CN112705278B - 一种微阵列底板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种微阵列底板及其制备方法，该方法包括：通过光刻法在器皿上制备微阵列区域，所述微阵列区域中包括多个微坑；对所述微阵列区域进行固化，形成模具，所述模具为带有凸起的微阵列；通过所述模具制作亲疏水相间的第一微阵列底板，所述第一微阵列底板中包括亲水区和疏水区，所述亲水区中包括羟基。上述技术方案可以减小亲水点阵的直径，提高合成密度，支撑较大数量寡核苷酸的合成。

Description

一种微阵列底板及其制备方法

技术领域

本申请涉及化学领域，并且更具体地，涉及一种微阵列底板及其制备方法。

背景技术

寡核苷酸是近年来研究和了解新基因功能的重要载体物质，实现高通量的寡核苷酸合成具有重要意义及良好的市场前景。制作亲疏水相间的微阵列底板，可以将每条寡核苷酸的合成固定到亲水点上，高效避免各个不同合成点的交叉污染，并且可根据亲水合成点的大小来控制反应的体系，可以很大程度上降低合成的成本，提高寡核苷酸的合成通量。

现有技术中采用丝网印刷技术制备亲疏水微阵列底板，由于丝网印刷技术制备的亲水点阵直径较大，造成寡核苷酸合成密度较低，无法支撑较大数量寡核苷酸的合成。

因此，如何降低亲疏水微阵列底板中亲水点阵的直径大小，提高寡核苷酸合成密度称为当前亟需要解决的问题。

发明内容

本申请提供一种微阵列底板及制备方法，能够减小亲水点阵的直径，提高合成密度，支撑较大数量寡核苷酸的合成。

第一方面，提供了一种微阵列底板的制备方法，包括：通过光刻法在器皿上制备微阵列区域，所述微阵列区域中包括多个微坑；对所述微阵列区域进行固化，形成模具，所述模具为带有凸起的微阵列；通过所述模具制作亲疏水相间的第一微阵列底板，所述第一微阵列底板中包括亲水区和疏水区，所述亲水区中包括羟基。

上述技术方案中，可以通过光刻法得到的模具来控制微阵列底板中亲水点阵的直径大小，可将亲水点阵的直径大小降低为微米级别，从而提高合成密度，支撑较大数量寡核苷酸的合成。

在一种可能的实现方式中，所述第一微阵列底板还包括疏水区，对所述底板表面进行疏水处理，使得所述底板表面具有疏水区；对所述疏水层表面进行亲水处理，使得所述疏水层的表面具有亲水区；将模具覆盖在所述底板的亲水区的表面，所述模具为带有凸起的微阵列，所述模具的凸起与所述亲水区的部分接触；将所述模具从所述亲水区剥离，使得所述模具的凸起接触的部分暴露出所述疏水区，形成所述第一微阵列底板。

在另一种可能的实现方式中，所述第一微阵列底板还包括疏水区，将模具与所述底板接触，所述模具为带有凸起的微阵列，所述模具的凸起为亲水区，所述模具的凸起与所述底板接触；对所述底板中未与所述模具的凸起接触的部分进行疏水处理；将所述模具从所述底板剥离，形成所述第一微阵列底板，其中，所述第一微阵列底板上与所述模具的凸起接触的部分为所述亲水区，所述第一微阵列底板上未与所述模具的凸起接触的部分为所述疏水区。

在另一种可能的实现方式中，所述模具为聚二甲基硅氧烷PDMS模具。

在另一种可能的实现方式中，所述方法还包括：通过光刻法在器皿上制备微阵列区域；将聚二甲基硅氧烷PDMS倒在所述微阵列区域上进行固化；将固化的所述PDMS从所述器皿上剥离，得到所述PDMS模具。

上述技术方案中，PDMS是一种疏水类的有机硅聚合物，其分子量极高具有弹性，通过PDMS制作的PDMS模具可以与底板之间的粘粘性较好，较容易制作亲疏水相间的微阵列底板。

在另一种可能的实现方式中，对所述模具进行等离子处理，使得所述模具的凸起为亲水区。

上述技术方案中，等离子体处理技术是采用等离子表面处理机对模具凸起的表面进行一定的物理化学改性，提高表面附着力，使它能和普通纸张一样容易粘结。

在另一种可能的实现方式中，将所述底板和疏水剂接触，并进行蒸镀处理，使得所述底板表面具有疏水区。

上述技术方案中，蒸镀，是使用较早、用途较广泛的气相沉积技术，具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点。

在另一种可能的实现方式中，通过多巴胺溶液对所述疏水层表面进行处理，使得所述疏水层表面具有亲水区。

上述技术方案中，多巴胺溶液稳定性好，水分散性强，生物相容性优秀。常温下即可生成。多巴胺溶液含有大量的羟基基团，较容易形成包括羟基基团的亲水区。

第二方面，提供了一种亲疏水相间的微阵列底板，所述微阵列底板包括：亲水区和所述亲水区相间的疏水区，其中，所述亲水区中包括多个亲水点，所述亲水点为微米级别的亲水点。

附图说明

图1是本申请实施例提供的一种微阵列底板的制备方法的示意性流程图。

图2是本申请提供的一种制备模具的方法的示意性流程图。

图3是本申请提供的一种制备亲水点大小可控的亲疏水相间的微阵列底板的方法的示意性流程图。

图4是本申请提供的一种亲疏水相间的微阵列底板的示意性结构图。

图5是本申请提供的另一种制备亲水点大小可控的亲疏水相间的微阵列底板的方法的示意性流程图。

图6是本申请提供的另一种亲疏水相间的微阵列底板的示意性结构图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行描述。

脱氧核糖核酸(deoxyribonucleic acid，DNA)是一种生物大分子，可组成遗传指令，引导生物发育与生命机能运作。寡核苷酸是一段较短的DNA链，寡核苷酸是近年来研究和了解新基因功能的重要载体物质，寡核苷酸的合成技术已成为分子生物学研究必不可少的手段。合成的产物可作为探针、引物、连接子和接头等用途，或用于制造基因芯片。基因芯片现已经成为一种有效的基础及临床医学研究办法，可以支持一次性检测几万种基因表达水平或者百万个DNA遗传标记，为科研和临床工作者提供了强大的技术平台。广泛用于药物筛选，药物代谢与毒理，细菌基因组研究以及植物基因调控等各个方向。因此，实现高通量的寡核苷酸合成具有重要意义及良好的市场前景。

寡核苷酸可以在微阵列底板的亲水区合成。微阵列底板，也可以称为微阵列芯片，是一种采用光导原位合成或微量点样等方法，将大量生物大分子比如核酸片段、多肽分子甚至组织切片、细胞等生物样品有序地固化于支持物(如玻片、尼龙膜等载体)的表面，组成密集二维分子排列，然后与已标记的待测生物样品中靶分子反应，通过特定的仪器，比如激光共聚焦扫描仪或电荷偶联摄影像机对反应信号的强度进行快速、并行、高效地检测分析，从而判断样品中靶分子的数量。

本申请实施例提供的微阵列底板，可以通过光刻法得到的模具来控制微阵列底板中亲水点阵的直径大小，可将亲水点阵的直径大小降低为微米级别，从而提高合成密度，支撑较大数量寡核苷酸的合成。下面结合图1，对申请实施例中微阵列底板的制备方法进行详细描述。

图1是本申请实施例提供的一种微阵列底板的制备方法的示意性流程图。图1所示的方法可以包括步骤110-130，下面分别对步骤110-130进行详细描述。

步骤110：通过光刻法在器皿上制备微阵列区域，所述微阵列区域中包括多个微坑。

光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶)，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级(从毫米级到亚微米级)，其中亚微米指0.1μm～1.0μm。

本申请实施例中通过光刻技术得到的微阵列区域中可以包括多个微坑，该微坑的尺寸较小，可以微米级别。

步骤120：对所述微阵列区域进行固化，形成模具，所述模具为带有凸起的微阵列。

本申请实施例对固化的过程不做具体限定。作为一个示例，可以通过聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)在微阵列区域上进行固化，得到PDMS模具。

应理解，PDMS是有机硅的一种，因其成本低，使用简单，同硅片之间具有良好的粘附性，而且具有良好的化学惰性等特点，成为一种广泛应用于微流控等领域的聚合物材料。

步骤130：通过所述模具制作亲疏水相间的第一微阵列底板，所述第一微阵列底板中包括亲水区和疏水区，所述亲水区中包括羟基。

通过所述模具制作亲疏水相间的第一微阵列底板的具体实现方式有多种，本申请对此不做具体限定。一种可能的实现方式中，可以先将制备的模具与接触，对底板中未与所述模具的凸起接触的部分进行疏水处理，再对底板中与所述模具的凸起接触的部分进行亲水处理，形成亲疏水相间的微阵列底板。另一种可能的实现方式中，可以对底板表面进行疏水处理，使得所述底板表面具有疏水区，再对疏水层表面进行亲水处理，使得所述疏水层的表面具有亲水区，将模具覆盖在底板的亲水区的表面，模具的凸起与亲水区的部分接触，将模具从亲水区剥离，使得模具的凸起接触的部分暴露出疏水区，形成亲疏水相间的微阵列底板。下面会结合图3-图6进行详细描，此处不在赘述。

应理解，图3-图6的方法均是通过模具和底板制备亲水点大小可控的亲疏水相间的微阵列底板。为了便于描述，下面先结合图2，对制备模具的方法进行详细描述。

图2是本申请提供的一种制备模具的方法的示意性流程图。该方法可以包括步骤210-240，下面分别对步骤210-240进行详细描述。

应理解，为了便于说明，图2中以模具为聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)模具为了进行描述。

步骤210：在器皿上进行光刻处理形成微坑阵列。

具体地，可以将光刻胶涂覆在器皿表面，利用曝光显影工艺将掩膜版上的图形复制到光刻胶上，暴露出需要被刻蚀的部分。最后利用刻蚀技术在硅片上刻蚀出微坑阵列，用等离子去胶工艺去除残胶。应理解，微坑阵列的排布可以是相同或不同直径微坑呈周期性排布。

可选地，在一些实施例中，该器皿为硅片。

本申请实施例中，通过光刻技术得到微阵列模具，阵列尺寸可以到微米级，具有高密度和高精度而且尺度可控。

步骤220：聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)模具的制备。

本申请实施例中可以将聚二甲基硅氧烷PDMS倒在步骤210中制备的微坑阵列上，并进行固化，将固化之后的PDMS从微坑阵列上器皿上剥离，得到PDMS模具。

具体的，可以通过使用某种液态硅氧烷与固化剂按照一定比例混合得到PDMS。作为一个示例，可以使用Sylgard 184硅氧烷和固化剂重量比为10：1制备PDMS。之后，可以将制备的PDMS倒在器皿(例如，硅片)上，使得PDMS填充微坑并将硅片覆盖，并放入烘箱中在一定条件下加热一段时间使其固化。作为一个示例，可以放入65℃烘箱中加热2h使其固化。

可选地，在一些实施例中，还可以通过真空处理消除PDMS中以及PDMS和硅片接触界面的气泡。

应理解，固化剂是一类增进或控制固化反应的物质或混合物，在本申请中可使用一种或多种固化剂，对种类不做具体限定。

还应理解，在烘箱中的加热温度和固化时间，视实际固化情况而定，在此不做限定。

本申请实施例中，PDMS是有机硅的一种，因其成本低，使用简单，同硅片之间具有良好的粘附性，因此，可以较好的与底板粘粘。

步骤230：S230，将固化后的PDMS从器皿上剥离得到PDMS模具。

从器皿上剥离得到的PDMS模具为包括多个凸起的微阵列。

可选地，在一些实施例中，图2所示的方法还可以包括步骤240。

步骤240：对PDMS模具进行表面处理，使得PDMS模具凸起的表面暴露羟基。

本申请实施例中还可以对PDMS模具的凸起表面进行处理，使得该凸起表面为亲水区。也就是说，对PDMS模具的凸起表面进行处理之后，该凸起表面可以暴露出羟基。具体的实现方式有多种，一种可能的实现方式中，对PDMS模具的凸起表面进行等离子体(plasma)处理，使得PDMS模具的凸起表面为亲水区。具体的，可以将制备好的PDMS模具放入等离子体仪器中进行2min等离子体处理。

应理解，等离子体(plasma)是一种由自由电子和带电离子为主要成分的物质形态，采用等离子表面处理机对PDMS模具进行一定的物理化学改性，提高表面附着能力。

图3是本申请提供的一种制备亲水点大小可控的亲疏水相间的微阵列底板的方法的示意性流程图。该方法可以包括步骤310-340，下面分别对步骤310-340进行详细描述。

可选地，在一些实施例中，图3所示的方法可以包括步骤310。

步骤310：对底板进行清洗。

本申请实施例中，为避免操作过程中引入杂物，可以对底板进行清洗。

可选的，作为一个实施例，利用超声波的方法对底板进行清洗。具体的，可以先用去离子水超声30min，再用酒精超声30min，最后再用去离子水超声30min，将底板放入烘箱中烘干。

步骤320：将制备好的PDMS模具覆盖在底板上，并对覆盖PDMS模具的底板进行疏水处理。

本申请实施例中可以施加一定压力将图2中制备好的PDMS模具紧贴于底板上，使得PDMS模具的凸起部分与底板接触。

本申请实施例中由于PDMS模具的凸起部分与底板接触，可以对底板中未与PDMS模具的凸起接触的部分进行疏水处理，使得底板中未与PDMS模具的凸起接触的部分为疏水区。

疏水处理的方法有多种，本申请实施例对此不做具体限定。作为一个示例，可以通过蒸镀的方法使得底板中未与PDMS模具的凸起接触的部分形成疏水区。作为另一个示例，可以将疏水剂通过压力浸渍的方式附着在底板中未与PDMS模具的凸起接触的部分，使得该未与PDMS模具的凸起接触的部分形成疏水区。

以进行蒸镀处理从而形成疏水区为例。作为一个示例，可以将被PDMS模具覆盖的底板和疏水溶液放入同一个密封的器皿中加热至完全挥发，在底板表面蒸镀。使得底板中未与PDMS模具的凸起接触的部分形成疏水区。

本申请实施例对进行蒸镀的疏水溶液不做不做具体限定，可以包括但不限于：二氯甲烷溶解的1H,1H,2H,2H,-全氟癸基三乙氧基硅烷、六甲基二硅氮烷、十八烷基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷等。

具体的，以疏水溶液为二氯甲烷溶解的1H,1H,2H,2H,-全氟癸基三乙氧基硅烷为例。可以将5mL二氯甲烷和占总体积1％的1H,1H,2H,2H,-全氟癸基三乙氧基硅烷混合于10mL离心管中，振荡，混匀。并将混合液和被PDMS模具覆盖的底板放入同一个密封的器皿中，放到65℃烘箱中加热2h，直到混合液完全挥发。应理解，所使用有机物的含量以及蒸镀温度和蒸镀时间视情况而定，在此不做限定。

应理解，蒸镀也可以称为真空蒸镀，指在真空条件下，采用一定的加热蒸发方式蒸发镀膜材料(或称膜料)并使之气化，粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法。蒸镀是使用较早、用途较广泛的气相沉积技术，具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点。

以通过压力浸渍的方式形成疏水区为例。作为一个示例，可以将疏水剂与有机溶剂按一定比例的混合液通过压力浸渍法附在底板中未与PDMS模具的凸起接触的部分，使得底板中未与PDMS模具的凸起接触的部分形成疏水区。其中，疏水剂可以是全氟类基兰甲氧基硅皖、十八皖基兰氯硅皖、十八皖基兰甲氧基硅皖、十六皖基兰乙氧基硅皖、己基兰乙氧基硅院或辛基兰氯硅院中的一种或多种以任意比例混合。有机溶剂可以是二氯甲烷、三氯乙烯、乙醇、异丙醇、正己烷、丙酮、四氢呋喃中的一种或多种以任意比例进行混合。

具体的，以疏水剂为十八皖基兰氯硅皖，有机溶剂为三氯乙烯为例。可以将5mL三氯乙烯和占总体积1％的十八皖基兰氯硅皖混合于10mL离心管中，振荡，混匀。并可以将混合液和被PDMS模具覆盖的底板放入同一个密封的器皿中，放到65℃烘箱中加热2h，直到混合液完全挥发。

步骤330：将PDMS模具从底板上剥离。

本申请实施例中，在对底板中未与PDMS模具的凸起接触的部分进行处理，使得该未与PDMS模具的凸起接触的部分形成疏水区之后，可以将PDMS模具从底板上剥离。由于PDMS模具的凸起部分为亲水区，底板中与PDMS模具的凸起接触的部分未被疏水处理，因此，该底板中凸起的部分(区域1)为疏水区。

PDMS模具的凸起部分为亲水区，PDMS模具的凸起部分暴露的羟基附着在底板中与PDMS模具的凸起接触的部分，因此，该底板中与PDMS模具的凸起接触的部分为亲水区。

可选地，在一些实施例中，图3所示的方法还可以包括步骤340。

步骤340：对底板中与PDMS模具的凸起接触的微坑区域进行亲水处理，形成亲疏水相间的微阵列底板。

可选地，在一些实施例中，由于PDMS模具的凸起部分暴露的羟基附着在底板的部分较少，因此，还需要对底板中的微坑区域(区域2)做进一步的亲水处理。

具体的，作为一个实施例，可以吸取一定量的3％的氢氧化钠溶液，通过刮膜的方法将氢氧化钠均匀覆盖在底板上。由于疏水层的存在，氢氧化钠会在底板上形成的液滴阵列只在亲水区停留，使得底板中的微坑区域(区域2)为亲水区，该亲水区暴露羟基，从而获得亲疏水相间的微阵列底板。

可选地，在一些实施例中，还可以通过滴加矿物油至底板表面防止液滴挥发。微坑区域(区域2)中的每个液滴皆可作为独立的微反应器，可以同时对多个核酸序列进行合成和高通量平行分析。

通过上述图3所示的方法对底板进行处理，得到亲疏水相间的微阵列底板如图4所示。参见图4，亲疏水相间的微阵列底板上凸起的部分为疏水区，微阵列底板上的微坑部分(凹下去的部分)为亲水区。

图5是本申请提供的另一种制备亲水点大小可控的亲疏水相间的微阵列底板的方法的示意性流程图。该方法可以包括步骤510-540，下面分别对步骤510-540进行详细描述。

步骤510：对底板表面进行疏水处理，使得该底板表面为疏水区。

本申请实施例中对底板表面进行疏水处理的方法有多种，作为一个示例，可以通过蒸镀的方法使得底板表面形成疏水区。作为另一个示例，可以将疏水剂通过压力浸渍的方式附着在底板上，使得底板表面形成疏水区。上述进行疏水处理的方法与步骤330中对覆盖PDMS模具的底板进行疏水处理的过程类似，具体的请参考步骤330中的描述，此处不再赘述。

步骤520：对底板上的疏水区进行处理，使得该疏水区的表面为亲水区。

本申请实施例中通过多巴胺溶液对疏水区的表面进行处理，使得该疏水区的表面为亲水区。具体的，作为示例，可以将底板上的疏水区浸没至2mg/mL的多巴胺溶液中沉积数小时。多巴胺可以沉积在底板上的疏水区表面，从而完成该表面的改性，使得该疏水区的表面为亲水区。

可选地，作为示例，本申请实施例还可以通过如下步骤制备多巴胺溶液：通过配制pH＝8.6的Tris-HCl缓冲液，使用该缓冲液配制2mg/mL的多巴胺溶液。

本申请实施例中通过多巴胺进行亲水处理，多巴胺稳定性好，水分散性强，生物相容性优秀，常温下即可生成。

步骤530：将制备好的PDMS模具覆盖在底板上的亲水区。

本申请实施例中可以施加一定压力将图2中制备好的PDMS模具紧贴于底板上，使得PDMS模具的凸起部分与底板上的亲水区接触。

步骤540：移除PDMS模具，形成亲疏水相间的微阵列底板。

移除PDMS模具，会移除底板的亲水区上与该PDMS模具的凸起接触的多巴胺，使得PDMS模具的凸起接触的部分暴露出下面的疏水区(区域1)，PDMS模具与底板未接触的部分仍然留有多巴胺，这部分为亲水区(区域2)，从而形成亲疏水相间的微阵列底板。该亲疏水相间的微阵列底板上呈现出周期性排列的亲水点阵列。

通过上述图5所示的方法对底板进行处理，得到亲疏水相间的微阵列底板如图6所示。参见图6，亲疏水相间的微阵列底板上凸起的部分为亲水区，微阵列底板上的微坑部分(凹下去的部分)为疏水区。

本领域技术人员应当了解，在不违背本申请的真正精神和范围的情况下可以做出各种变化且可以取代等效方案。另外，可以做出许多修改以使特定的情况，材料，物质组合物，工艺，一个或多个工艺步骤适应本发明的目的，精神和范围。所有这些修改意图在本申请所附权利要求的范围内。

应理解，本申请实施例中“至少一个”可理解为一个或多个，例如理解为一个、两个或更多个。例如，包括至少一个，是指包括一个、两个或更多个，而且不限制包括的是哪几个，例如，包括A、B和C中的至少一个，那么包括的可以是A、B、C、A和B、A和C、B和C、或A和B和C。本申请实施例提及“第一”、“第二”等序数词用于对多个对象进行区分，不用于限定多个对象的顺序、时序、优先级或者重要程度。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种微阵列底板的制备方法，其特征在于，包括：

通过光刻法在器皿上制备微阵列区域，所述微阵列区域中包括多个微坑；

对所述微阵列区域进行固化，形成模具，所述模具为带有凸起的微阵列；

通过所述模具制作亲疏水相间的第一微阵列底板，所述第一微阵列底板中包括亲水区和疏水区，所述亲水区中包括羟基，所述亲水区中包括多个亲水点，所述亲水点为微米级别的亲水点，所述亲水点用于寡核苷酸的合成；

其中，所述通过所述模具制作亲疏水相间的第一微阵列底板，包括：对底板表面进行疏水处理，使得所述底板表面具有所述疏水区；对所述疏水区的表面进行亲水处理，使得所述疏水区的表面具有所述亲水区；将所述模具覆盖在所述亲水区的表面，所述模具为带有凸起的微阵列，所述模具的凸起与所述亲水区接触；将所述模具从所述亲水区剥离，使得所述模具的凸起接触的部分暴露出所述疏水区，形成所述第一微阵列底板。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述模具制作亲疏水相间的第一微阵列底板，包括：

将模具与所述底板接触，所述模具为带有凸起的微阵列，所述模具的凸起为亲水区，所述模具的凸起与所述底板接触；

对所述底板中未与所述模具的凸起接触的部分进行疏水处理；

将所述模具从所述底板剥离，形成所述第一微阵列底板，其中，所述第一微阵列底板上与所述模具的凸起接触的部分为所述亲水区，所述第一微阵列底板上未与所述模具的凸起接触的部分为所述疏水区。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述模具为聚二甲基硅氧烷PDMS模具。

4.根据权利要求3所述的方法，所述对所述微阵列区域进行固化，形成模具，包括：

将聚二甲基硅氧烷PDMS倒在所述微阵列区域上进行固化；

将固化的所述PDMS从所述器皿上剥离，得到所述PDMS模具。

5.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其特征在于，所述模具的凸起为亲水区，包括：

对所述模具进行等离子处理，使得所述模具的凸起为亲水区。

6.根据权利要求1或2中任一项所述的方法，其特征在于，所述疏水处理包括：

将所述底板和疏水剂接触，并进行蒸镀处理，使得所述底板表面具有所述疏水区。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述亲水处理包括：

通过多巴胺溶液对所述疏水区的表面进行处理，使得所述疏水区的表面具有所述亲水区。

8.一种亲疏水相间的微阵列底板，其特征在于，所述微阵列底板由如权利要求1至7任一项所述的方法制成。

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