CN112886802A - 一种具有热保护的副边同步整流电路及电子设备 - Google Patents

一种具有热保护的副边同步整流电路及电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种具有热保护的副边同步整流电路及电子设备，通过在副边同步电路中增设温度检测单元，对功率管的温度进行监控，实现当副边同步整流电路温度升高到热保护温度检测的阈值时，温度检测单元对电路温度进行检测，并根据检测到的不同温度量输出相应的反馈量至光耦端，光耦再根据接收到的反馈量输出对应的反馈量至原边控制模块，从而使控制原边控制模块控制原边输入功率的大小，通过降低输入的功率到达降低副边同步整流电路的温度的效果，且在正常工作状态下，通过恒压恒流单元对负载消耗的电能进行检测并控制，使副边同步整流电路工作在一个稳定的状态下，使副边同步整流电路既可以实现恒温工作，也实现了对副边同步整流电路的热保护。

Description

一种具有热保护的副边同步整流电路及电子设备
技术领域
本发明涉及电力电子变换领域，特别涉及一种具有热保护的副边同步整流电路及电子设备。
背景技术
现代电子技术的发展使得电路的工作电压越来越低而电流越来越大，因此电路的整体功率损耗成为电路设计的重要考虑因素。传统的次级整流电路通常采用肖特基整流二极管，但随着电路的工作电压越来越低，电路的效率也随之下降。同步整流(SynchronousRectification，SR)技术以其低功耗的优势而广泛应用于低电压、大电流电源模块。
虽然同步整流技术中采用了将功率管代替肖特基整流二极管的方式使电路的效率大大提升，但是功率器件会因输出功率的增加，而发热增加，当超过165度时，同步整流控制电路和功率管就会存在热击穿，从而损坏芯片，大部分现有副边同步整流电路中，采取的热保护手段为关闭同步整流的功率NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor)管，但实际上关闭NMOS后，由于功率NMOS的寄生二极管导通，电路仍然处于导通状态，且导通压降接近1V，导通压降更大，因此会引起工作系统的不稳定和引起震荡，存在极大的热保护异常隐患。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种具有热保护的副边同步整流电路及电子设备，提高副边同步整流电路工作的稳定性。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种具有热保护的副边同步整流电路，包括：
原边控制模块、光耦、同步整流控制单元、温度检测单元、变压器、功率管和恒压恒流控制单元；
所述同步整流控制单元的第一输出端与所述温度检测单元的输入端连接，第二输出端与所述功率管的一端连接；
所述功率管的另一端用于与输出负载的一端连接；
所述温度检测单元的输出端和所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述恒压恒流控制单元的输入端用于与输出负载的另一端连接；
所述光耦的接收侧的第二端与所述原边控制模块的输入端连接；
所述原边控制模块的输出端与所述变压器的原边连接；
所述变压器的副边的一端用于与输出负载的另一端连接，另一端与所述同步整流控制单元的输入端连接。
为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：一种电子设备，包含上述的一种具有热保护的副边同步整流电路。
本发明的有益效果在于：通过在副边同步电路中增设温度检测单元，对功率管的温度进行监控，实现当副边同步整流电路温度升高到热保护温度检测的阈值时，温度检测单元对电路温度进行检测，并根据检测到的不同温度量输出相应的反馈量至光耦端，光耦再根据接收到的反馈量输出对应的反馈量至原边控制模块，从而使控制原边控制模块控制原边输入功率的大小，通过降低输入的功率到达降低副边同步整流电路的温度的效果，使副边同步整流电路工作在稳定的状态下，并且当副边同步整流电路正常工作时，通过恒压恒流单元检测输出负载的状态，通过检测的数据控制光耦输出对应的反馈量至原边控制模块，从而使原边控制模块控制原边输入功率的大小，使副边同步整流电路工作在一个稳定的状态下，使副边同步整流电路既可以实现恒温工作，也实现了对副边同步整流电路的热保护。
附图说明
图1为本发明的实施例的一种具有热保护的副边同步整流电路的示意性电路图；
图2为本发明的实施例的一种具有热保护的副边同步整流电路的另一示意性电路图；
图3为本发明的实施例的一种具有热保护的副边同步整流电路的另一示意性电路图；
图4为本发明的实施例的一种具有热保护的副边同步整流电路的另一示意性电路图；
图5为本发明的实施例的一种具有热保护的副边同步整流电路的另一示意性电路图；
图6为本发明的实施例的一种具有热保护的副边同步整流电路的另一示意性电路图；
图7为本发明的实施例的一种具有热保护的副边同步整流电路的另一示意性电路图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1，本发明提供了一种具有热保护的副边同步整流电路，包括：
原边控制模块、光耦、同步整流控制单元、温度检测单元、变压器、功率管和恒压恒流控制单元；
所述同步整流控制单元的第一输出端与所述温度检测单元的输入端连接，第二输出端与所述功率管的一端连接；
所述功率管的另一端用于与输出负载的一端连接；
所述温度检测单元的输出端和所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述恒压恒流控制单元的输入端用于与输出负载的另一端连接；
所述光耦的接收侧的第二端与所述原边控制模块的输入端连接；
所述原边控制模块的输出端与所述变压器的原边连接；
所述变压器的副边的一端用于与输出负载的另一端连接，另一端与所述同步整流控制单元的输入端连接。
本发明上述具有热保护的副边同步整流电路的工作原理如下：
电路正常工作时，恒压恒流控制单元对负载消耗的电能进行实时检测，当负载消耗的电能超过变压器副边传输的电能时，恒压恒流控制单元输出至光耦的反馈量降低，使原边控制端电压升高，输入能量增加；当负载消耗的电能小于变压器副边传输的电能时，恒压恒流控制单元输出至光耦的反馈量增加，使原边控制端电压降低，输入功率降低；
电路过温工作时，温度检测单元对功率管的温度进行检测，当温度升高到热保护检测模块的阈值时，温度检测单元根据检测到的温度信息输出对应的反馈量至光耦端，且温度越高反馈量越大，使原边控制端电压降低，输入能量降低；当温度升高到热保护检测模块的另一阈值时，温度检测单元输出最大反馈量至光耦端，彻底关闭原边控制模块，停止能量输入；通过控制副边同步整流电路的能量输入从而控制电路的温度，达到保护电路的目的。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：通过在副边同步电路中增设温度检测单元，对功率管的温度进行监控，实现当副边同步整流电路温度升高到热保护温度检测的阈值时，温度检测单元对电路温度进行检测，并根据检测到的不同温度量输出相应的反馈量至光耦端，光耦再根据接收到的反馈量输出对应的反馈量至原边控制模块，从而使控制原边控制模块控制原边输入功率的大小，通过降低输入的功率到达降低副边同步整流电路的温度的效果，使副边同步整流电路工作在稳定的状态下，并且当副边同步整流电路正常工作时，通过恒压恒流单元检测输出负载的状态，通过检测的数据控制光耦输出对应的反馈量至原边控制模块，从而使原边控制模块控制原边输入功率的大小，使副边同步整流电路工作在一个稳定的状态下，使副边同步整流电路既可以实现恒温工作，也实现了对副边同步整流电路的热保护。
进一步的，所述功率管与所述同步整流控制单元和所述温度检测单元合封应用；
或者所述功率管单独封装，所述同步整流控制单元和所述温度检测单元合封应用。
由上述描述可知，通过将副边同步整流电路适应性的与功率管进行合封应用或分别应用，使副边同步整流电路能够适应不同的使用场景，适应性更高。
进一步的，所述功率管与所述同步整流控制单元和所述温度检测单元合封应用包括：
所述温度检测单元包括第一温度检测子单元和第二温度检测子单元；
所述第一温度检测子单元的输入端和所述第二温度检测子单元的输入端分别与所述同步整流控制单元的第一输出端连接，所述第一温度检测子单元的输出端和所述第二温度检测子单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述第一温度检测子单元和第二温度检测子单元对应不同的温度阈值。
由上述描述可知，通过第一温度检测子单元和第二温度检测子单元对合封的副边同步整流电路的温度进行检测，实现对合封内的温度进行梯度检测并反馈相应的反馈量至光耦端，并根据温度梯度检测的结果进行反馈，进而使副边同步整流电路能够工作在稳定的状态下。
进一步的，所述第一温度检测子单元包括第一电阻、第一运算放大器、第一电流源、第一二极管、第一NOMS管和第二NMOS管；
所述第一电阻的一端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；
所述第一电阻的另一端分别与所述第一运算放大器的负端和所述第一NMOS的漏极连接；
所述第一二极管的正极与所述第一运算放大器的正端分别与所述第一电流源连接，所述第一二极管的负极接地；
所述第一运算放大器的输出端分别与所述第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接；
所述第二NMOS管的漏极与所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极分别接地；
所述第二温度检测子单元包括第二运算放大器、第二电流源、第二二极管和第三NMOS管；
所述第二运算放大器的正端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；
所述第二二极管的正极与所述第二运算放大器的负端分别与所述第二电流源连接，所述第二二极管的负极接地；
所述第二运算放大器的输出端与所第三NMOS管的栅极连接；
所述第三NMOS管的漏极与所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接，所述第三NMOS管的源极接地。
由上述描述可知，通过第一二极管和第二二极管分别对温度进行检测，当温度升高到第一二极管的温度阈值时，第一运算放大器开始工作，使输出的电流量增大，增加了光耦的反馈量，降低原边输入功率，进而降低副边同步整流电路的温度，起到热保护作用；当温度升高到第二二极管的温度阈值时，第二运算放大器输出高电平使第三NMOS管完全导通，使得光耦彻底关闭原边工作，即原边输出功率为零，进而降低副边同步整流电路的温度，起到热保护作用，实现对温度进行梯度检测，对原边输出功率的梯度控制。
进一步的，所述同步整流控制单元和所述温度检测单元合封应用包括：
所述温度检测单元包括第三温度检测子单元和第四温度检测子单元；
所述副边同步整流电路还包括第二电阻；
所述第三温度检测子单元的第一输入端与所述第二电阻的一端分别与所述同步整流控制单元的第一输出端连接，所述第三温度检测子单元的输出端与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述第三温度检测子单元的第二输入端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；
所述第三温度检测子单元和第四温度检测子单元对应不同的温度阈值。
所述第二电阻的另一端接地。
由上述描述可知，通过第三温度检测子单元和第四温度检测子单元对外置的功率管的温度进行检测，实现对功率管的温度进行梯度检测并反馈相应的反馈量至光耦端，并根据温度梯度检测的结果执行对应的反馈，进而使副边同步整流电路能够工作在稳定的状态下。
进一步的，所述第二电阻为外置的热敏电阻。
由上述描述可知，通过设置外置的热敏电阻对外置的功率管的温度进行检测进而将温度信息反馈至第三温度检测子单元和第四温度检测子单元实现对功率管的热保护。
进一步的，所述第三温度检测子单元包括第三运算放大器、第三电阻、第四NMOS管、第五NMOS管和第三电流源；
所述第三电阻的一端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；
所述第三电阻的另一端与所述第三运算放大器的负端和所述第四NMOS的漏极连接；
所述第二电阻的一端和第三运算放大器的正端分别与所述第三电流源连接；
所述第三运算放大器的输出端分别与所第四NMOS管的栅极和第五NMOS管的栅极连接；
所述第五NMOS管的漏极与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极分别接地；
所述第四温度检测子单元包括第四运算放大器和第六NMOS管；
所述第四运算放大器的正端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；
所述第二电阻的一端和第四运算放大器的负端分别与所述第三电流源连接；
所述第四运算放大器的输出端与所述第六NMOS管的栅极连接；
所述第六NMOS管的漏极与所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接，所述第六NMOS管的源极接地。
由上述描述可知，通过第二电阻对功率管的温度进行检测，当温度升高到第二电阻第一温度阈值时，第三运放开始工作，使输出的电流量增大，增加了光耦的反馈量，降低原边输入功率，进而降低副边同步整流电路的温度，起到热保护作用；当温度升高到第二电阻第二温度值时，第四运放输出高电平使第六NMOS管完全导通，使得光耦彻底关闭原边工作，即原边输出功率为零，进而降低副边同步整流电路的温度，起到热保护作用。
本发明另一实施例提供了一种电子设备，包含上述的一种具有热保护的副边同步整流电路。
实施例一
请参照图1，一种具有热保护的副边同步整流电路，包括原边控制模块、光耦、同步整流控制单元、温度检测单元、变压器、功率管和恒压恒流控制单元；
所述原边控制模块用于控制所述变压器的原边(LP)输入功率，所述恒压恒流控制单元用于控制所述光耦的反馈量，具体的：
所述原边控制模块的输出端与所述变压器的原边连接，具体的所述原边控制模块的输出端与所述变压器的LP连接，所述变压器的LP的另一端接高压输入端；
所述温度检测单元的输出端和所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述光耦的接收侧的第二端与所述原边控制模块的输入端连接，并且第一电容的一端分别与所述光耦的接收侧的第二端和所述原边控制模块的输入端连接，所述第一电容的另一端接地；所述原边控制模块的反馈输入端(FB角)用于检测电平的大小，FB脚电平越高，输入功率就越大，且FB脚的电平受控于光耦的反馈量，光耦的反馈量增大，则FB角的电平下降，输入能量减小，光耦的反馈量减小，则FB角的电平增加，输入能量增加；
所述恒压恒流控制单元的输入端用于与负载的另一端连接，具体的，所述恒压恒流控制单元的输入端用于与负载的另一端连接，用于检测输出状态，且还与第二电容的一端连接，所述第二电容与负载并联；检测输出状态具体为：正常工作时，所述光耦反馈量受控于所述恒压恒流控制单元，所述恒压恒流控制单元对环路进行控制，所述原边控制模块通过FB角接收所述光耦的反馈量对输入功率进行控制，并通过所述变压器的LP和副边(LS)将功率传输到副边的所述第二电容，所述第二电容再将电能输出到负载；
当负载消耗电能小于所述变压器的LS传输的电能时，所述恒压恒流控制单元控制光耦反馈量增加，当负载消耗电能大于所述变压器的LS传输的电能时，所述恒压恒流控制单元控制光耦反馈量减少；
所述光耦的发射侧的第三端通过第三电阻与所述恒压恒流控制单元的输入端连接；所述光耦的接收侧的第二端通过第四电阻与所述光耦的接收侧的第三端连接；
所述变压器的副边的一端用于与负载的另一端连接，另一端与所述同步整流控制单元的输入端连接；
所述同步整流控制单元的第一输出端与所述温度检测单元的输入端连接，第二输出端与所述功率管的一端连接；所述功率管的另一端用于与负载的一端连接。
实施例二
本实施例与实施例一的不同在于，所述功率管与所述同步整流控制单元和所述温度检测单元合封应用；
具体的，请参照图2，所述温度检测单元包括第一温度检测子单元和第二温度检测子单元；所述第一温度检测子单元的输入端和所述第二温度检测子单元的输入端分别与所述同步整流控制单元的第一输出端连接，所述第一温度检测子单元的输出端和所述第二温度检测子单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述第一温度检测子单元和第二温度检测子单元对应不同的温度阈值，具体的：
请参照图4，所述第一温度检测子单元包括第一电阻、第一运算放大器、第一电流源、第一二极管、第一NOMS管和第二NMOS管；所述第一电阻的一端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；所述第一电阻的另一端分别与所述第一运算放大器的负端和所述第一NMOS的漏极连接；所述第一二极管的正极与所述第一运算放大器的正端分别与所述第一电流源连接，所述第一二极管的负极接地；所述第一运算放大器的输出端分别与所述第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接；所述第二NMOS管的漏极与所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接；所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极分别接地；
所述同步整流控制单元的第一输出端基准电压V1，所述第一电流源为所述第一二极管提供电流，且所述第一二极管为负温度系数；随着合封内的温度升高，所述第一二极管的导通压降不断降低，当温度达到所述第一二极管的温度保护阈值时，所述第一二极管的导通压降小于基准电压V1，使所述第一运算放大器开始工作，所述第一NMOS管、第一运算放大器和第一电阻构成闭环工作的运放，则流经所述第一NMOS管的电流为：IN1，IN1＝(V1-VBE1)/R1；其中，VBE1为所述第一二极管的导通电压；
所述第二NMOS管和所述第一NMOS管的电流比为k，则IN2＝k*IN1；
随着温度不断升高，VBE1越来越小，而IN1越来越大，因此输出至所述光耦的反馈量增加，降低了所述原边控制模块FB角的电平，从而降低了所述变压器的输入功率，对合封电子设备起到保护作用；
请参照图5，所述第二温度检测子单元包括第二运算放大器、第二电流源、第二二极管和第三NMOS管；所述第二运算放大器的正端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；所述第二二极管的正极与所述第二运算放大器的负端分别与所述第二电流源连接，所述第二二极管的负极接地；所述第二运算放大器的输出端与所第三NMOS管的栅极连接；所述第三NMOS管的漏极与所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接，所述第三NMOS管的源极接地；
所述同步整流控制单元的第一输出端基准电压V2，所述第二电流源为所述第二二极管提供电流，且所述第二二极管为负温度系数；随着合封内的温度升高，所述第二二极管的导通压降不断降低，当温度达到所述第二二极管的温度保护阈值时，所述第二二极管的导通压降小于基准电压V2，使所述第二运算放大器开始工作，输出端输出高电平至所述第三NMOS管的栅极，使所述第三NMOS管完全导通，输出热保护关断信号至所述光耦，使所述原边控制模块FB角的电平达到关断电平，彻底关断所述原边控制模块的工作，从而所述变压器的输入功率为零，负载不再工作，达到降低温度保护电路的目的。
实施例三
本实施例与实施例一和实施例二的不同在于，所述功率管单独封装，所述同步整流控制单元和所述温度检测单元合封应用；
请参照图3，所述温度检测单元包括第三温度检测子单元和第四温度检测子单元；所述副边同步整流电路还包括第二电阻；所述第三温度检测子单元的第一输入端与所述第二电阻的一端分别与所述同步整流控制单元的第一输出端连接，所述第三温度检测子单元的输出端与所述光耦的发射侧的第一端连接；所述第三温度检测子单元的第二输入端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；所述第二电阻的另一端接地；
所述第三温度检测子单元和第四温度检测子单元对应不同的温度阈值，具体的：
请参照图6，所述第三温度检测子单元包括第三运算放大器、第三电阻、第四NMOS管和第五NMOS管；所述第三电阻的一端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；所述第三电阻的另一端与所述第三运算放大器的负端和所述第四NMOS的漏极连接；所述第二电阻的一端和第三运算放大器的正端分别与所述第三电流源连接；所述第三运算放大器的输出端分别与所第四NMOS管的栅极和第五NMOS管的栅极连接；所述第五NMOS管的漏极与所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接；所述第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极分别接地；所述第二电阻的另一端接地；
所述同步整流控制单元的第一输出端基准电压V3，所述第三电流源为所述第二电阻提供电流，且所述第二电阻为外置的热敏电阻；所述第二电阻对外置的所述功率管进行温度检测，随着所述功率管的工作温度不断上升，所述第二电阻两端的电压值不断降低，当温度达到所述第二电阻的第一温度保护阈值时，所述第二电阻两端的电压值小于基准电压V3，使所述第三运算放大器开始工作，所述第四NMOS管、第三运算放大器和第三电阻构成闭环工作的运放，则流经所述第四NMOS管的电流为：IN4，IN4＝(V3-VR2)/R3；其中，VR3为所述第二电阻两端的电压；
所述第四NMOS管和所述第五NMOS管的电流比为k1，则IN5＝k*IN4；
随着温度不断升高，VR2越来越小，而IN4越来越大，因此输出至所述光耦的反馈量增加，降低了所述原边控制模块FB角的电平，从而降低了所述变压器的输入功率，对合封电子设备起到保护作用；
请参照图7，所述第四温度检测子单元包括第四运算放大器和第六NMOS管；所述第四运算放大器的正端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；所述第二电阻的一端和第四运算放大器的负端分别与所述第三电流源连接；所述第四运算放大器的输出端与所述第六NMOS管的栅极连接；所述第六NMOS管的漏极与所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接，所述第六NMOS管的源极接地；
所述同步整流控制单元的第一输出端基准电压V4，所述第三电流源为所述第二电阻提供电流，且所述第二电阻为外置的热敏电阻；所述第二电阻对外置的所述功率管进行温度检测，随着所述功率管的工作温度不断上升，所述第二电阻两端的电压值不断降低，当温度达到第二电阻的第二温度保护阈值时，所述第二电阻两端的电压值小于基准电压V4，使所述第四运算放大器开始工作，输出端输出高电平至所述第六NMOS管的栅极，使所述第六NMOS管完全导通，输出热保护关断信号至所述光耦，使所述原边控制模块FB角的电平达到关断电平，彻底关断所述原边控制模块的工作，从而所述变压器的输入功率为零，负载不再工作，达到降低温度保护电路的目的。
实施例四
一种电子设备，包含实现上述实施例一、实施例二或实施例三的一种具有热保护的副边同步整流电路；
当合封应用时，所述第二NMOS管和所述第三NMOS管共同作用，所述第五NMOS管和第六NMOS关处于关闭状态；所述第二NMOS管和所述第三NMOS管将合封内的温度信息输出到所述光耦，所述光耦再将热保护信息传输到所述原边控制模块的FB角，从而控制所述变压器的输入功率，温度检测时通过内部的所述第一二极管和所述第二二极管实现；
当所述功率管外置应用时，所述第二NMOS管、第三NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管都处于工作状态，所述第二NMOS管和所述第三NMOS管输出副边同步整流电路的所述同步整流控制单元的温度信息，所述第五NMOS管和所述第六NMOS管输出所述功率管的温度信息，通过将温度信息输出到所述光耦，所述光耦再将热保护信息传输到所述原边控制模块的FB角，从而控制所述变压器的输入功率，所述同步整流控制单元的温度检测是通过内部的所述第二NMOS管和所述第三NMOS管实现，所述功率管的温度检测是通过外部的所述第二电阻实现。
综上所述，本发明提供的一种具有热保护的副边同步整流电路及电子设备，通过在副边同步电路中增设第一温度检测子单元、第二温度检测子单元、第三温度检测子单元和第四温度检测子单元，对功率管和合封内的温度进行监控，实现当副边同步整流电路温度升高到热保护温度检测的多个阈值时，多组温度检测子单元对电路温度进行检测，并根据检测到的不同温度量输出相应的反馈量至光耦端，光耦再根据接收到的反馈量输出对应的反馈量至原边控制模块，从而使控制原边控制模块控制原边输入功率的大小，通过降低输入的功率到达降低副边同步整流电路的温度的效果，使副边同步整流电路工作在稳定的状态下，并且当副边同步整流电路正常工作时，通过恒压恒流单元检测输出负载的状态，通过检测的数据控制光耦输出对应的反馈量至原边控制模块，从而使原边控制模块控制原边输入功率的大小，使副边同步整流电路工作在一个稳定的状态下，使副边同步整流电路既可以实现恒温工作，也实现了对副边同步整流电路的热保护。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种具有热保护的副边同步整流电路，其特征在于，包括原边控制模块、光耦、同步整流控制单元、温度检测单元、变压器、功率管和恒压恒流控制单元；
所述同步整流控制单元的第一输出端与所述温度检测单元的输入端连接，第二输出端与所述功率管的一端连接；
所述功率管的另一端用于与负载的一端连接；
所述温度检测单元的输出端和所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述恒压恒流控制单元的输入端用于与负载的另一端连接；
所述光耦的接收侧的第二端与所述原边控制模块的输入端连接；
所述原边控制模块的输出端与所述变压器的原边连接；
所述变压器的副边的一端用于与负载的另一端连接，另一端与所述同步整流控制单元的输入端连接。
2.根据权利要求1所述的一种具有热保护的副边同步整流电路，其特征在于，所述功率管与所述同步整流控制单元和所述温度检测单元合封应用；
或者所述功率管单独封装，所述同步整流控制单元和所述温度检测单元合封应用。
3.根据权利要求2所述的一种具有热保护的副边同步整流电路，其特征在于，所述功率管与所述同步整流控制单元和所述温度检测单元合封应用包括：
所述温度检测单元包括第一温度检测子单元和第二温度检测子单元；
所述第一温度检测子单元的输入端和所述第二温度检测子单元的输入端分别与所述同步整流控制单元的第一输出端连接，所述第一温度检测子单元的输出端和所述第二温度检测子单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述第一温度检测子单元和第二温度检测子单元对应不同的温度阈值。
4.根据权利要求3所述的一种具有热保护的副边同步整流电路，其特征在于，所述第一温度检测子单元包括第一电阻、第一运算放大器、第一电流源、第一二极管、第一NOMS管和第二NMOS管；
所述第一电阻的一端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；
所述第一电阻的另一端分别与所述第一运算放大器的负端和所述第一NMOS的漏极连接；
所述第一二极管的正极与所述第一运算放大器的正端分别与所述第一电流源连接，所述第一二极管的负极接地；
所述第一运算放大器的输出端分别与所述第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接；
所述第二NMOS管的漏极与所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极分别接地；
所述第二温度检测子单元包括第二运算放大器、第二电流源、第二二极管和第三NMOS管；
所述第二运算放大器的正端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；
所述第二二极管的正极与所述第二运算放大器的负端分别与所述第二电流源连接，所述第二二极管的负极接地；
所述第二运算放大器的输出端与所第三NMOS管的栅极连接；
所述第三NMOS管的漏极与所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接，所述第三NMOS管的源极接地。
5.根据权利要求2所述的一种具有热保护的副边同步整流电路，其特征在于，所述同步整流控制单元和所述温度检测单元合封应用包括：
所述温度检测单元包括第三温度检测子单元和第四温度检测子单元；
所述副边同步整流电路还包括第二电阻；
所述第三温度检测子单元的第一输入端与所述第二电阻的一端分别与所述同步整流控制单元的第一输出端连接，所述第三温度检测子单元的输出端与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述第三温度检测子单元的第二输入端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；
所述第三温度检测子单元和第四温度检测子单元对应不同的温度阈值。
所述第二电阻的另一端接地。
6.根据权利要求5所述的一种具有热保护的副边同步整流电路，其特征在于，所述第二电阻为外置的热敏电阻。
7.根据权利要求5所述的一种具有热保护的副边同步整流电路，其特征在于，所述第三温度检测子单元包括第三运算放大器、第三电阻、第四NMOS管、第五NMOS管和第三电流源；
所述第三电阻的一端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；
所述第三电阻的另一端与所述第三运算放大器的负端和所述第四NMOS的漏极连接；
所述第二电阻的一端和第三运算放大器的正端分别与所述第三电流源连接；
所述第三运算放大器的输出端分别与所第四NMOS管的栅极和第五NMOS管的栅极连接；
所述第五NMOS管的漏极与所述光耦的发射侧的第一端连接；
所述第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极分别接地；
所述第四温度检测子单元包括第四运算放大器和第六NMOS管；
所述第四运算放大器的正端与所述同步整流控制单元的第一输出端连接；
所述第二电阻的一端和第四运算放大器的负端分别与所述第三电流源连接；
所述第四运算放大器的输出端与所述第六NMOS管的栅极连接；
所述第六NMOS管的漏极与所述恒压恒流控制单元的输出端分别与所述光耦的发射侧的第一端连接，所述第六NMOS管的源极接地。
8.一种电子设备，其特征在于，包含权利要求1至7任一项所述的一种具有热保护的副边同步整流电路。
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