R12的一端，控制引脚2接地，控制引脚3通过电容C3接地，控制引脚3还串联电阻R10和电容C21后接地，控制引脚4连接电压采样反馈电路，所述电阻R4的一端连接输入整流滤波电路，所述电阻R4的另一端串联电阻R3后连接控制引脚5，控制引脚5连接极性电容C24的正极，极性电容C24的负极接地，电容C4并联于极性电容C24的正负极，控制引脚5还连接二极管D14的负极，二极管的正极D14通过电阻R6连接电压采样反馈电路。
4.根据权利要求3所述的高PF低THD的LED驱动开关电源电路，其特征在于：所述开关MOS控制电路包括有MOS管Q1、电容C6和RCD吸收电路，所述MOS管Q1的漏极通过RCD吸收电路连接功率转换电路，MOS管Q1的栅极连接电阻R12的一端，MOS管Q1的源极连接电阻R26的另一端，所述电容C6并联于MOS管Q1的漏极和源极。
5.根据权利要求4所述的高PF低THD的LED驱动开关电源电路，其特征在于：所述RCD吸收电路包括有电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电容C8、电容C13以及二极管D13；
所述电阻R18与电阻R21串联后连接二极管D13的负极，二极管D13的正极连接功率转换电路，二极管D13的正极还连接MOS管Q1的漏极，所述电阻R18、电容C13和电阻R19三者并联，所述电阻R20与电阻R21并联，所述电阻R18的一端连接功率转换电路，所述电阻R18的另一端为电阻R18与电阻R21的串联节点，所述电阻R22和电阻R23并联后通过电容C8连接输出整流滤波电路。
6.根据权利要求1所述的高PF低THD的LED驱动开关电源电路，其特征在于：所述整流桥BD1的第一输出端通过压敏电阻RV2连接整流桥BD1的第二输出端。
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