CN112713775A - 一种供电系统及供电方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种供电系统及供电方法,其中,供电系统,通过供电线为受电设备供电,包括:电源触发电路,用于产生采集电路的触发电压;采集电路,用于采集供电线输出端的采样电压,并根据供电线线长产生反馈电压;开关电路,响应于所述采集电路产生的反馈电压,并选择性的开启开关子电路;可调电源电路,响应于所述开关子电路,选择性的按预设电压为受电设备提供供电电压。本申请实施例提供的供电系统,随供电线长度变化而自适应调节的供电系统,在不同的使用场景下,优化整个供电系统的设计,在保证板卡正常工作的条件下,最大程度的提升板卡的效率。

Description

一种供电系统及供电方法
技术领域
本申请一般涉及电子元件技术领域,具体涉及一种供电系统及供电方法。
背景技术
电路系统的环境比较复杂,有时候受限于板卡的使用场景供电线路较长,然而,较长的线路通常会在供电线上产生比较大的电压损耗,在板卡端所收到的供电电源的电压就会比较低,从而导致板卡因为欠压而无法正常工作。通常,系统板卡上电压种类多,若采用高压电作为输入电压,则在一定程度上会降低整个系统板卡的效率,生热增强也会降低系统板卡的稳定性。
现有的系统板通常由固定的电源电压进行供电,系统方案的设计比较单一,无法随意修改。有时,为了解决现场太大所引起的压损问题,在系统板的输入端端接大电容进行稳压,但是在现场过长超过十米的时候问题便无法解决。系统板的应用场景不确定,有时候后装系统的板卡供电线较长,导致在线上的压损较大,系统板的供电电压较低,系统板无法正常工作。
另外,现有的供电系统有时在输入端通过转接板供电,但这种方式需要使用者根据需求后设计,也不能很好的满足使用需求。
为此,本专利设计了一种随电源线长度变化而自适应调节的供电系统,在不同的使用场景下,优化整个供电系统的设计,在保证板卡正常工作的条件下,最大程度的提升板卡的效率。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种供电系统及供电方法,可以根据供电线长度变化而自适应调节。
一方面,本申请提供了一种供电系统,通过供电线为受电设备供电,包括:
电源触发电路,用于产生采集电路的触发电压;
采集电路,采集供电线输出端的采样电压,并根据供电线线长产生反馈电压;
开关电路,响应于所述采集电路产生的反馈电压,并选择性的开启开关子电路;
可调电源电路,响应于所述开关子电路,选择性的按预设电压为受电设备提供供电电压。
进一步地,所述开关电路包括若干所述开关子电路,所述开关子电路设置不同的开启电压,所述开关子电路响应于所述反馈电压产生开启与断开的控制子信号。
进一步地,所述可调电源电路包括若干电源子电路,所述若干电源子电路设置不同的预设电压,所述电源子电路响应于所述控制子信号并控制开启或断开与受电设备之间的连接。
优选地,每一所述电源子电路分别对应一个所述开关子电路,所述电源子电路响应于对应的所述开关子电路产生的所述控制子信号。
优选地,所述若干开关子电路中在每一反馈电压值时,存在单一的所述开关子电路开启,并通过开启的所述开关子电路控制相应的电源子电路对所述受电设备进行供电。
进一步地,所述开关子电路包括:
第一电阻和第二电阻,所述第一电阻的第一端接收所述反馈电压,所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端,所述第二电阻的第二端接地;
晶体管,所述晶体管的栅极连接第一电阻的第二端,所述晶体管的漏极通过第三电阻与所述电源触发电路连接,所述晶体管的漏极连接所述电源子电路并控制所述电源子电路的开启与断开。
进一步地,所述若干开关子电路的开启电压从第一级向后逐级减小,第一级所述开关子电路的晶体管为N型晶体管,其余各级所述开关子电路的晶体管为P型晶体管。
进一步地,第一级所述开关子电路N型晶体管的漏极连接第二级开关子电路P型晶体管的漏极,从第二级开关子电路开始相邻所述开关子电路之间,上一级所述开关子电路P型晶体管的源极连接相邻下一级所述开关子电路P型晶体管的漏极。
进一步地,所述第一级开关子电路的晶体管的源极接地。
进一步地,各级所述开关子电路对应的所述电源子电路的预设电压逐级增大。
进一步地,所述采集电路所述采集电路还用于采集受电设备功率、供电电压。
再一方面,本申请提供了一种供电方法,包括:
电源触发电路通过供电线向采集电路提供触发电压;
通过采集电路采集供电线输出端的采样电压,并根据供电线线长产生反馈电压;
开关电路响应于所述采集电路的反馈电压,选择性开启一开关子电路,并产生控制子信号;
可调电源电路响应于所述控制子信号,选择性开启一电源子电路向受电设备提供预设电压。
进一步地,所述方法中供电线的线长计算方法:线长=(Ui-Ui1)*Ui/(k*P),其中,Ui为触发电压,Ui1为供电线输出端的采样电压,k为电阻损耗系数,P为供电系统功率。
本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:
本申请实施例提供的供电系统,电源触发电路通过供电线向采集电路提供触发电压;检测供电线输出端的采样电压,通过采集电路采集供电线末端的采样电压,根据供电线的长度产生不同的反馈电压,通过反馈电压选择开启不同的开关子电路,并通过开关子电路控制一个电源子电路对受电设备提供预设电压。
本申请实施例提供的供电系统,随供电线长度变化而自适应调节的供电系统,在不同的使用场景下,优化整个供电系统的设计,在保证板卡正常工作的条件下,最大程度的提升板卡的效率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本申请的实施例提供的一种供电系统的结构示意图;
图2为本申请的实施例提供的一种供电系统的电路化示意图;
图3为本申请的实施例提供的一种供电系统的电路;
图4为不同电压等级下,线长与损耗后所得到的电压之间的关系;
100、供电系统;200、供电线;300、受电设备;101、电源触发电路;102、采集电路;103、开关电路;104、可调电源电路;105、开关子电路;106、电源子电路;301、受电电路。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请详见图1-3,本申请提供了一种供电系统100,通过供电线200为受电设备300供电,包括:
电源触发电路101,用于产生采集电路102的触发电压;
采集电路102,用于采集供电线输出端的采样电压,并根据供电线200线长产生反馈电压;
开关电路103,响应于所述采集电路102产生的反馈电压,并选择性的开启开关子电路105;
可调电源电路104,响应于所述开关子电路105,选择性的按预设电压为受电设备300提供供电电压。
其中,所述开关电路103包括若干所述开关子电路105,所述开关子电路105设置不同的开启电压,所述开关子电路105响应于所述反馈电压产生开启与断开的控制子信号。
所述可调电源电路104包括若干电源子电路106,所述若干电源子电路106设置不同的预设电压,所述电源子电路106响应于所述控制子信号并控制开启或断开与受电设备300之间的连接。
相应地,每一所述电源子电路106分别对应一个所述电源子电路106,所述电源子电路106响应于对应的所述电源子电路106产生的所述控制子信号。
在具体设置时,所述若干开关子电路105中在每一反馈电压值时,存在单一的所述开关子电路105开启,并通过开启的所述开关子电路105控制相应的电源子电路106对所述受电设备300进行供电。
在具体设置时,所述开关子电路105包括:
第一电阻和第二电阻,所述第一电阻的第一端接收所述反馈电压,所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端,所述第二电阻的第二端接地;
晶体管,所述晶体管的栅极G连接第一电阻的第二端,所述晶体管的漏极D通过第三电阻与所述电源触发电路101连接,所述晶体管的漏极D连接所述电源子电路106并控制所述电源子电路106的开启与断开。
其中,在具体设置时,晶体管采用的是MOS管。需要说明的是,MOS管,金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。MOS管分为P型MOS管和N型MOS管,NMOS是栅极G高电平导通,低电平断开,NMOS的漏极D为输入端,源极S为输出端;PMOS是栅极G低电平导通,高电平断开,PMOS管的源极S为输入端,漏极D为输出端。
进一步地,所述开关电路103包括多级所述开关子电路105,所述若干开关子电路105的开启电压从第一级向后逐级减小,第一级开关子电路的MOS管为NMOS管,其余各级所述开关子电路的MOS管为PMOS管。
所述开关电路103中第一级所述开关子电路NMOS管的漏极D连接第二级所述开关子电路PMOS管的漏极D。所述第一级开关子电路的MOS管的源极S接地。从第二级开关子电路开始相邻所述开关子电路之间,上一级所述开关子电路PMOS的源极S连接相邻下一级所述开关子电路PMOS的漏极D。
在具体设置时,所述开关电路103中各级所述开关子电路105的开启电压逐级减小,各级所述开关子电路105对应的所述电源子电路106的预设电压逐级增大。
在一些实施例中,采集电路设置在供电线的末端,用于采集供电线输出端的采样电压,并对开关子电路产生反馈电压。可以将采集电路设置与供电系统上,采集电路还用于采集供电系统的功率和供电电压,并将采集到的信息用于计算供电线的长度,并根据供电线的长度产生反馈电压。
供电系统上还设置有受电电路302,用于连接所述供电系统100以接收所述供电系统100提供的预设电压。
需要说明的是,在本公开实施例中供电系统的的采集电路设置在受电设备上。在具体设置时,采集设备还可以设置单独的电路,用于对供电线的输出端的采样电压进行采集,当然,该电路还包括其他用于实现该功能的其他结构,均位于本申请的保护范围内。
再一方面,本申请提供了一种供电方法,包括:
电源触发电路101通过供电线200向采集电路102提供触发电压;
通过采集电路102采集供电线200输出端的采样电压,并根据供电线200的线长产生反馈电压;
开关电路103响应于所述采集电路102的反馈电压,选择性开启一开关子电路105,并产生控制子信号;
可调电源电路104响应于所述控制子信号,选择性开启一电源子电路106向受电设备300提供预设电压。
实施例一
供电系统100上的电源触发电路101通过供电线200向采集电路102提供触发电压U0,该电压是一个固定的电压值,采样电路301采集供电线200输出端的采样电压值U1,在供电线200上的电压损失为AU=U0-U1,其中,
U1=U0-klP/U0
其中,k为供电线的电阻损耗系数,l为线长,P为供电系统功率。
因此,供电线的线长计算方法为:
l=(Ui-Ui1)*Ui/(k*P)
其中,Ui为触发电压,Ui1为供电线输出端的采样电压,k为电阻损耗系数,P为供电系统功率。
当线长较长时,在线上的压损会比较大,有时会达不到输入电压所需要的值。具体的关系曲线如图4所示,其中L1<L2<L3<L4<L5<L6,线上的压损逐渐增加,在系统板输入端的电压即逐渐减小。由图4可见,当供电电压越高,供电正常所能容忍的线长就会越长;而当电压较低时,供电正常所能容忍的线长则越短。
在电源主板上的供电电源电压等级通常有5V、12V、24V、36V和48V几种,这几种电压对电压损耗的可容忍阈值通常为10%左右。电源在供电过程中,在供电线200上的电压损耗取决于供电线200上的电流和线上的电阻,当电压等级确定时,供电线200上的电压损耗则由功耗和线上电阻所决定,而传输电线的材质确定时,线上电阻则主要由线长所决定。下表1为不同供电电压所需要控制的不同损耗阈值,分别为各自电压等级的10%,即为0.5、1.2V、2.4V、3.6V、4.8V等5种。
假设供电电压等级为U2,则电压的损耗阈值为0.1U2;假设系统的功率是P,线长是l,电阻系数是k,则线上的损耗电阻则为kl;
若保证供电正常,则必须满足
Figure BDA0002849572160000071
则在得知系统功率和损耗电阻后,可以判断所需要的供电电压为
Figure BDA0002849572160000072
表1
Figure BDA0002849572160000073
Figure BDA0002849572160000081
在具体设置时,针对不同供电电压等级设置不同的预设电压,例如在供电电压等级为5V时,在可调电源电路104设置不同的电源子电路106,以0.5V为步长,分别为5V,5.5V,6V,6.5V,7V,7.5V。针对不同的线长情况,选择合适的预设电压为受电设备300进行供电。
实施例二
一种开关电路,包括若干级开关子电路,每一级开关子电路上均设置有一个MOS管,为MOS管设置不同的开启电压,当达到MOS管的开启电压时,开启一个开关子电路,并产生控制子信号,用以控制相应的电源子电路106开启,并为受电设备300提供预设电压。
假设触发电路在电源板卡端输入一个触发电压U0,在采样电路301收到的采样电压为U,进而将该电压反馈到电源板端的电压为2U-U0
假设各个电压等级的电压损耗阈值为ΔUi
则该电压等级下的电源供电正常,则必须满足U≥U0-ΔUi,开关子电路得到在反馈电压必须满足2U-U0≥U0-2ΔUi
假设MOS管的开启电压为Ugate,若保证电路正常开启的前提条件必须满足
Figure BDA0002849572160000082
则将各级的Ugate与电压损耗阈值关联,得到
Figure BDA0002849572160000083
进一步得到
Figure BDA0002849572160000084
与实施例一中的示例性六级电源子电路106对应的,在本实施例中,以六级电源子电路106为示例,分别通过各级电源子电路106控制相应的六级电源子电路106的导通与断开。
其中各级开关子电路均设计为:
第一电阻Ri1和第二电阻Ri2,所述第一电阻Ri1的第一端接收所述反馈电压,所述第一电阻Ri1的第二端连接所述第二电阻Ri2的第一端,所述第二电阻Ri2的第二端接地;
MOS管Mi,所述MOS管Mi的栅极G连接第一电阻Ri1的第二端,所述MOS管的漏极D通过第三电阻Ri3与所述电源触发电路101连接,所述MOS管的漏极D连接所述电源子电路106并控制所述电源子电路106的开启与断开。
在具体设置时,第一级所述开关子电路105的MOS管为NMOS管,其余各级所述开关子电路105的MOS管为PMOS管。第一级所述开关子电路105的MOS管的源极S通过第四电阻Ri4接地,而从第二级开始其余各级开关子电路105中MOS管的漏极D通过第四电阻Ri4与上一级MOS管的源极S连接。
需要说明的是,所述开关电路103中各级所述开关子电路105的开启电压逐级减小,即第一级开关子电路中MOS管的开启电压大于其余各级中MOS管的开启电压,上一级MOS管大于下一级MOS管的开启电压。
需要注意的是,在不同级中电子元件表示中出现的i,例如Ri1、Mi,其中i表示的是各级子电路。
第一级MOS管M1的漏极D连接的是电源触发电路101,第一级MOS管M1为NMOS管,漏极D为输入端,当反馈电压达到第一级开关子电路中MOS管的开启电压,第一级MOS管M1导通,由于第一级采用的是NMOS管,因此MOS管的漏极D为高电平,此时通过产生的第一级控制子信号EN1为高电平信号,控制相应的第一级的电源子电路工作,为受电设备300提供5V电压。
此时,由于第二级MOS管M2为PMOS管,第二级MOS管M2漏极D连接的是第一级MOS管M1的漏极D,当第一级MOS管M1导通时,第一级MOS管M1的漏极D此时为高电平,因此对于PMOS管在漏极D为高电平时为断开,因此PMOS管源极S作为输入端,其产生的控制子信号EN2~EN6为低电平,并控制相应的电源子电路106断开。
当采用的线长长度增加时,线上的损耗增大,反馈电压减小,不能达到第一级MOS管M1的开启电压,因此,第一级MOS管M1断开,此时漏极D产生的第一级控制子信号EM1为低电平,若达到第二级MOS管M2的开启电压,则第二级MOS管M2导通,因其为PMOS管,其源极S作为输入端产生的第二级控制子信号为高电平,控制相应的第二级的电源子电路工作,为受电设备300提供5.5V电压。
此时,由于第二级控制子信号为高电平,其余各级的PMOS管的漏极D为高电平截止,因此M3~M6均为断开,产生的控制子信号EM3~EM6均为低电平。
本申请公开的开关电路通过采用混合N型和P型MOS管的方式,确保在电路工作过程中若上一级子电路工作,则后面所有级子电路均不工作,只有在上一级子电路不工作时,后面各级的子电路才可能工作。通过此方式实现了只存在一个开关子电路响应反馈电压的信号,并控制电源子电路对受电设备300进行供电。
本申请实施例提供的供电系统,电源触发电路通过供电线向采集电路提供触发电压;检测供电线输出端的采样电压,通过采集电路检测供电线的线长,根据供电线的长度产生不同的反馈电压,通过反馈电压选择开启不同的开关子电路,并通过开关子电路控制一个电源子电路对受电设备提供预设电压。
本申请实施例提供的供电系统,随供电线长度变化而自适应调节的供电系统,在不同的使用场景下,优化整个供电系统的设计,在保证板卡正常工作的条件下,最大程度的提升板卡的效率。
需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
除非另有定义,本文中所使用的技术和科学术语与本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的,不是旨在限制本发明。本文中出现的诸如“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件,也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其它特征结合地应用于另一个实施方式,除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。
本发明已经通过上述实施方式进行了说明,但应当理解的是,上述实施方式只是用于举例和说明的目的,而非意在将本发明限制于所描述的实施方式范围内。本领域技术人员可以理解的是,根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改,这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。

Claims (13)

1.一种供电系统,通过供电线为受电设备供电,其特征在于,包括:
电源触发电路,用于产生采集电路的触发电压;
采集电路,用于采集供电线输出端的采样电压,并根据供电线线长产生反馈电压;
开关电路,响应于所述采集电路产生的反馈电压,并选择性的开启开关子电路;
可调电源电路,响应于所述开关子电路,选择性的按预设电压为受电设备提供供电电压。
2.根据权利要求1所述的供电系统,其特征在于,所述开关电路包括若干所述开关子电路,所述开关子电路设置不同的开启电压,所述开关子电路响应于所述反馈电压产生开启与断开的控制子信号。
3.根据权利要求2所述的供电系统,其特征在于,所述可调电源电路包括若干电源子电路,所述若干电源子电路设置不同的预设电压,所述电源子电路响应于所述控制子信号并控制开启或断开与受电设备之间的连接。
4.根据权利要求3所述的供电系统,其特征在于,每一所述电源子电路分别对应一个所述开关子电路,所述电源子电路响应于对应的所述开关子电路产生的所述控制子信号。
5.根据权利要求4所述的供电系统,其特征在于,所述若干开关子电路中在每一反馈电压值时,存在单一的所述开关子电路开启,并通过开启的所述开关子电路控制相应的电源子电路对所述受电设备进行供电。
6.根据权利要求3所述的供电系统,其特征在于,所述开关子电路包括:
第一电阻和第二电阻,所述第一电阻的第一端接收所述反馈电压,所述第一电阻的第二端连接所述第二电阻的第一端,所述第二电阻的第二端接地;
晶体管,所述晶体管的栅极连接第一电阻的第二端,所述晶体管的漏极通过第三电阻与所述电源触发电路连接,所述晶体管的漏极连接所述电源子电路并控制所述电源子电路的开启与断开。
7.根据权利要求6所述的供电系统,其特征在于,所述若干开关子电路的开启电压从第一级向后逐级减小,第一级所述开关子电路的晶体管为N型晶体管,其余各级所述开关子电路的晶体管为P型晶体管。
8.根据权利要求7所述的供电系统,其特征在于,第一级所述开关子电路N型晶体管的漏极连接第二级开关子电路P型晶体管的漏极,从第二级开关子电路开始相邻所述开关子电路之间,上一级所述开关子电路P型晶体管的源极连接相邻下一级所述开关子电路P型晶体管的漏极。
9.根据权利要求8所述的供电系统,其特征在于,所述第一级开关子电路的N型晶体管的源极接地。
10.根据权利要求3-9任一所述的供电系统,其特征在于,各级所述开关子电路对应的所述电源子电路的预设电压逐级增大。
11.根据权利要求1所述的供电系统,其特征在于,所述采集电路还用于采集受电设备功率、供电电压。
12.一种供电方法,其特征在于,包括:
电源触发电路通过供电线向采集电路提供触发电压;
通过采集电路采集供电线输出端的采样电压,并根据供电线线长产生反馈电压;
开关电路响应于所述采集电路的反馈电压,选择性开启一开关子电路,并产生控制子信号;
可调电源电路响应于所述控制子信号,选择性开启一电源子电路向受电设备提供预设电压。
13.根据权利要求12所述的供电方法,其特征在于,所述方法中供电线的线长计算方法:线长=(Ui-Ui1)*Ui/(k*P),其中,Ui为触发电压,Ui1为供电线输出端的采样电压,k为电阻损耗系数,P为供电系统功率。
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