CN112680114B - 应用于人造无机石的预处理填充液及其预处理方法与应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于人造无机石的预处理填充液及其预处理方法与应用,预处理填充液包括A组分和B组分,所述A组分包括质量百分数为0.1‑1%的硅烷偶联剂;所述B组分由多种粒径不同的硅溶胶填充剂组成,具体包括质量百分数为1‑3%的粒径范围为135‑85nm的硅溶胶、质量百分数为4‑6%的粒径范围为60‑80nm的硅溶胶、质量百分数为5‑8%的粒径范围为8‑30nm的硅溶胶。本发明的预处理填充液通过各组分的复配,同时改良打磨抛光工艺,使其生产得到的人造石材在圈白修复能力、防污能力、光泽度上均能取得优异的成效。
Description
技术领域
本发明涉及一种无机石领域,尤其涉及一种应用于人造无机石的预处理填充液及其预处理方法与应用。
背景技术
目前,石材是建筑装饰领域使用、需求量很大的一类建筑材料。天然石材(花岗岩、大理石)自然庄重及较好的抗风化、稳定性好、耐久性好,广泛用于建筑物的室外地面、墙面、柱面、勒脚、基座和台阶处,而人造石材原料易得、易成型、成本低,在建筑装饰领域的应用越来越受重视。
人造石材以不饱和聚酯树脂为黏结剂,配以天然大理石或方解石、白云石、硅砂、玻璃粉等无机物粉料,以及适量的色料等添加剂,经配料混合、瓷铸、振动压缩、挤压等方法成型固化制成的。与天然石材相比,人造无机石材的色彩、颜色均匀度更加丰富,光洁度更加均匀一致,但是黏结剂具有一定的收缩特性,其内部的毛孔及微裂纹会更加明显,微裂纹大甚至会出现开裂现象,严重影响无机石材的外观和耐久性。为了可以隔绝外界环境对人造无机石材的表面侵蚀,使人造无机石材更加经久耐用。目前普遍采用“超洁亮技术”进行表面处理,它通过抛光磨头对砖体进行反复施压、打磨、抛光,将纳米液中的纳米二氧化硅颗粒更好的渗透到抛光砖的毛孔内部,堵塞了瓷砖的毛孔及微裂纹,形成一种特殊的、连续的纳米膜,从而使瓷砖具有亮丽的表面,并且该表面能有效阻止污染物的入侵,具有较好的防污性能。该技术通常应用在高精度瓷砖表面处理,很少直接应用在石材表面,尤其是人造石材表面,原因在于陶瓷经过高温烧制,其本身耐高温,而人造石材由于树脂、有色颜料的加入,树脂、有色颜料不耐高温,直接将应用在陶瓷上的打磨抛光技术应用到人造石材中,经打磨抛光后,室内放置一定天数后,人造石材表面会出现一些明显的圈状、发白的痕迹,不但降低了产品耐用质量而且影响产品美观。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的之一在于提供应用于人造无机石的预处理填充液。
本发明的目的之二在于提供一种应用于人造无机石的预处理方法。
本发明的目的之三在于提供上述预处理填充液在人造无机石打磨抛光上的应用方法。
本发明的目的之一采用如下技术方案实现:一种应用于人造无机石的预处理填充液,包括A组分和B组分,所述A组分包括质量百分数为0.1-1%的硅烷偶联剂;所述B组分由多种粒径不同的硅溶胶填充剂组成,具体包括质量百分数为1-3%的粒径范围为135-85nm的硅溶胶、质量百分数为4-6%的粒径范围为60-80nm的硅溶胶、质量百分数为5-8%的粒径范围为8-30nm的硅溶胶。
进一步地,所述硅烷偶联剂选自南京向前化工有限公司牌号为KH550、KH570的硅烷偶联剂;所述硅溶胶购自美国格雷斯公司的纳米硅溶胶。
进一步地,所述A组分还包括质量百分数为2.5-4.5%的阻热剂。
进一步地,所述阻热剂选自氮化硅。
进一步地,该预处理填充液包括A组分和B组分,所述A组分包括质量百分数为0.5%的硅烷偶联剂和质量百分数为3.5%的阻热剂;所述B组分由多种粒径范围不同的硅溶胶填充剂组成,分别包括质量百分数为1.25%的粒径范围为105nm的硅溶胶、质量百分数为4.8%的粒径范围为65nm的硅溶胶、质量百分数为6.8%的粒径范围为25nm的硅溶胶。
本发明的目的之二采用如下技术方案实现:一种人造无机石打磨抛光前的预处理方法,包括如下步骤:
(1)利用打磨上光设备对人造无机石进行表面预抛光磨削,使人造无机石表面平整,清扫人造无机石表面的碎屑,对人造无机石进行初步预热;
(2)借助人造无机石的温度,将预处理填充液的A组分滴入人造无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将A组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内;
(3)A组分表面填充完后,再将预处理填充液的B组分滴入无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将B组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内,然后与A组分反应,充分固化填充毛孔及微裂纹,并在人造无机石的表面形成一层均匀隔断阻热层。
进一步地,在步骤(1)中,所述初步预热的温度控制在45-75℃;
在步骤(2)中,所述预处理填充液的A组分添加量为50-65ml/m2;A组分滴入时间控制在8-10s,打磨涂覆时间15-25s;打磨上光设备的磨盘公转速度为80-120r/min,安装在磨盘上的磨料自转速度为1200-1400r/min;
在步骤(3)中,所述B组分由多种粒径不同的硅溶胶填充剂组成,具体包括质量百分数为1-3%的粒径范围为135-85nm的硅溶胶、质量百分数为4-6%的粒径范围为60-80nm的硅溶胶、质量百分数为5-8%的粒径范围为20-30nm的硅溶胶和余量的水,上述组分的质量百分数之和为100%;所述预处理填充液的B组分添加量为35-45ml/m2;B组分滴入时间控制在8-10s,打磨涂覆时间20-45s;打磨上光设备的磨盘公转速度为80-120r/min,安装在磨盘上的磨料自转速度为1200-1400r/min。
进一步地,在步骤(2)中,所述A组分制备方法如下:将配方量的硅烷偶联剂和水加入分散缸内中,启动搅拌,搅拌速度为400-600r/min,搅拌时间为5-10min;缓慢加入配方量的阻热剂,再用研磨机研磨至无粗粒,转速为800r/min,研磨时间为5-8min;其中,A组分的配方量是指质量百分数为0.1-1%的硅烷偶联剂、质量百分数为2.5-4.5%的阻热剂、余量的水,上述组分的质量百分数之和为100%。
本发明的目的之三采用如下技术方案实现:一种人造无机石抛光打磨方法,包括如下步骤:
(1)人造无机石预处理过程:
(11)利用打磨上光设备对人造无机石进行表面预抛光磨削,使人造无机石表面平整,清扫人造无机石表面的碎屑,对人造无机石进行初步预热;
(12)借助人造无机石的温度,将预处理填充液的A组分滴入人造无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将A组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内;
(13)A组分表面填充完后,再将预处理填充液的B组分滴入无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将B组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内,然后与A组分反应,充分固化填充毛孔及微裂纹,并在人造无机石的表面形成一层隔断阻热层。
(2)纳米抛光液打磨抛光处理过程:
(21)首先在经过步骤(1)预处理后的人造无机石表面均施加纳米抛光液,利用打磨上光设备上的十二组磨料对人造无机石表面进行施压、打磨、抛光;
(22)重复步骤(21)3-7次;
(23)用磨料清扫,即可。
进一步地,在步骤(21)中,所述纳米抛光液的添加量为35-45ml/m2,纳米抛光液的抛光条件为:压力105kg,打磨上光设备的磨盘公转速度为80-120r/min,安装在磨盘上的磨料自转速度为1200-1400r/min,纳米抛光液供给流速为200mL/min,人造石材表面温度为不高于50℃。
相比现有技术,本发明的有益效果在于:
(1)本发明的预处理填充液通过各组分的复配,同时改良打磨抛光工艺,使其生产得到的人造石材在圈白修复能力、防污能力、光泽度上均能取得优异的成效,明显圈状、发白痕迹降低程度高。即说明本发明经过预处理填充液的填充,一方面,利用对有机材料、无机材料都有很好相容结合性的硅烷偶联剂渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内,利用石材预热的问题,硅烷偶联剂能和大颗粒度混合硅溶胶材料结合反应,使填充到毛孔内部的胶体不可逆地快速固化,增加固化材料本身的固化物密度,形成一层致密阻断层,即阻断上层纳米膜与石材内部之间的化学反应,也进一步阻断空气、水汽渗入与石材内部发生化学反应;同时,增强后续的上层纳米膜的打磨填充结晶效果,即使接受应用在瓷砖上纳米液配方进行打磨抛光,人造石材放置一段时间后其表面出现明显圈状、发白痕迹明显减少,且能够与现有的陶瓷生产线共同使用,减少了新产品的设备投入,极大节约了生产成本。
(2)本申请在预处理填充液上增添阻热剂,与A组分复配,使用后使得人造无机石表面与纳米膜之间形成一层隔断+阻热层,利用阻热剂的热量阻隔作用,使得容易受热收缩的黏结剂树脂能够稳定分布在人造石材内,减少微裂纹的产生,避免影响无机石材的外观和耐久性。阻热剂与A组分复配稳定性高,能够有效减少人造石材表面出现明显圈状、发白痕迹的现象,尤其是实施例4,其人造石的圈白修复能力高,即经过预处理后的人造石材其表面光滑、平整度高,防污能力好、光泽度高。
具体实施方式
下面,结合具体实施方式,对本发明做进一步描述,需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
在本发明中,若非特指,所有的份、百分比均为重量单位,所采用的设备和原料等均可从市场购得或是本领域常用的。下述实施例中的方法,如无特别说明,均为本领域的常规方法。
一种应用于人造无机石的预处理填充液,包括A组分和B组分,所述A组分包括质量百分数为0.1-1%的硅烷偶联剂;所述B组分由多种粒径不同的硅溶胶填充剂组成,具体包括粒径范围为135-85nm的硅溶胶、粒径范围为60-80nm的硅溶胶、粒径范围为20-30nm的硅溶胶;包括质量百分数为1-3%的粒径范围为135-85nm的硅溶胶、质量百分数为4-6%的粒径范围为60-80nm的硅溶胶、质量百分数为5-8%的粒径范围为8-30nm的硅溶胶。
作为进一步优选方案,所述硅烷偶联剂选自南京向前化工有限公司牌号为KH550、KH570的硅烷偶联剂;所述硅溶胶购自美国格雷斯公司的纳米硅溶胶。
作为进一步优选方案,所述A组分还包括质量百分数为2.5-4.5%的阻热剂。
作为进一步优选方案,所述阻热剂选自氮化硅。
作为进一步优选方案,该预处理填充液包括A组分和B组分,所述A组分包括质量百分数为0.5%的硅烷偶联剂和质量百分数为3.5%的阻热剂;所述B组分由多种粒径范围不同的硅溶胶填充剂组成,分别包括质量百分数为1.25%的粒径范围为105nm的硅溶胶、质量百分数为4.8%的粒径范围为65nm的硅溶胶、质量百分数为6.8%的粒径范围为25nm的硅溶胶。
本发明还提供一种人造无机石打磨抛光前的预处理方法,包括如下步骤:
(1)利用打磨上光设备对人造无机石进行表面预抛光磨削,使人造无机石表面平整,清扫人造无机石表面的碎屑,对人造无机石进行初步预热;
(2)借助人造无机石的温度,将预处理填充液的A组分滴入人造无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将A组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内;
(3)A组分表面填充完后,再将预处理填充液的B组分滴入无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将B组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内,然后与A组分反应,充分固化填充毛孔及微裂纹,并在人造无机石的表面形成一层均匀隔断阻热层。
作为进一步优选方案,在步骤(1)中,所述初步预热的温度控制在45-75℃;
在步骤(2)中,所述预处理填充液的A组分添加量为50-65ml/m2;A组分滴入时间控制在8-10s,打磨涂覆时间15-25s;打磨上光设备的磨盘公转速度为80-120r/min,安装在磨盘上的磨料自转速度为1200-1400r/min;
在步骤(3)中,所述B组分由多种粒径不同的硅溶胶填充剂组成,具体包括质量百分数为1-3%的粒径范围为135-85nm的硅溶胶、质量百分数为4-6%的粒径范围为60-80nm的硅溶胶、质量百分数为5-8%的粒径范围为20-30nm的硅溶胶和余量的水,上述组分的质量百分数之和为100%;所述预处理填充液的B组分添加量为35-45ml/m2;B组分滴入时间控制在8-10s,打磨涂覆时间20-45s;打磨上光设备的磨盘公转速度为80-120r/min,安装在磨盘上的磨料自转速度为1200-1400r/min。
作为进一步优选方案,在步骤(2)中,所述A组分制备方法如下:将配方量的硅烷偶联剂和水加入分散缸内中,启动搅拌,搅拌速度为400-600r/min,搅拌时间为5-10min;缓慢加入配方量的阻热剂,再用研磨机研磨至无粗粒,转速为800r/min,研磨时间为5-8min;其中,A组分的配方量是指质量百分数为0.1-1%的硅烷偶联剂、质量百分数为2.5-4.5%的阻热剂、余量的水,上述组分的质量百分数之和为100%。
本发明还提供一种人造无机石抛光打磨方法,包括如下步骤:
(1)人造无机石预处理过程:
(11)利用打磨上光设备对人造无机石进行表面预抛光磨削,使人造无机石表面平整,清扫人造无机石表面的碎屑,对人造无机石进行初步预热;
(12)借助人造无机石的温度,将预处理填充液的A组分滴入人造无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将A组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内;
(13)A组分表面填充完后,再将预处理填充液的B组分滴入无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将B组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内,然后与A组分反应,充分固化填充毛孔及微裂纹,并在人造无机石的表面形成一层隔断阻热层。
(2)纳米抛光液打磨抛光处理过程:
(21)首先在经过步骤(1)预处理后的人造无机石表面均施加纳米抛光液,利用打磨上光设备上的十二组磨料对人造无机石表面进行施压、打磨、抛光;
(22)重复步骤(21)3-7次;
(23)用磨料清扫,即可。
作为进一步优选方案,在步骤(21)中,所述纳米抛光液的添加量为35-45ml/m2,纳米抛光液的抛光条件为:压力105kg,打磨上光设备的磨盘公转速度为80-120r/min,安装在磨盘上的磨料自转速度为1200-1400r/min,纳米抛光液供给流速为200mL/min,人造石材表面温度为不高于50℃。
以下是本发明具体的实施例,在下述实施例中所采用的原材料、设备等除特殊限定外均可以通过购买方式获得。
实施例1-13及对比例1-2:
按照下表1中的配方取各组分,分别制得实施例1-13及对比例1-2的应用于人造无机石的预处理填充液,然后取市面上某公司生产的同一批次的人造无机石材,分别采用实施例1-13及对比例1-2的预处理填充液对上述人造无机石按照相同预处理方法进行预处理,然后在采用相同的打磨抛光工艺进行超洁亮处理,然后放置2个月后,观察这15组处理后的人造无机石表面,观察是否存在,并检测人造无机石的表面光度值,具体结果详见表:
表1为各个实施例预处理填充液的配方组成
备注:对比例2的配方组成与实施例4相同,差异在于对比例2的A组分和B组分在预处理前线简单直接混合,然后进行预处理,用于比较A组分和B组分分开使用与混合使用的效果差异。
其中,表1中A组分的硅烷偶联剂采用南京向前化工有限公司牌号为KH550的硅烷偶联剂;阻热剂采用氮化硅;B组分的硅溶胶购自美国格雷斯公司的纳米硅溶胶,由三种粒径范围不同的硅溶胶填充剂组成,分别为粒径范围为105nm的硅溶胶、粒径范围为65nm的硅溶胶、粒径范围为25nm的硅溶胶。
A组分制备方法如下:将配方量的硅烷偶联剂和水加入分散缸内中,启动搅拌,搅拌速度为400-600r/min,搅拌时间为5-10min;缓慢加入配方量的阻热剂,再用研磨机研磨至无粗粒,转速为800r/min,研磨时间为5-8min。
打磨抛光加工方法:与现有技术相比,本发明人造无机石抛光打磨方法包括预处理填充工艺和常规的打磨抛光工艺进行超洁亮处理,具体包括如下步骤:
(1)人造无机石预处理过程:
(11)利用打磨上光设备对人造无机石进行表面预抛光磨削,使人造无机石表面平整,清扫人造无机石表面的碎屑,对人造无机石进行初步预热,所述初步预热的温度控制在45-75℃;
(12)借助人造无机石的温度,将预处理填充液的A组分滴入人造无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将A组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内;其中,A组分添加量为65ml/m2;A组分滴入时间控制在8s,打磨涂覆时间25s;打磨上光设备的磨盘公转速度为95r/min,安装在磨盘上的磨料自转速度为1250r/min;
(13)A组分表面填充完后,再将预处理填充液的B组分滴入无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将A组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内,然后与A组分反应,充分固化填充毛孔及微裂纹,并在人造无机石的表面形成一层隔断阻热层。其中,所述预处理填充液的A组分添加量为45ml/m2;B组分滴入时间控制在8s,打磨涂覆时间40s;打磨上光设备的磨盘公转速度为95r/min,安装在磨盘上的磨料自转速度为125r/min。
(2)纳米抛光液打磨抛光处理过程:
(21)首先在经过步骤(1)预处理后的人造无机石表面均施加纳米抛光液,利用打磨上光设备上的十二组磨料对人造无机石表面进行施压、打磨、抛光;其中,纳米抛光液的添加量为40ml/m2,纳米抛光液的抛光条件为:压力105kg,打磨上光设备的磨盘公转速度为95r/min,安装在磨盘上的磨料自转速度为1250r/min,纳米抛光液供给流速为200mL/min,人造石材表面温度为不高于50℃。
纳米抛光液由按照重量百分数计的如下组分制成:粒径为5-40nm的二氧化硅胶体45%、表面活性剂0.5%,余量为水。
(22)重复步骤(21)5次;
(23)用磨料清扫,即可。
效果评价及性能检测
1.对实施例1-4以及对比例1-2的人造石材的防污能力、光泽度性能进行检测,测试方法依据EN 15285:2008/AC:2008人造石-地面和楼梯用规格产品,检测项目及结果参见下表。
表2为实施例1-4以及对比例1-2的人造石材的性能检测结果
圈白修复能力 | 防污能力 | 光泽度 | |
实施例1 | 明显圈状、发白痕迹降低48% | 很好 | 很好 |
实施例2 | 明显圈状、发白痕迹降低45% | 很好 | 很好 |
实施例3 | 明显圈状、发白痕迹降低55% | 很好 | 很好 |
实施例4 | 明显圈状、发白痕迹降低66% | 很好 | 很好 |
对比例1 | 明显圈状、发白痕迹降低10% | 很好 | 很好 |
对比例2 | 明显圈状、发白痕迹降低38% | 很好 | 很好 |
备注:圈白修复能力是指人造石材经过步骤(1)+(2)双层处理后,对人造石材表面明显圈状、发白痕迹的填充与修复能力;一块人造石材仅经步骤(2)的打磨抛光处理(即未经修复),记录其表面的明显圈状、发白痕迹的数量记为100%。
从上表可得,实施例1-4的人造石材在圈白修复能力、防污能力、光泽度上均能取得优异的成效,明显圈状、发白痕迹降低程度高,即说明实施例1-4经过预处理填充液的填充,一方面,利用对有机材料、无机材料都有很好相容结合性的硅烷偶联剂渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内,利用石材预热的问题,硅烷偶联剂能和大颗粒度混合硅溶胶材料结合反应,使填充到毛孔内部的胶体不可逆地快速固化,增加固化材料本身的固化物密度,形成一层致密阻断层,即阻断上层纳米膜与石材内部之间的化学反应,也进一步阻断空气、水汽渗入与石材内部发生化学反应;同时,增强后续的上层纳米膜的打磨填充结晶效果,即使接受应用在瓷砖上纳米液配方进行打磨抛光,人造石材放置一段时间后其表面出现明显圈状、发白痕迹明显减少,且能够与现有的陶瓷生产线共同使用,减少了新产品的设备投入,极大节约了生产成本。另外,本申请在预处理填充液上增添阻热剂,与A组分复配,使用后使得人造无机石表面与纳米膜之间形成一层隔断+阻热层,利用阻热剂的热量阻隔作用,使得容易受热收缩的黏结剂树脂能够稳定分布在人造石材内,减少微裂纹的产生,避免影响无机石材的外观和耐久性。阻热剂与A组分复配稳定性高,能够有效减少人造石材表面出现明显圈状、发白痕迹的现象,尤其是实施例4,其人造石的圈白修复能力高,即经过预处理后的人造石材其表面光滑、平整度高,防污能力好、光泽度高。
2.A、B组分滴入速度与圈白修复能力的关系
以最佳实施例4配方为基准,参照实施例4的人造石材打磨抛光工艺进行打磨抛光,然后控制硅烷偶联剂和阻热剂的滴入速度,测试不同实施例中的圈白修复能力。
表3不同实施例中A、B组分滴入速度与圈白修复能力的关系
由表可见A、B组分滴入时间少于2min,圈白修复能力下降,说明石材表面依然存在较明显圈状、发白痕迹,滴入时间4-6s圈白修复能力有所好转,滴入时间超过8s时,圈白修复能力最好,超过15s,圈白修复能力也比较好,但修复效果开始下降,因此,本发明的A、B组分滴入时间应在8-10s之间效果较好。原因是,A、B组分滴入时间即为两者反应时间,滴入过快,没有充分渗透、填充及反应,硅烷偶联剂一端与无机材料表面的硅醇基团反应生成共价键,另一端与树脂生成共价键,从而使两种性质差别很大的材料“偶联”起来,稳定地填充在人造石材表面与纳米抛光液之间。
上述实施方式仅为本发明的优选实施方式,不能以此来限定本发明保护的范围,本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。
Claims (8)
1.一种应用于人造无机石的预处理填充液,其特征在于,包括A组分和B组分,所述A组分包括质量百分数为0.1-1%的硅烷偶联剂;所述B组分由多种粒径不同的硅溶胶填充剂组成,具体包括质量百分数为1-3%的粒径范围为135-85nm的硅溶胶、质量百分数为4-6%的粒径范围为60-80nm的硅溶胶、质量百分数为5-8%的粒径范围为8-30nm的硅溶胶;
所述A组分还包括质量百分数为2.5-4.5%的阻热剂;所述阻热剂选自氮化硅。
2.如权利要求1所述的预处理填充液,其特征在于,所述硅烷偶联剂选自南京向前化工有限公司牌号为KH550、KH570的硅烷偶联剂;所述硅溶胶购自美国格雷斯公司的纳米硅溶胶。
3.如权利要求1所述的预处理填充液,其特征在于,该预处理填充液包括A组分和B组分,所述A组分包括质量百分数为0.5%的硅烷偶联剂和质量百分数为3.5%的阻热剂;所述B组分由多种粒径范围不同的硅溶胶填充剂组成,分别包括质量百分数为1.25%的粒径范围为105nm的硅溶胶、质量百分数为4.8%的粒径范围为65nm的硅溶胶、质量百分数为6.8%的粒径范围为25nm的硅溶胶。
4.一种人造无机石打磨抛光前的预处理方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)利用打磨上光设备对人造无机石进行表面预抛光磨削,使人造无机石表面平整,清扫人造无机石表面的碎屑,对人造无机石进行初步预热;
(2)借助人造无机石的温度,将预处理填充液的A组分滴入人造无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将A组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内;
(3)A组分表面填充完后,再将预处理填充液的B组分滴入无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将B组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内,然后与A组分反应,充分固化填充毛孔及微裂纹,并在人造无机石的表面形成一层均匀隔断阻热层;
所述A组分的配方量是指质量百分数为0.1-1%的硅烷偶联剂、质量百分数为2.5-4.5%的阻热剂、余量的水,上述组分的质量百分数之和为100%;所述阻热剂选自氮化硅;所述B组分由多种粒径范围不同的硅溶胶填充剂组成,具体包括质量百分数为1-3%的粒径范围为135-85nm的硅溶胶、质量百分数为4-6%的粒径范围为60-80nm的硅溶胶、质量百分数为5-8%的粒径范围为20-30nm的硅溶胶和余量的水,上述组分的质量百分数之和为100%。
5.如权利要求4所述的预处理方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述初步预热的温度控制在45-75℃;
在步骤(2)中,所述预处理填充液的A组分添加量为50-65ml/m2;A组分滴入时间控制在8-10s,打磨涂覆时间15-25s;打磨上光设备的磨盘公转速度为80-120r/min,安装在磨盘上的磨料自转速度为1200-1400r/min;
在步骤(3)中,所述预处理填充液的B组分添加量为35-45ml/m2;B组分滴入时间控制在8-10s,打磨涂覆时间20-45s;打磨上光设备的磨盘公转速度为80-120r/min,安装在磨盘上的磨料自转速度为1200-1400r/min。
6.如权利要求5所述的预处理方法,其特征在于,在步骤(2)中,所述A组分制备方法如下:将配方量的硅烷偶联剂和水加入分散缸内中,启动搅拌,搅拌速度为400-600r/min,搅拌时间为5-10min;缓慢加入配方量的阻热剂,再用研磨机研磨至无粗粒,转速为800r/min,研磨时间为5-8min。
7.一种人造无机石抛光打磨方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)人造无机石预处理过程:
(11)利用打磨上光设备对人造无机石进行表面预抛光磨削,使人造无机石表面平整,清扫人造无机石表面的碎屑,对人造无机石进行初步预热;
(12)借助人造无机石的温度,将预处理填充液的A组分滴入人造无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将A组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内;
(13)A组分表面填充完后,再将预处理填充液的B组分滴入无机石的表面,利用打磨上光设备的一到两组磨料,将B组分打磨涂覆在人造无机石的表面,控制滴入速度和打磨涂覆时间,使其渗透入人造无机石的毛孔及微裂纹内,然后与A组分反应,充分固化填充毛孔及微裂纹,并在人造无机石的表面形成一层隔断阻热层;
所述A组分的配方量是指质量百分数为0.1-1%的硅烷偶联剂、质量百分数为2.5-4.5%的阻热剂、余量的水,上述组分的质量百分数之和为100%;所述阻热剂选自氮化硅;所述B组分由多种粒径范围不同的硅溶胶填充剂组成,具体包括质量百分数为1-3%的粒径范围为135-85nm的硅溶胶、质量百分数为4-6%的粒径范围为60-80nm的硅溶胶、质量百分数为5-8%的粒径范围为20-30nm的硅溶胶和余量的水,上述组分的质量百分数之和为100%;
(2)纳米抛光液打磨抛光处理过程:
(21)首先在经过步骤(1)预处理后的人造无机石表面均施加纳米抛光液,利用打磨上光设备上的十二组磨料对人造无机石表面进行施压、打磨、抛光;
(22)重复步骤(21)3-7次;
(23)用磨料清扫,即可。
8.如权利要求7所述的人造无机石抛光打磨方法,其特征在于,在步骤(21)中,所述纳米抛光液的添加量为35-45ml/m2,纳米抛光液的抛光条件为:压力105kg,打磨上光设备的磨盘公转速度为80-120r/min,安装在磨盘上的磨料自转速度为1200-1400r/min,纳米抛光液供给流速为200mL/min,人造石材表面温度为不高于50℃。
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