CN112688163A - 分布反馈式激光器的不规则反射镜结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种分布反馈式激光器的不规则反射镜结构，属于半导体技术领域，包括：第一种掺杂的半导体层、反射镜层、第二种掺杂的半导体层、多量子阱有源层和电极层；第一种掺杂的半导体层与多量子阱有源层之间设置有不规则反射镜结构。本发明通过反射镜对结区内光场分布的调制作用来增强光场密度，控制激光器的光电输出；通过在有源层下方加上一层金属反射镜，有源区发出的光子可以再度被反射回量子阱，一定程度上增加了反射回量子阱的光子数量，从而提升进入谐振腔内的光子数量，增加复合辐射的概率，达到提高出光效率和出光强度的效果。而且V型凹槽可以增加反射面积，反射出的光子密度较普通的反射镜高；进一步提高出光效率和出光强度。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种分布反馈式激光器的不规则反射镜结构。
背景技术
一个原子从高能阶降到低能阶时，会放出一个光子，叫做自发放光。原子在高能阶时受到一个光子的撞击，就会受激而放出另外一个相同的光子，变成两个光子，叫做受激放光。如果受激放光的过程持续产生，则所发出来的光子便会越来越多。只要我们把高能阶的原子数量控制在高于低能阶的原子数量，那么受激放光的过程就会持续产生，这种控制原子受激放光的装置我们称它为“光放大器”。
同时光线发射出去时是以光速朝各个方向前进的，为了让产生的光线能够被收集起来并持续放大加以利用，则必须利用叫做「谐振腔」的设备，把由光放大器所产生的光线用反射镜局限在一个特定的范围内，让光线可以来回反射，且由于光放大器所产生的光子是相同的，所以行进的方向也会相当一致。透过谐振腔的作用，能让光线行进的方向完全相同，也就是说拥有跟谐振腔相同方向的光线才会被放大，其余不同方向的光线都不会放大，这是产生激光的首要条件。
如图1所示，传统的结构包括自下而上依次设置的：第一种掺杂的半导体层101、反射镜层102、多量子阱有源层103、第二种掺杂的半导体层104和电极层105；
但是有源区的面积较大时，区域内的光场分布过于分散，并且可能被激光器中其他介质吸收，发光效率会受到影响；另外发光区域过于分散，对于某些需要发光强度更为聚焦的应用使用不便。
发明内容
本发明为解决公知技术中存在的技术问题，提供一种分布反馈式激光器的不规则反射镜结构，通过在有源层下方加上一层金属反射镜，有源区发出的光子可以再度被反射回量子阱，一定程度上增加了反射回量子阱的光子数量，从而提升进入谐振腔内的光子数量，增加复合辐射的概率，达到提高出光效率和出光强度的效果。而且V型凹槽可以增加反射面积，反射出的光子密度较普通的反射镜高。进一步提高出光效率和出光强度。
一种分布反馈式激光器的不规则反射镜结构，包括自下而上依次设置的：第一种掺杂的半导体层(101)、反射镜层(102)、多量子阱有源层(103)、第二种掺杂的半导体层(104)和电极层(105)；
在所述第一种掺杂的半导体层(101)与多量子阱有源层(103)之间设置有反射镜层(102)；在反射镜层(102)上设置有两个槽型反射镜(1021)。
进一步，所述两个槽型反射镜(1021)位于激光器脊波导两边沿正下方。
进一步，所述两个槽型反射镜(1021)为V型槽。
更进一步，在所述第一种掺杂的半导体层(101)与第二种掺杂的半导体层(104)外围覆盖有绝缘介质(106)。
进一步，上述第一种掺杂的半导体层(101)为N型或P型掺杂半导体。
进一步，上述第二种掺杂的半导体层(104)为P型或N型掺杂半导体。
本发明具有的优点和积极效果是：
本发明通过改变槽型反射镜的开口大小，调节有源区内光场的分布，进而提升进入谐振腔内的光子数量，增加复合辐射的概率，达到提高出光效率和出光强度的效果。而且V型凹槽可以增加反射面积，反射出的光子密度较普通的反射镜高。进一步提高出光效率和出光强度。
附图说明
图1是传统器件结构图；
图2是本发明第一优选实施例的结构图；
具体实施方式
为能进一步了解本发明的发明内容、特点及功效，兹例举以下实施例，并配合附图详细说明如下：
如图2所示，本发明的技术方案为：
一种分布反馈式激光器的不规则反射镜结构，包括自下而上依次设置的：第一种掺杂的半导体层101、反射镜层102、多量子阱有源层103、第二种掺杂的半导体层104和电极层105；
在所述第一种掺杂的半导体层101与多量子阱有源层103之间设置有反射镜层102；在反射镜层102上设置有两个槽型反射镜1021。
其中，所述两个槽型反射镜1021位于激光器脊波导两边沿正下方。
所述两个槽型反射镜1021为V型槽。
在所述第一种掺杂的半导体层101与第二种掺杂的半导体层104外围覆盖有绝缘介质106。
上述第一种掺杂的半导体层101为N型或P型掺杂半导体。
上述第二种掺杂的半导体层104为P型或N型掺杂半导体。
上述优选实施例通过改变槽型反射镜的开口大小，调节有源区内光场的分布，进而提升进入谐振腔内的光子数量，增加复合辐射的概率，达到提高出光效率和出光强度的效果。而且V型凹槽可以增加反射面积，反射出的光子密度较普通的反射镜高。进一步提高出光效率和出光强度。
以上所述的实施例仅用于说明本发明的技术思想及特点，其目的在于使本领域内的技术人员能够理解本发明的内容并据以实施，不能仅以本实施例来限定本发明的专利范围，即凡本发明所揭示的精神所作的同等变化或修饰，仍落在本发明的专利范围内。
Claims (6)
1.一种分布反馈式激光器的不规则反射镜结构；包括自下而上依次设置的：第一种掺杂的半导体层(101)、反射镜层(102)、多量子阱有源层(103)、第二种掺杂的半导体层(104)和电极层(105)；其特征在于：
在所述第一种掺杂的半导体层(101)与多量子阱有源层(103)之间设置有反射镜层(102)；在反射镜层(102)上设置有两个槽型反射镜(1021)。
2.根据权利要求1所述的分布反馈式激光器的不规则反射镜结构，其特征在于，所述两个槽型反射镜(1021)位于激光器脊波导两边沿正下方。
3.根据权利要求1所述的分布反馈式激光器的不规则反射镜结构，其特征在于，所述两个槽型反射镜(1021)为V型槽。
4.根据权利要求1或2所述的分布反馈式激光器的新型电流阻挡层结构，其特征在于，在所述第一种掺杂的半导体层(101)与第二种掺杂的半导体层(104)外围覆盖有绝缘介质(106)。
5.根据权利要求1所述的分布反馈式激光器的新型电流阻挡层结构，其特征在于，上述第一种掺杂的半导体层(101)为N型或P型掺杂半导体。
6.根据权利要求1所述的分布反馈式激光器的新型电流阻挡层结构，其特征在于，上述第二种掺杂的半导体层(104)为P型或N型掺杂半导体。
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101388522A (zh) * | 2008-10-22 | 2009-03-18 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 电泵浦顶发射垂直外腔面发射激光器 |
| CN101764354A (zh) * | 2009-12-30 | 2010-06-30 | 北京工业大学 | 基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法 |
| CN102130260A (zh) * | 2010-09-30 | 2011-07-20 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| CN104092097A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-10-08 | 华南师范大学 | 一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件 |
| CN207097853U (zh) * | 2017-06-21 | 2018-03-13 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片 |
| CN109755363A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-05-14 | 西安交通大学 | 一种宽光谱半导体有源器件及其制造方法 |
| CN110970796A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-04-07 | 中国科学院半导体研究所 | 基于侧向光栅的窄线宽垂直腔面发射半导体激光器 |
| CN111370997A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-07-03 | 华慧科锐(天津)科技有限公司 | 分布反馈式激光器的新型电流阻挡层结构 |
| CN111799654A (zh) * | 2020-09-09 | 2020-10-20 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种激光器及其制造方法与应用 |
-
2020
- 2020-12-10 CN CN202011457059.5A patent/CN112688163B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101388522A (zh) * | 2008-10-22 | 2009-03-18 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 电泵浦顶发射垂直外腔面发射激光器 |
| CN101764354A (zh) * | 2009-12-30 | 2010-06-30 | 北京工业大学 | 基于一维光子晶体的多波长垂直腔面发射激光器及制备方法 |
| CN102130260A (zh) * | 2010-09-30 | 2011-07-20 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| CN104092097A (zh) * | 2014-06-26 | 2014-10-08 | 华南师范大学 | 一种ZnO量子阱微腔结构的激子极化激元激光器件 |
| CN207097853U (zh) * | 2017-06-21 | 2018-03-13 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种倒装led芯片 |
| CN109755363A (zh) * | 2019-01-14 | 2019-05-14 | 西安交通大学 | 一种宽光谱半导体有源器件及其制造方法 |
| CN110970796A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-04-07 | 中国科学院半导体研究所 | 基于侧向光栅的窄线宽垂直腔面发射半导体激光器 |
| CN111370997A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-07-03 | 华慧科锐(天津)科技有限公司 | 分布反馈式激光器的新型电流阻挡层结构 |
| CN111799654A (zh) * | 2020-09-09 | 2020-10-20 | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 | 一种激光器及其制造方法与应用 |
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