CN112689455B

CN112689455B - 一种基于相变材料的自适应电磁防护结构

Info

Publication number: CN112689455B
Application number: CN202110267474.2A
Authority: CN
Inventors: 张益�; 黄卡玛; 杨阳; 朱铧丞; 王策
Original assignee: Sichuan University
Current assignee: Sichuan University
Priority date: 2021-03-11
Filing date: 2021-03-11
Publication date: 2021-07-20
Anticipated expiration: 2041-03-11
Also published as: CN112689455A

Abstract

本申请提供一种基于相变材料的自适应电磁防护结构。旨在降低射频/微波信号传输线中大功率微波信号的功率，避免微波信号功率过大导致射频微波器件的损坏，而小功率微波信号在微波信号传输线中正常传输。所述结构包括：信号传输构件，相变材料块；相变材料块内置于信号传输构件内部；信号传输构件两端分别连接微波信号传输线；相变材料块未被加热至相变温度时，相变材料块表现半导体介质性能，以传导微波信号；相变材料块被加热至相变温度时，相变材料块表现金属性能，以反射部分微波信号。

Description

一种基于相变材料的自适应电磁防护结构

技术领域

本发明涉及电磁防护技术领域，特别是涉及一种基于相变材料的自适应电磁防护结构。

背景技术

随着电子技术的高速发展，超大规模、超高集成度的射频微波器件被广泛应用于无线通信，雷达等领域。部分射频微波器件对输入的微波信号功率非常敏感，如果不加以保护这些射频微波器件就会被大功率信号影响，导致器件无法工作甚至烧毁，从而使整个系统瘫痪。因此，研究电磁防护模块意义重大。

传统的电磁防护模块通常采用限幅器，理想限幅器能够使小信号无损通过，而对大功率信号进行吸收或者反射，达到功率保护作用。而实际的限幅器具有一定的插入损耗和隔离度，且其对输入功率的响应一般不能达到理想的限幅曲线。

在微波限幅器中PIN二极管是应用最广的功率控制器件，其原理是PIN二极管的非线性限幅机理。PIN二极管等效微波阻抗受微波功率控制，对小功率信号的衰减很小，只有很小的插入损耗，微波信号可以几乎无阻地通过，而微波大功率信号将使PIN 二极管产生电导率调制，衰减输入微波信号。但由于PIN二极管属于半导体器件，自身可承受的上限功率不高，在大功率微波辐射下容易击穿，且击穿后不可恢复。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种基于相变材料的自适应电磁防护结构，旨在降低在微波信号传输线中大功率的微波信号的功率，避免微波信号功率过大导致射频微波器件的损坏，而小功率微波信号在微波信号传输线中正常传输，同时本申请的基于相变材料的自适应电磁防护结构对于大功率微波信号具有更高的功率容量，即所能防护的微波信号功率更高，本申请的基于相变材料的自适应电磁防护结构不存在被大功率微波辐射击穿的问题。

本申请实施例第一方面提供了一种基于相变材料的自适应电磁防护结构，包括信号传输构件，相变材料块；所述相变材料块内置于所述信号传输构件内部；

所述信号传输构件两端分别连接微波信号传输线；

其中，所述相变材料块被所述微波信号传输线中传输的微波信号加热，所述微波信号提供的加热温度随所述微波信号的功率的增大而增大；

其中，在所述相变材料块的温度未被加热至相变温度时，所述相变材料块表现半导体介质性能，以传导所述微波信号传输线中的微波信号；

在所述相变材料块的温度被加热至所述相变温度时，所述相变材料块表现金属性能，以反射所述微波信号传输线中的部分微波信号。

可选地，所述相变材料块是由VO2制成的。

可选地，所述信号传输构件，包括：基底层，所述基底层包括由上至下的第一金属层、SIW基片层、第二金属层；

其中，还包括贯穿所述基底层的SIW金属过孔；在所述SIW基片层上开设有预设形状的贯穿孔，所述贯穿孔中填充所述相变材料块，且所述第一金属层覆盖所述相变材料块的上表面，所述第二金属层覆盖所述相变材料块的下表面；其中，所述第一金属层的两端分别连接所述微波信号传输线。

可选地，所述自适应电磁防护结构还包括：微带线输入端口和微带线输出端口，匹配结构；所述匹配结构用于匹配所连接的微波信号传输线的阻抗；

其中，所述匹配结构还包括：第一匹配结构、第二匹配结构；

所述微带线输入端口，通过所述第一匹配结构与所述第一金属层连接；

所述微带线输出端口，通过所述第二匹配结构与所述第一金属层连接；

其中，所述微带线输入端口和所述微带线输出端口分别连接微波信号传输线。

可选地，所述贯穿孔开设在所述SIW基片层的中心位置。

可选地，所述微波信号在由所述第一金属层、所述第二金属层以及所述SIW金属过孔所限制的SIW基片层区域内进行传输。

可选地，所述信号传输构件，包括：金属管腔、第三匹配结构；

所述金属管腔内部和所述第三匹配结构内部为形状相同的矩形中空结构；

所述金属管腔与所述第三匹配结构通过法兰连接，所述第三匹配结构内部充满空气，所述金属管腔内填充所述相变材料块，所述金属管腔内的剩余腔体充满空气；其中，所述金属管腔的一端和所述第三匹配结构的一端分别连接所述微波信号传输线。

可选地，所述第三匹配结构，用于匹配所述金属管腔的一端和所述第三匹配结构的一端分别连接的所述微波信号传输线的阻抗。

可选地，所述相变材料块填充在所述金属管腔的靠近所述法兰的一段腔体内。

可选地，所述微波信号在所述金属管腔和所述第三匹配结构的矩形中空结构内进行传输。

本申请实施例包括以下优点：

通过在微波信号传输线中加入本申请所提供的基于相变材料的自适应电磁防护结构，在微波信号传输线中传输的微波信号的功率达到一定程度时，将相变材料加热至相变温度，此时相变材料由半导体介质性能相变为金属性能，转变为金属性能的相变材料将部分反射在微波信号传输线中进行传输的微波信号，从而降低了原始传输的微波信号的功率，使得后端电路得到保护。本申请的基于相变材料的自适应电磁防护结构，通过连接到微波信号传输线中，降低在微波信号传输线中大功率微波信号的功率，避免微波信号功率过大导致射频微波器件的损坏，而小功率微波信号在微波信号传输线中正常传输，同时本申请的基于相变材料的自适应电磁防护结构对于大功率微波信号具有更高的功率容量，即所能防护的微波信号功率更高，以及，不存在被大功率微波辐射击穿的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一实施例示出的一种基于相变材料的自适应电磁防护结构的示意图；

图2是本申请一实施例示出的一种基于基片集成波导的相变材料的自适应电磁防护结构的示意图；

图3是本申请一实施例示出的一种基于矩形波导的相变材料的自适应电磁防护结构的示意图。

附图标记说明：

11-信号传输构件；12-相变材料块；21-第一金属层；22- SIW基片层；23-第二金属层；24- SIW金属过孔；25-微带线输入端口；26-微带线输出端口；27-第一匹配结构；28-第二匹配结构；31-金属管腔；32-第三匹配结构。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在对本申请所提供的基于相变材料的自适应电磁防护结构进行说明之前，下面首先对相关技术领域中的电磁防护模块进行简单说明。现有技术中的电磁防护模块通常采用限幅器。而微波限幅器中PIN二极管是应用最广的功率控制器件，其原理是PIN二极管的非线性限幅机理。PIN二极管等效微波阻抗受微波功率控制，对小功率信号的衰减很小，只有很小的插入损耗，微波信号可以几乎无阻地通过，而微波大功率信号将使PIN二极管产生电导率调制，衰减输入微波信号。但由于PIN二极管属于半导体器件，自身可承受的上限功率不高，使其在大功率微波辐射下容易击穿，且击穿后不可恢复的问题。

因此，本申请为克服相关技术中传统的PIN二极管自身可承受上限功率不高，且在微波信号功率过高导致PIN二极管击穿后不可恢复的问题。提供了一种基于相变材料的自适应电磁防护结构，该结构，对于大功率微波信号具有更高的功率容量，即所能防护的微波信号功率更高，同时不存在导致击穿的问题，同时对于可实现对微波信号功率进行调节的相变材料的相态变化是可逆的，不存在相态变化后不可恢复的问题。

在本申请中，图1是本申请一实施例示出的一种基于相变材料的自适应电磁防护结构的示意图。参照图1，本申请所提供的一种基于相变材料的自适应电磁防护结构，包括信号传输构件11，相变材料块12；所述相变材料块12内置于所述信号传输构件内部；所述信号传输构件两端分别连接微波信号传输线；其中，所述相变材料块12被所述微波信号传输线中传输的微波信号加热，所述微波信号提供的加热温度随所述微波信号的功率的增大而增大；其中，在所述相变材料块12的温度未被加热至相变温度时，所述相变材料块12表现半导体介质性能，以传导所述微波信号传输线中的微波信号；在所述相变材料块12的温度被加热至所述相变温度时，所述相变材料块12表现金属性能，以反射所述微波信号传输线中的部分微波信号。

在本实施例中，在本申请的后述内容都以自适应电磁防护结构指代本申请所提供的基于相变材料的自适应电磁防护结构。本申请所提供的自适应电磁防护结构包括信号传输构件，信号传输构件两端将分别连接微波信号传输线，而信号传输构件中内置一块相变材料块12。微波信号在微波信号传输线中进行传播的过程中，在通过信号传输构件时，微波信号将对其中的相变材料块12进行加热，相变材料块12的温度并随着微波信号功率的增加而增加。在相变材料块12的温度未被加热到相变温度时，相变材料块12表现为半导体介质性能，此时相变材料块12的电阻率较高，而电导率较低，此时在微波信号传输线中的微波信号几乎无反射地从相变材料块12处传输至后端电路；而当相变材料块12被加热到相变温度时，相变材料块12表现为金属性能，此时相变材料块12的电阻率较低，而电导率较高，此时在微波信号传输线中的微波信号在相变材料块12处被大部分反射，使得在微波信号传输线中的微波信号的功率降低后传输至后端电路，由此保护后端电路，防止因微波信号传输线中的微波信号功率过高，导致后端电路中的射频微波器件的损坏。从而实现对微波信号传输线中传输的微波信号的功率调节，在微波信号功率过大时，降低微波信号的功率，在微波信号功率较小时，微波信号在微波信号传输线中正常传输。微波信号传输线的结构具有多种，多种微波信号传输线的结构都可用于微波信号的传导，微波信号传输线的结构包括：基片集成波导结构（Substrate integrated waveguide，简称SIW）、共面波导结构（Coplanarwaveguide，简称CPW）、矩形波导结构、同轴线等。

优选地，本申请所提供的自适应电磁防护结构可连接在微波信号传输线的任意位置，如微波信号传输线起始端、微波信号传输线终点端，以及微波信号传输线路的中间位置；相变材料块12为规则的长方体，或圆柱体等结构。

在本申请中，所述相变材料块12是由VO2制成的。本申请中优选所述相变材料块12为二氧化钒（VO2），相变温度为68℃左右。可选地，相变材料块12还可以是VO2与其他材料（如SiC）混合或层叠制成的，以及通过VO2粉末与其他粉末混合烧结制成。

在本申请中，图2是本申请一实施例示出的一种基于基片集成波导的相变材料的自适应电磁防护结构的示意图。参照图2，本申请的自适应电磁防护结构中的所述信号传输构件包括：基底层，所述基底层包括由上至下的第一金属层、SIW基片层、第二金属层；其中，还包括贯穿所述基底层的SIW金属过孔；在所述SIW基片层上开设有预设形状的贯穿孔，所述贯穿孔中填充所述相变材料块，且所述第一金属层覆盖所述相变材料块的上表面，所述第二金属层覆盖所述相变材料块的下表面；其中，所述第一金属层的两端分别连接所述微波信号传输线。

在本实施例中，信号传输构件中的基底层由上至下包括了第一金属层21、SIW基片层22、第二金属层23。在基底层中贯穿设置多个SIW金属过孔24。在基底层中的SIW基片层22中开设一个预设形状的贯穿孔，该贯穿孔只贯穿SIW基片层22，未穿过第一金属层21和第二金属层23，在开设的贯穿孔中设置一个相变材料块12，该相变材料块12厚度与SIW基片层22厚度一致，相变材料块12的上表面与第一金属层21相接触，相变材料块12的下表面与第二金属层23相接触，第一金属层的两端连接微波信号传输线，微波信号将在微波信号传输线中进行传输。

优选地，预设形状的贯穿孔为长方体形状，也可以为圆柱形，三角形等规则形状。

将本申请所提供的基于相变材料的自适应电磁防护结构连接到微波信号传输线中，微波信号传输线中传输的微波信号将对本申请所提供的基于相变材料的自适应电磁防护结构中的相变材料块12加热。当相变材料块12的温度未被加热至相变温度时，相变材料块12表现半导体介质性能，相变材料块12的电阻率较高，微波信号传输线中的微波信号将正常传输；当相变材料块12的温度被加热至相变温度时，相变材料块12表现金属性能，相变材料块12的电阻率较低，相变材料块12将反射微波信号传输线中的大部分微波信号。

在本申请中，所述自适应电磁防护结构还包括：微带线输入端口25和微带线输出端口26，匹配结构；所述匹配结构用于匹配所连接的微波信号传输线的阻抗；其中，所述匹配结构还包括：第一匹配结构27、第二匹配结构28；所述微带线输入端口25，通过所述第一匹配结构27与所述第一金属层21连接；所述微带线输出端口26，通过所述第二匹配结构28与所述第一金属层21连接；其中，所述微带线输入端口25和所述微带线输出端口26分别连接微波信号传输线。

在本实施例中，以微带线向SIW基片层22中输入微波信号，以及通过微带线输出微波信号，而为保证在微波信号传输线中传播的微波信号的传输效率更高，需加入匹配结构。因此，本申请所提供的基于相变材料的自适应电磁防护结构的组成还包括微带线输入端口25、微带线输出端口26、匹配结构包括第一匹配结构27、第二匹配结构28。微带线输入端口25通过第一匹配结构27连接到第一金属层21，微带线输出端口26通过第二匹配结构28连接到第一金属层21。微带线输入端口25用于连接到微波信号传输线或微波信号源，微带线输出端口26用于连接到另一根微波信号传输线或负载。

优选的，对于向SIW基片层22中输入微波信号的匹配结构和输入方式有多种实施方式，在此，仅说明了以微带线作为输入和输出方式，以及以微带线匹配结构进行说明，对于其他多种向SIW基片层22中输入微波信号的输入和输出方式，以及其他匹配结构也应属于本申请所保护的范围。

在本申请中，所述贯穿孔开设在所述SIW基片层22的中心位置。在本实施例中，传输的微波信号大量集中于SIW基片层22的中间位置，而只有小部分微波信号在SIW基片层22的边缘位置传输，因此为使放置在贯穿孔中的相变材料块12反射微波信号的效率更高，将管穿孔设置在SIW基片层22的中心位置。

在本申请中，所述微波信号在由所述第一金属层21、所述第二金属层23以及所述SIW金属过孔24所限制的SIW基片层22区域内进行传输。

在本实施例中，微波信号在由第一金属层21、第二金属层23和两排SIW金属过孔24所限制的SIW基片层22区域内进行传输。微带线输入端口25将接收到微波信号源发出的微波信号，微带线输入端口25将接收到的微波信号通过第一匹配结构27，在由第一金属层21、第二金属层23和两排SIW金属过孔24所限制的SIW基片层22区域内进行传输，再由第二匹配结构28传输至微带线输出端口26。

在本实施例中，通过将本申请的自适应电磁防护结构连接到微波信号传输线中，在微波信号传输线中进行传输的微波信号将对本申请的自适应电磁防护结构中的SIW基片层22中的相变材料块12进行加热。当传输的微波信号功率较低，未将相变材料块12的温度加热至相变温度时，相变材料块12表现半导体介质性能，此时微波信号在加入了自适应电磁防护结构的微波信号传输线中正常传输，相变材料块12几乎不会对在自适应电磁防护结构中传输的微波信号进行反射；当传输的微波信号功率增大，直至将相变材料块12的温度加热至相变温度时，相变材料块12发生相态的变化，表现为金属性能，通过相变材料块12将第一金属层21和第二金属层23进行导通，此时微波信号传输至相变材料块12处大部分将被反射，剩余的未被发射的微波信号将继续在自适应电磁防护结构中传导，使得在自适应电磁防护结构中的微波信号的功率降低后传输至后端电路，由此保护后端电路，防止因传输的微波信号功率过高，导致后端电路中的射频微波器件的损坏。

图3是本申请一实施例示出的一种基于矩形波导的相变材料的自适应电磁防护结构的示意图。参照图3，本申请所提供的自适应电磁防护结构中的信号传输构建包括：金属管腔31、第三匹配结构32；所述金属管腔31和所述第三匹配结构32内部为形状相同的矩形中空结构；所述金属管腔31与所述第三匹配结构32通过法兰连接，所述第三匹配结构32内部充满空气，所述金属管腔31内靠近所述法兰的一段腔体填充所述相变材料块12，所述金属管腔31内的剩余腔体充满空气；其中，所述金属管腔31的一端和所述第三匹配结构32的一端分别连接所述微波信号传输线。

在本实施例中，本申请所提供的自适应电磁防护结构中的信号传输构建包括金属管腔31、第三匹配结构32，金属管腔31和第三匹配结构32内部都为形状相同的矩形中空结构。第三匹配结构32和金属管腔31通过法兰连接，金属管腔31内填充相变材料块12，第三匹配结构32和金属管腔31的剩余腔体部分充满空气。微波信号在第三匹配结构32内部和金属管腔31内部进行传输，其中，第三匹配结构32可以位于金属管腔31的任一侧，或者在金属管腔31两侧都可设置第三匹配结构32。金属管腔31的一端和第三匹配结构32的一端分别连接有微波信号传输线。

在本申请中，所述第三匹配结构32，用于匹配所述金属管腔的一端和所述第三匹配结构的一端分别连接的所述微波信号传输线的阻抗。

在本实施例中，微波信号是在微波信号传输线中传播，根据传输线理论，只有在负载阻抗与传输线阻抗相匹配时，才能保证微波信号的最大传输和最小反射。由于在微波信号传输线中加入了自适应电磁防护结构，而自适应电磁防护结构中的相变材料使原本的微波信号传输线形成了不连续结构，从而自适应电磁防护结构中需要在添加了相变材料后设置第三匹配结构，以使整个自适应电磁防护结构与微波信号传输线的阻抗相匹配。不同结构的第三匹配结构对应的第三匹配结构阻抗不同，通过选择指定结构的第三匹配结构与金属管腔进行适配，使适配了指定结构的第三匹配结构的自适应电磁防护结构的阻抗与微波信号传输线的阻抗相匹配，由此实现微波信号的良好传输，即微波信号的最大传输效率和最小反射量。

在本申请中，所述相变材料块12填充在所述金属管腔31的靠近所述法兰的一段腔体内。

在本申请中，所述微波信号在所述金属管腔和所述第三匹配结构的矩形中空结构内进行传输。

在本实施例中，通过将本申请的自适应电磁防护结构连接到微波信号传输线中，在微波信号传输线中进行传输的微波信号将对本申请的自适应电磁防护结构中金属管腔31内的相变材料块12进行加热。当传输的微波信号功率较低，未将相变材料块12的温度加热至相变温度时，相变材料块12表现半导体介质性能，此时微波信号在微波信号传输线中正常传输，相变材料几乎不会对微波信号传输线中传输的微波信号进行反射；当传输的微波信号功率增大，直至将相变材料块12的温度加热至相变温度时，相变材料块12发生相态的变化，表现为金属性能，此时相变材料块12将对传输至相变材料位置处的大部分微波信号都将被反射，剩余的未被反射的微波信号将继续在微波信号传输线中进行传导，使得在金属管腔31中的微波信号的功率降低后传输至后端电路，由此保护后端电路，防止因传输的微波信号功率过高，导致后端电路中的射频微波器件的损坏。

本申请的基于相变材料的自适应电磁防护结构，通过在微波信号传输线中加入具有相变材料的自适应电磁防护结构，在微波信号传输线中传输的微波信号的功率达到一定程度时，将相变材料加热至相变温度，此时相变材料由半导体介质性能相变为金属性能，转变为金属性能的相变材料将部分反射在微波信号传输线中进行传输的微波信号，从而降低了原始传输的微波信号的功率，从而使后端电路得到保护。降低在微波信号传输线中大功率的微波信号的功率，避免微波信号功率过大导致射频微波器件的损坏，而小功率微波信号在微波信号传输线中正常传输，同时本申请的基于相变材料的自适应电磁防护结构对于大功率微波信号具有更高的功率容量，即所能防护的微波信号功率更高，同时，不存在被大功率微波辐射击穿的问题。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种基于相变材料的自适应电磁防护结构，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims

1.一种基于相变材料的自适应电磁防护结构，其特征在于，包括信号传输构件，相变材料块；所述相变材料块内置于所述信号传输构件内部；

所述信号传输构件两端分别连接微波信号传输线；其中，微波信号在所述微波信号传输线中进行传播的过程中，通过所述信号传输构件；

在所述相变材料块的温度被加热至所述相变温度时，所述相变材料块表现金属性能，以使所述微波信号传输至相变材料块处大部分将被反射，剩余的未被发射的微波信号继续在自适应电磁防护结构中传导，使得在自适应电磁防护结构中的微波信号的功率降低后传输至后端电路。

2.根据权利要求1所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述相变材料块是由VO2制成的。

3.根据权利要求1所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述信号传输构件，包括：基底层，所述基底层包括由上至下的第一金属层、SIW基片层、第二金属层；

4.根据权利要求3所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述自适应电磁防护结构还包括：微带线输入端口和微带线输出端口，匹配结构；所述匹配结构用于匹配所连接的微波信号传输线的阻抗；

5.根据权利要求4所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述贯穿孔开设在所述SIW基片层的中心位置。

6.根据权利要求5所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述微波信号在由所述第一金属层、所述第二金属层以及所述SIW金属过孔所限制的SIW基片层区域内进行传输。

7.根据权利要求1所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述信号传输构件，包括：金属管腔、第三匹配结构；

8.根据权利要求7所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述第三匹配结构，用于匹配所述金属管腔的一端和所述第三匹配结构的一端分别连接的所述微波信号传输线的阻抗。

9.根据权利要求7所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述相变材料块填充在所述金属管腔的靠近所述法兰的一段腔体内。

10.根据权利要求7所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述微波信号在所述金属管腔和所述第三匹配结构的矩形中空结构内进行传输。