CN112799683A - 一种终端设备程序烧写和测试方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种终端设备程序烧写和测试方法，包括：将包含出厂程序和ATS程序的双版本程序烧写于基带射频模块的闪存中，其中，出厂程序烧写于闪存中的第一存储区域，ATS程序烧写于闪存中的第二存储区域，将闪存设置为第二存储区域启动；对基带射频模块进行ATS测试时，基带射频模块利用所述闪存的第二存储区域中的ATS程序进行ATS测试；对基带射频模块的ATS测试完成后，将闪存切换为第一存储区域启动。本发明实现了在ATS程序和出厂程序之间的灵活切换，消除了每次进行ATS测试必须先烧写ATS程序并在测试结束后再次烧写出厂程序所消耗的时间，提高了基带射频模块和整机终端设备的测试效率和生产效率。

Description

一种终端设备程序烧写和测试方法

技术领域

本发明涉及设备的生产及测试领域，特别涉及一种终端设备程序烧写和测试方法。

背景技术

通信终端设备在生产过程中需要经过生产、测试等环节，并且在标准化生产之后，需要根据项目的需求对终端硬件进行必要的性能检测。

例如，在230MHz LTE(Long Term Evolution，长期演进)终端的标准化生产之后，根据项目的需要应该对终端硬件进行必要的性能检测，应用自动化测试系统进行测试，测试通过后烧写预设数据，并筛选出不合格产品。而在230MHz LTE终端生产流程当中涉及到终端基带射频模块的ATS(Automatic Test System，自动测试系统)测试以及终端整机的ATS测试。其中，ATS是指在人极少参与或不参与的情况下，自动进行量测，处理数据，并以适当方式显示或输出测试结果的系统。对于230MHz LTE终端而言，需要在230MHz LTE终端内写入的ATS程序来完成ATS测试。

现有的230MHz LTE终端的生产测试过程中所采用的技术手段是将ATS程序及对应的配置文件整合后利用FLASH(闪存)烧写工装，将ATS程序的批量烧写到基带射频模块的闪存中(基带射频模块的闪存例如集成于基带射频模块的集成电路中，或者基带射频模块的闪存并非集成在基带射频模块的集成电路中而是闪存与基带射频模块安装于电路板中，基带射频模块通过电路板中的电路连接结构对闪存进行调用)，然后在基带射频模块标准化生产之后进行ATS性能测试，待测试完毕后，利用串口功能进行出厂程序的烧写，成为出厂产品。而根据客户的不同需求，终端基带射频模块和由终端基带射频模块构成的终端整机都能独立成为出厂的正规产品，因此，若是在终端基带射频模块的基础上再进行整机生产，则需要再将闪存中的出厂软件的烧写成ATS程序，然后经过整机组装生产后，进行相关的整机方面的ATS性能测试，在测试完毕后再进行出厂程序烧写。

图1示出了现有230MHz LTE终端板载Flash的内存区域，如图1所示，现有230MHzLTE终端板载Flash的内存区域划分为boot代码区、boot_info区、A区、B区和保留区，其中boot代码区存储bootloader(启动装载)程序，boot_info区存储启动信息，A区分为app_info区和app_fixed区，其中，app_fixed区存储应用程序，app_info区存储对应于app_fixed区中应用程序的配置文件，B区分为app区和app_info_bak1区，其中，app区存储应用程序，app_info_bak1区存储对应于app区中应用程序的配置文件。现有的ATS程序以及配置信息是烧写在其中的B区中，即ATS程序烧写在B区中的app区，ATS程序的配置信息烧写在B区中的app_info_bak1区，A区是用于客户远程升级进行缓存和备份的区域，在ATS测试完毕后，再利用bootloader程序将正式版本的出厂程序烧写进B区，从而达到终端基带射频模块或者终端整机的软件出厂状态。其中通过bootloader烧写一次程序花费的时间为若干分钟。

图2示出了现有的230MHz LTE基带射频模块和终端的制造和ATS执行流程，如图2所示，首先进行ATS程序的制备，之后将ATS程序烧写在基带射频模块的闪存中，之后执行基带射频模块标准化生产和针对基带射频模块的ATS测试，基带射频模块的ATS测试通过后，将出厂程序烧写在基带射频模块的闪存中，该过程耗时大概在6至7分钟，在烧写出厂程序前还需要进行出厂程序的制备，如果烧写不成功这还需返回出厂程序制备过程来修改出厂程序或者重新烧写出厂程序，烧写成功后，对于基带射频模块便完成了生产过程，可出厂包装制成可出售商品，而对于230MHz LTE终端整机的制造来说，在基带射频模块的出厂程序烧写成功后，需要由基带射频模块组装成为终端整机，然后将ATS程序再次烧写在基带射频模块的闪存中，该过程耗时大概在6至7分钟，烧写成功后，执行针对230MHz LTE终端整机的ATS测试，测试通过后，再次将出厂程序烧写在基带射频模块的闪存中，该过程耗时大概在6至7分钟，烧写成功后，230MHz LTE终端整机出厂包装制成可出售商品。对于230MHz LTE基带射频模块来说，完成一次正常测试的时间为ATS测试的时间和烧写出厂程序的时间；而对于230MHz LTE终端整机来说，完成一次正常的测试的时间则为针对基带射频模块的ATS测试时间加上针对终端整机的ATS程序烧写时间、ATS测试时间以及出厂程序的烧写时间。由此可见，此流程会在烧写程序上花费大量的时间。

通过上述过程可以看出，230MHz LTE基带射频模块和终端整机的生产制造过程中，执行烧写程序的过程花费了大量的时间，降低了生产效率，不利于产品的批量生产和货期供应，同时也增加了额外的生产费用。同时，该过程需要重读多次对板载Flash进行大片区域的内容进行擦除和覆盖，操作过程中如果被中断，会发生不可预知的启动问题，并需要重复上述烧写流程，增加测试时间。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种终端设备程序烧写和测试方法，以减少基带射频模块和整机终端设备生产过程中的烧写程序时间，提高测试和生产效率。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种终端设备程序烧写和测试方法，包括：

将包括出厂程序和自动测试系统ATS程序的双版本程序烧写于基带射频模块的闪存中，其中，所述出厂程序烧写于所述闪存中的第一存储区域，所述ATS程序烧写于所述闪存中的第二存储区域，将所述闪存设置为第二存储区域启动；

对所述基带射频模块进行ATS测试时，所述基带射频模块利用所述闪存的第二存储区域中的ATS程序进行ATS测试；

对所述基带射频模块的ATS测试完成后，所述闪存切换为第一存储区域启动。

在可选实施例中，所述方法还包括：

在对含有已完成ATS测试并且所述闪存已切换为第一存储区域启动的所述基带射频模块的整机终端设备进行ATS测试之前，将所述闪存切换为第二存储区域启动；

利用所述闪存的第二存储区域中的ATS程序对所述整机终端设备进行ATS测试；

对所述整机终端设备的ATS测试完成后，将所述闪存切换为第一存储区域启动。

在可选实施例中，所述双版本程序中还包含启动装载bootloader程序，所述第二存储区域和所述第一存储区域的启动切换通过所述bootloader程序执行。

在可选实施例中，所述bootloader程序烧写于所述闪存中的bootloader存储区，所述闪存中还包括启动信息区，所述启动信息区中存储有第二存储区域启动或者第一存储区域启动的启动选择信息，所述bootloader程序通过对所述启动信息区中的启动选择信息的设置而设置所述闪存中的启动区域。

在可选实施例中，所述方法利用串口执行所述双版本程序烧写和启动区域的切换。

在可选实施例中，所述双版本程序通过如下方法制成：

分别编写生成所述出厂程序、所述ATS程序和bootloader程序；

将仿真器与测试用基带射频模块连接，并将测试用基带射频模块的闪存中的全部数据映射到所述仿真器的与所述测试用基带射频模块的闪存相同大小的SDRAM中；

将所述出厂程序、所述ATS程序和所述bootloader程序分别写入所述SDRAM中的第一存储区域、第二存储区域和bootloader存储区；

将所述SDRAM中的完整数据写入所述测试用基带射频模块的闪存；

对所述测试用基带射频模块的闪存进行针对所述出厂程序、所述ATS程序和所述bootloader程序的功能测试；

若所述功能测试未通过，则对所述SDRAM中的程序进行修正并再次写入所述测试用基带射频模块的闪存并进行所述功能测试；

若所述功能测试通过，则将所述SDRAM中的完整数据保存至非易失性存储介质中作为所述双版本程序。

在可选实施例中，所述双版本程序基于VisualDSP++环境制成。

一种非易失性计算机可读存储介质，所述非易失性计算机可读存储介质存储指令，所述指令在由处理器执行时使得所述处理器执行如上任一项所述的终端设备程序烧写和测试方法中的步骤。

一种电子设备，包括：

至少一个处理器；以及，

与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，

所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器执行如上任一项所述的终端设备程序烧写和测试方法中的步骤。

从上述方案可以看出，本发明的终端设备程序烧写和测试方法利用烧写于基带射频模块的闪存中的双版本程序，实现了在ATS程序和出厂程序之间的灵活切换，进而在进行基带射频模块和整机终端设备的ATS测试时切换为第二存储区域启动以运行ATS程序，在其他时间切换为第一存储区域启动以运行出厂程序，从而消除了每次进行ATS测试必须先烧写ATS程序并在测试结束后再次烧写出厂程序所消耗的时间，提高了基带射频模块和整机终端设备的测试效率和生产效率。

附图说明

图1为现有230MHz LTE终端的基带射频模块Flash的内存区域划分示意图；

图2为现有230MHz LTE基带射频模块和终端的生产和ATS执行流程；

图3为本发明实施例的终端设备程序烧写和测试方法流程示意图；

图4为本发明实施例中的基带射频模块的闪存的内存区域划分结构示意图；

图5为本发明实施例中的双版本程序的制备过程示意图；

图6为本发明实施例提供的电子设备实施例示意图；

图7为本发明实施例中的双版本程序的制备流程图；

图8为本发明实施例中的230MHz LTE基带射频模块和终端的生产和ATS执行流程。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本发明作进一步详细说明。

如图3所示，本发明实施例的终端设备程序烧写和测试方法主要包括以下步骤：

步骤1、将包括出厂程序和ATS程序的双版本程序烧写于基带射频模块的闪存中，其中，出厂程序烧写于闪存中的第一存储区域，ATS程序烧写于闪存中的第二存储区域，将闪存设置为第二存储区域启动；

步骤2、对基带射频模块进行ATS测试时，基带射频模块利用闪存的第二存储区域中的ATS程序进行ATS测试；

步骤3、对基带射频模块的ATS测试完成后，将闪存切换为第一存储区域启动。

上述步骤1至步骤3是关于基带射频模块的ATS测试部分，在完成步骤3后，便可对基带射频模块进行出厂包装制成出厂产品。上述步骤中，由于在步骤1中已经将基带射频模块的闪存设置为第二存储区域启动，因此随后的步骤2中在上电启动便自动由第二存储区域启动，以执行第二存储区域中的ATS程序，进而实现基带射频模块的ATS测试。

由于不同用户存在不同的产品需求，即有仅需求基带射频模块的用户，又有需求包含基带射频模块在内的整机终端设备，而对于整机终端设备生产流程而言，其中必然包含基带射频模块的生产部分，因此，对于整机终端设备的ATS测试需要在基带射频模块生产为合格产品后才能够进行，所以整机终端设备的生产过程中即需要在基带射频模块生产中进行ATS测试也需要在组装成整机终端设备后再次进行ATS测试，这是基带射频模块和整机终端设备的标准测试和生产流程。

因此，在可选实施例中，对于整机终端设备的生产而言，在完成上述步骤3之后，本发明实施例的终端设备程序烧写和测试方法还进一步包括以下步骤：

步骤4、在对含有已完成ATS测试并且闪存已切换为第一存储区域启动的基带射频模块的整机终端设备进行ATS测试之前，将闪存切换为第二存储区域启动(即，其中的整机终端设备含有基带射频模块，该基带射频模块已完成前序步骤的ATS测试并且其闪存已切换为第一存储区域启动)；

步骤5、利用闪存的第二存储区域中的ATS程序对整机终端设备进行ATS测试；

步骤6、对整机终端设备的ATS测试完成后，将闪存切换为第一存储区域启动。

本发明实施例的终端设备程序烧写和测试方法利用烧写于基带射频模块的闪存中的双版本程序，实现了在ATS程序和出厂程序之间的灵活切换，进而在进行基带射频模块和整机终端设备的ATS测试时切换为第二存储区域启动以运行ATS程序，在其他时间切换为第一存储区域启动以运行出厂程序，从而消除了每次进行ATS测试必须先烧写ATS程序并在测试结束后再次烧写出厂程序所消耗的时间，提高了基带射频模块和整机终端设备的测试效率和生产效率。

在可选实施例中，基带射频模块的闪存中的内存区域划分结构可采用现有的基带射频模块的Flash的内存区域划分方式(图1所示)，具体地，本发明实施例中，基带射频模块的闪存中的内存区域划分结构可参见图4所示，在图4所示实施例中，第一存储区域为图4中的A区，用于存储出厂程序，第二存储区域为图4中的B区，用于存储ATS程序。在步骤1中，执行双版本程序烧写于基带射频模块的闪存中的过程是将出厂程序和ATS程序同时烧写于基带射频模块的闪存中。

在可选实施例中，双版本程序中还进一步包含bootloader程序，其中，第二存储区域(B区)和第一存储区域(A区)的启动切换通过bootloader程序执行。

如图4所示，在可选实施例中，bootloader程序烧写于闪存中的bootloader存储区，基带射频模块的闪存中还包括启动信息区(即boot_info区)，启动信息区中存储有第二存储区域启动或者第一存储区域启动的启动选择信息，即启动信息中包含了从B区启动还是从A区启动的选择信息，bootloader程序通过对启动信息区中的启动选择信息的设置而设置闪存中的启动区域，即设置闪存中由第一存储区域和第二存储区域中的哪一个存储区域启动，当设置为B区启动时(第二存储区域为启动区域时)，则启动程序为ATS程序，当设置为A区启动时(第一存储区域为启动区域时)，则启动程序为出厂程序。

在可选实施例中，终端设备程序烧写和测试方法中，利用串口执行双版本程序烧写和启动区域的切换。利用串口的优势在于，串口端口结构兼容性强，易于实现。

图5示出了本发明实施例中的双版本程序的制备过程，如图5所示，主要包括以下步骤：

步骤a1、分别编写生成出厂程序、ATS程序和bootloader程序；

步骤a2、将仿真器与测试用基带射频模块连接，并将测试用基带射频模块的闪存中的全部数据映射到仿真器的与测试用基带射频模块的闪存相同大小的SDRAM(Synchronous Dynamic Random-Access Memory，同步动态随机存取内存)中，其中，测试板与所生产的正式板电路功能完全相同；

步骤a3、将出厂程序、ATS程序和bootloader程序分别写入SDRAM中的第一存储区域、第二存储区域和bootloader存储区；

步骤a4、将SDRAM中的完整数据写入测试用基带射频模块的闪存；

步骤a5、对测试用基带射频模块的闪存进行针对出厂程序、ATS程序和bootloader程序的功能测试；

步骤a6、若功能测试未通过，则对SDRAM中的程序进行修正并再次写入测试用基带射频模块的闪存并进行功能测试；

步骤a7、若功能测试通过，则将SDRAM中的完整数据保存至非易失性存储介质中作为双版本程序保存。

在可选实施例中，双版本程序基于VisualDSP++环境制成。

本发明实施例同时还提供一种非易失性计算机可读存储介质，所述非易失性计算机可读存储介质存储指令，所述指令在由处理器执行时使得所述处理器执行如上述说明中的终端设备程序烧写和测试方法中的步骤。

本发明是实力同时还提供一种电子设备，如图6所示，该电子设备包括：至少一个处理器1以及存储器2。存储器2和至少一个处理器1通信连接，例如存储器2和至少一个处理器1通过总线连接。存储器2存储有可被至少一个处理器1执行的指令，所述指令被至少一个处理器1执行，以使至少一个处理器1执行如上述说明中的终端设备程序烧写和测试方法中的各个步骤。

以下结合于230MHz LTE终端基带射频模块和终端整机的实际生产制造过程，对本发明的上述实施例进行进一步解释说明。

双版本程序结构可参见图4所示，其中ATS程序与出厂程序共存于基带射频模块的Flash中，出厂程序置于A区，ATS程序置于B区。在VisualDSP++编译环境下，利用仿真器配合终端模块，在对应于基带射频模块的Flash内部地址处，对ATS程序与出厂程序二进制数据进行编辑、剪切和拼接，最终调试生成双版本程序文件。最后，通过开展相关的ATS测试，验证验证程序结构和烧写程序文件的正确性。

双版本程序的设计结合图4、图1所示，在整个基带射频模块的Flash规划中，利用已有AB区的结构设计(图1)，设计双版本程序结构，如图4所示，将ATS程序和配置参数烧写在B区，将产品的出厂程序和配置参数烧写在A区，并默认设置为在B区启动，且能够通过串口命令灵活切换启动区域，因此，如图4所示，整个功能切换只需要操作地址2到地址3的boot_info区中的相关启动信息即可，具体由bootloader程序读取boot_info区中的相关启动信息，启动相应区域的程序，再由对应的启动程序读取对应的配置参数，完成相应的程序功能。

包含ATS程序和出厂程序的双版本程序的开发和调试由相关开发人员在前期实现，后期功能维护，通过修改配置信息来完成。双版本程序的全部程序内容存储于基带射频模块的Flash中，ATS程序和配置参数烧写在B区，出厂程序和配置参数烧写在A区，另外，bootloader程序烧写在bootloader存储区，启动信息存储于boot_info区，在基于双版本程序的结构设计的基础上，可根据不同产品的需求和配置需求，开发多种版本或功能的双版本程序的烧写文件。在VisualDSP++编译环境下，编写具有操作Flash功能的工程，以实现对整个基带射频模块的Flash的任意地址的读写功能。进一步配合仿真器，利用VisualDSP++的读取SDRAM数据的功能模块，以将测试用基带射频模块的Flash中全部数据读取映射到与该Flash相同大小的SDRAM地址中去，其中测试用基带射频模块与所生产的正式基带射频模块功能完全相同。数据读取完毕后，在写数据的操作前，进行断点设置，对映射的SDRAM地址中的空间进行ATS程序及其配置信息、出厂程序及其配置信息的编辑、剪切和版本填充工作。然后继续执行程序，将SDRAM中的全部程序结构数据的烧写于测试用基带射频模块的Flash中，完成后，进行测试用基带射频模块的相应的启动验证，并利用程序读取功能结合仿真器，保存完整的测试程序(即SDRAM中的全部程序结构数据)的镜像文件于非易失性存储介质(例如计算机硬盘)中作为双版本程序供后期基带射频模块和整机终端设备的生产和测试使用。根据项目的不同要求，可反复重复此过程，直至功能完善，达到出厂测试的功能要求。

图7示出了一种双版本程序的制备流程。参见图7所示，具体地包括以下过程。

1)利用VisualDSP++环境分别编译生成ATS程序、出厂程序、bootloader程序，编译生成ATS程序之后编辑生成对应于ATS程序的配置文件，编译生成出厂程序之后编辑生成对应于出厂程序的配置文件，编译生成bootloader程序之后离线合成bootloader烧写程序，进而完成程序源码的编写。

2)基于VisualDSP++环境编写具有对基带射频模块Flash进行任意地址编辑功能的调试程序，为后续的程序调试做准备。

3)连接仿真器与demo(样品)基带射频模块，demo基带射频模块的功能与正规生产的基带射频模块的版本一致。

4)将demo基带射频模块的Flash中全部数据读取映射到与其相同大小的SDRAM地址中。

5)利用VisualDSP++环境配合仿真器对SDRAM中的数据进行操作，包括在SDRAM中的bootloader存储区填充bootloader程序，在SDRAM中的boot_info区填写启动信息，在SDRAM中的A区填充出厂软件及其配置文件，在SDRAM中的B区填充ATS软件及其配置文件。

6)操作完成后，将SDRAM中的完整数据写入demo基带射频模块的Flash中。

7)对demo基带射频模块的Flash中的数据(程序)进行预设功能测试，如果测试不通过，则返回上述2)中重新进行前述各个步骤，如果测试通过，则进行随后的步骤。其中，预设功能测试可结合现有的软硬件测试方法实现，目的是确定Flash中的程序是否能够实现预设功能，其中也包含诸如bug测试等等，此处不再赘述。

8)将demo基带射频模块的Flash中的全部数据读取映射到与其相同大小的SDRAM地址中。

9)利用VisualDSP++环境配合仿真器将SDRAM中的数据进行PC(电脑)端数据存储，即将SDRAM中的数据存储于非易失性存储介质(例如电脑的硬盘)中，完成双版本程序的制备。

在230MHz LTE基带射频模块和终端的生产流程当中涉及到终端基带射频模块的ATS测试以及终端整机的ATS测试。结合上述说明，基带射频模块默认在B区启动ATS程序，在基带射频模块的生产阶段利用Flash烧写工装将双版本程序批量烧写入基带射频模块的Flash芯片中，开展基带射频模块标准化生产，组装完毕后，上电进行ATS测试，开展正常的ATS测试流程，完成测试后，因为双版本程序已经烧写进基带射频模块的Flash中，因此无需再次烧写出厂程序，只需要通过板载串口修改默认启动区域和配置区域为A区即可，下次启动默认即为出厂程序，之后即可将基带射频模块包装为出厂商品。

而230MHz LTE终端整机的生产和测试，则需要将生产出的基带射频模块组装成终端整机，并开展相关ATS测试，此时只需要通过生产出的基带射频模块的板载串口将基带射频模块的Flash切换回B区启动，重新上电后即可进行230MHz LTE终端整机的ATS测试，ATS测试完成后，再通过板载串口利用命令切换回A区的出厂程序即可，无需再次烧写出厂程序，之后即可将230MHz LTE终端整机包装为出厂商品。

图8示出了采用本发明实施例的方法进行230MHz LTE基带射频模块和终端的生产和ATS执行流程，主要包括以下各个步骤。

(1)进行双版本程序的制备，可参照上述说明中关于双版本程序的制备过程实现。

(2)将双版本程序烧写在基带射频模块的Flash中，其中Flash默认为B区(存储ATS程序)启动。

(3)进行基带射频模块的标准化生产。

(4)上电执行基带射频模块的ATS测试。

(5)基带射频模块的ATS测试通过后，将Flash切换为A区启动，即切换为出厂程序，该切换过程大概仅为15至20秒，远低于烧写程序所消耗的时间，如果切换不成功的重新执行切换操作。

(6)切换成功后，针对基带射频模块而言，依据各户需求可直接进行出厂包装成为销售产品。

(7)切换成功后，针对终端整机，需要将基带射频模块进一步组装，组装成为终端整机后，将基带射频模块的Flash切换为B区启动，即切换为ATS程序，该切换过程大概仅为15至20秒，远低于烧写程序所消耗的时间，如果切换不成功的重新执行切换操作。

(8)上电执行终端整机的ATS测试。

(9)终端整机的ATS测试通过后，将Flash切换为A区启动，即切换为出厂程序，该切换过程大概仅为15至20秒，远低于烧写程序所消耗的时间，如果切换不成功的重新执行切换操作。

(10)切换成功后，将终端整机进行出厂包装成为销售产品。

从上述说明可以看出，采用本发明的终端设备程序烧写和测试方法，可极大缩减生产过程中的基带射频模块的Flash的烧写时间，并且节省了Flash的烧写次数，消除了Flash多次烧写过程中可能出现中断或者烧写错误的问题，进而提高了基带射频模块和整机终端设备的测试效率和生产效率。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (9)

1.一种终端设备程序烧写和测试方法，包括：

将包括出厂程序和自动测试系统ATS程序的双版本程序烧写于基带射频模块的闪存中，其中，所述出厂程序烧写于所述闪存中的第一存储区域，所述ATS程序烧写于所述闪存中的第二存储区域，将所述闪存设置为第二存储区域启动；

对所述基带射频模块进行ATS测试时，所述基带射频模块利用所述闪存的第二存储区域中的ATS程序进行ATS测试；

对所述基带射频模块的ATS测试完成后，将所述闪存切换为第一存储区域启动。

2.根据权利要求1所述的终端设备程序烧写和测试方法，其特征在于，所述方法还包括：

在对含有已完成ATS测试并且所述闪存已切换为第一存储区域启动的所述基带射频模块的整机终端设备进行ATS测试之前，将所述闪存切换为第二存储区域启动；

利用所述闪存的第二存储区域中的ATS程序对所述整机终端设备进行ATS测试；

对所述整机终端设备的ATS测试完成后，将所述闪存切换为第一存储区域启动。

3.根据权利要求1所述的终端设备程序烧写和测试方法，其特征在于：

所述双版本程序中还包含启动装载bootloader程序，所述第二存储区域和所述第一存储区域的启动切换通过所述bootloader程序执行。

4.根据权利要求3所述的终端设备程序烧写和测试方法，其特征在于：

所述bootloader程序烧写于所述闪存中的bootloader存储区，所述闪存中还包括启动信息区，所述启动信息区中存储有第二存储区域启动或者第一存储区域启动的启动选择信息，所述bootloader程序通过对所述启动信息区中的启动选择信息的设置而设置所述闪存中的启动区域。

5.根据权利要求1所述的终端设备程序烧写和测试方法，其特征在于：

所述方法利用串口执行所述双版本程序烧写和启动区域的切换。

6.根据权利要求1所述的终端设备程序烧写和测试方法，其特征在于，所述双版本程序通过如下方法制成：

分别编写生成所述出厂程序、所述ATS程序和bootloader程序；

将仿真器与测试用基带射频模块连接，并将测试用基带射频模块的闪存中的全部数据映射到所述仿真器的与所述测试用基带射频模块的闪存相同大小的SDRAM中；

将所述出厂程序、所述ATS程序和所述bootloader程序分别写入所述SDRAM中的第一存储区域、第二存储区域和bootloader存储区；

将所述SDRAM中的完整数据写入所述测试用基带射频模块的闪存；

对所述测试用基带射频模块的闪存进行针对所述出厂程序、所述ATS程序和所述bootloader程序的功能测试；

若所述功能测试未通过，则对所述SDRAM中的程序进行修正并再次写入所述测试用基带射频模块的闪存并进行所述功能测试；

若所述功能测试通过，则将所述SDRAM中的完整数据保存至非易失性存储介质中作为所述双版本程序。

7.根据权利要求6所述的终端设备程序烧写和测试方法，其特征在于：

所述双版本程序基于VisualDSP++环境制成。

8.一种非易失性计算机可读存储介质，所述非易失性计算机可读存储介质存储指令，其特征在于，所述指令在由处理器执行时使得所述处理器执行如权利要求1至7中任一项所述的终端设备程序烧写和测试方法中的步骤。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

至少一个处理器；以及，

与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，

所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器执行如权利要求1至7中任一项所述的终端设备程序烧写和测试方法中的步骤。

Images