CN112680623A - 一种低辐射高强高导铜合金线材及其制备方法和应用 - Google Patents

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CN112680623A CN202110027937.8A CN202110027937A CN112680623A CN 112680623 A CN112680623 A CN 112680623A CN 202110027937 A CN202110027937 A CN 202110027937A CN 112680623 A CN112680623 A CN 112680623A
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罗远哲
刘瑞景
陆立军
李连庚
刘志明
李文静
刘辉
耿云晓
李冠蕊
申慈恩
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Shandong Wanlihong Information Technology Co ltd
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Abstract

本发明属于合金材料技术领域,具体涉及一种低辐射高强高导铜合金线材及其制备方法和应用。本发明提供了一种低辐射高强高导铜合金线材,以质量百分含量计,包括以下元素:Cr 0.3~0.6%,Ag 0.1~0.2%,P 0.01~0.03%,余量的Cu以及不可避免的杂质。实施例测试结果表明,本发明提供的低辐射高强高导铜合金线材室温下抗拉强度为605~625MPa,屈服强度为584~601Mpa,延伸率为7.5~8.5%,导电率为80.5~83.6%IACS,具有良好的力学性能、导电性能和低的电磁辐射。

Description

一种低辐射高强高导铜合金线材及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于合金材料技术领域,具体涉及一种低辐射高强高导铜合金线材及其制备方法和应用。
背景技术
计算机主机及其附属外部设备如显示器、打印机等,在工作时不可避免地会产生电磁辐射,这些辐射中携带有计算机正在处理的数据信息,使用专门的接收设备将这些电磁辐射接收下来,经过处理后就可恢复出原始信息。针对不同的电子设备和使用场地,采取相应的电磁防护措施,可以有效避免电磁信息泄漏,如抑源防护是指在设计和生产计算机设备时,对元器件、集成电路、连接线、显示器等辐射源采取措施,把电磁辐射抑制到最低限度。生产和使用低辐射计算机设备是防止计算机电磁信息泄漏的较为根本的防护措施。
铜合金具有强度高、导电率高、弹性好、弹性滞后小、耐疲劳和耐腐蚀等优良特性,其中,高强高导铜合金由于具有突出的强度和导电率的综合性能,成为导电线材的理想材料,采用铜合金技术降低电子设备的电磁辐射,对于提高电子设备的保密性能、保证信息安全非常重要。
目前,实际应用较多的铜合金线材的化学成分主要包括Cu-Cr-Zr系合金、Cu-Ag系合金和Cu-Fe系合金。其中,Cu-Fe系合金具有高导电率、成本低廉和加工性能良好等优点,但该类合金力学性能较低,导电率低于80%IACS,且存在钎焊耐热剥离性较差、合金有磁性等问题;Cu-Cr-Zr系合金具有高强高导特点,但该系合金性能易受磁场影响;Cu-Ag系列导电性能好,导电率大于90%IACS,但力学性能偏低。现有的铜合金线材存在无法兼顾低辐射、高强度和高导电性的性能。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种低辐射高强高导铜合金线材,本发明提供的低辐射高强高导铜合金线材具有电磁辐射低、强度高且导电性优异的特点。
为了实现上述发明的目的,本发明提供以下技术方案:
本发明提供了一种低辐射高强高导铜合金线材,以质量百分含量计,包括以下元素:
Cr 0.3~0.6%,Ag 0.1~0.2%,P 0.01~0.03%,余量的Cu以及不可避免的杂质。
优选的,所述低辐射高强高导铜合金线材的抗拉强度≥600MPa,导电率≥80%IACS,伸长率≥7%,10MHz时电磁屏蔽效能≥70dB。
优选的,以质量百分含量计,所述低辐射高强高导铜合金线材包括以下元素:
Cr 0.32%,Ag 0.15%,P 0.02%,余量的Cu以及不可避免的杂质;
或Cr 0.33%,Ag 0.12%,P 0.03%,余量的Cu以及不可避免的杂质;
或Cr 0.45%,Ag 0.19%,P 0.01%,余量的Cu以及不可避免的杂质;
或Cr 0.58%,Ag 0.11%,P 0.01%,余量的Cu以及不可避免的杂质;
或Cr 0.58%,Ag 0.13%,P 0.02%,余量的Cu以及不可避免的杂质。
本发明还提供了上述技术方案所述低辐射高强高导铜合金线材的制备方法,包括以下步骤:
按照低辐射高强高导铜合金线材的元素组成提供铜合金线坯;
将所述铜合金线坯依次进行变形冷加工、固溶处理、拉拔处理和时效处理,得到所述低辐射高强高导铜合金线材。
优选的,所述变形冷加工中的变形量≥80%。
优选的,所述固溶处理的保温温度为950~970℃,保温时间为20~30min。
优选的,所述拉拔处理的变形量为90~95%。
优选的,所述时效处理包括第一时效处理和第二时效处理;
所述第一时效处理的保温温度为400~450℃,保温时间为1~2h;
所述第二时效处理的保温温度为350~370℃,保温时间为7~8h。
本发明还提供了上述技术方案所述低辐射高强高导铜合金线材或上述技术方案所述制备方法制备的低辐射高强高导铜合金线材作为导线线材在安全设备中的应用。
优选的,所述安全设备包括计算机的集成电路、连接线或显示器。
本发明提供了一种低辐射高强高导铜合金线材,以质量百分含量计,包括以下元素:Cr 0.3~0.6%,Ag 0.1~0.2%,P 0.01~0.03%,余量的Cu以及不可避免的杂质。在本发明中,Cr是主要的析出元素,可以在时效处理后得到纳米级析出相强化基体,有利于提高铜合金的强度;Ag有利于提高铜合金导电率,并起到强化作用;P可以促进Cr的析出并形成细小弥散的析出相,提高铜合金导电率,有利于提高铜合金的电磁屏蔽性能,且P可以提高铜合金熔炼时的金属液流动性,有利于提高铜合金金属液混合均匀性,得到均匀的晶相组织,防止内应力产生,提高铜合金强度。
实施例测试结果表明,本发明提供的低辐射高强高导铜合金线材室温下抗拉强度为605~625MPa,屈服强度为584~601Mpa,延伸率为7.5~8.5%,导电率为80.5~83.6%IACS,在10MHz条件下的电磁屏蔽效能为71.1~76.1dB,具有良好的力学性能和导电性能。
具体实施方式
本发明提供了一种低辐射高强高导铜合金线材,以质量百分含量计,包括以下元素:
Cr 0.3~0.6%,Ag 0.1~0.2%,P 0.01~0.03%,余量的Cu以及不可避免的杂质。
以质量百分含量计,本发明提供的低辐射高强高导铜合金线材包括0.3~0.6%的Cr,优选为0.31~0.59%,更优选为0.32~0.58%。在本发明中,Cr是主要的析出元素,可以在时效处理后得到纳米级析出相强化基体,有利于提高铜合金的强度。
以质量百分含量计,本发明提供的低辐射高强高导铜合金线材包括0.1~0.2%的Ag,优选为0.11~0.19%,更优选为0.12~0.19%。在本发明中,Ag有利于提高铜合金导电率,并起到强化作用。
以质量百分含量计,本发明提供的低辐射高强高导铜合金线材包括0.01~0.03%的P,优选为0.01~0.025%,更优选为0.01~0.02%。在本发明中,P可以促进Cr的析出并形成细小弥散的析出相,且P可以提高铜合金熔炼时的金属液流动性,有利于提高铜合金金属液混合均匀性,得到均匀的晶相组织,防止内应力产生,提高铜合金强度。
以质量百分含量计,本发明提供的低辐射高强高导铜合金线材包括余量的Cu以及不可避免的杂质。在本发明中,所述不可避免的杂质优选包括Fe和/或S。在本发明中,所述不可避免的杂质的含量优选≤0.01wt.%。本发明对所述Cu和不可避免的杂质的具体含量没有特殊要求,能使各组分含量之和达到100%即可。
在本发明中,以质量百分含量计,所述低辐射高强高导铜合金线材优选包括以下元素:Cr 0.32%,Ag 0.15%,P 0.02%,余量的Cu以及不可避免的杂质;或Cr 0.33%,Ag0.12%,P 0.03%,余量的Cu以及不可避免的杂质;或Cr 0.45%,Ag 0.19%,P 0.01%,余量的Cu以及不可避免的杂质;或Cr 0.58%,Ag 0.11%,P 0.01%,余量的Cu以及不可避免的杂质;或Cr 0.58%,Ag 0.13%,P 0.02%,余量的Cu以及不可避免的杂质。
在本发明中,所述低辐射高强高导铜合金线材的抗拉强度优选≥600MPa,导电率优选≥80%IACS,伸长率优选≥7%,10MHz时电磁屏蔽效能≥70dB。在本发明中,所述低辐射高强高导铜合金线材的屈服强度优选≥580MPa。在本发明中,所述低辐射高强高导铜合金线材的软化温度优选≥500℃。
本发明还提供了上述技术方案所述低辐射高强高导铜合金线材的制备方法,包括以下步骤:
按照低辐射高强高导铜合金线材的元素组成提供铜合金线坯;
将所述铜合金线坯依次进行变形冷加工、固溶处理、拉拔处理和时效处理,得到所述低辐射高强高导铜合金线材。
本发明按照低辐射高强高导铜合金线材的元素组成提供铜合金线坯。
在本发明中,所述铜合金线坯的制备方法优选包括:将铜合金线材原料依次进行熔炼和连铸,得到所述铜合金线坯。
在本发明中,所述铜合金线材原料包括电解铜、铜箔、纯银、纯铬和铜磷中间合金。在本发明中,所述铜磷中间合金的元素组成优选为14wt.%的P和余量的Cu。在本发明中,所述熔炼优选为将第一部分电解铜进行第一熔化并进行第一保温,得到第一铜液;将纯银加入第一铜液中,进行第二保温,得到铜银合金液;升温至第三保温的温度后,将所述铜银合金液、铜磷中间合金、铜箔包裹的第一纯铬和剩余电解铜包夹的第二纯铬混合,进行第三保温,得到铜合金合金液。
本发明将第一部分电解铜进行第一熔化并进行第一保温,得到第一铜液。在本发明中,所述第一保温的温度优选为1140~1160℃,更优选为1145~1155℃;保温时间优选为10~30min,更优选为10~20min。
得到第一铜液后,本发明将纯银加入第一铜液中,进行第二保温,得到铜银合金液。在本发明中,所述第二保温的温度优选为1140~1160℃,更优选为1145~1155℃;保温时间优选为10~20min,更优选为12~18min。
得到铜银合金液后,本发明升温至第三保温的温度后,将所述铜银合金液、铜磷中间合金、铜箔包裹的第一纯铬和剩余电解铜包夹的第二纯铬混合,进行第三保温,得到铜合金合金液。在本发明中,所述铜箔包裹的第一纯铬中铜箔与第一纯铬的质量比优选为(1~5):1,更优选为(1~3):1。在本发明中,所述剩余电解铜包夹的第二纯铬中剩余电解铜和第二纯铬的质量比优选为(10~20):1,更优选为(10~15):1。在本发明中,所述第一纯铬优选为纯铬总质量的40~60%,更优选为40~50%。在本发明中,所述铜银合金液、铜磷中间合金、铜箔包裹的纯铬和剩余电解铜包夹的纯铬的混合优选为将铜磷中间合金、铜箔包裹的纯铬和剩余电解铜包夹的纯铬加入铜银合金液中。在本发明中,所述第三保温的温度优选为1340~1360℃,更优选为1345~1355℃;保温时间优选为3~5h,更优选为3.5~4.5h。本发明通个铜箔包裹第一纯铬,减弱合金元素的高温挥发,有利于降低合金元素的损失。
所述第三保温前,本发明优选向包含所有铜合金线材原料的铜合金液中加入覆盖剂后,再进行第三保温。在本发明中,所述覆盖剂优选为石墨鳞片、硼砂和冰晶石。本发明对所述覆盖剂中石墨鳞片、硼砂和冰晶石的比例没有特殊限定,采用本领域技术人员熟知的覆盖剂中石墨鳞片、硼砂和冰晶石的比例关系即可。本发明对所述覆盖剂相对铜合金液的用量没有特殊限定,采用本领域技术人员熟知的覆盖剂用量即可。在本发明中,所述覆盖剂有利于延长铜合金液的凝固时间,大大提高了冒口的补缩效率,有利于铜合金液中的气体和夹杂物上浮,达到了净化铜合金液的目的,进而有利于提高铜合金组织均匀性、降低铜合金缺陷,提高铜合金的强度。
本发明对所述连铸没有特殊限定,采用本领域技术人员熟知的连铸工艺即可。在本发明中,所述连铸的温度优选为1340~1360℃,更优选为1345~1355℃。
在本发明中,所述铜合金线坯的直径优选为10~12mm,更优选为10.2~11.8mm,再优选为10.4~11.6mm。
得到铜合金线坯后,本发明将所述铜合金线坯依次进行变形冷加工、固溶处理、拉拔处理和时效处理,得到所述低辐射高强高导铜合金线材。
在本发明中,所述变形冷加工中的变形量优选≥80%,更优选为≥85%,再优选为≥90%。在本发明中,所述变形冷加工后所得铜合金初级线材的直径优选为1~4mm,更优选为2~3mm。本发明通过变形冷加工减小合金线材直径并细化铜合金晶粒和第二相组织。
在本发明中,所述固溶处理的保温温度优选为950~970℃,更优选为955~965℃;保温时间优选为20~30min,更优选为22~28min。所述固溶处理后,本发明优选将固溶处理所得次级线材进行冷却;所述冷却的方式优选为水淬。本发明通过固溶处理将第二相溶于基体形成过固溶体。
在本发明中,所述拉拔处理的变形量优选为90~95%,更优选为90~92%。在本发明中,所述拉拔处理后所得拉拔线材的直径优选为0.1~0.3mm,更优选为0.12~0.28mm。本发明通过拉拔处理减小线材直径,并形成加工硬化,有利于提高铜合金强度。
在本发明中,所述时效处理优选包括第一时效处理和第二时效处理;
所述第一时效处理的保温温度优选为400~450℃,更优选为405~445℃;保温时间优选为1~2h,更优选为1.2~1.8h;
所述第二时效处理的保温温度优选为350~370℃,更优选为355~365℃;保温时间优选为7~8h,更优选为7.2~7.8h。
本发明优选由第一时效处理的保温温度降温至第二时效处理的保温温度。在本发明中,所述降温优选为室温条件下冷却。
在本发明中,所述时效处理优选在真空或保护气体条件下进行。本发明对所述真空度没有特殊限定,采用本领域技术人员熟知的真空度即可。在本发明中,所述保护气体优选为氩气。本发明通过时效处理析出纳米级第二相,有利于强化铜合金基体,提高铜合金强度,并减少固溶于基体的元素以提高合金导电率。
本发明还提供了上述技术方案所述低辐射高强高导铜合金线材或上述技术方案所述制备方法制备的低辐射高强高导铜合金线材作为导线线材在安全设备中的应用。
在本发明中,所述安全设备优选包括计算机的集成电路、连接线或显示器。
为了进一步说明本发明,下面结合实施例对本发明提供的低辐射高强高导铜合金线材及其制备方法和应用进行详细地描述,但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例所用试剂均为市售。
实施例1
设计制备的低辐射高强高导铜合金线材的化学成分为Cu-0.32Cr-0.15Ag-0.02P,即按质量百分含量计为Cr 0.32%、Ag 0.15%、P 0.02%,余量为Cu和不可避免的杂质;
合金原料包括电解铜、铜箔、纯银块、纯铬块和铜磷中间合金(铜磷中间合金的元素组成为14wt.%的P和余量的Cu),其中,电解铜和铜箔的质量比为100:1,第一电解铜为电解铜的95wt.%,第一纯铬为纯铬块的50wt.%;
将第一电解铜于1140~1160℃熔化,保温15min得到第一铜铜液;将银块加入第一铜液中,于1140~1160℃保温15min,得到铜银合金液;升温至1340~1360℃,向铜银合金液中加入铜箔包裹的第一纯铬,并且以竖直向下的方式加入剩余电解铜包夹的第二纯铬,保温4h,得到铜合金合金液;
将所得铜合金合金液进行连铸,得到直径为10mm的铜合金线坯;
将所得铜合金线坯进行变形冷加工,得到直径为1.2mm的铜合金初级线材;
将所得铜合金初级线材于950℃下保温30min进行固溶处理,固溶处理后水淬,得到次级线材;
将所得次级线材进行拉拔处理,得到直径为0.12mm的拉拔线材;
将所得拉拔线材于真空、450℃进行保温1h后,室温条件下降温至350℃保温8h,得到所述低辐射高强高导铜合金线材。
实施例2
设计制备的低辐射高强高导铜合金线材的化学成分为Cu-0.33Cr-0.12Ag-0.03P,即按质量百分含量计为Cr 0.33%、Ag 0.12%、P 0.03%,余量为Cu和不可避免的杂质;
合金原料包括电解铜、铜箔、纯银块、纯铬块和铜磷中间合金(铜磷中间合金的元素组成为14wt.%的P和余量的Cu),其中,电解铜和铜箔的质量比为100:1,第一电解铜为电解铜的95wt.%,第一纯铬为纯铬块的50wt.%;
将第一电解铜于1140~1160℃熔化,保温15min得到第一铜铜液;将银块加入第一铜液中,于1140~1160℃保温15min,得到铜银合金液;升温至1340~1360℃,向铜银合金液中加入铜箔包裹的第一纯铬,并且以竖直向下的方式加入剩余电解铜包夹的第二纯铬,保温4h,得到铜合金合金液;
将所得铜合金合金液进行连铸,得到直径为10mm的铜合金线坯;
将所得铜合金线坯进行变形冷加工,得到直径为1.2mm的铜合金初级线材;
将所得铜合金初级线材于950℃下保温30min进行固溶处理,固溶处理后水淬,得到次级线材;
将所得次级线材进行拉拔处理,得到直径为0.12mm的拉拔线材;
将所得拉拔线材于真空、450℃进行保温1h后,室温条件下降温至350℃保温8h,得到所述低辐射高强高导铜合金线材。
实施例3
设计制备的低辐射高强高导铜合金线材的化学成分为Cu-0.45Cr-0.19Ag-0.01P,即按质量百分含量计为Cr 0.45%、Ag 0.19%、P 0.01%,余量为Cu和不可避免的杂质;
合金原料包括电解铜、铜箔、纯银块、纯铬块和铜磷中间合金(铜磷中间合金的元素组成为14wt.%的P和余量的Cu),其中,电解铜和铜箔的质量比为100:1,第一电解铜为电解铜的95wt.%,第一纯铬为纯铬块的50wt.%;
将第一电解铜于1140~1160℃熔化,保温15min得到第一铜铜液;将银块加入第一铜液中,于1140~1160℃保温15min,得到铜银合金液;升温至1340~1360℃,向铜银合金液中加入铜箔包裹的第一纯铬,并且以竖直向下的方式加入剩余电解铜包夹的第二纯铬,保温4h,得到铜合金合金液;
将所得铜合金合金液进行连铸,得到直径为10mm的铜合金线坯;
将所得铜合金线坯进行变形冷加工,得到直径为2mm的铜合金初级线材;
将所得铜合金初级线材于950℃下保温30min进行固溶处理,固溶处理后水淬,得到次级线材;
将所得次级线材进行拉拔处理,得到直径为0.2mm的拉拔线材;
将所得拉拔线材于真空、450℃进行保温2h后,室温条件下降温至350℃保温7h,得到所述低辐射高强高导铜合金线材。
实施例4
设计制备的低辐射高强高导铜合金线材的化学成分为Cu-0.58Cr-0.11Ag-0.01P,即按质量百分含量计为Cr 0.58%、Ag 0.11%、P 0.01%,余量为Cu和不可避免的杂质;
合金原料包括电解铜、铜箔、纯银块、纯铬块和铜磷中间合金(铜磷中间合金的元素组成为14wt.%的P和余量的Cu),其中,电解铜和铜箔的质量比为100:1,第一电解铜为电解铜的95wt.%,第一纯铬为纯铬块的50wt.%;
将第一电解铜于1140~1160℃熔化,保温15min得到第一铜铜液;将银块加入第一铜液中,于1140~1160℃保温15min,得到铜银合金液;升温至1340~1360℃,向铜银合金液中加入铜箔包裹的第一纯铬,并且以竖直向下的方式加入剩余电解铜包夹的第二纯铬,保温4h,得到铜合金合金液;
将所得铜合金合金液进行连铸,得到直径为10mm的铜合金线坯;
将所得铜合金线坯进行变形冷加工,得到直径为1.2mm的铜合金初级线材;
将所得铜合金初级线材于950℃下保温30min进行固溶处理,固溶处理后水淬,得到次级线材;
将所得次级线材进行拉拔处理,得到直径为0.12mm的拉拔线材;
将所得拉拔线材于真空、450℃进行保温2h后,室温条件下降温至350℃保温7h,得到所述低辐射高强高导铜合金线材。
实施例5
设计制备的低辐射高强高导铜合金线材的化学成分为Cu-0.58Cr-0.13Ag-0.02P,即按质量百分含量计为Cr 0.58%、Ag 0.13%、P 0.02%,余量为Cu和不可避免的杂质;
合金原料包括电解铜、铜箔、纯银块、纯铬块和铜磷中间合金(铜磷中间合金的元素组成为14wt.%的P和余量的Cu),其中,电解铜和铜箔的质量比为100:1,第一电解铜为电解铜的95wt.%,第一纯铬为纯铬块的50wt.%;
将第一电解铜于1140~1160℃熔化,保温15min得到第一铜铜液;将银块加入第一铜液中,于1140~1160℃保温15min,得到铜银合金液;升温至1340~1360℃,向铜银合金液中加入铜箔包裹的第一纯铬,并且以竖直向下的方式加入剩余电解铜包夹的第二纯铬,保温4h,得到铜合金合金液;
将所得铜合金合金液进行连铸,得到直径为10mm的铜合金线坯;
将所得铜合金线坯进行变形冷加工,得到直径为2mm的铜合金初级线材;
将所得铜合金初级线材于950℃下保温30min进行固溶处理,固溶处理后水淬,得到次级线材;
将所得次级线材进行拉拔处理,得到直径为0.2mm的拉拔线材;
将所得拉拔线材于真空、450℃进行保温2h后,室温条件下降温至350℃保温7h,得到所述低辐射高强高导铜合金线材。
依据GB/T 228.1-2010对实施例1~5所得低辐射高强高导铜合金线材进行力学性能测试,按照GB/T 12966-2008对实施例1~5所得低辐射高强高导铜合金线材进行电导率性能测试,所得测试结果见表1。
表1 实施例1~5所得低辐射高强高导铜合金线材性能测试结果
抗拉强度/MPa 屈服强度/MPa 延伸率/% 电导率/%IACS
实施例1 605 584 8.5 83.6
实施例2 611 592 8.1 83.2
实施例3 612 590 8.1 82.0
实施例4 621 598 7.5 80.5
实施例5 625 601 7.6 80.6
由表1可见,本发明提供的低辐射高强高导铜合金线材室温下抗拉强度为605~625MPa,屈服强度为584~601Mpa,延伸率为7.5~8.5%,导电率为80.5~83.6%IACS,具有良好的力学性能和导电性能。
按照GJB 6190-2008对实施例1~5所得低辐射高强高导铜合金线材进行电磁屏蔽效能性能测试,所得测试结果见表2。
表2 实施例1~5所得低辐射高强高导铜合金线电磁屏蔽效能结果(dB)
10MHz 100MHz 1GHz 10GHz
实施例1 76.1 62.5 41.1 31.5
实施例2 76.0 61.9 40.4 31.2
实施例3 73.2 58.5 38.8 30.2
实施例4 71.1 56.7 36.3 29.1
实施例5 71.5 56.7 36.5 29.3
由表2可见,本发明提供的低辐射高强高导铜合金线材在10MHz条件下的电磁屏蔽效能为71.1~76.1dB,在100MHz条件下的电磁屏蔽效能为56.7~62.5dB,在1GHz条件下的电磁屏蔽效能为36.3~41.1dB,在10GHz条件下的电磁屏蔽效能为29.1~31.5dB,具有良好的电磁屏蔽性能,说明本发明提供的低辐射高强高导铜合金线材具有低的电磁辐射。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种低辐射高强高导铜合金线材,以质量百分含量计,包括以下元素:
Cr 0.3~0.6%,Ag 0.1~0.2%,P 0.01~0.03%,余量的Cu以及不可避免的杂质。
2.根据权利要求1所述的低辐射高强高导铜合金线材,其特征在于,所述低辐射高强高导铜合金线材的抗拉强度≥600MPa,导电率≥80%IACS,伸长率≥7%,10MHz时电磁屏蔽效能≥70dB。
3.根据权利要求1所述的低辐射高强高导铜合金线材,其特征在于,以质量百分含量计,所述低辐射高强高导铜合金线材包括以下元素:
Cr 0.32%,Ag 0.15%,P 0.02%,余量的Cu以及不可避免的杂质;
或Cr 0.33%,Ag 0.12%,P 0.03%,余量的Cu以及不可避免的杂质;
或Cr 0.45%,Ag 0.19%,P 0.01%,余量的Cu以及不可避免的杂质;
或Cr 0.58%,Ag 0.11%,P 0.01%,余量的Cu以及不可避免的杂质;
或Cr 0.58%,Ag 0.13%,P 0.02%,余量的Cu以及不可避免的杂质。
4.权利要求1~3任一项所述低辐射高强高导铜合金线材的制备方法,包括以下步骤:
按照低辐射高强高导铜合金线材的元素组成提供铜合金线坯;
将所述铜合金线坯依次进行变形冷加工、固溶处理、拉拔处理和时效处理,得到所述低辐射高强高导铜合金线材。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述变形冷加工中的变形量≥80%。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述固溶处理的保温温度为950~970℃,保温时间为20~30min。
7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述拉拔处理的变形量为90~95%。
8.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述时效处理包括第一时效处理和第二时效处理;
所述第一时效处理的保温温度为400~450℃,保温时间为1~2h;
所述第二时效处理的保温温度为350~370℃,保温时间为7~8h。
9.权利要求1~3任一项所述低辐射高强高导铜合金线材或权利要求4~8任一项所述制备方法制备的低辐射高强高导铜合金线材作为导线线材在安全设备中的应用。
10.根据权利要求9所述的应用,其特征在于,所述安全设备包括计算机的集成电路、连接线或显示器。
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