CN112703670A - 用于功率放大器控制和保护的方法和设备 - Google Patents

用于功率放大器控制和保护的方法和设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112703670A
CN112703670A CN201980060495.8A CN201980060495A CN112703670A CN 112703670 A CN112703670 A CN 112703670A CN 201980060495 A CN201980060495 A CN 201980060495A CN 112703670 A CN112703670 A CN 112703670A
Authority
CN
China
Prior art keywords
power
input
output
coupled
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201980060495.8A
Other languages
English (en)
Inventor
F·吕伯斯
R·弗里德里希
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Andrew Wireless Systems GmbH
Original Assignee
Andrew Wireless Systems GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Andrew Wireless Systems GmbH filed Critical Andrew Wireless Systems GmbH
Publication of CN112703670A publication Critical patent/CN112703670A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B17/00—Monitoring; Testing
    • H04B17/10—Monitoring; Testing of transmitters
    • H04B17/101—Monitoring; Testing of transmitters for measurement of specific parameters of the transmitter or components thereof
    • H04B17/103—Reflected power, e.g. return loss
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/04—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant in circuits having distributed constants, e.g. having very long conductors or involving high frequencies
    • G01R27/06—Measuring reflection coefficients; Measuring standing-wave ratio
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20—Automatic control
    • H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0466—Fault detection or indication
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/207—A hybrid coupler being used as power measuring circuit at the output of an amplifier circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/211—Indexing scheme relating to amplifiers the input of an amplifier can be attenuated by a continuously controlled transistor attenuator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/426—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier comprising circuitry for protection against overload
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/465—Power sensing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

一种方法(600)包括：测量(660)功率放大器输出处的反射功率和正向功率；确定(664)所述反射功率是否等于或超过第一电平；如果所述反射功率等于或超过第一电平，则减小(668)功率放大器输入信号的功率电平；确定(670)所述功率放大器输出处的驻波比是否等于或超过第二电平；如果所述功率放大器输出处的驻波比等于或超过所述第二电平，则减小(672)所述功率电平和/或发送警报；确定(674)功率放大器输出功率是否等于或超过第三电平；以及如果从功率放大器输出的功率等于或超过第三电平，则减小(676)所述功率电平直到此功率电平小于或等于所述第三电平，和/或发送警报。

Description

用于功率放大器控制和保护的方法和设备
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年9月24日提交的美国专利申请序列号62/735,509的权益；前述专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中，如同整体阐述一般。
背景技术
发射器用于诸如基站和分布式天线系统的通信系统中。发射器通常采用功率放大器来增强发射信号的功率。
在功率放大器与诸如同向双工器(diplexer)、双工器(duplexer)或天线的后续部件之间的阻抗匹配的情况下，反射能量可能损坏功率放大器。为了保护功率放大器，可以在功率放大器之后插入诸如铁氧体隔离器的隔离器。隔离器将反射能量终止到负载中，而不是终止到功率放大器的输出中。因此，隔离器防止功率放大器被过度反射能量损坏。
然而，隔离器成本高、体积大并且具有插入损耗。隔离器插入损耗降低了发射器的功率放大器的有效功率附加效率。因此，需要一种用于保护功率放大器免受过度反射功率影响的替代技术。
发明内容
提供了一种方法。该方法包括：在功率放大器的输出处测量反射功率和正向功率；确定所述反射功率是否等于或超过第一阈值电平；如果所述反射功率等于或超过所述第一阈值电平，则减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平；确定所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过第二阈值电平；如果所述功率放大器的输出处的驻波比等于或超过第二阈值电平，则执行以下各项操作中的至少一项：(a)减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平，以及(b)发送警报；确定从所述功率放大器输出的功率是否等于或超过第三阈值电平；并且如果从所述功率放大器输出的功率等于或超过所述第三阈值电平，则执行以下操作中的至少一个项：(a)减少功率放大器的输入处的信号的功率电平，直到此功率电平小于或等于所述第三阈值，以及(b)发送警报。
附图说明
应理解，附图仅描述了示范性实施例，并且因此不应被认为是对范围的限制，将通过使用附图以附加的特性和细节来描述示范性实施例，在附图中：
图1示出了包括具有自动限制控制和保护免受反射能量的功率放大器的发射器前端的一个实施例的框图；
图2示出了功率控制处理电路的一个实施例的框图；
图3示出了延迟电路的一个实施例的示意图；
图4A示出了在其中实施功率放大器控制和保护技术的分布式天线系统的一个实施例的框图；
图4B示出了在其中实施功率放大器限制和保护技术的远程天线单元的一个实施例的框图；
图5示出了在其中实施功率放大器限制和保护技术的单节点中继器的一个实施例的框图；以及
图6示出了功率放大器限制和保护方法的一个实施例的流程图。
具体实施方式
在以下详细描述中，参考了形成其一部分的附图，并且在附图中通过举例说明示出了具体的说明性实施例。然而，应当理解，可以利用其他实施例，并且可以作出结构、机械和电气改变。此外，附图和说明书中提出的方法不应被理解为限制可执行各个步骤的顺序。因此，以下详细描述不应被视为限制性的。
通过消除对隔离器的需求，下文描述的实施例提供了用于降低包括功率放大器的发射器的成本和大小并增强发射器的功率附加效率的技术。此类发射器可以用于包括通信系统的任何系统中，例如用于无线电和电视的广播发射器、蜂窝基站、分布式天线系统和有线中继器。
图1示出了包括具有自动限制控制和保护免受反射能量的功率放大器的发射器前端(具有功率放大器限制和保护系统的发射器前端或“TX FE”)100的一个实施例的框图。在一个实施例中，具有功率放大器限制和保护系统的发射器前端100共享公共部件以实现限制和保护功能，并且因此消除了对隔离器的需求。
自动限制控制通过调整功率放大器的输入处的信号的功率电平，使得其不等于或超过阈值电平，从而减少功率放大器中的畸变。如果功率电平等于或超过阈值电平，那么该功率电平将驱动功率放大器进入饱和状态，并且产生包括畸变产物的非线性放大。因此，功率放大器将不再作为线性功率放大器工作。
具有功率放大器限制和保护系统的发射器前端100被配置成具有耦合到发射器的输出的第一输入和耦合到负载的输出。负载可以是天线。同向双工器、双工器或发射接收开关可以耦合在至少一个耦合器106的输出端口与天线之间。
具有功率放大器限制和保护系统的发射器前端100包括功率控制系统102、功率放大器(PA)104、至少一个耦合器(一个或多个耦合器)106、功率检测器电路108和功率控制处理电路110。在一个实施例中，至少一个耦合器106是双向耦合器。任选地，具有功率放大器限制和保护系统的发射器前端100包括至少一个传感器(一个或多个传感器)116。
功率放大器104具有耦合到功率控制系统102的输出的输入，以及耦合到至少一个耦合器106的输入端口的输出。功率控制系统102被配置成改变输入到功率放大器104中的信号的功率电平。功率控制系统102可以是可变衰减器和/或可变增益放大器。
功率控制系统102的输入耦合到发射器的输出。定向耦合器106的输出端口耦合到负载。
至少一个耦合器106将入射在其输入端口处的功率(“正向功率”)的一部分耦合到正向耦合端口。在正向耦合端口处提供的功率量由输入端口与正向耦合端口之间的正向耦合因子确定。至少一个耦合器106将入射在输出端口上的功率(“反向功率”或“反射功率”)(例如，从负载反射)的一部分耦合到反向耦合端口。在反向耦合端口处提供的功率量由输出端口与反向耦合端口之间的输出耦合因子确定。每个耦合因子取决于耦合器设计的设计。正向耦合端口处的信号应被称为耦合正向功率信号103，且其功率电平与正向功率电平成(例如，线性或对数)比例。反向耦合端口处的信号应被称为耦合反向功率信号105，且其功率电平与反向功率电平成(例如，线性或对数)比例。
至少一个耦合器106的正向耦合端口和反向耦合端口耦合到功率检测器电路108的输入。因此，功率检测器电路108的输入被配置成接收耦合反向功率信号105和耦合正向功率信号103。
任选地，将例如具有高衰减状态和低衰减状态的可变衰减器插入正向耦合端口与功率检测器电路108的对应输入之间和/或反向耦合端口与功率检测器电路108的对应输入之间。可变衰减器各自具有耦合到功率控制处理电路110的输入。根据需要，功率控制处理电路110发送信号以改变(多个)衰减器的衰减水平，例如对其进行抖动处理(dither)，从而扩展功率检测器电路108的动态范围。
任选地，功率检测器电路108检测均方根功率。在一个实施例中，利用AnalogDevices公司的LTC5583匹配双通道功率检测器实现功率检测器电路108。然而，可以其他方式实现功率检测器电路108。功率检测器电路108生成两个信号：与正向功率成(例如，线性或对数)比例的正向信号107，以及与反向功率成(例如，线性或对数)比例的反向信号109。
由功率检测器电路108、功率控制处理电路110和/或至少一个传感器116生成并且如本文所述的信号中的每一个可以是模拟或数字信号，以及电压或电流信号。出于教学原因，此类信号将被示出为模拟电压信号，且可以被称为电压或电压信号。
功率检测器电路108的输出耦合到功率控制处理电路110的输入。因此，功率控制处理电路110的输入被配置成接收由功率检测器电路108产生的正向电压和反向电压。功率控制处理电路110具有输出，所述输出被配置成提供由功率控制处理电路110生成的第一控制信号112以防止放大器104：
a.在短时间段内被功率放大器104的输出处的反射功率电平损坏；
b.由于长时间暴露于高电平反射功率而受损，所述高电平小于在短时间段内损坏功率放大器的电平；以及
c.饱和。
功率控制系统102的第二输入耦合到功率控制处理电路110的输出。因此，功率控制系统102被配置成接收第一控制信号112。功率控制系统102使用第一控制信号112来调整其衰减和/或增益，并且因此控制提供到功率放大器104的输入的信号的功率电平。
功率控制处理电路110被配置成调整功率控制系统102的增益和/或衰减，以在反向功率变得过高时，例如在反向信号电平的水平超过第一阈值电平时快速减小在功率放大器104的输入处提供的信号的功率电平。典型地，衰减增加或增益减小很大的量，例如，以分别增加到最大水平或减小到最小水平。这防止了在例如1-10微秒的短时间段内过度电平的反射功率损坏功率放大器104。此类控制相对较快，并且可以是突然的。
功率控制处理电路110还被配置成调整功率控制系统102的增益和/或衰减以防止功率放大器104：
(a)由于长时间(例如，大于500毫秒)暴露于高电平反射功率(但未高到足以进行前述快速控制)而受损，所述高电平反射功率由等于或大于第二阈值(例如大于2：1)的(至少一个耦合器106的输出端口处的)高驻波比(SWR)指示；或者
(b)由超过第三阈值电平的高正向电压电平指示的饱和。
此类控制相对缓慢。至少对于饱和预防而言，增益和/或衰减变化通常是递增的，而不是突然的。
关于上述高驻波比，为防止由于高SWR造成的损坏进行的调整基于SWR的线性或非线性函数。SWR等于
Figure BDA0002977674410000051
其中Pr和Pf分别是反射功率和正向功率。反射功率和正向功率分别与功率检测器电路108产生的反向电压和正向电压相关。因此，可以使用反向电压和正向电压值计算SWR。
例如，如果SWR从低于2：1增加到2.5：1，并且第二阈值电平是2：1的SWR，那么衰减增加(或增益减少)固定量，例如约7分贝(例如，从百分之十到百分之五十)。例如，如果SWR从低于2.25：1增加到2.5：1，并且第二阈值电平是2.25：1的SWR，那么衰减增加(或增益减少)固定量，例如约4.8分贝(例如，从百分之十到百分之三十)。注意，当第二阈值电平增加时，对于给定SWR，衰减水平降低。任选地，第二阈值电平将低于第一阈值电平。
任选地，第二阈值电平可以是一个或多个参数的线性和/或非线性函数。例如，如果反射功率电平由于正向功率电平低于正向功率阈值电平而低于反射功率阈值电平，则即使在延长的时间段内，反射功率也不会损坏功率放大器104。反射功率电平是否低于反射功率阈值电平可以通过确定正向电压电平是否低于正向电压阈值电平和/或反向电压电平是否低于反向电压阈值电平来确定。因此，例如，第二阈值电平可以是正向电压电平和/或反向电压电平的函数。通常，如果正向电压电平低于正向电压阈值电平和/或反向电压电平低于反向电压阈值电平，则第二阈值电平将增加。第二阈值电平可以增加得足够高以有效地禁用控制环路，以保护功率放大器104免受长时间暴露于高电平反射功率的影响，但仅在正向电压电平低于正向电压阈值电平和/或反向电压电平低于反向电压阈值电平时。
为了防止功率放大器104饱和，功率控制处理系统的调整基于正向电压的线性或非线性函数。正向电压与正向功率的电平成比例，并且因此与功率放大器104的输入处的功率电平相关。当正向电压等于或超过第三阈值电平时，调整功率控制系统102。分别增加或减小功率控制系统102的衰减或增益，直到正向电压小于或等于第三阈值电平。任选地，第三阈值电平对应于功率放大器104的处于或低于功率放大器104饱和时的输出功率电平的输出功率电平。另外，第一阈值电平、第二阈值电平和/或第三阈值电平可以存储在功率控制处理电路110中和/或由该功率控制处理电路生成。此外，第一阈值电平、第二阈值电平和/或第三阈值电平可以通过测试对应的功率放大器104和/或执行数学分析来确定。
任选地，至少一个传感器(一个或多个传感器)116耦合到功率控制处理电路110。至少一个传感器116可以用于基于传感器116进行的参数测量来调整第一控制信号112。如随后将示出的，在一个实施例中，至少一个传感器116中的一个可以是温度传感器。然而，可以使用其它(一个或多个)传感器，例如湿度传感器。
功率控制处理电路110可以用模拟和/或数字电路实现。例如，功率控制处理电路110可以仅用电子模拟电路实现，所述电子模拟电路包括用于实现电子模拟计算机的电路。替代地，功率控制处理电路110可以用模拟和数字电路的混合来实现。现在将描述使用模拟和数字电路两者的功率控制处理电路110的一个实施例。
图2示出了功率控制处理电路210的一个实施例的框图。所示功率控制处理电路210包括处理系统220、比较器222和开关226。任选地，功率控制处理电路210包括放大器224和/或延迟电路228。任选地，处理系统220被配置成耦合到至少一个传感器116，例如温度传感器。
处理系统220耦合到功率检测器电路108，并被配置成接收正向信号107和反向信号109。处理系统220生成和/或存储第一阈值电平，例如第一阈值电压电平。第一阈值电平225从处理系统220的第一输出耦合到比较器222的第一输入。比较器222的第二输入耦合到功率检测器电路108，并被配置成接收反向信号109。
通常，第一控制信号112由随后描述的第二控制信号223确定。使用本文中所描述的技术生成第二控制信号223，以防止功率放大器104饱和或因长时间暴露于高反射功率而损坏。然而，如果反向信号109的电压电平变得大于第一阈值电平225，则开关226从第一状态(断开或接通)变为第二状态(接通或断开)，从而生成第三控制信号221。接着，第一控制信号112基本上由开关226的第一端口处的电压，例如第三控制信号221确定。在延迟周期之后，开关226从第二状态返回到第一状态，并且第一控制信号112再次由第二控制信号223确定。
现在将描述开关226的操作。比较器222在比较器222的输出处根据反向信号109的电压电平是否超过第一阈值电平225而生成二进制输出。比较器222的输出耦合到开关226的控制端口，例如晶体管或继电器。任选地，开关226具有耦合到电压V1的第二端口。如果反向电压超过第一阈值电平225，则开关226被致动，例如接通或断开，从而在第一端口处生成电压电平为V1的信号，即第一控制信号112。电压电平为V1的第一控制信号112使功率控制系统102将其衰减或增益分别增加或减小例如较大量；例如，可以将衰减或增益分别增加到最大水平或减小到最小水平。在一个实施例中，开关226是N沟道增强模式金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，例如ON Semiconductor公司的型号BSS138；MOSFET的栅极、漏极和源极将分别耦合到比较器222的输出、第一控制信号112(或任选地，延迟电路)和电压V1。
在反向信号109的电压电平等于或小于第一阈值电平225之后，或(任选地)如果开关被以其它方式禁用，开关226的状态例如分别反转至断开或接通，如随后将示出的那样。
第一阈值电平225是常数。任选地，第一阈值电压电平是可变的，并且是例如由至少一个传感器116测量的参数的函数。一个此类参数是功率放大器104周围的环境的环境温度；环境温度将由耦合到处理系统220的温度传感器测量。此类温度传感器可以是热敏电阻器、热电偶和/或电阻温度检测器。
来自处理系统110的第一阈值电平225仅随着此类参数改变而改变。环境温度通常随时间相对缓慢地变化，并且因此可以视为常数。
上述控制路径可以被称为“快速路径”227，因为所有处理基本上是基于功率检测器电路108、第一比较器112和开关114的操作实时执行的。由于上述原因，即使是参数(例如温度)的函数，第一阈值电平225通常也可以被视为常数。快速路径227足够快，以防止例如由于来自LTE和UMTS中的复杂调制信号的功率尖峰，大电平的反射功率在短时间段内损坏功率放大器104。
在冷或热的温度下，不同于正常环境温度范围(例如，零到四十摄氏度)，功率放大器104可能容易受到来自更低或更高电平的反射功率的损坏。因此，随着温度变化，第一阈值电压电平可以根据情况线性或非线性地变化，例如，降低和/或增加。例如，当温度低于第一阈值温度和/或高于第二阈值温度时，第一阈值电平225可以降低。
现在将描述根据此类环境温度实施第一阈值电平225的任选实施例。功率放大器104将事先在宽温度范围内被分析，以确定在各种温度下将瞬时或在短时间段内损坏功率放大器104的反射功率的电平。使用此类测量值，第一阈值电压(相对于温度)被确定，并且可以由函数和/或查找表表示。例如，曲线拟合技术可以用于确定该函数，或者插补技术可以用于基于有限的数据测量值确定查找表。所述函数可以是线性和/或非线性函数。
用于生成第一阈值电平225的函数和/或查找表可以被编程到处理系统220，例如该处理系统的存储器电路中。类似地，用于生成第二控制信号223的函数和/或查找表可以被编程到处理系统220，例如该处理系统的存储器电路中。此第二控制信号223在处理系统220的第二输出处提供。函数可以是线性和/或非线性函数，并且取决于由传感器116测量的参数值，例如温度。
当比较器222未激活开关226时(例如，当反向信号109小于或等于第一阈值电平225时)，第一控制信号由第二控制信号223确定。任选地，第二控制信号223被放大器224放大。放大器224可以是具有被配置成接收第二控制信号223的第一输入和被配置成接收电压V2的第二输入的运算放大器。放大器224在其输出处提供经放大的第二控制信号，如果开关226未如上所述被激活，则经放大的第二控制信号即为第一控制信号112。上述控制路径还可被称为“慢速路径”229，因为来自功率检测器电路108的信号必须由处理系统220处理，因此处理基本上不是实时执行的。
任选地，放大器224的输出和开关226的第一端口耦合到延迟电路228。延迟电路228被配置成：
(a)在将DC功率供应到功率放大器104之后的第一时间段内，使功率控制系统102例如高度地衰减功率放大器104的输入处的信号的功率电平，以防止在短时间段内过度反射功率损坏功率放大器104；和/或
(b)防止快速路径227与慢速路径229之间的快速抖动。
例如，一旦快速路径227已经被激活，延迟电路228就防止慢速路径229被激活，直到例如200至3000微秒之间的固定时间段已经过去。当快速路径227被激活时，功率控制系统102的衰减或增益被分别设置为高或低水平。延迟电路228延迟激活慢速路径229(并因此延迟去活快速路径227)，以确保对功率放大器104的保护。因此，快速路径227(和第三控制信号221)优先于慢速路径229。
可以在功率控制处理电路218中以其它方式实现延迟电路228的功能，而无需使用延迟电路228；例如，任选的传感器，例如电压传感器，可以耦合到开关226的第一端口和处理系统220。传感器可以测量例如开关226的第一端口处的电压，并将该测量值传送到处理系统220的输入。当处理系统220检测到快速路径已被激活时，处理系统220可以调整，例如减小第二控制信号223的幅度，使得其在有限时间段内具有与第三控制信号221相同的电平。
在一个实施例中，处理系统220包括耦合到存储器电路的处理器电路，例如微控制器集成电路。任选地，如果需要模数转换器和/或数模转换器中的任何转换器，但其不包括在处理器电路中，那么处理系统220可以包括此类转换器。任选地，此类模数转换器将耦合到处理系统220的输入以将模拟信号转换成数字信号，且此类数模转换器将耦合到处理系统的输出以将数字信号转换成模拟信号。
图3示出了延迟电路328的一个实施例的示意图。延迟电路328包括第一电阻器R1和电容器C。开关226的第一端口耦合到第一电阻器R1的第一端口、电容器C的第一端口和功率控制系统102的第二输入。电容器C的第二端口耦合到第三电压V3。第一电阻器R1的第二端口耦合到处理系统220或任选的放大器224的输出。任选地，开关226是增强模式MOSFET，例如上文所述的那种。
选择第一电阻器R1和电容器C的值，以在具有功率放大器限制和保护系统的发射器前端100通电时保护功率放大器104。第一电阻器R1和电容器C的时间常数使第一控制信号112在相关联的时间延迟期间具有从低电压电平(例如，零伏)增加的电压电平，该电压电平使功率控制系统102分别从高衰减水平或低增益水平(例如，最大衰减或最小增益)逐渐减小衰减水平或增加增益水平。如果反向功率一开始过高，这防止了功率放大器104被损坏。任选地，第一电阻器R1具有在10千欧与100千欧之间的电阻，并且电容器C具有在3.9纳法与10纳法之间的电容。
任选地，延迟电路328包括用于限制通过开关226的电流的第二电阻器R2。如果使用第二电阻器R2，则第二电阻器R2插入开关226的第一端口与第一电阻器R1的第一端口之间，电容器C的第一端口与功率控制系统102的第二输入之间。任选地，第一电压V1、第二电压V2和第三电压V3分别为零伏、零伏和零伏。然而，第一电压V1、第二电压V2和/或第三电压V3可以是与先前提及的电压不同的电压。任选地，第二电阻器R2具有约100欧姆的值。
电阻值R2必须远小于电阻值R1，以确保延迟电路228延迟激活慢速路径229(并因此延迟去活快速路径227)。例如，R1必须比R2大至少一百倍。
任选地，V1和V3分别是零伏和零伏。在这种情况下，如果反向电压的电平超过第一阈值电平225，则比较器222产生能够将开关226的状态例如从打开改变到闭合(或反之)的电压电平，例如大于三伏。在这种条件下，电容器C放电，并且电容器两端的电压降低，例如降低到功率控制系统102将衰减设置为最大值或将增益设置为最小值的电平。放电时间相对快且基于时间常数，该时间常数通过将电容器C的电容值与MOSFET和(如果使用的话)任选的第二电阻器R2的电阻组合相乘来确定。
当反射功率的电平减小时，反向电压的电平也减小。如果反向电压的电平小于第一阈值电平225，开关226复位，即返回到其原始状态(从闭合到打开或反之)，并且放大器224的输出电压能够为电容器C充电，使得第一控制信号112再次由第二控制信号223确定。给电容器充电或再充电的时间取决于电容器C的电容值和R1的电阻值。
上文描述的功率放大器控制和保护技术和特征可以在各种类型的系统，例如通信系统中实施。例如，上文描述的功率放大器控制和保护技术和特征可以在各种类型的中继器系统中实施。中继器系统可以各种方式实施。
例如，中继器系统可以实现为分布式天线系统(DAS)。图4A示出了在其中实施本文描述的功率放大器控制和保护技术的分布式天线系统400A的一个实施例的框图。
DAS 400包括一个或多个主单元402，其经由一个或多个波导406，例如光纤或光缆，通信地耦合到一个或多个远程天线单元(RAU)404。每个远程天线单元404可以直接通信耦合到一个或多个主单元402，或经由一个或多个其它远程天线单元404和/或经由一个或多个扩展(或其它中间)单元408间接地耦合到所述一个或多个主单元。每个RAU 204被配置成耦合到一个或多个天线415。然而，在替代实施例中，RAU可以包括一个或多个天线。
DAS 400耦合到一个或多个基站403，并且被配置成改进由基站403提供的无线覆盖。每个基站403的容量可以专用于DAS，或者可以在DAS和与基站和/或一个或多个其它中继器系统位于同一位置的基站天线系统之间共享。
在图4A所示的实施例中，一个或多个基站403的容量专用于DAS 400并且与DAS400位于同一位置。基站403耦合到DAS 600。然而，应当理解，可以其它方式实施其它实施例。例如，一个或多个基站403的容量可以与DAS 400和与基站403位于同一位置的基站天线系统(例如，使用施主天线)共享。基站403可以包括用于提供商业蜂窝无线服务的一个或多个基站和/或用于提供公共和/或私人安全无线服务(例如，紧急服务组织(例如，警察、消防和紧急医疗服务)用于防止或应对伤害或危害人员或财产的事故的无线通信)的一个或多个基站。
基站403可以使用衰减器、组合器、分路器、放大器、滤波器、交叉连接等(有时统称为“接口点”或“POI”)的网络耦合到主单元402。此网络可以包括在主单元402中和/或可以与主单元402分开。这样做是为了在下行链路中，可以提取、组合基站403输出的所需一组RF信道，并将其路由到适当的主单元402，并且在上游，可以提取、组合主单元402输出的所需一组载波，并将其路由到每个基站403的适当接口。然而，应当理解，这是一个示例，并且可以其它方式实施其它实施例。
通常，每个主单元402包括被配置成从一个或多个基站403接收一个或多个下行链路信号的下行链路(D/L)DAS电路410。每个基站下行链路信号包括用于通过相关无线空中接口与用户设备414在下行链路方向上通信的一个或多个射频信道。通常，每个基站下行链路信号作为模拟射频信号被接收，但在一些实施例中，一个或多个基站信号以数字形式(例如，以符合通用公共无线电接口(“CPRI”)协议、开放无线电设备接口(“ORI”)协议、开放基站标准计划(“OBSAI”)协议或其它协议的数字基带形式)被接收。每个主单元402中的下行链路DAS电路410还被配置成生成从一个或多个基站下行链路信号导出的一个或多个下行链路传输信号，并将一个或多个下行链路传输信号传输到一个或多个远程天线单元404。
每个RAU 404被配置成接收从一个或多个主单元402传输到其的下行链路传输信号，并且使用所接收的下行链路传输信号来生成一个或多个下行链路射频信号，从与该远程天线单元404相关联的一个或多个天线辐射所述一个或多个下行链路射频信号，以供用户设备414接收。通过这种方式，DAS 400A增大了由基站403提供的下行链路容量的覆盖区域。
此外，每个RAU 404被配置成接收从用户设备414传输的一个或多个上行链路射频信号。这些信号是模拟射频信号。
每个RAU 404还被配置成生成从一个或多个远程上行链路射频信号导出的一个或多个上行链路传输信号，并将一个或多个上行链路传输信号传输到一个或多个主单元402。
每个主单元402包括上行链路(U/L)DAS电路416，其被配置成接收从一个或多个RAU 404传输到其的相应上行链路传输信号，并且使用所接收的上行链路传输信号来生成一个或多个基站上行链路射频信号，所述一个或多个基站上行链路射频信号被提供给与该主单元202相关联的一个或多个基站403。通常，这尤其涉及组合或汇总从多个RAU 404接收的上行链路信号，以便产生提供给每个基站203的基站信号。通过这种方式，DAS 400增大了由基站203提供的上行链路容量的覆盖区域。
每个扩展单元408包括下行链路DAS电路418，该下行链路DAS电路被配置成接收从主单元402(或另一个扩展单元408)传输到其的下行链路传输信号，并将下行链路传输信号传输到一个或多个RAU 404或其他下游扩展单元408。每个扩展单元408还包括上行链路DAS电路420，该上行链路DAS电路被配置成接收从一个或多个RAU 404或其它下游扩展单元408传输到其的相应上行链路传输信号，组合或汇总接收到的上行链路传输信号，并将组合的上行链路传输信号向上游传输到主单元402或另一扩展单元408。在其它实施例中，一个或多个远程天线单元404经由一个或多个其它远程天线单元404耦合到一个或多个主单元402(例如，其中远程天线单元404以菊花链或环形拓扑耦合在一起)。
下行链路DAS电路410、418和上行链路DAS电路416、420可以包括以下中的一个或多个：适当的连接器、衰减器、组合器、分路器、放大器、滤波器、双工器、发射/接收开关、模数转换器、数模转换器、电光转换器、光电转换器、混频器、现场可编程门阵列(FPGA)、微处理器、收发器、成帧器等，以实现上述特征。另外，主单元402和扩展单元408中的每一个中的相应下行链路和上行链路DAS电路可以共享公共电路和/或部件。
DAS 400可以使用数字传输、模拟传输或数字和模拟传输的组合来生成传输信号并在主单元402、远程天线单元404和任何扩展单元408之间传送该传输信号。DAS 400中的每个主单元402和扩展单元408还包括相应的控制器(CNTRL)412(或控制器电路)。使用一个或多个可编程处理器实现控制器412，所述一个或多个可编程处理器执行被配置成实施各种控制功能的软件。任选地，功率控制处理电路210或处理系统220可以是一个或多个控制器412的部分。
在本文中描述的本发明的实施例中，某些部件，例如处理电路、功率检测电路、查找表及其部件被例示为并入通信系统的特定区段，例如DAS的RAU中。然而，此类部件可以位于对应通信系统的其它区段，例如主单元、扩展单元和/或基站中。
图4B示出了在其中实施本文描述的功率放大器限制和保护系统技术的远程天线单元400B的一个实施例的框图。每个远程天线单元404包括下行链路DAS电路412，该下行链路DAS电路被配置成接收从一个或多个主单元402传输到其的下行链路传输信号，并且使用所接收的下行链路传输信号来生成一个或多个下行链路射频信号，从与远程天线单元404相关联的一个或多个天线415辐射所述一个或多个下行链路射频信号，以供用户设备414接收。通过这种方式，DAS 400增大了由基站403提供的下行链路容量的覆盖区域。每个RAU404的下行链路DAS电路412包括具有功率放大器限制和保护系统的至少一个发射器前端419，其例如对下行链路射频信号进行功率放大。
而且，每个远程天线单元404包括被配置成接收从用户设备414传输的一个或多个上行链路射频信号的上行链路DAS电路417。这些信号是模拟射频信号。
每个远程天线单元404中的上行链路DAS电路417还被配置成生成从一个或多个远程上行链路射频信号导出的一个或多个上行链路传输信号，并将一个或多个上行链路传输信号传输到一个或多个主单元402。每个RAU 404的上行链路DAS电路417可以包括至少一个接收器前端，其例如放大所接收的远程上行链路射频信号。
返回图4A，每个主单元402包括上行链路DAS电路416，该上行链路DAS电路被配置成接收从一个或多个远程天线单元404传输到其的相应上行链路传输信号，并且使用所接收的上行链路传输信号来生成一个或多个基站上行链路射频信号，所述一个或多个基站上行链路射频信号被提供给与该主单元402相关联的一个或多个基站403。通常，这尤其涉及组合或汇总从多个远程天线单元404接收的上行链路信号，以便产生提供给每个基站403的基站信号。通过这种方式，DAS 400增大了由基站403提供的上行链路容量的覆盖区域。
每个扩展单元408包括下行链路DAS电路418，该下行链路DAS电路被配置成接收从主单元402(或另一个扩展单元408)传输到其的下行链路传输信号，并将下行链路传输信号传输到一个或多个远程天线单元404或其他下游扩展单元408。每个扩展单元408还包括上行链路DAS电路420，该上行链路DAS电路被配置成接收从一个或多个远程天线单元404或其它下游扩展单元608传输到其的相应上行链路传输信号，组合或汇总接收到的上行链路传输信号，并将组合的上行链路传输信号向上游传输到主单元402或另一扩展单元408。在其它实施例中，一个或多个远程天线单元404经由一个或多个其它远程天线单元404耦合到一个或多个主单元402(例如，其中远程天线单元404以菊花链或环形拓扑耦合在一起)。
每个主单元402、远程天线单元404和扩展单元408中的下行链路DAS电路(D/L DAS电路)410、412、418和上行链路DAS电路(U/L DAS电路)416、417、420分别可以包括以下中的一个或多个：适当的连接器、衰减器、组合器、分路器、放大器、滤波器、同向双工器、双工器、发射/接收开关、模数转换器、数模转换器、电光转换器、光电转换器、混频器、现场可编程门阵列(FPGA)、微处理器、收发器、成帧器等，以实现上述特征。而且，下行链路DAS电路410、412、418和上行链路DAS电路416、417、420可以共享公共电路和/或部件。
DAS 400可以使用数字传输、模拟传输或数字和模拟传输的组合来生成传输信号并在主单元402、远程天线单元404和任何扩展单元408之间传送该传输信号。DAS 400中的每个主单元402、远程天线单元404和扩展单元408还包括相应的控制器(CNTRL)421。使用一个或多个可编程处理器实现控制器421，所述一个或多个可编程处理器执行被配置成实施各种控制功能的软件。可以其它方式(例如，在现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等中)实现控制器421(更具体地，由控制器421实施的各种控制功能)(或其部分)。功率放大器限制和保护系统100的部件，例如功率控制处理电路110或其一部分，可以并入例如远程天线单元404的控制器421中或并入分布式天线系统400中的另一控制器421或状态机中。
具有功率放大器限制和保护系统的至少一个发射器前端419包括上述具有功率放大器限制和保护系统的发射器前端100中的至少一个。此外，可以使用一个或多个同向双工器、双工器、发射/接收开关双工器和/或其它组合器系统的组合将下行链路DAS电路412(例如，包括至少一个发射器前端419)和上行链路DAS电路417耦合到一个或多个天线415。具有功率放大器限制和保护系统的发射器前端100可以例如并入远程天线单元404的控制器421中，或以其它方式并入到分布式天线系统600中的另一控制器421中。
中继器系统可以其它方式实施。例如，中继器系统可以实施为单节点中继器。图5示出了在其中实施本文描述的功率放大器限制和保护系统技术的单节点中继器500的一个实施例的框图。
单节点中继器500被配置成促进一个或多个基站503与用户设备514(例如，移动电话、平板电脑或计算机)之间的无线通信。此类无线通信可以通过通往基站503的上行链路中继器电路520和通往用户设备514的下行链路中继器电路512。
单节点中继器500包括被配置成从一个或多个基站503接收一个或多个下行链路信号的下行链路中继器电路512。这些信号在本文中也被称为“基站下行链路信号”。每个基站下行链路信号包括用于通过相关无线空中接口与用户设备(UE)514在下行链路方向上通信的一个或多个射频信道。通常，每个基站下行链路信号作为模拟射频信号被接收。
单节点中继器500中的下行链路中继器电路512还被配置成生成一个或多个下行链路射频信号，从与单节点中继器500相关联的一个或多个天线515辐射所述一个或多个下行链路射频信号，以供用户设备514接收。这些下行链路射频信号是模拟射频信号，并且在本文中也被称为“中继下行链路射频信号”。每个中继下行链路射频信号包括一个或多个下行链路射频信道，其用于通过无线空中接口与用户设备514通信。在此示范性实施例中，单节点中继器500是有源中继器系统，其中，下行链路中继器电路512包括一个或多个放大器(或其它增益元件)，所述一个或多个放大器用于控制和调整从一个或多个天线515辐射的中继下行链路射频信号的增益。下行链路中继器电路512包括具有功率放大器限制和保护系统的至少一个发射器前端519，其例如对中继下行链路射频信号进行功率放大。
而且，单节点中继器500包括被配置成接收从用户设备514传输的一个或多个上行链路射频信号的上行链路中继器电路520。这些信号是模拟射频信号，并且在本文中也被称为“UE上行链路射频信号”。每个UE上行链路射频信号包括用于通过相关无线空中接口与用户设备514在上行链路方向上通信的一个或多个射频信道。
单节点中继器500中的上行链路中继器电路520还被配置成生成提供到一个或多个基站503的一个或多个上行链路射频信号。这些信号在本文中也被称为“中继上行链路信号”。每个中继上行链路信号包括用于通过无线空中接口与用户设备514通信的一个或多个上行链路射频信道。在此示范性实施例中，单节点中继器500是有源中继器系统，其中，上行链路中继器电路520包括一个或多个放大器(或其它增益元件)，所述一个或多个放大器用于控制和调整向一个或多个基站503提供的中继上行链路射频信号的增益。通常，每个中继上行链路信号作为模拟射频信号提供给一个或多个基站503。上行链路中继器电路520可以包括至少一个接收器前端，其例如放大所接收的上行链路射频信号。
下行链路中继器电路512和上行链路中继器电路520可以包括以下中的一个或多个：适当的连接器、衰减器、组合器、分路器、放大器、滤波器、同向双工器、双工器、发射/接收开关、模数转换器、数模转换器、电光转换器、光电转换器、混频器、现场可编程门阵列(FPGA)、微处理器、收发器、成帧器等，以实现上述特征。而且，下行链路中继器电路512和上行链路中继器电路520可以共享公共电路和/或部件。
至少一个发射器前端519包括上述具有功率放大器限制和保护系统的发射器前端100中的至少一个。此外，可以使用两个或更多个同向双工器、双工器、发射/接收开关双工器和/或其它组合器系统的组合将下行链路DAS电路512(例如，包括至少一个发射器前端519)和上行链路DAS电路520耦合到一个或多个天线515。单节点中继器系统500还包括控制器(CNTRL)521。使用一个或多个可编程处理器实现控制器721，所述一个或多个可编程处理器执行被配置成实施各种控制功能的软件。可以其它方式(例如，在现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等中)实现控制器521(更具体地，由控制器521实施的各种控制功能)(或其部分)。功率放大器限制和保护系统100的部件，例如功率控制处理电路110或其一部分，可以并入例如单节点中继器系统700的控制器521中。
图6示出了功率放大器限制和保护方法600的一个实施例的流程图。在本文将图6所示的方法600的实施例描述为在结合图1-5所述的系统中实现的方面来说，应当理解，可以其它方式实现其他实施例。为了容易解释，已按照大致先后顺序的方式布置了流程图的框；不过，要理解的是，这种布置仅仅是示范性的，并且应当认识到，与方法(和图中所示的框)相关联的处理可以按照不同次序(例如，在并行地和/或以事件驱动方式执行与框相关联的处理中的至少一些的情况下)发生。
在框660中，测量功率放大器的输出处的反射功率和正向功率。任选地，为了保护功率放大器免受损坏，在向功率放大器提供DC功率之后的第一时间段期间，增加功率放大器的输入处的衰减或减小功率放大器的输入处的增益。任选地，在框662中，例如基于测量的参数(例如，功率放大器的环境温度、正向功率和/或反向功率)，确定第一阈值电平、第二阈值电平和第三阈值电平中的至少一个。
在框664中，确定反射功率是否等于或超过第一阈值电平。如果反射功率电平等于或超过第一阈值电平，则在框668中减小功率放大器的输入处的信号的功率电平。随后，前进到框670。如果反射功率电平不等于或不超过第一阈值电平，则前进到框670。
任选地，确定是否已执行框668；如果已执行框668，则延迟(一段时间)执行框670和框672中的至少一个框。另外，任选地，例如通过调整功率控制系统102，将功率放大器的输入处的信号的功率电平降低百分之五十或更多、百分之七十五或更多，或百分之九十九或更多。这防止了功率放大器在短时间段内受损。此外，任选地，第一阈值电平可以根据一个或多个参数(例如温度)而变化。
在框670中，确定功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过第二阈值电平。如果功率放大器的输出处的驻波比等于或超过第二阈值电平，则在框672中减小功率放大器的输入处的信号的功率电平和/或提供指示高驻波比的警报。任选地，将功率放大器的输入处的信号的功率电平降低百分之二十五或更多、百分之五十或更多，或百分之七十五或更多。任选地，由于功率放大器的输出处的驻波比等于或超过第二阈值电平造成的输入信号的功率电平的百分比降低小于由于反射功率的电平等于或超过第一阈值电平造成的输入信号的功率电平的百分比降低。警报可以是发送至网络运营商的消息或信号和/或具有功率放大器限制和保护系统的对应发射器前端100中的指示器(例如，闪光灯(例如LED)，和/或由扬声器产生的声音)，以向维护人员标识故障部件。
任选地，在功率放大器104的输入处仅提供噪声(而不是用于传输的实际信号)，并且噪声的功率用于生成正向功率且因此生成反向功率，从而确定驻波比。可以在诊断测试具有功率放大器限制和保护系统的发射器前端100期间提供噪声。噪声可以由低功率噪声源提供或来自发射器的固有操作，所述发射器耦合到具有功率放大器限制和保护系统的发射器前端100的输入。由于噪声的功率电平较低，因此反射功率损坏功率放大器104的风险低或不存在。
随后，前进到框674。如果功率放大器的输出处的驻波比不等于或不超过第二阈值电平，则前进到框674。
在框674中，确定从功率放大器输出的功率或正向功率是否等于或超过第三阈值电平。如果从功率放大器输出的功率等于或超过第三阈值电平，则在框676中减小功率放大器的输入处的信号的功率电平，直到从功率放大器输出的功率小于或等于第三阈值功率电平，和/或提供指示自动限制控制功能已被启用的警报。警报可以是发送至网络运营商的消息或信号和/或具有功率放大器限制和保护系统的对应发射器前端100中的指示器，例如，闪光灯(例如LED)，以向维护人员标识故障部件。随后，前进到框660。如果从功率放大器输出的功率不等于或超过第三阈值，则前进到框660。
本文中描述的处理器电路可以包括一个或多个微处理器、微控制器、数字信号处理(DSP)元件、专用集成电路(ASIC)、复杂可编程逻辑装置和/或现场可编程门阵列(FPGA)。在此示范性实施例中，处理器电路包括用于执行本文描述的方法中使用的各种过程任务、计算和控制功能的软件程序、固件或其它计算机可读指令，或与所述软件程序、固件或其它计算机可读指令一起发挥作用。这些指令通常具体地体现在用于存储计算机可读指令或数据结构的任何存储介质(或计算机可读介质)上。
本文中所描述的存储器电路可以用可由通用或专用计算机或处理器或任何可编程逻辑装置访问的任何可用存储介质(或计算机可读介质)实施。合适的计算机可读介质可以包括诸如半导体、磁介质和/或光学介质的存储或储存介质。例如，计算机可读介质可以包括常规硬盘、压缩式光盘—只读存储器(CD-ROM)、DVD、易失性或非易失性介质，例如随机存取存储器(RAM)(包括，但不限于动态随机存取存储器(DRAM))、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和/或闪存。上述的组合也包括在计算机可读介质的范围内。
示范性实施例
示例1包括一种方法，包括：测量功率放大器的输出处的反射功率和正向功率；确定所述反射功率是否等于或超过第一阈值电平；如果所述反射功率等于或超过所述第一阈值电平，则减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平；确定所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过第二阈值电平；如果所述功率放大器的输出处的驻波比等于或超过所述第二阈值电平，则执行以下操作中的至少一项：(a)减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平，以及(b)发送警报；确定从所述功率放大器输出的功率是否等于或超过第三阈值电平；以及如果从所述功率放大器输出的功率等于或超过所述第三阈值电平，则执行以下操作中的至少一项：(a)减少所述功率放大器的输入处的信号的功率电平，直到此功率电平小于或等于所述第三阈值，以及(b)发送警报。
示例2包括根据示例1所述的方法，还包括在将DC功率供应到所述功率放大器之后的第一时间段内，在所述功率放大器的输入处增加衰减或减小增益。
示例3包括根据示例1-2中任一示例所述的方法，还包括基于至少一个测量的参数确定以下中的至少一者：第一阈值电平、第二电平和第三电平。
示例4包括根据示例1-3中任一示例所述的方法，还包括：确定所述功率放大器的输入处的信号的功率电平是否已经由于高反射功率而减小；如果所述功率放大器的输入处的信号的功率电平已经由于高反射功率而减小，则延迟执行以下操作中的至少一项：(a)确定所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过所述第二阈值电平，以及(b)由于驻波比等于或超过第二阈值电平而减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平。
示例5包括根据示例1-4中任一示例所述的方法，还包括在所述功率放大器的输入处提供噪声以确定驻波比。
示例6包括根据示例1-5中任一示例所述的方法，其中，所述警报包括以下各项中的至少一者：(a)发送至网络运营商的消息或信号；以及(b)具有功率放大器限制和保护系统的对应发射器前端中的指示器。
示例7包括一种系统，包括：具有输入和输出的功率控制系统；具有输入端口、输出端口、正向耦合端口和反向耦合端口的至少一个耦合器；功率放大器，所述功率放大器具有耦合到所述功率控制系统的输出的输入和耦合到所述至少一个耦合器的输入端口的输出；功率检测器电路，所述功率检测器电路具有耦合到所述正向耦合端口和所述反向耦合端口的至少一个输入，以及至少一个输出；功率控制处理电路，所述功率控制处理电路具有耦合到所述功率检测器电路的至少一个输出的至少一个输入，以及耦合所述功率控制系统的输入的输出；并且其中所述功率控制处理电路被配置成：确定反射功率是否等于或超过第一阈值电平；如果所述反射功率等于或超过所述第一阈值电平，则使所述功率控制系统减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平；确定所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过第二阈值电平；如果所述功率放大器的输出处的驻波比等于或超过所述第二阈值电平，则执行以下操作中的至少一项：(a)使所述功率控制系统减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平，以及(b)发送警报；确定从所述功率放大器输出的功率是否等于或超过第三阈值电平；以及如果从所述功率放大器输出的功率等于或超过所述第三阈值电平，则执行以下操作中的至少一项：(a)使所述功率控制系统减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平，直到此功率电平小于或等于所述第三阈值，以及(b)发送警报。
示例8包括根据示例7所述的系统，其中，功率控制处理电路还被配置成在将DC功率供应到功率放大器之后的第一时间段内，在功率控制系统中增加衰减或减小增益。
示例9包括根据示例7-8中任一示例所述的系统，其中，所述功率控制处理电路还被配置成基于至少一个测量的参数确定第一阈值电平、第二电平和第三电平中的至少一者。
示例10包括根据示例7-9中任一示例所述的系统，其中，功率控制处理电路还被配置成延迟以下操作中的至少一项：(a)确定所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过所述第二阈值电平，以及(b)由于所述驻波比等于或超过第二阈值电平而减小功率放大器的输入处的信号的功率电平。
示例11包括根据示例7-10中任一示例所述的系统，还包括耦合到功率控制处理电路的至少一个传感器。
示例12包括根据示例11所述的系统，其中，至少一个传感器中的至少一个是温度传感器。
示例13包括根据示例7-12中任一示例所述的系统，其中，所述功率控制处理电路还被配置成当在所述功率放大器的输入处仅提供噪声时确定所述驻波比。
示例14包括根据示例7-13中任一示例所述的系统，其中，所述警报包括以下各项中的至少一者：(a)发送至网络运营商的消息或信号；以及标识所述系统的指示器。
示例15包括根据示例8-14中的任一示例所述的系统，其中，在所述功率检测器电路的至少一个输出处提供正向信号和反向信号；其中，所述功率控制处理电路包括：具有至少一个输入的处理系统，所述至少一个输入耦合到所述功率检测器电路的至少一个输出并且被配置成接收所述正向信号和所述反向信号；其中，所述处理系统被配置成提供第一阈值电平和第一控制信号；其中，所述第一控制信号基于所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过第二阈值电平以及从所述功率放大器输出的功率是否等于或超过所述第三阈值电平而变化；其中，所述第一控制信号被配置成使所述功率控制系统改变所述功率放大器的输入处的信号的功率电平；比较器，所述比较器具有输出、被配置成接收所述反向信号的第一输入，以及被配置成接收所述第一阈值电平的第二输入；开关，所述开关具有耦合到所述比较器的输出的控制端口以及耦合到所述功率控制系统的输入的第一端口；其中，所述比较器被配置成使所述开关在所述反射功率超过所述第一阈值电平时改变状态，并且使所述开关生成第二控制信号；并且其中，所述第二控制信号被配置成使所述功率控制系统减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平；并且其中，所述功率控制系统的输入耦合到所述功率控制处理电路且被配置成接收所述第一控制信号和所述第二控制信号。
示例16包括根据示例15所述的系统，其中，所述功率控制处理电路还包括延迟电路，所述延迟电路：(a)耦合到处理系统并且被配置成接收第一控制信号，(b)耦合到开关的第一端口并且被配置成接收第二控制信号，以及(c)耦合到功率控制系统的输入。
示例17包括根据示例15-16中任一示例所述的系统，其中，所述功率控制处理电路还包括放大器，所述放大器具有耦合到处理系统且被配置成接收第一控制信号的输入，以及耦合到功率控制系统和开关的第一端口的输出。
示例18包括根据示例7-17中任一示例所述的系统，其中，系统包括分布式天线系统的远程天线单元和单节点中继器中的一者。
示例19包括一种系统，包括：具有输入和输出的功率控制系统；具有输入端口、输出端口、正向耦合端口和反向耦合端口的至少一个耦合器；功率放大器，所述功率放大器具有耦合到所述功率控制系统的输出的输入以及耦合到所述至少一个耦合器的输入端口的输出；功率检测器电路，所述功率检测器电路具有耦合到所述正向耦合端口和所述反向耦合端口的至少一个输入，以及至少一个输出；其中，在所述功率检测器电路的至少一个输出处提供正向信号和反向信号；处理系统，所述处理系统包括耦合到存储器电路的处理电路，具有至少一个输入，所述至少一个输入耦合到所述功率检测器电路的至少一个输出并且被配置成接收所述正向信号和所述反向信号；其中，所述处理系统被配置成提供第一阈值电平和第一控制信号；其中，所述功率控制系统的输入耦合到处理系统并被配置成接收第一控制信号；其中，所述第一控制信号基于所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过第二阈值电平以及从所述功率放大器输出的功率是否等于或超过所述第三阈值电平而变化；其中，所述第一控制信号被配置成使所述功率控制系统改变所述功率放大器的输入处的信号的功率电平；比较器，所述比较器具有输出、被配置成接收所述反向信号的第一输入，以及被配置成接收所述第一阈值电平的第二输入；开关，所述开关具有耦合到所述比较器的输出的控制端口，以及耦合到所述功率控制系统的输入的第一端口；其中，所述比较器被配置成使所述开关在所述反射功率超过所述第一阈值电平时改变状态，并且使所述开关生成第二控制信号；并且其中，所述第二控制信号被配置成使所述功率控制系统减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平。
示例20包括根据示例19所述的系统，其中，所述功率控制处理电路还包括延迟电路，所述延迟电路耦合到(a)处理系统并且被配置成接收第二控制信号，(b)开关的第一端口，以及(c)功率控制系统的输入。
示例21包括根据示例20所述的系统，其中，所述延迟电路包括：具有第一端口和第二端口的电阻器，其中，所述电阻器的第一端口耦合到所述处理系统并且被配置成接收所述控制信号；具有耦合到所述电阻器的第二端口和所述开关的第一端口的端口的电容器。
示例22包括根据示例19-21中任一示例所述的系统，还包括放大器，所述放大器具有耦合到处理系统且被配置成接收第一控制信号的输入，以及耦合到功率控制系统和开关的第一端口的输出。
示例23包括根据示例19-22中任一示例所述的系统，其中，系统包括分布式天线系统的远程天线单元和单节点中继器中的一者。
术语“约”或“基本上”指示指定的值或参数可以稍微改变，只要改变不会导致过程或结构与所示出的实施例不一致即可。最后，“示范性”指示描述被用作示例，而不是暗示其是理想的。
已描述了由所附权利要求书限定的本发明的多个实施例。然而，应当理解，可以在不脱离所要求保护的本发明的精神和范围的情况下对所描述实施例进行各种修改。因此，其它实施例也在所附权利要求书的范围内。因此，显然意在使本发明仅受到权利要求及其等同物的限制。

Claims (23)

1.以下为示范性权利要求。权利要求并非意在穷举或限制。申请人保留对涉及本申请启 用的主题提出其他权利要求的权利。
一种方法，所述方法包括：
测量功率放大器的输出处的反射功率和正向功率；
确定所述反射功率是否等于或超过第一阈值电平；
如果所述反射功率等于或超过所述第一阈值电平，则减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平；
确定所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过第二阈值电平；
如果所述功率放大器的输出处的驻波比等于或超过所述第二阈值电平，则执行以下操作中的至少一项：(a)降低所述功率放大器的输入处的信号的功率电平，以及(b)发送警报；
确定从所述功率放大器输出的功率是否等于或超过第三阈值电平；以及
如果从所述功率放大器输出的功率等于或超过所述第三阈值电平，则执行以下操作中的至少一项：(a)减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平直到此功率电平小于或等于所述第三阈值，以及(b)发送警报。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括在将DC功率供应到所述功率放大器之后的第一时间段内，在所述功率放大器的输入处增加衰减或减小增益。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括基于至少一个测量的参数确定以下中的至少一个：第一阈值电平、第二电平和第三电平。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
确定所述功率放大器的输入处的信号的功率电平是否已经由于高反射功率而减小；
如果所述功率放大器的输入处的信号的功率电平已经由于高反射功率而减小，则延迟执行以下操作中的至少一项：(a)确定所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过所述第二阈值电平，以及(b)由于所述驻波比等于或超过所述第二阈值电平而减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述功率放大器的输入处提供噪声以确定所述驻波比。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述警报包括以下中的至少一者：(a)发送至网络运营商的消息或信号；以及(b)具有功率放大器限制和保护系统的对应发射器前端中的指示器。
7.一种系统，所述系统包括：
功率控制系统，所述功率控制系统具有输入和输出；
至少一个耦合器，所述至少一个耦合器具有输入端口、输出端口、正向耦合端口和反向耦合端口；
功率放大器，所述功率放大器具有耦合到所述功率控制系统的输出的输入，以及耦合到所述至少一个耦合器的输入端口的输出；
功率检测器电路，所述功率检测器电路具有耦合到所述正向耦合端口和所述反向耦合端口的至少一个输入，以及至少一个输出；
功率控制处理电路，所述功率控制处理电路具有耦合到所述功率检测器电路的至少一个输出的至少一个输入，以及耦合到所述功率控制系统的输入的输出；并且
其中，所述功率控制处理电路被配置成：
确定反射功率是否等于或超过第一阈值电平；
如果所述反射功率等于或超过所述第一阈值电平，则使所述功率控制系统减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平；
确定所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过第二阈值电平；
如果所述功率放大器的输出处的驻波比等于或超过所述第二阈值电平，则执行以下操作中的至少一项：(a)使所述功率控制系统减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平，以及(b)发送警报；
确定从所述功率放大器输出的功率是否等于或超过第三阈值电平；以及
如果从所述功率放大器输出的功率等于或超过所述第三阈值电平，则执行以下操作中的至少一项：(a)使所述功率控制系统减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平直到此功率电平小于或等于所述第三阈值，以及(b)发送警报。
8.根据权利要求7所述的系统，其中，所述功率控制处理电路还被配置成在将DC功率供应到所述功率放大器之后的第一时间段内，在所述功率控制系统中增加衰减或减小增益。
9.根据权利要求7所述的系统，其中，所述功率控制处理电路还被配置成基于至少一个测量的参数确定第一阈值电平、第二电平和第三电平中的至少一个。
10.根据权利要求7所述的系统，其中，所述功率控制处理电路还被配置成延迟以下操作中的至少一项：(a)确定所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过所述第二阈值电平，以及(b)由于所述驻波比等于或超过所述第二阈值电平而减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平。
11.根据权利要求7所述的系统，还包括耦合到所述功率控制处理电路的至少一个传感器。
12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述至少一个传感器中的至少一个是温度传感器。
13.根据权利要求7所述的系统，其中，所述功率控制处理电路还被配置成当在所述功率放大器的输入处仅提供噪声时确定所述驻波比。
14.根据权利要求7所述的系统，其中，所述警报包括以下中的至少一者：(a)发送至网络运营商的消息或信号；以及标识所述系统的指示器。
15.根据权利要求8所述的系统，
其中，在所述功率检测器电路的至少一个输出处提供正向信号和反向信号；
其中，所述功率控制处理电路包括：
具有至少一个输入的处理系统，所述至少一个输入耦合到所述功率检测器电路的至少一个输出并且被配置成接收所述正向信号和所述反向信号；
其中，所述处理系统被配置成提供第一阈值电平和第一控制信号；
其中，所述第一控制信号基于所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过第二阈值电平，以及从所述功率放大器输出的功率是否等于或超过所述第三阈值电平而变化；
其中，所述第一控制信号被配置成使所述功率控制系统改变所述功率放大器的输入处的信号的功率电平；
比较器，所述比较器具有输出、被配置成接收所述反向信号的第一输入，以及被配置成接收所述第一阈值电平的第二输入；
开关，所述开关具有耦合到所述比较器的输出的控制端口，以及耦合到所述功率控制系统的输入的第一端口；
其中，所述比较器被配置成使所述开关在所述反射功率超过所述第一阈值电平时改变状态，并且使所述开关生成第二控制信号；并且
其中，所述第二控制信号被配置成使所述功率控制系统减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平；并且
其中，所述功率控制系统的输入耦合到所述功率控制处理电路，并且被配置成接收所述第一控制信号和所述第二控制信号。
16.根据权利要求15所述的系统，其中，所述功率控制处理电路还包括延迟电路，所述延迟电路：(a)耦合到所述处理系统并且被配置成接收所述第一控制信号，(b)耦合到所述开关的第一端口并且被配置成接收所述第二控制信号，以及(c)耦合到所述功率控制系统的输入。
17.根据权利要求15所述的系统，其中，所述功率控制处理电路还包括放大器，所述放大器具有耦合到所述处理系统并且被配置成接收所述第一控制信号的输入，以及耦合到所述功率控制系统和所述开关的第一端口的输出。
18.根据权利要求7所述的系统，其中，系统包括分布式天线系统的远程天线单元和单节点中继器中的一者。
19.一种系统，所述系统包括：
功率控制系统，所述功率控制系统具有输入和输出
Figure FDA0002977674400000041
至少一个耦合器，所述至少一个耦合器具有输入端口、输出端口、正向耦合端口和反向耦合端口；
功率放大器，所述功率放大器具有耦合到所述功率控制系统的输出的输入，以及耦合到所述至少一个耦合器的输入端口的输出；
功率检测器电路，所述功率检测器电路具有耦合到所述正向耦合端口和所述反向耦合端口的至少一个输入，以及至少一个输出；
其中，在所述功率检测器电路的至少一个输出处提供正向信号和反向信号；
处理系统，所述处理系统包括耦合到存储器电路的处理电路，具有至少一个输入，所述至少一个输入耦合到所述功率检测器电路的至少一个输出并且被配置成接收所述正向信号和所述反向信号；
其中，所述处理系统被配置成提供第一阈值电平和第一控制信号；
其中，所述功率控制系统的输入耦合到所述处理系统，并且被配置成接收所述第一控制信号；
其中，所述第一控制信号基于所述功率放大器的输出处的驻波比是否等于或超过第二阈值电平，以及从所述功率放大器输出的功率是否等于或超过所述第三阈值电平而变化；
其中，所述第一控制信号被配置成使所述功率控制系统改变所述功率放大器的输入处的信号的功率电平；
比较器，所述比较器具有输出、被配置成接收所述反向信号的第一输入，以及被配置成接收所述第一阈值电平的第二输入；
开关，所述开关具有耦合到所述比较器的输出的控制端口，以及耦合到所述功率控制系统的输入的第一端口；
其中，所述比较器被配置成使所述开关在反射功率超过所述第一阈值电平时改变状态，并且使所述开关生成第二控制信号；并且
其中，所述第二控制信号被配置成使所述功率控制系统减小所述功率放大器的输入处的信号的功率电平。
20.根据权利要求19所述的系统，其中，所述功率控制处理电路还包括延迟电路，所述延迟电路耦合到(a)所述处理系统并且被配置成接收所述第二控制信号，(b)所述开关的第一端口，以及(c)所述功率控制系统的输入。
21.根据权利要求20所述的系统，其中，所述延迟电路包括：
电阻器，所述电阻器具有第一端口和第二端口，其中，所述电阻器的第一端口耦合到所述处理系统并且被配置成接收所述控制信号；
电容器，所述电容器具有耦合到所述电阻器的第二端口和所述开关的第一端口的端口。
22.根据权利要求19所述的系统，还包括放大器，所述放大器具有耦合到所述处理系统并且被配置成接收所述第一控制信号的输入，以及耦合到所述功率控制系统和所述开关的第一端口的输出。
23.根据权利要求19所述的系统，其中，系统包括分布式天线系统的远程天线单元和单节点中继器中的一者。
CN201980060495.8A 2018-09-24 2019-09-23 用于功率放大器控制和保护的方法和设备 Pending CN112703670A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862735509P 2018-09-24 2018-09-24
US62/735,509 2018-09-24
PCT/EP2019/075577 WO2020064658A1 (en) 2018-09-24 2019-09-23 Methods and apparatuses for power amplifier control and protection

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112703670A true CN112703670A (zh) 2021-04-23

Family

ID=68072375

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980060495.8A Pending CN112703670A (zh) 2018-09-24 2019-09-23 用于功率放大器控制和保护的方法和设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11277211B2 (zh)
EP (1) EP3857706A1 (zh)
CN (1) CN112703670A (zh)
WO (1) WO2020064658A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022257775A1 (zh) * 2021-06-08 2022-12-15 中兴通讯股份有限公司 一种驻波检测方法及装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11165397B2 (en) * 2019-01-30 2021-11-02 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for true power detection
CN112180352B (zh) * 2020-08-24 2024-06-11 西安空间无线电技术研究所 一种高集成度的综合射频传感阵列系统
US20220360223A1 (en) * 2021-05-04 2022-11-10 Epirus, Inc. Systems and methods for dynamically adjusting parameters of an active electrical device
DE102022208504A1 (de) 2022-08-16 2024-02-22 Rolls-Royce Deutschland Ltd & Co Kg Rotor für eine elektrische Maschine eines Luftfahrzeugs
EP4345467A1 (en) * 2022-09-29 2024-04-03 INTEL Corporation Electronic circuitry, system, base station, mobile device and method
CN117459108B (zh) * 2023-10-17 2024-07-30 深圳市安特纳杰通信技术有限公司 一种无线微功率直放站

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4353037A (en) * 1980-08-11 1982-10-05 Motorola, Inc. Amplifier protection circuit
US20010003433A1 (en) * 1998-08-19 2001-06-14 Harris Corporation Power amplifier system having frequency and amplifier failure compensation
US20040121742A1 (en) * 2002-12-23 2004-06-24 Abrams Ted A. Apparatus and method to monitor and control power
CN101331685A (zh) * 2005-12-19 2008-12-24 索尼爱立信移动通讯有限公司 用于控制向无线移动终端中的天线的功率传送的装置、方法和计算机程序产品
US20140167975A1 (en) * 2012-12-17 2014-06-19 Itron, Inc. RF Dynamic Power Control and Radio Protection in Metering Devices
US20150015339A1 (en) * 2013-07-09 2015-01-15 Rfaxis, Inc. Power amplifier architectures with input power protection circuits
JP2015226157A (ja) * 2014-05-27 2015-12-14 富士通株式会社 無線装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3852669A (en) 1973-06-26 1974-12-03 Us Army Circuit to protect rf output amplifier against mismatch damage
US4122400A (en) 1976-11-08 1978-10-24 Rca Corporation Amplifier protection circuit
KR900001068B1 (ko) 1987-02-05 1990-02-26 금성전기 주식회사 전력 증폭기의 자동보호장치
US5994965A (en) 1998-04-03 1999-11-30 Cbs Corporation Silicon carbide high frequency high power amplifier
US7103329B1 (en) 2001-10-25 2006-09-05 Rockwell Collins, Inc. Adaptive feedback channel for radio frequency power amplifiers
CN203747758U (zh) 2014-03-21 2014-07-30 成都市金天之微波技术有限公司 一种功率放大器驻波保护电路

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4353037A (en) * 1980-08-11 1982-10-05 Motorola, Inc. Amplifier protection circuit
US20010003433A1 (en) * 1998-08-19 2001-06-14 Harris Corporation Power amplifier system having frequency and amplifier failure compensation
US20040121742A1 (en) * 2002-12-23 2004-06-24 Abrams Ted A. Apparatus and method to monitor and control power
CN101331685A (zh) * 2005-12-19 2008-12-24 索尼爱立信移动通讯有限公司 用于控制向无线移动终端中的天线的功率传送的装置、方法和计算机程序产品
US20140167975A1 (en) * 2012-12-17 2014-06-19 Itron, Inc. RF Dynamic Power Control and Radio Protection in Metering Devices
US20150015339A1 (en) * 2013-07-09 2015-01-15 Rfaxis, Inc. Power amplifier architectures with input power protection circuits
CN105594121A (zh) * 2013-07-09 2016-05-18 阿法克斯公司 带有输入功率保护电路的功率放大器
JP2015226157A (ja) * 2014-05-27 2015-12-14 富士通株式会社 無線装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
陈玉梅;钱光弟;龚兰;: "30MHz-512MHz宽带功率放大器的研制", 中国测试技术, no. 02, 30 March 2007 (2007-03-30), pages 142 - 145 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022257775A1 (zh) * 2021-06-08 2022-12-15 中兴通讯股份有限公司 一种驻波检测方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20200099457A1 (en) 2020-03-26
US11277211B2 (en) 2022-03-15
WO2020064658A1 (en) 2020-04-02
EP3857706A1 (en) 2021-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11277211B2 (en) Methods and apparatuses for power control
US11646702B2 (en) Methods and apparatuses for reflection measurements
CN105594121B (zh) 带有输入功率保护电路的功率放大器
CN102281113B (zh) 通信中继装置及其驻波比检测装置和方法
CA2566644A1 (en) Processor-controlled variable gain cellular network amplifier
WO2012145866A1 (en) Method, apparatus and system for determining voltage standing wave ratio in downlink period of radio communication
US8319580B2 (en) Attenuator
CN106209149B (zh) 一种射频电路及移动终端
US11303425B2 (en) Methods and apparatuses for automatic filter identification
KR20060026481A (ko) 데카르트 루프 송신기 및 이 송신기의 출력 레벨을조절하는 방법
US20130157720A1 (en) Tower mount amplifier and a method of using thereof
CN110492951B (zh) 一种射频反馈检测电路、天线组件以及电子设备
JP7392016B2 (ja) レーダーリミッタ歪み補償
US20220224366A1 (en) Indirect reflection detection for receiver circuitry protection in tdd transceivers
CN102904537A (zh) 一种时分双工系统的微弱无线信号放大器及控制方法
CN111211802B (zh) 可编程衰减器耦合装置、射频电路及电子设备
CA2607144A1 (en) Cellular network amplifier with automated output power control
KR101118653B1 (ko) 송신기의 ｐｉｎ 다이오드 리미터 회로
US20050107034A1 (en) Repeater for mobile communications system
CN202750049U (zh) 一种时分双工系统的微弱无线信号放大器
KR100560129B1 (ko) 송수신용 전력 증폭기 및 저잡음 증폭기를 이용한 이동통신 중계 시스템
JP3646906B2 (ja) 無線中継増幅装置
KR100667179B1 (ko) Ｔｄｄ 무선 시스템에서의 수신단 보호 장치 및 그 방법
KR100767311B1 (ko) 잡음 플로어 측정을 통해 역방향 이득을 제어하는이동통신망 광중계기의 도너 및 이동통신망 광중계기의도너에서 잡음 플로어 측정을 통해 역방향 이득을 제어하는방법
US20240267078A1 (en) Wireless rf front end circuit and wireless signal boosting device having the wireless rf front end circuit

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination