CN112817187A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112817187A CN112817187A CN202110164149.3A CN202110164149A CN112817187A CN 112817187 A CN112817187 A CN 112817187A CN 202110164149 A CN202110164149 A CN 202110164149A CN 112817187 A CN112817187 A CN 112817187A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pixel
- sub
- transistor
- unit
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 9
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本申请提供一种显示面板及显示装置,所述显示面板包括多条沿第一方向延伸的扫描线、多条沿第二方向延伸的数据线和多个像素单元,每个像素单元包括位于相邻两条所述扫描线之间的第一子像素、第二子像素和第三子像素,其中,第一子像素和第二子像素沿第一方向排列,第一子像素和第三子像素沿第二方向排列。本申请通过将每个像素单元中的多个子像素沿两个不同的方向进行排列,减小了沿一个方向排列的子像素的数量,有利于在不改变制程条件的前提下,缩小每个像素单元的宽度,提高显示面板的像素密度。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
虚拟现实(Virtual Reality,VR)和增强现实(Augmented Reality,AR)技术已经应用于军事和航空领域。显示技术的发展必将带动VR技术和AR技术的进步,显示装置的分辨率和视角场的提升是显示技术的长期开发方向,而像素密度(Pixel Per Inch,PPI)是决定显示装置分辨率和视角场的重要因素。
液晶显示技术在VR装备中的应用较为广泛,目前市场上出现的头戴式VR设备的显示像素密度在1000左右,而无法进一步提升,这主要是受限于液晶面板的制程能力。液晶显示面板的单个像素单元中的各个子像素采用并排的方式进行排布,因此,即使以制程的极限能力来设计单个子像素的宽度,也无法使液晶显示面板的像素密度得到明显提升。
所以,目前显示面板的像素密度受制程能力所限而无法进一步提升。
发明内容
本申请提供一种显示面板及显示装置,缓解了当前显示面板的像素密度受制程能力所限而无法进一步提升的技术问题。
本申请提供一种显示面板,其包括多条沿第一方向延伸的扫描线、多条沿第二方向延伸的数据线和多个像素单元,每个所述像素单元包括位于相邻两条所述扫描线之间的第一子像素、第二子像素和第三子像素;其中:
所述第一子像素与所述第二子像素沿所述第一方向排列;
所述第一子像素与所述第三子像素沿所述第二方向排列。
根据本申请一实施例,每个所述像素单元还包括位于相邻两条所述扫描线之间的第一区域,所述第一区域与所述第二子像素沿所述第二方向排列,所述第一区域与所述第三子像素沿所述第一方向排列;
所述第一子像素包括第一像素电极,所述第二子像素包括第二像素电极,所述第三子像素包括第三像素电极;
每个所述像素单元包括第三晶体管,所述第三晶体管的第一端电性连接至所述数据线,所述第三晶体管的第二端通过第三连接孔电性连接至所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极中的一个,所述第三连接孔位于所述第一区域。
根据本申请一实施例,所述第三晶体管的第二端通过所述第三连接孔电性连接至所述第三像素电极;
每个所述像素单元还包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的第二端通过第一连接孔电性连接所述第一像素电极,所述第二晶体管的第二端通过第二连接孔电性连接所述第二像素电极。
根据本申请一实施例,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管沿第一扫描线排列;
所述第一连接孔和所述第二连接孔位于所述第一扫描线的第一侧;
所述第三连接孔位于与所述第一扫描线的第一侧相对的所述第一扫描线的第二侧。
根据本申请一实施例,所述第三晶体管位于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间;
所述第一晶体管的第一端通过第四连接孔电性连接第一数据线,所述第三晶体管的第一端通过第六连接孔电性连接第二数据线,所述第二晶体管的第一端通过第五连接孔电性连接第三数据线;
所述第四连接孔与所述第五连接孔位于所述第一扫描线的第二侧;
所述第六连接孔位于所述第一扫描线的第一侧。
根据本申请一实施例,所述第二晶体管位于所述第一晶体管与所述第三晶体管之间;
所述第一晶体管的第一端通过第四连接孔电性连接第一数据线,所述第二晶体管的第一端通过第五连接孔电性连接第二数据线,所述第三晶体管的第一端通过第六连接孔电性连接第三数据线;
所述第四连接孔与所述第五连接孔位于所述第一扫描线的第二侧;
所述第六连接孔位于所述第一扫描线的第一侧。
根据本申请一实施例,所述第一子像素包括第一色阻单元,所述第二子像素包括第二色阻单元,所述第三子像素包括第三色阻单元;
每个所述像素单元包括第一数据线、第二数据线和第三数据线;
所述第一色阻单元和所述第三色阻单元均位于所述第一数据线与所述第二数据线之间,所述第二色阻单元位于所述第二数据线和所述第三数据线之间。
根据本申请一实施例,所述第一子像素与所述第三子像素之间具有第一遮光层。
根据本申请一实施例,所述多个像素单元包括第一像素单元和第二像素单元,所述第一像素单元与所述第二像素单元沿所述第二方向排列,所述第一像素单元与所述第二像素单元之间具有第二遮光层。
本申请还提供一种显示装置,其包括如上所述的显示面板。
本申请的有益效果是:本申请提供的显示面板及显示装置,通过将每个像素单元中的多个子像素沿两个不同的方向进行排列,减小了沿一个方向排列的子像素的数量,有利于在不改变制程条件的前提下,缩小每个像素单元的宽度,提高显示面板的像素密度;并且,由于沿一个方向排列的子像素的数量减少,可以实现在增加单个子像素的宽度的情况下,缩小整个像素单元的宽度,有利于降低对面板制程能力的要求,提高面板良率,降低成本;此外,本申请还进一步对像素单元中的薄膜晶体管与像素电极的连接孔的放置位置进行调整,将至少一个连接孔放置在第一区域内,有利于提高显示面板的开口率。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1是本申请实施例提供的第一种显示面板的第一透视结构示意图;
图2是本申请实施例提供的第一种显示面板的第二透视结构示意图;
图3是本申请实施例提供的包含多个像素单元的第一种显示面板的结构示意图;
图4是本申请实施例提供的第二种显示面板的第一透视结构示意图;
图5是本申请实施例提供的第二种显示面板的第二透视结构示意图;
图6是本申请实施例提供的包含多个像素单元的第二种显示面板的结构示意图;
图7是本申请实施例提供的显示面板的截面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供一种显示面板,所述显示面板包括多条沿第一方向延伸的扫描线、多条沿第二方向延伸的数据线和多个像素单元,每个像素单元包括位于相邻两条所述扫描线之间的第一子像素、第二子像素和第三子像素,其中,第一子像素和第二子像素沿第一方向排列,第一子像素和第三子像素沿第二方向排列。本申请实施例将每个像素单元中的多个子像素沿两个不同的方向进行排列,相较于将多个子像素沿单一方向排列的设计,有利于在不改变制程条件的前提下,缩小每个像素单元的宽度,提高显示面板的像素密度;并且,由于沿一个方向排列的子像素的数量减少,可以实现在增加单个子像素的宽度的情况下,缩小整个像素单元的宽度,有利于降低对面板制程能力的要求,提高面板良率,降低成本。
在一种实施例中,请参阅图1和图2,图1是本申请实施例提供的第一种显示面板的第一透视结构示意图,图2是本申请实施例提供的第一种显示面板的第二透视结构示意图。需要说明的是,图1所示的第一透视结构示意图示出了显示面板的薄膜晶体管、数据线、扫描线、像素电极等组成元件的相对位置关系;图2所示的第二透视结构示意图示出了显示面板的色阻单元、遮光层等组成元件的相对位置关系。
所述显示面板包括多个像素单元,所述多个像素单元在所述显示面板中是阵列分布。需要说明的是,所述像素单元可以是所述显示面板中的最小重复单元,所述显示面板的显示功能是通过所述多个像素单元的协作发光来实现的;每个所述像素单元可以是所述显示面板上的局部区域,在该局部区域内设置有实现该像素单元发光所需的背光单元、数据线、扫描线、薄膜晶体管、像素电极、液晶、色阻单元等。
每个所述像素单元均包括位于相邻两条扫描线(比如,图1中的第一扫描线S1和第二扫描线S2)之间的第一子像素11、第二子像素12和第三子像素13。所述第一子像素11包括第一色阻单元C1,所述第一色阻单元C1可以是红色阻、绿色阻和蓝色阻中的一种,所述第一色阻单元C1用于实现所述第一子像素11的彩色发光;所述第二子像素12包括第二色阻单元C2,所述第二色阻单元C2可以是红色阻、绿色阻和蓝色阻中的一种,且所述第二色阻单元C2不同于所述第一色阻单元C1,所述第二色阻单元C2用于实现所述第二子像素12的彩色发光;所述第三子像素13包括第三色阻单元C3,所述第三色阻单元C3可以是红色阻、绿色阻和蓝色阻中的一种,且所述第三色阻单元C3不同于所述第一色阻单元C1和所述第二色阻单元C2,所述第三色阻单元C3用于实现所述第三子像素13的彩色发光。
在每个所述像素单元中,所述第一子像素11与所述第二子像素12沿第一方向X排列,所述第一子像素11与所述第三子像素13沿第二方向Y排列。可选地,所述第一方向X与所述第二方向Y可以是相互垂直的两个方向。需要说明的是,所谓“第一子像素11与第二子像素12沿第一方向X排列”,并不会对第一子像素11和第二子像素12沿第一方向X排列的先后顺序进行限定,可以是第一子像素11与第二子像素12沿第一方向X依次排列,也可以是第二子像素12与第一子像素11沿第一方向X依次排列;与之同理的是“第一子像素11与第三子像素13沿第二方向Y排列”,此处不再赘述。
本实施例通过将第一子像素11与第二子像素12沿第一方向X排列,并将第一子像素11与第三子像素13沿不同于第一方向X的第二方向Y排列,缩减了所述像素单元中沿第一方向X排列的子像素的数量,有利于在不改变制程条件的前提下,缩小每个像素单元沿第一方向X的宽度,提高显示面板的像素排布密度。
此外,当前显示面板的制程能力有其制程极限,比如每个像素单元中的子像素在第一方向X的宽度存在制程的宽度极限;极限尺寸条件下的显示面板对制程设备的要求较高,会造成显示面板的制造成本较高,良率较差。本实施例将每个像素单元中的子像素沿两个不同的方向排列,相较于现有技术,缩减了沿第一方向X排列的子像素的数量,可以实现既增加单个子像素的宽度,又缩小每个像素单元的宽度,有利于降低对显示面板制程能力的要求,提高面板良率,降低成本,同时实现显示面板的高像素排布密度。
进一步地,所述显示面板还包括多条沿第一方向X延伸的扫描线和多条沿第二方向Y延伸的数据线,所述数据线与所述扫描线相互交叉排列,所述数据线用于提供数据信号,所述扫描线用于提供扫描信号。所述数据线包括依次相邻的第一数据线D1、第二数据线D2和第三数据线D3,所述扫描线包括相邻的第一扫描线S1和第二扫描线S2;所述第一子像素11、所述第二子像素12和所述第三子像素13均位于所述第一扫描线S1和所述第二扫描线S2之间,所述第一子像素11和所述第三子像素13均位于所述第一数据线D1和所述第二数据线D2之间,所述第二子像素12位于所述第二数据线D2和所述第三数据线D3之间。
进一步地,所述第一色阻单元C1、所述第二色阻单元C2和所述第三色阻单元C3均位于所述第一扫描线S1和所述第二扫描线S2之间,所述第一色阻单元C1和所述第三色阻单元C3均位于所述第一数据线D1与所述第二数据线D2之间,所述第二色阻单元C2位于所述第二数据线D2和所述第三数据线D3之间。
所述第一子像素11包括第一像素电极P1,所述第一像素电极P1与所述第一色阻单元C1对应设置;所述第二子像素12包括第二像素电极P2,所述第二像素电极P2与所述第二色阻单元C2对应设置;所述第三子像素13包括第三像素电极P3,所述第三像素电极P3与所述第三色阻单元C3对应设置。
所述像素单元还包括位于所述第一扫描线S1和所述第二扫描线S2之间的第一区域Z1,所述第一区域Z1与所述第二子像素12沿所述第二方向Y排列,所述第一区域Z1与所述第三子像素13沿所述第一方向X排列。
进一步地,所述第一区域Z1位于所述第二数据线D2与所述第三数据线D3之间。
每个所述像素单元包括第三晶体管T3,所述第三晶体管T3的第一端电性连接至数据线,所述第三晶体管T3的第二端通过第三连接孔H3电性连接至所述第一像素电极11、所述第二像素电极12和所述第三像素电极13中的一个,所述第三连接孔H3位于所述第一区域Z1。
具体地,所述第三晶体管T3的第一端通过第六连接孔H6电性连接至数据线,所述第三晶体管T3的第二端通过所述第三连接孔H3电性连接至所述第三像素电极13。
每个所述像素单元还包括第一晶体管T1和第二晶体管T2;所述第一晶体管T1的第一端通过第四连接孔H4电性连接至数据线,所述第一晶体管T1的第二端通过第一连接孔H1电性连接所述第一像素电极11;所述第二晶体T2管的第一端通过第五连接孔H5电性连接至数据线,所述第二晶体T2管的第二端通过第二连接孔H2电性连接所述第二像素电极12。
可选地,所述第一晶体管T1的第一端和第二端分别是所述第一晶体管T1的源极和漏极;所述第一晶体管T1还具有栅极,所述第一晶体管T1的栅极电性连接至所述第一扫描线S1。所述第二晶体管T2的第一端和第二端分别是所述第二晶体管T2的源极和漏极;所述第二晶体管T2还具有栅极,所述第二晶体管T2的栅极电性连接至所述第一扫描线S1。所述第三晶体管T3的第一端和第二端分别是所述第三晶体管T3的源极和漏极;所述第三晶体管T3还具有栅极,所述第三晶体管T3的栅极电性连接至所述第一扫描线S1。
进一步地,所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3沿第一扫描线S1排列,且所述第三晶体管T3位于所述第一晶体管T1与所述第二晶体管T2之间。
所述第一晶体管T1的第一端通过所述第四连接孔H4电性连接至所述第一数据线D1,所述第三晶体管T3的第一端通过所述第六连接孔H6电性连接所述第二数据线D2,所述第二晶体管T2的第一端通过所述第五连接孔H5电性连接所述第三数据线D3。
进一步地,所述第一扫描线S1具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧。所述第一连接孔H1和所述第二连接孔H2位于所述第一扫描线S1的第一侧,所述第三连接孔H3位于与所述第一扫描线S1的第二侧;所述第四连接孔H4与所述第五连接孔H5位于所述第一扫描线S1的第二侧,所述第六连接孔H6位于所述第一扫描线S1的第一侧。
进一步地,所述显示面板还包括设置在所述第一子像素11和所述第三子像素13之间的第一遮光层B1,所述第一遮光层B1的一侧与所述第一色阻单元C1交接,所述第一遮光层B1的另一侧与所述第三色阻单元C3交接。所述第一遮光层B1用于遮挡部分所述第一子像素11发出的光线和部分所述第三子像素13发出的光线,防止所述第一子像素11和所述第三子像素13出现混色问题。
请参阅图1至图3,其中,图3是本申请实施例提供的包含多个像素单元的第一种显示面板的结构示意图。所述显示面板包括沿所述第二方向Y相邻排列的第一像素单元10和第二像素单元20。所述第一像素单元10与所述第二像素单元20之间具有第二遮光层B2。所述第二遮光层B2用于遮挡部分所述第一像素单元10发出的光线和部分所述第二像素单元20发出的光线,防止所述第一像素单元10和所述第二像素单元20出现混色问题。
进一步地,所述显示面板还包括沿所述第一方向X相邻排列的第一像素单元10和第三像素单元30;其中,电性连接所述第一像素单元10的所述第三数据线D3,与电性连接所述第三像素单元30的所述第一数据线D1相邻,且二者之间不具有子像素。
需要说明的是,图3示出了沿第二方向Y依次相邻排列的第一扫描线S1、第二扫描线S2和第三扫描线S3;相对所述第二像素单元20,所述第二扫描线S2和所述第三扫描线S3分别相当于所述第二像素单元20的第一扫描线和第二扫描线,以匹配本申请上述实施例的描述。
进一步地,所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3均位于所述第一像素单元10和所述第二像素单元20之间,所述第二遮光层B2还用于对所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3进行遮挡,防止各薄膜晶体管中的金属结构因反光影响显示面板的显示效果。
可选地,所述第一遮光层B1和所述第二遮光层B2均具有沿所述第一方向X延伸的条状结构,所述显示面板可以包括多条所述第一遮光层B1和多条所述第二遮光层B2。
综上所述,本实施例通过将每个像素单元中的多个子像素沿两个不同的方向进行排列,减小了沿一个方向排列的子像素的数量,有利于在不改变制程条件的前提下,缩小每个像素单元的宽度,提高显示面板的像素密度;并且,由于沿一个方向排列的子像素的数量减少,可以实现在增加单个子像素的宽度的情况下,缩小整个像素单元的宽度,有利于降低对面板制程能力的要求,提高面板良率,降低成本;本实施例还对像素单元中的薄膜晶体管与像素电极的连接孔的放置位置进行调整,将至少一个连接孔放置在第一区域内,有利于提高显示面板的开口率。
在一种实施例中,请参阅图4和图5,图4是本申请实施例提供的第二种显示面板的第一透视结构示意图,图5是本申请实施例提供的第二种显示面板的第二透视结构示意图。需要说明的是,图4所示的第一透视结构示意图示出了显示面板的薄膜晶体管、数据线、扫描线、像素电极等组成元件的相对位置关系;图5所示的第二透视结构示意图示出了显示面板的色阻单元、遮光层等组成元件的相对位置关系。
所述显示面板包括多个像素单元,所述多个像素单元在所述显示面板中是阵列分布。需要说明的是,所述像素单元可以是所述显示面板中的最小重复单元,所述显示面板的显示功能是通过所述多个像素单元的协作发光来实现的;每个所述像素单元可以是所述显示面板上的局部区域,在该局部区域内设置有实现该像素单元发光所需的背光单元、数据线、扫描线、薄膜晶体管、像素电极、液晶、色阻单元等。
每个所述像素单元均包括位于相邻两条扫描线(比如,图4中的第一扫描线S1和第二扫描线S2)之间的第一子像素11、第二子像素12和第三子像素13。所述第一子像素11包括第一色阻单元C1,所述第一色阻单元C1可以是红色阻、绿色阻和蓝色阻中的一种,所述第一色阻单元C1用于实现所述第一子像素11的彩色发光;所述第二子像素12包括第二色阻单元C2,所述第二色阻单元C2可以是红色阻、绿色阻和蓝色阻中的一种,且所述第二色阻单元C2不同于所述第一色阻单元C1,所述第二色阻单元C2用于实现所述第二子像素12的彩色发光;所述第三子像素13包括第三色阻单元C3,所述第三色阻单元C3可以是红色阻、绿色阻和蓝色阻中的一种,且所述第三色阻单元C3不同于所述第一色阻单元C1和所述第二色阻单元C2,所述第三色阻单元C3用于实现所述第三子像素13的彩色发光。
在每个所述像素单元中,所述第一子像素11与所述第二子像素12沿第一方向X排列,所述第一子像素11与所述第三子像素13沿第二方向Y排列。可选地,所述第一方向X与所述第二方向Y可以是相互垂直的两个方向。本实施例对第一子像素11与第二子像素12沿第一方向X排列的先后顺序不做限定,可以是第一子像素11与第二子像素12沿第一方向X依次排列,也可以是第二子像素12与第一子像素11沿第一方向X依次排列;同样地,本实施例对第一子像素11与第三子像素13沿第二方向Y排列的先后顺序也不做限定。
本实施例通过将第一子像素11与第二子像素12沿第一方向X排列,并将第一子像素11与第三子像素13沿不同于第一方向X的第二方向Y排列,缩减了所述像素单元中沿第一方向X排列的子像素的数量,有利于在不改变制程条件的前提下,缩小每个像素单元沿第一方向X的宽度,提高显示面板的像素排布密度;并且,由于沿第一方向X排列的子像素的数量减少,可以实现在增加单个子像素的宽度的情况下,缩小整个像素单元的宽度,有利于降低对面板制程能力的要求,提高面板良率,降低成本。
进一步地,所述显示面板还包括多条沿第一方向X延伸的扫描线和多条沿第二方向Y延伸的数据线,所述数据线与所述扫描线相互交叉排列,所述数据线用于提供数据信号,所述扫描线用于提供扫描信号。所述数据线包括依次相邻的第一数据线D1、第二数据线D2和第三数据线D3,所述扫描线包括相邻的第一扫描线S1和第二扫描线S2;所述第一子像素11、所述第二子像素12和所述第三子像素13均位于所述第一扫描线S1和所述第二扫描线S2之间,所述第一子像素11和所述第三子像素13均位于所述第一数据线D1和所述第二数据线D2之间,所述第二子像素12位于所述第二数据线D2和所述第三数据线D3之间。
进一步地,所述第一色阻单元C1、所述第二色阻单元C2和所述第三色阻单元C3均位于所述第一扫描线S1和所述第二扫描线S2之间,所述第一色阻单元C1和所述第三色阻单元C3均位于所述第一数据线D1与所述第二数据线D2之间,所述第二色阻单元C2位于所述第二数据线D2和所述第三数据线D3之间。
所述第一子像素11包括第一像素电极P1,所述第一像素电极P1与所述第一色阻单元C1对应设置;所述第二子像素12包括第二像素电极P2,所述第二像素电极P2与所述第二色阻单元C2对应设置;所述第三子像素13包括第三像素电极P3,所述第三像素电极P3与所述第三色阻单元C3对应设置。
所述像素单元还包括位于所述第一扫描线S1和所述第二扫描线S2之间的第一区域Z1,所述第一区域Z1与所述第二子像素12沿所述第二方向Y排列,所述第一区域Z1与所述第三子像素13沿所述第一方向X排列。
进一步地,所述第一区域Z1位于所述第二数据线D2与所述第三数据线D3之间。
每个所述像素单元包括第三晶体管T3,所述第三晶体管T3的第一端电性连接至数据线,所述第三晶体管T3的第二端通过第三连接孔H3电性连接至所述第一像素电极11、所述第二像素电极12和所述第三像素电极13中的一个,所述第三连接孔H3位于所述第一区域Z1。
具体地,所述第三晶体管T3的第一端通过第六连接孔H6电性连接至数据线,所述第三晶体管T3的第二端通过所述第三连接孔H3电性连接至所述第三像素电极13。
每个所述像素单元还包括第一晶体管T1和第二晶体管T2;所述第一晶体管T1的第一端通过第四连接孔H4电性连接至数据线,所述第一晶体管T1的第二端通过第一连接孔H1电性连接所述第一像素电极11;所述第二晶体T2管的第一端通过第五连接孔H5电性连接至数据线,所述第二晶体T2管的第二端通过第二连接孔H2电性连接所述第二像素电极12。
可选地,所述第一晶体管T1的第一端和第二端分别是所述第一晶体管T1的源极和漏极;所述第一晶体管T1还具有栅极,所述第一晶体管T1的栅极电性连接至所述第一扫描线S1。所述第二晶体管T2的第一端和第二端分别是所述第二晶体管T2的源极和漏极;所述第二晶体管T2还具有栅极,所述第二晶体管T2的栅极电性连接至所述第一扫描线S1。所述第三晶体管T3的第一端和第二端分别是所述第三晶体管T3的源极和漏极;所述第三晶体管T3还具有栅极,所述第三晶体管T3的栅极电性连接至所述第一扫描线S1。
进一步地,所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3沿所述第一扫描线S1排列,且所述第二晶体管T2位于所述第一晶体管T1与所述第三晶体管T3之间。
所述第一晶体管T1的第一端通过所述第四连接孔H4电性连接至所述第一数据线D1,所述第二晶体管T2的第一端通过所述第五连接孔H5电性连接所述第二数据线D2,所述第三晶体管T3的第一端通过所述第六连接孔H6电性连接所述第三数据线D3。
进一步地,所述第一扫描线S1具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧。所述第一连接孔H1和所述第二连接孔H2位于所述第一扫描线S1的第一侧,所述第三连接孔H3位于与所述第一扫描线S1的第二侧;所述第四连接孔H4与所述第五连接孔H5位于所述第一扫描线S1的第二侧,所述第六连接孔H6位于所述第一扫描线S1的第一侧。
进一步地,所述显示面板还包括设置在所述第一子像素11和所述第三子像素13之间的第一遮光层B1,所述第一遮光层B1的一侧与所述第一色阻单元C1交接,所述第一遮光层B1的另一侧与所述第三色阻单元C3交接。所述第一遮光层B1用于遮挡部分所述第一子像素11发出的光线和部分所述第三子像素13发出的光线,防止所述第一子像素11和所述第三子像素13出现混色问题。
请参阅图4至图6,其中,图6是本申请实施例提供的包含多个像素单元的第一种显示面板的结构示意图。所述显示面板包括沿所述第二方向Y相邻排列的第一像素单元10和第二像素单元20。所述第一像素单元10与所述第二像素单元20之间具有第二遮光层B2。所述第二遮光层B2用于遮挡部分所述第一像素单元10发出的光线和部分所述第二像素单元20发出的光线,防止所述第一像素单元10和所述第二像素单元20出现混色问题。
进一步地,所述显示面板还包括沿所述第一方向X相邻排列的第一像素单元10和第三像素单元30;其中,电性连接所述第一像素单元10的所述第三数据线D3,与电性连接所述第三像素单元30的所述第一数据线D1相邻,且二者之间不具有子像素。
需要说明的是,图6示出了沿第二方向Y依次相邻排列的第一扫描线S1、第二扫描线S2和第三扫描线S3;相对所述第二像素单元20,所述第二扫描线S2和所述第三扫描线S3分别相当于所述第二像素单元20的第一扫描线和第二扫描线,以匹配本申请上述实施例的描述。
进一步地,所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3均位于所述第一像素单元10和所述第二像素单元20之间,所述第二遮光层B2还用于对所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2和所述第三晶体管T3进行遮挡,防止各薄膜晶体管中的金属结构因反光影响显示面板的显示效果。
可选地,所述第一遮光层B1和所述第二遮光层B2均具有沿所述第一方向X延伸的条状结构,所述显示面板可以包括多条所述第一遮光层B1和多条所述第二遮光层B2。
综上所述,本实施例通过将每个像素单元中的多个子像素沿两个不同的方向进行排列,减小了沿一个方向排列的子像素的数量,有利于在不改变制程条件的前提下,缩小每个像素单元的宽度,提高显示面板的像素密度;并且,由于沿一个方向排列的子像素的数量减少,可以实现在增加单个子像素的宽度的情况下,缩小整个像素单元的宽度,有利于降低对面板制程能力的要求,提高面板良率,降低成本;本实施例还对像素单元中的薄膜晶体管与像素电极的连接孔的放置位置进行调整,将至少一个连接孔放置在第一区域内,有利于提高显示面板的开口率。
在一种实施例中,请参阅图7,图7是本申请实施例提供的显示面板的截面结构示意图。所述显示面板包括第一衬底基板101、设置于所述第一衬底基板101上的遮挡层102、覆盖所述遮挡层102的缓冲层103、设置于所述缓冲层103上的半导体层104、覆盖所述半导体层104的栅极绝缘层105、设置于所述栅极绝缘层105上的栅极106、覆盖所述栅极106的层间绝缘层107、设置于所述层间绝缘层107上的源极108和漏极109、覆盖所述源极108和漏极109的平坦层110、设置于所述平坦层110上的公共电极111、覆盖所述公共电极111的钝化层112、设置于所述钝化层112上的像素电极113、位于所述钝化层112上的液晶层114、位于所述液晶层114上的色阻层115、以及位于所述色阻层115上的第二衬底基板116。
所述遮挡层102用于防止光线从所述第一衬底基板101射向所述半导体层104。所述源极108可以相当于图1或图4所示的第一晶体管T1的第一端或第二晶体管T2的第一端或第三晶体管T3的第一端。所述漏极109可以相当于图1或图4所示的第一晶体管T1的第二端或第二晶体管T2的第二端或第三晶体管T3的第二端。所述像素电极113可以相当于图1或图4所示的第一像素电极P1或第二像素电极P2或第三像素电极P3。所述色阻层115可以相当于图2或图5所示的第一色阻单元C1或第二色阻单元C2或第三色阻单元C3。
所述半导体层104、所述栅极106、所述源极108和所述漏极109构成薄膜晶体管,所述薄膜晶体管相当于图1或图4所示的第一晶体管T1或第二晶体管T2或第三晶体管T3。
所述液晶层114内设置有液晶,所述液晶在所述公共电极111和所述像素电极113共同提供的交叉电场的作用下产生多种角度的偏转,从而使显示面板呈现不同灰阶的显示。
所述显示面板还包括与所述色阻层115同层或相邻层设置的黑色矩阵,所述黑色矩阵包括图1至图6中任一所示的第一遮光层B1和第二遮光层B2。
进一步地,所述显示面板还包括背光模组,所述背光模组设置于所述第一衬底基板101的远离所述遮挡层102的一侧。所述背光模组用于为所述显示面板提供背光源。
本申请实施例还提供一种显示装置,所述显示装置包括本申请实施例提供的显示面板。所述显示装置可以是笔记本电脑、平板电脑、手机、电脑显示器、电视机、导航仪等具有显示画面功能的仪器。
需要说明的是,虽然本申请以具体实施例揭露如上,但上述实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括多条沿第一方向延伸的扫描线、多条沿第二方向延伸的数据线和多个像素单元,每个所述像素单元包括位于相邻两条所述扫描线之间的第一子像素、第二子像素和第三子像素;其中:
所述第一子像素与所述第二子像素沿所述第一方向排列;
所述第一子像素与所述第三子像素沿所述第二方向排列。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,每个所述像素单元还包括位于相邻两条所述扫描线之间的第一区域,所述第一区域与所述第二子像素沿所述第二方向排列,所述第一区域与所述第三子像素沿所述第一方向排列;
所述第一子像素包括第一像素电极,所述第二子像素包括第二像素电极,所述第三子像素包括第三像素电极;
每个所述像素单元包括第三晶体管,所述第三晶体管的第一端电性连接至所述数据线,所述第三晶体管的第二端通过第三连接孔电性连接至所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极中的一个,所述第三连接孔位于所述第一区域。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第三晶体管的第二端通过所述第三连接孔电性连接至所述第三像素电极;每个所述像素单元还包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的第二端通过第一连接孔电性连接所述第一像素电极,所述第二晶体管的第二端通过第二连接孔电性连接所述第二像素电极。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管沿第一扫描线排列;
所述第一连接孔和所述第二连接孔位于所述第一扫描线的第一侧;
所述第三连接孔位于与所述第一扫描线的第一侧相对的所述第一扫描线的第二侧。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第三晶体管位于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间;
所述第一晶体管的第一端通过第四连接孔电性连接第一数据线,所述第三晶体管的第一端通过第六连接孔电性连接第二数据线,所述第二晶体管的第一端通过第五连接孔电性连接第三数据线;
所述第四连接孔与所述第五连接孔位于所述第一扫描线的第二侧;
所述第六连接孔位于所述第一扫描线的第一侧。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二晶体管位于所述第一晶体管与所述第三晶体管之间;
所述第一晶体管的第一端通过第四连接孔电性连接第一数据线,所述第二晶体管的第一端通过第五连接孔电性连接第二数据线,所述第三晶体管的第一端通过第六连接孔电性连接第三数据线;
所述第四连接孔与所述第五连接孔位于所述第一扫描线的第二侧;
所述第六连接孔位于所述第一扫描线的第一侧。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素包括第一色阻单元,所述第二子像素包括第二色阻单元,所述第三子像素包括第三色阻单元;
每个所述像素单元包括第一数据线、第二数据线和第三数据线;
所述第一色阻单元和所述第三色阻单元均位于所述第一数据线与所述第二数据线之间,所述第二色阻单元位于所述第二数据线和所述第三数据线之间。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一子像素与所述第三子像素之间具有第一遮光层。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个像素单元包括第一像素单元和第二像素单元,所述第一像素单元与所述第二像素单元沿所述第二方向排列,所述第一像素单元与所述第二像素单元之间具有第二遮光层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至9中任一所述的显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110164149.3A CN112817187A (zh) | 2021-02-05 | 2021-02-05 | 显示面板及显示装置 |
US17/281,947 US12066721B2 (en) | 2021-02-05 | 2021-03-24 | Display panel and display device |
PCT/CN2021/082521 WO2022165942A1 (zh) | 2021-02-05 | 2021-03-24 | 显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110164149.3A CN112817187A (zh) | 2021-02-05 | 2021-02-05 | 显示面板及显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112817187A true CN112817187A (zh) | 2021-05-18 |
Family
ID=75861968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110164149.3A Pending CN112817187A (zh) | 2021-02-05 | 2021-02-05 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12066721B2 (zh) |
CN (1) | CN112817187A (zh) |
WO (1) | WO2022165942A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114509903A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-05-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104597655A (zh) * | 2015-02-13 | 2015-05-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素排列结构、显示面板及显示装置 |
CN105096850A (zh) * | 2014-05-16 | 2015-11-25 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
US20160178962A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display panel |
CN106371254A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-02-01 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
CN108445681A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-08-24 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN214278585U (zh) * | 2021-02-05 | 2021-09-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5386211B2 (ja) * | 2008-06-23 | 2014-01-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 画像表示装置及びその駆動方法、並びに、画像表示装置組立体及びその駆動方法 |
JP2010186582A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Canon Inc | 有機el表示装置 |
KR102271226B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2021-06-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시패널 및 이를 이용한 유기발광표시장치 |
CN104779262B (zh) * | 2014-01-09 | 2019-10-25 | 上海和辉光电有限公司 | 显示面板的像素结构及显示面板 |
JP6433266B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2018-12-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN107680990B (zh) * | 2017-09-30 | 2020-05-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素排列结构、像素结构、制作方法及显示方法 |
CN109859685B (zh) * | 2019-01-30 | 2021-03-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示器像素排列 |
CN111243497B (zh) * | 2020-03-11 | 2021-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构、显示面板以及显示装置 |
-
2021
- 2021-02-05 CN CN202110164149.3A patent/CN112817187A/zh active Pending
- 2021-03-24 WO PCT/CN2021/082521 patent/WO2022165942A1/zh active Application Filing
- 2021-03-24 US US17/281,947 patent/US12066721B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105096850A (zh) * | 2014-05-16 | 2015-11-25 | 株式会社日本显示器 | 显示装置 |
US20160178962A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display panel |
CN104597655A (zh) * | 2015-02-13 | 2015-05-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素排列结构、显示面板及显示装置 |
CN106371254A (zh) * | 2016-10-28 | 2017-02-01 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
CN108445681A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-08-24 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN214278585U (zh) * | 2021-02-05 | 2021-09-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114509903A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-05-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板 |
WO2023151107A1 (zh) * | 2022-02-10 | 2023-08-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板 |
CN114509903B (zh) * | 2022-02-10 | 2024-02-13 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022165942A1 (zh) | 2022-08-11 |
US20230109190A1 (en) | 2023-04-06 |
US12066721B2 (en) | 2024-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107870492B (zh) | 阵列基板、显示面板及其显示装置 | |
US11281059B2 (en) | Display panel and a display device | |
US7075601B2 (en) | Thin film transistor array for a liquid crystal display having a data line cross-connection | |
US6833890B2 (en) | Liquid crystal display | |
CN108646451B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
US11934060B2 (en) | Array substrate and display device | |
US6937312B2 (en) | Liquid crystal display device of an in-plane switching mode including a black matrix layer | |
US11942487B2 (en) | Array substrate and display panel | |
CN214278585U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN110780500A (zh) | 阵列基板、控光面板和显示装置 | |
CN111580316A (zh) | 显示面板及电子装置 | |
US10928696B2 (en) | Wiring substrate and display panel | |
CN112530343A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN115917421A (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
US10001688B2 (en) | Display and pixel structure thereof | |
US11460743B2 (en) | Array substrate, light control panel, and display device | |
US11960184B2 (en) | Display panel and electronic terminal | |
CN112817187A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
KR20180044005A (ko) | 액정 표시 장치 | |
US20180336836A1 (en) | Flat liquid crystal display device | |
US20220308397A1 (en) | Display device and manufacturing method thereof, electronic device, and light control panel | |
CN210514885U (zh) | 阵列基板、控光面板和显示装置 | |
CN110850647B (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN114509903B (zh) | 显示面板 | |
CN115398326A (zh) | 像素单元、阵列基板和显示面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |