CN112655067A - 产生经调制的频率或经相互调制的频率的射频产生器 - Google Patents

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Abstract

描述了一种产生高频射频(RF)信号的高频RF产生器。不需要产生低频RF信号的另一低频RF产生器。低频RF信号在高频RF产生器内预放大以输出经预放大的低频RF信号。类似地，高频RF信号在高频RF产生器内预放大以输出经预放大的低频RF信号。高频RF产生器组合经预放大的低频RF与经预放大的高频RF信号以提供经组合的RF信号。经组合的RF信号在高频RF产生器内放大以将经放大的信号供给至匹配装置。也不需要用于低频RF产生器的另一匹配装置。

Description

产生经调制的频率或经相互调制的频率的射频产生器
技术领域
本发明的实施方案涉及用于产生经调制的频率或经相互调制的频率射频(RF)产生器。
背景技术
一般而言，处理反应器用于处理在晶片(例如硅晶片)上的操作。这些晶片通常在各种反应器中进行多次处理以在其上形成集成电路。这些处理操作中的一些例如涉及在晶片的选择的表面或层上沉积材料。
一种这样的反应器是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)反应器。例如，PECVD反应器可用于沉积绝缘膜，如沉积氧化硅(SiO)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)、碳氧化硅(SiOC)及其他材料。取决于被沉积的膜的类型，在供给射频(RF)功率时将特定反应气体导入PECVD反应器以产生能沉积的等离子体。RF功率通过多个RF产生器产生并且通过对应的多个匹配盒提供至多个PECVD反应器的多个电极。
就是在这种背景下，出现了本公开内容中所描述的实施方案。
发明内容
本公开内容的实施方案包含用于提供用于产生经调制的频率或经相互调制的频率的射频(RF)产生器的系统和方法。应明白本发明的实施方案可以多种方式实施，例如以工艺、设备、系统、装置或计算机可读介质上的方法。下面将说明若干实施方案。
在例如沉积工具或蚀刻工具之类的等离子体工具中，使用两个频率。两个频率包含较低频率和较高频率。使用两个频率有助于分开控制等离子体密度和等离子体能量。例如，较低频率主要控制自由基的能量，因此能控制待沉积至衬底上的膜的应力。较高频率主要控制等离子体密度，因此能控制膜在衬底上的沉积速率。
等离子体工具包含在第一频率下操作的匹配装置和低频产生器。该等离子体工具还包含在第二频率下操作的另一匹配装置和高频产生器。来自这些匹配装置的输出被馈送至与站耦合的组合器。在该站处组合在两频率下的高的功率量。然而在等离子体工具中，成本和房地产使用率高。例如，有低频和高频两个产生器以及两个匹配装置。此外，等离子体工具的可靠性下降，而等离子体工具的复杂性上升。等离子体工具的可靠性随着产生器的数量的增加以及对应匹配装置的数量的增加而减少。当产生器的数量以及匹配装置的数量增加时，在产生器内所使用的部件的数量增加且匹配装置内所使用的部件的数量增加，因此等离子体工具的可靠性下降。另外，与两个匹配装置的部件相关的连接件的数量以及与两个产生器的部件相关的连接件的数量增加而使等离子体工具的复杂性增加并且使等离子体工具的可靠性下降。
在一些实施方案中，提供RF产生器，并且在其中组合两种频率。RF产生器具有能组合频率的组合器。接着将经组合的频率提供至用于将经组合的频率一起放大以输出经放大的信号的功率放大器。经放大的信号被提供至通过分配器而耦合至多个站的匹配装置。
在一些实施方案中，描述了一种高频RF产生器。该高频RF产生器包含：低频振荡器，其被配置成产生低频RF信号；高频振荡器，其被配置成产生高频RF信号；以及高频预放大器，其耦合至所述高频振荡器的输出端子以接收所述高频RF信号。所述高频预放大器放大所述高频RF信号以产生经放大的高频RF信号。该高频RF产生器还包含：低频预放大器，其耦合至所述低频振荡器的输出端子以接收所述低频RF信号。所述低频预放大器放大所述低频RF信号以产生经放大的低频RF信号。该高频RF产生器还包含：组合器，其耦合至所述高频预放大器的输出端子以从所述高频预放大器接收所述经放大的高频RF信号。所述组合器还耦合至所述低频预放大器的输出端子以从所述低频预放大器接收所述经放大的低频RF信号。所述组合器将所述经放大的低频RF信号乘上所述经放大的高频RF信号以输出经组合的RF信号。该高频RF产生器还包含：输出放大器，其耦合至所述组合器的输出端子。所述输出放大器放大所述经组合的RF信号以输出经放大的信号，从而将所述经放大的信号提供至阻抗匹配电路。
在多种实施方案中，公开了另一高频RF产生器。该另一高频RF产生器与上述的高频RF产生器相同，但并非具有将该经放大的低频RF信号乘上该经放大的高频RF信号的组合器，而是具有另一高频RF产生器的组合器，该组合器将该经放大的低频RF信号加上该经放大的高频RF信号以输出经组合的RF信号。
在若干实施方案中，描述了一种等离子体系统。该等离子体系统包含高频RF产生器。该高频RF产生器包含低频振荡器、高频振荡器、高频预放大器、低频预放大器以及组合器。该组合器组合经放大的低频RF信号与经放大的高频RF信号以输出经组合的RF信号。该高频RF产生器还包含耦合至该组合器的输出端子的输出放大器。该输出放大器放大该经组合的RF信号以输出经放大的信号。该等离子体系统还包含耦合至该高频RF产生器的输出端子的匹配装置。该匹配装置接收该经放大的信号以输出经修改的RF信号。该等离子体系统还包含耦合至该匹配装置的输出端子的分配器。该分配器接收该经修改的RF信号以输出多个经分配的RF信号。
本文中所述的在其中组合两种频率的RF产生器的某些优点包含将产生器的数量从两个减少为一个。将产生两个频率的两个产生器减少为组合频率并在组合后放大频率的一个RF产生器。RF产生器的多个部件被封装在一个产生器盒中，因此减少房地产。例如，本文中所述的RF产生器使用的部件比两个产生器的部件的总数量少了近50％。此外，匹配装置的数量从两个减少为一个。匹配装置的数量的减少能减少匹配装置的部件的数量。例如，与RF产生器耦合的本文中所述的匹配装置使用的部件比等离子体工具的两个匹配装置的部件的总数量少了近50％。因此，成本、房地产利用率和复杂性都减少，因此可靠性增加。例如，当使用一个匹配装置和一个RF产生器而非两个匹配装置和两个产生器时，近50％的减少可造成100％的可靠性增加。
在其中组合两种频率的RF产生器的额外优点包含使用的功率放大器的数量减少。在具有两个产生器的等离子体工具中，使用两个功率放大器。每一功率放大器放大对应的频率。接着经放大的频率被馈送至对应的匹配装置中，来自匹配装置的输出由等离子体工具的组合器进行组合。在本文中所述的RF产生器中，在功率放大器之前使用组合器，因此该组合器的尺寸小于在等离子体工具中所使用的组合器的尺寸。本发明的组合器比耦合至等离子体工具的两个匹配的输出的组合器消耗更少的功率。
更进一步的优点包含，相比于两个产生器和两个匹配装置所使用的计量，可减少用于测量因子(如与RF产生器及匹配装置相关的功率、电流、电压等)的计量。相比于使用两个RF产生器和两个匹配装置时，当使用一个RF产生器(沿着该RF产生器可进行测量)和一个匹配装置时会有较少的点和路径。此外，当使用一个RF产生器和一个匹配装置而非两个RF产生器和两个匹配装置时，与计量相关的成本下降。
根据下文的结合附图进行详细说明，其他方面将变得明显。
附图说明
参考下文的结合附图进行的说明可最好地理解实施方案。
图1示出了用于处理晶片的衬底处理系统。
图2示出了多站处理系统的俯视图，其中在多站处理系统中提供四个处理站。
图3显示了具有入站加载锁和出站加载锁的多站处理工具的实施方案的示意图。
图4为一系统的实施方案图，其用于说明使用射频(RF)产生器作为具有低频(LF)调制的高频(RF)产生器。
图5A为一系统的实施方案图，其用于说明HF产生器的实施方案。
图5B显示了多个图的实施方案，其用于说明从图5A的HF预放大器所输出的经放大的高频RF信号、从图5A的LF预放大器所输出的经放大的低频RF信号、从图5A的组合器所产生的经组合的RF信号、以及从图4的HF产生器所输出的RF信号。
图6为一系统的实施方案图，其用于说明使用图1的RF产生器作为具有LF相互调制的HF产生器。
图7A为一系统的实施方案图，其用于说明图6的HF产生器的实施方案。
图7B显示了多个图的实施方案，其用于说明从图5A的HF预放大器所输出的经放大的高频RF信号、从图5A的LF预放大器所输出的经放大的低频RF信号、从图7A的组合器所产生的经组合的RF信号、以及从图7A的HF产生器所输出的RF信号。
图8为一系统的实施方案图，其用于说明一HF产生器的实施方案，在HF产生器中对与三频率相关的变量进行调制。
图9为一系统的实施方案图，其用于说明一HF产生器的实施方案，在HF产生器中对与三频率相关的变量进行相互调制。
具体实施方式
下列实施方案说明了用于产生经调制的频率或经相互调制的频率的射频(RF)产生器。应明白，可在缺乏这些特定细节中的部分或全部的情况下实施本发明的实施方案。在其他情况下，不详细说明已知的处理操作以免不必要地使本发明的实施方案难以理解。
膜的沉积优选在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中实现。PECVD系统可具有许多不同的形式。PECVD系统包含一或多个等离子体室或“反应器”，等离子体室或反应器可容纳一或多个晶片且适合用于晶片处理。有时，反应器或等离子体室在本文中被称为站。一或多个等离子体室中的每一者容纳一或多个晶片以供处理，该处理例如是对一或多个晶片进行沉积、或蚀刻、或清理、或溅射。一或多个等离子体室中的每一者在移动或不移动的情况下将一个晶片维持在经限定的一个或多个位置，该移动例如是旋转、振动、或其他扰动等。如果需要，将经历处理的晶片从一等离子体室转移至另一等离子体室。例如，膜沉积发生在单一等离子体室处或膜的任何部分在任何数量的等离子体室处沉积。在工艺期间，每一晶片被基座如晶片卡盘等和/或等离子体室的其他晶片支撑装置保持在合适位置。
图1示出了衬底处理系统100，衬底处理系统100为用于处理晶片101的PECVD系统的一示例。晶片101为上面制造有集成电路的半导体晶片。集成电路在例如手机、电视、平板、传感器、物连网(IoT)装置等电子装置中实现。衬底处理系统100包含等离子体室102，等离子体室102具有下室部102b与上室部102a。等离子体室102的示例包含PECVD等离子体室。中央柱支撑基座140，其包含基座140的下电极。晶片101被放置在基座140上以用于处理晶片101。晶片101的处理示例包含在晶片101上沉积一或多种材料(如氧化物或金属)、蚀刻晶片101、清洁晶片101以及溅射晶片101。
下电极由金属(例如铝或铝合金)制成。基座140的下电极被电耦合至分配器121，分配器121还耦合至匹配网络106的输出端子。RF连接器109A将基座140的下电极电耦合至分配器121。本文中所使用的RF连接器的一示例包含导体，例如电线或缆线。
匹配网络106具有外壳，例如围绕匹配网络106的多个部件的金属外壳。匹配网络106的多个部件的示例包含电阻器、电感以及电容器。位于匹配网络106的外壳内的多个部件可通过外壳的门或外壳的侧边访问。例如，用户打开匹配网络106的外壳的门以访问匹配网络106的多个部件中的一或多者。又例如，用户移除匹配网络106的外壳的侧壁或上壁以访问匹配网络106的多个部件中的一或多者。在一些实施方案中，在本文中交换使用术语匹配装置、匹配盒、匹配网络、阻抗匹配网络和阻抗匹配电路。
分配器121的示例为具有输入RF连接器(未显示)和多个输出RF连接器(未显示)的分配电路。分配器121的输入RF连接器通过连接点而连接至分配器121的输出RF连接器。RF传输线107将分配器121的输入RF连接器耦合至匹配网络106的输出端子。此外，分配器121的输出RF连接器耦合至RF连接器109A、109B、109C以及109D。例如，分配器121的输出RF连接器中的第一者连接至RF连接器109A，分配器121的输出RF连接器中的第二者连接至RF连接器109B，分配器121的输出RF连接器中的第三者连接至RF连接器109C，而分配器121的输出RF连接器中的第四者连接至RF连接器109D。
多个RF连接器109B、109C和109D中的每一者连接至等离子体室102之外的对应的等离子体室。对应的等离子体室与等离子体室102具有相同的结构。等离子体室102在本文中有时被称为站1。等离子体室102之外的对应的等离子体室在本文中有时被称为站2、站3以及站4。匹配网络106的输入端子通过RF缆线105而耦合至RF产生器104。
如本文中所述的匹配网络为一或多个部件的网络，该一或多个部件例如是一或多个电阻器、或一或多个电容器、或一或多个电感、或其组合，匹配网络使耦合至匹配网络的一或多个输出端子的负载的阻抗与耦合至匹配网络的一或多个输入端子的源的阻抗匹配。耦合至匹配网络106的输出端子的负载的示例包含分配器121以及站1至4。耦合至匹配网络106的输入端子的源的示例包含RF产生器104以及RF缆线105。多个部件中的两或更多部件以并行或串行方式彼此耦合。RF产生器104的示例包含13.56兆赫(MHz)RF产生器、27MHz RF产生器以及60MHz RF产生器。RF产生器104为高频RF产生器。
RF产生器104通过传输缆线而耦合至探针控制装置和系统控制装置110，例如控制器、主计算机等，且由探针控制装置和系统控制装置110控制。本文中所使用的传输缆线的示例包含以串行方式、以并行方式、或通过应用通用串行总线(USB)协议传输数据的缆线。控制器的示例包含处理器与存储器装置的组合。控制器的处理器耦合至控制器的存储器装置。本文中所使用的处理器为专用集成电路(ASIC)、可编程逻辑设备(PLD)、中央处理单元(CPU)、或微处理器等。本文中所使用的存储器装置的示例包含只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、储存碟的冗余阵列、硬盘、闪存等。主计算机系统的示例包含笔记本电脑、桌面计算机、平板以及智能手机。
探针控制装置和系统控制装置110通过执行工艺输入与控制108而操作衬底处理系统100。工艺输入与控制108包含一或多个处理配方，如功率电平、频率电平、时序参数、处理气体、晶片101的机械移动、喷头150与基座140之间的间隙等以在晶片101的上表面上沉积或形成膜。工艺输入与控制108被储存在探针控制装置和系统控制装置110的存储器装置内。喷头150包含上电极，其也由金属制成。上电极耦合至地电位。
还显示了中央柱包含多个升降销120，升降销120由升降销控制装置122控制。升降销120用于将晶片101从基座140举高以使末端执行器能拾取晶片101以及在晶片101由末端执行器放置之后降下晶片101。衬底处理系统100还包含气体供给歧管112，气体供给歧管112连接至处理气体114，例如来自设施等的气体化学品供给源。取决于受到进行的处理，探针控制装置与系统控制装置110通过气体供给歧管112控制处理气体114的输送。处理气体114的示例包含含氧气体如O2。处理气体114的其他示例包含含氟气体，例如四氟甲烷(CF4)、六氟化硫(SF6)、六氟乙烷(C2F6)等。接着处理气体114流至喷头150中并且被分配至被限定在面对晶片101的喷头150与基座140之间的空间体积(如间隙等)中。
此外，在一些实施方案中，处理气体114是预混合的或未预混合的。使用适当的阀与质量流动控制机构来确保在处理的沉积与等离子体处理阶段期间输送处理气体114中的特定处理气体。处理气体114通过出口离开等离子体室102。真空泵(例如一或两阶段的机械干式泵、涡轮分子泵等)从等离子体室102抽出处理气体114。另外，通过等离子体室102的底壁与真空泵之间的闭环控制的流动限制装置(例如节流阀或钟摆阀)在等离子体室102内维持适当低的压力。
还显示的是承载环151，承载环151围绕基座140的外部区域。承载环151座落在承载环支撑区域上方，承载环支撑区域为围绕并且靠近基座140的中央的晶片支撑区域往下的台阶。承载环151包含其碟状结构的外边缘侧(如外半径等)与其碟状结构的最靠近晶片101座落位置的晶片边缘侧(如内半径等)。承载环151的晶片边缘侧包含多个接触支撑结构，在承载环151被多个蜘蛛叉180举高时多个接触支撑结构举高晶片101。因此承载环151随着晶片101而被举高且被旋转至如多站系统中的另一站，如其他等离子体室中的一者。
在通过传输缆线从探针控制装置和系统控制装置110接收到多个功率电平及多个频率电平时，RF产生器104产生具有该多个功率电平和多个频率电平的RF信号111并通过RF缆线105将RF信号111供给至匹配网络106的输入端子。匹配网络106使耦合至匹配网络106的输出端子的负载的阻抗与耦合至匹配网络106的输入端子的源的阻抗匹配，以从RF信号111输出经修改的RF信号113。
经修改的RF信号113从匹配网络106的输出端子通过RF传输线107和分配器121的输入端子而供给至分配器121的输入RF连接器。分配器121的输入端子耦合至分配器121的输入RF连接器。分配器121通过分配器121的多个输出RF连接器分配经修改的RF信号113的RF功率以输出多个RF信号115A、115B、115C、及115D。RF信号115A通过分配器121的第一输出RF连接器以及RF连接器109A而供给至等离子体室102的下电极。类似地，RF信号115B通过分配器121的第二输出RF连接器以及RF连接器109B而供给至站2的下电极，RF信号115C通过分配器121的第三输出RF连接器以及RF连接器109C而供给至站3的下电极，而RF信号115C通过分配器121的第四输出RF连接器以及RF连接器109C而供给至站4的下电极。
当处理气体114供给至喷头150与基座140之间的间隙除了RF信号115A供给至等离子体室102的下电极时，在等离子体室102内激励或维持等离子体以处理晶片101。类似地，通过将处理气体供给至喷头与站2的基座之间的间隙且RF信号115B被供给至站2的下电极，在站2内激励或维持等离子体以处理晶片101或另一晶片。此外，以类似方式，当处理气体被供给至喷头与站3的基座之间的间隙且RF信号115C被供给至站3的下电极时，在站3内激励或维持等离子体以处理晶片101或另一晶片。当处理气体被供给至喷头与站4的基座之间的间隙且RF信号115D被供给至站4的下电极时，在站4内激励或维持等离子体以处理晶片101或另一晶片。
在多种实施方案中，站2-4的喷头的上电极被耦合至地电位。
在一实施方案中，站1至4的喷头的上电极通过匹配网络106而耦合至RF产生器104以从RF产生器104接收功率且站1至4的基座内的下电极接地，而非站1至4的下电极通过匹配网络106电耦合至RF产生器104。
在一些实施方案中，在衬底处理系统100内仅使用RF产生器104。不需要如本文中所述的能产生具有低频的RF信号的另一低频RF产生器。此外，在这些实施方案，仅使用匹配网络106。不需要另一匹配网络自低频RF产生器接收RF信号。
图2示出了多站处理工具的俯视图，多站处理工具提供四个处理站，即站1、站2、站3、及站4。四个处理站通过蜘蛛叉180访问。四站中的每一站通过隔离壁或其他机构而与四站中的另一站隔离。在一实施方案中，站与站之间并无隔离壁或其他机构隔离。每一蜘蛛叉180包含第一臂与第二臂，两臂中的每一臂设置在基座140的每一侧的一部分附近。在此图中，蜘蛛叉180以虚线绘制以表现其位于承载环151之下。蜘蛛叉180使用接合与旋转机构220同时将站1至4的多个承载环151从多个承载环151的下表面举高，然后在降下多个承载环151前使多个承载环151在站1至4中两个或更多个之间旋转。在旋转期间，多个承载环151中的至少一者支撑晶片101至下一位置以更进一步在晶片101上进行等离子体处理、处置、和/或膜沉积。
图3显示了具有入站加载锁302与出站加载锁304的多站处理工具300的实施方案的示意图。在大气压处的机械手306将衬底(如晶片101等)从经由舱308加载的晶片盒通过大气接口310而移动至入站加载锁302中。入站加载锁302被耦合至真空源(未显示)，因此当大气接口310关闭时，入站加载锁302被抽空。入站加载锁302还包含与站1至4中的一者对接的室传送接口316。因此，当室传送接口316开启时，另一机械手(未显示)将晶片101从入站加载锁302移动至站1的基座140以进行处理。
在一些实施方案中，在包围站1至4的外壳中维持低压环境使得利用承载环151在站1至4之间传送衬底但不会经历真空破坏和/或暴露于空气。站1至4中的每一者皆包含处理站衬底支撑件及多个处理气体输送线入口。
蜘蛛叉180在站1至4之间传送衬底。蜘蛛叉180旋转并致使晶片101能从站1至4中的一者传送至站1至4中的另一者。传送是以下列方式进行：蜘蛛叉180将多个承载环151从外下表面举高因而举高晶片101，然后将晶片101与承载环151一起旋转至下一站。在一配置中，蜘蛛叉180由陶瓷材料制成以在处理期间耐受高程度的热。
在多种实施方案中，使用不是四个的多个处理站。例如，使用三个、或二个、或五个等离子体处理站来处理晶片101。
图4为系统400的实施方案图，其示出了使用RF产生器104作为具有低频(LF)调制的高频(HF)产生器。系统400包含HF产生器402，HF产生器402为图1的RF产生器104的示例。系统400还包含HF匹配装置404，HF匹配装置404为图1的匹配网络106的示例。系统400还包含分配器121，分配器121在本文中有时被称为HF分配器。系统400包含等离子体室102、站2、站3及站4。HF产生器402的输出端子通过RF缆线105而耦合至HF匹配装置404的输入端子。此外，HF匹配装置404的输出端子通过RF传输线107而耦合至分配器121的输入端子。
HF产生器402产生RF信号403(RF信号403为高频RF信号)并通过RF缆线105将RF信号403供给至HF匹配装置404的输入端子。例如，HF产生器402通过下列方式进行LF调制：将低频RF信号的RF功率乘上高频RF信号的RF功率以产生RF信号403。RF信号403具有包络，该包络具有低频RF信号的低频。HF匹配装置404接收RF信号403并且使耦合至HF匹配装置404的输出端子的负载的阻抗与耦合至HF匹配装置404的输入端子的源的阻抗匹配，以输出经修改的RF信号406。RF信号403为图1的RF信号111的示例，经修改的RF信号406为图1的经修改的RF信号113的示例。耦合至HF匹配装置404的输出端子的负载的示例包含RF传输线107、分配器121、RF连接器109A-109D以及站1-4。此外，耦合至HF匹配装置404的输入端子的源的示例包含HF产生器402以及RF缆线105。
分配器121通过RF传输线107从HF匹配装置404的输出端子接收经修改的RF信号406并将经修改的RF信号406的RF功率分配至多个RF信号408A、408B、408C及408D。RF信号408A通过RF连接器109A而发送至图1的等离子体室102的下电极，RF信号408B通过RF连接器109B而发送至站2的下电极。类似地，RF信号408C通过RF连接器109C而发送至站3的下电极，RF信号408D通过RF连接器109D而发送至站4的下电极。
图5A为系统500的实施方案图，其示出了HF产生器402的实施方案。系统500包含HF产生器402、HF匹配装置404、HF分配器121以及等离子体室102。
HF产生器402包含多个部件，如HF振荡器506A、LF振荡器506B、反馈增益控制532、增益设置503、HF预放大器510A、增益设置505、反馈增益控制534、LF预放大器510B、组合器514、HF功率放大器518、反馈增益控制536以及增益设置507。HF产生器402具有外壳530，外壳530由金属制成。HF产生器402的外壳530围绕HF产生器402的多个部件，如HF振荡器506A、LF振荡器506B、反馈增益控制532、增益设置503、HF预放大器510A、增益设置505、反馈增益控制534、LF预放大器510B、组合器514、HF功率放大器518、反馈增益控制536以及增益设置507。例如，外壳530具有17.1英寸的宽度、19.7英寸的深度以及7英寸的高度。又例如，外壳530具有16英寸的宽度、15英寸的深度以及5英寸的高度。应注意，外壳530的高度可为3U、5U、或7U，其中U等于1.75英寸。例如，HF产生器402可作为3U架单元或5U架单元或7U架单元来提供。外壳530通过架支撑。又更例如，外壳530的尺寸与高频产生器外壳(未显示)的尺寸相同。高频产生器外壳(未显示)与低频产生器外壳(未显示)一起用于通过多个匹配装置将RF功率供给至站1至4。
HF产生器402的外壳530的多个部件可通过外壳530的门或外壳530的侧边访问。例如，用户开启HF产生器402的外壳530的门以获得对外壳530的多个部件中的一或多者的访问。又例如，用户移动HF产生器402的外壳530的侧壁或上壁以访问外壳530的多个部件中的一或多者。
HF振荡器506A的一示例为电子振荡器，电子振荡器在高频处如从10MHz至100MHz(包含端点)的频率范围内振荡。例如，HF振荡器506A为产生具有高频的周期性振荡信号的电子电路，周期性振荡信号例如是正弦波。又例如，HF振荡器506A在13.56MHz的频率下振荡。又例如，HF振荡器506A在27MHz的频率下振荡。又例如，HF振荡器506A在60MHz的频率下振荡。LF振荡器506B的示例为电子振荡器，电子振荡器在低频处如从100千赫(kHz)至3MHz(包含端点)的频率范围内振荡。例如，LF振荡器506B为产生具有低频的周期性振荡信号的电子电路，周期性振荡信号例如是正弦波。又例如，LF振荡器506B在2MHz的频率下振荡。又例如，LF振荡器506B在400kHz的频率下振荡。
此外，本文中所使用的反馈增益控制的示例包含电阻器以及分配器。例如，反馈增益控制532为一电阻器，反馈增益控制534为另一电阻器，而反馈增益控制536为又一电阻器。本文中所使用的分压器(也称为电位分压器)为产生输出电压的无源线性电路，输出电压为其输入电压的一部分。例如，分压器的输入端子被耦合至HF预放大器510A的输出端子O3，分压器的输出端子被耦合至HF预放大器510A的输入端子I1。又例如，分压器的输入端子被耦合至LF预放大器510B的输出端子O4，分压器的输出端子被耦合至LF预放大器510B的输入端子I2。又例如，分压器的输入端子被耦合至HF功率放大器518的输出端子O6，分压器的输出端子被耦合至HF功率放大器518的输入端子I5。
本文中所使用的增益设置的示例包含马达以及用于将马达连接至对应的反馈增益控制的连接件。例如，增益设置503包含马达以及连接件，马达通过连接件而耦合至反馈增益控制532。又例如，增益设置505包含马达以及连接件，马达通过连接件而耦合至反馈增益控制534。又例如，增益设置507包含马达以及连接件，马达通过连接件而耦合至反馈增益控制536。本文中所使用的将马达耦合至对应的反馈增益控制的连接件的示例包含将马达耦合至对应的反馈增益控制的一或多个杆。本文中所使用的将马达耦合至对应的反馈增益控制的连接件的另一示例包含将马达耦合至对应的反馈增益控制的一或多个杆及一或多个齿轮。本文中所使用的增益设置的另一示例包含晶体管，例如场效晶体管(FET)或双极结型晶体管(BJT)。本文中所使用的增益设置的又一示例包含电压源，控制该电压源的电压以控制耦合至增益设置的对应的反馈增益控制的增益。
又例如，本文中所使用的增益设置与对应的反馈增益控制的组合的示例包含可变电压供应源，如可变电源。例如，增益设置503与反馈增益控制532的组合为可变电压供应源，增益设置505与反馈增益控制534的组合为另一可变电压供应源。此外，增益设置507与反馈增益控制536的组合为可变电压供应源。
本文中所使用的预放大器的示例包含运算放大器、固定放大器以及其增益受到电压控制的放大器。例如，本文中所使用的运算放大器具有差动输入端子以及单一输出端子。差动输入端子具有正输入端子和负输入端子。当预放大器为运算放大器时，运算放大器的正输入端子被耦合至对应振荡器(如HF振荡器506A或LF振荡器506B)的输出端子，运算放大器的负输入端子被耦合至地电位。例如，运算放大器的正输入端子被耦合至HF振荡器506A的输出端子O1，运算放大器的负输入端子被耦合至地电位。又例如，运算放大器的正输入端子被耦合至LF振荡器506B的输出端子O2，运算放大器的负输入端子被耦合至地电位。
类似地，本文中所使用的功率放大器的示例包含运算放大器、固定放大器以及其增益受到电压控制的放大器。当功率放大器为运算放大器时，运算放大器的正输入端子被耦合至组合器514的输出端子O5，运算放大器的负输入端子被耦合至地电位。
组合器514的示例包含调制器以及乘法器。组合器514可以被实现为ASIC、PLD、或乘法器电路、或控制器、或处理器。
HF振荡器506A的输出端子O1被耦合至HF预放大器510A的输入端子I1，LF振荡器506B的输出端子O2被耦合至LF预放大器510B的输入端子I2。此外，HF预放大器510A的输出端子O3被耦合至组合器514的输入端子I3，LF预放大器510B的输出端子O4被耦合至组合器514的另一输入端子I4。组合器514的输出端子O5被耦合至HF功率放大器518的输入端子I5，HF功率放大器518的输出端子O6通过RF缆线105而耦合至HF匹配装置404的输入端子。
此外，HF预放大器510A的输出端子O3被耦合至反馈增益控制532的一端，反馈增益控制532的另一端被耦合至HF预放大器510A的输入端子I1以及HF振荡器506A的输出端子O1。类似地，LF预放大器510B的输出端子O4被耦合至反馈增益控制534的一端，反馈增益控制534的另一端被耦合至LF预放大器510B的输入端子I2以及LF振荡器506B的输出端子O2。此外，HF功率放大器518的输出端子O6被耦合至反馈增益控制536的一端，反馈增益控制536的另一端被耦合至HF功率放大器518的输入端子I5以及组合器514的输出端子O5。
HF振荡器506A振荡以产生高频RF信号508A，LF振荡器506B振荡以产生低频RF信号508B。高频RF信号508A具有高频，而低频RF信号508B具有低频。高频RF信号508A通过将输出端子O1耦合至输入端子I1的导体从HF振荡器506A的输出端子O1被供给至HF预放大器510A的输入端子I1。类似地，低频RF信号508B通过将输出端子O2耦合至输入端子I2的导体自HF振荡器506B的输出端子O2被供给至HF预放大器510B的输入端子I2。而且，HF功率放大器518的输出端子O6耦合到反馈增益控制536的一端，并且反馈增益控制536的另一端耦合到HF功率放大器518的输入端子I5并且耦合到组合器514的输出端子O5。
HF预放大器510A根据增益值“a”放大高频RF信号508A的变量，以在HF预放大器510A的输出端子O3处输出经放大的高频RF信号512A的变量。本文中所使用的变量为功率或电压。相对于高频RF信号508A的该变量，经放大的高频RF信号512A的该变量被增益值“a”所放大。增益值“a”由反馈增益控制532的参数(例如电阻或电压)控制。反馈增益控制532的该参数由增益设置503所控制，增益设置503被耦合至图1的探针控制装置和系统控制装置110。例如，探针控制装置和系统控制装置110的处理器发送控制信号至增益设置503的马达，使马达的转子相对于马达的定子旋转。一旦马达旋转后，反馈增益控制532的电阻器的长度改变以改变电阻器的电阻。电阻器的电阻的变化使增益值“a”改变，以控制HF预放大器510A所提供的增益。又例如，探针控制装置和系统控制装置110的处理器发送控制信号至可变电压供应源以改变可变电压供应源的电压的量，可变电压供应源为增益设置503与反馈增益控制532的组合的示例。可变电压供应源的电压的量的变化使HF预放大器510A的输入端子I1处的电压改变，从而改变HF预放大器510A的增益值“a”。
类似地，LF预放大器510B根据增益值“b”放大低频RF信号508B的变量，以在LF预放大器510B的输出端子O4处输出经放大的低频RF信号512B的变量。相对于低频RF信号508B的该变量，经放大的低频RF信号512B的该变量被增益值“b”放大。增益值“b”由反馈增益控制534的参数(如电阻或电压)控制。反馈增益控制534的该参数由增益设置505控制，增益设置505被耦合至图1的探针控制装置和系统控制装置110。例如，探针控制装置和系统控制装置110的处理器发送控制信号至增益设置505的马达，使马达的转子相对于马达的定子旋转。一旦马达旋转后，反馈增益控制534的电阻器的长度改变以改变电阻器的电阻。电阻器的电阻的变化使增益值“b”改变，以控制LF预放大器510B所提供的增益。又例如，探针控制装置和系统控制装置110的处理器发送控制信号至可变电压供应源以改变可变电压供应源的电压的量，可变电压供应源为增益设置505与反馈增益控制534的组合的示例。可变电压供应源的电压的量的变化使LF预放大器510B的输入端子I2处的电压改变，从而改变LF预放大器510B的增益值“b”。
组合器514在其输入端子I3处通过将输出端子O3耦合至组合器514的输入端子I3的导体从HF预放大器510A的输出端子O3接收经放大的高频RF信号512A。此外，组合器514在其输入端子I4处通过将输出端子O4耦合至组合器514的输入端子I4的导体从LF预放大器510B的输出端子O4接收经放大的低频RF信号512B。组合器514组合(如调制或乘法运算)经放大的高频RF信号512A的变量与经放大的低频RF信号512B的变量，以产生经组合的RF信号516的变量。例如，组合器514将经放大的高频RF信号512A的功率乘以经放大的低频RF信号512B的功率，以产生经组合的RF信号516，经组合的RF信号516具有经放大的高频RF信号512A与经放大的低频RF信号512B的功率的乘积。
经组合的RF信号516通过将输出端子O5耦合至输入端子I5的导体从组合器516的输出端子O5供给至HF功率放大器518的输入端子I5。HF功率放大器518根据增益值“Z”放大经组合的RF信号516的变量，以在输出端子O6处输出RF信号403的变量。相对于经组合的RF信号516，RF信号403为经放大的RF信号，其被增益值“Z”所放大。增益值“Z”由反馈增益控制536的参数(例如电阻或电压)控制。反馈增益控制536的该参数由增益设置507所控制，增益设置507被耦合至图1的探针控制装置和系统控制装置110。例如，探针控制装置和系统控制装置110的处理器发送控制信号至增益设置507的马达，使马达的转子相对于马达的定子旋转。一旦马达旋转后，反馈增益控制536的电阻器的长度改变以改变电阻器的电阻。电阻器的电阻的变化使增益值“Z”改变以控制RF信号403所提供的增益。又例如，探针控制装置和系统控制装置110的处理器发送控制信号至可变电压供应源以改变可变电压供应源的电压的量，可变电压供应源为增益设置507与反馈增益控制536的组合的示例。可变电压供应源的电压的量的变化使HF功率放大器518的输入端子I5处的电压改变，从而改变HF功率放大器518的增益值“Z”。RF信号403通过RF缆线105从HF功率放大器518的输出端子O6供给至HF匹配装置404的输入端子。
图5B显示了图580、582、584和588的实施方案，以说明从图5A的HF预放大器510A所输出的经放大的高频RF信号512A、从图5A的LF预放大器510B所输出的经放大的低频RF信号512B、从图5A的组合器514所产生的经组合的RF信号516以及从图5A的HF产生器402所输出的RF信号403。图580绘出了经放大的高频RF信号512A的电压与时间t的关系图。类似地，图582绘出了经放大的低频RF信号512B的电压与时间t的关系图，图584绘出了经组合的RF信号516的电压与时间t的关系图，图588绘出了RF信号403的电压与时间t的关系图。相对于从HF振荡器506A所输出的高频RF信号508A，经放大的高频RF信号512A具有增益值“a”。例如，HF预放大器510A放大高频RF信号508A的电压以输出经放大的高频RF信号512A的电压。此外，相对于从HF振荡器506B所输出的低频RF信号508B，经放大的低频RF信号512B具有增益值“b”。例如，LF预放大器510B放大低频RF信号508B的电压以输出经放大的低频RF信号512B的电压。
组合器514将经放大的高频RF信号512A的电压乘以经放大的低频RF信号512B的电压，以产生经组合的RF信号516的电压。例如，组合器514将时间1000毫秒处的经放大的高频RF信号512A的电压值乘以时间1000毫秒处的经放大的RF信号512B的电压值，以产生时间1000毫秒处的经组合的RF信号516的电压值。在该示例中，组合器514将时间2000毫秒处的经放大的高频RF信号512A的电压值乘以时间2000毫秒处的经放大的RF信号512B的电压值，以产生时间2000毫秒处的经组合的RF信号516的电压值。
经组合的RF信号516具有包络586，包络586所具有的频率与经放大的RF信号512B的低频相同。例如，当经放大的RF信号512B的频率为2MHz时，经组合的RF信号516的包络586的频率也为2MHz。又例如，当经放大的RF信号512B的频率为400kHz时，经组合的RF信号516的包络的频率也为400kHz。本文中所使用的包络的示例为峰值至峰值的振幅，如功率的峰值至峰值振幅、电压的峰至峰振幅。本文中所使用的包络的另一示例为零至峰值振幅，如功率的零至峰值振幅或电压的零至峰值振幅。此外，经组合的RF信号516与经放大的RF信号512A的高频具有相同频率。例如，当经放大的RF信号512A的高频为27MHz时，经组合的RF信号516的频率为27MHz。又例如，当经放大的RF信号512A的高频为60MHz时，经组合的RF信号516的频率为60MHz。
图5A的HF功率放大器518以增益值“Z”放大经组合的RF信号516的电压，以输出RF信号403的电压。RF信号403具有包络590，包络590所具有的频率与经放大的RF信号512B的低频相同。例如，当经放大的RF信号512B的频率为2MHz时，RF信号403的包络590的频率也为2MHz。又例如，当经放大的RF信号512B的频率为400kHz时，RF信号403的包络的频率也为400kHz。此外，RF信号403具有与经放大的RF信号512A的高频相同的频率。例如，当经放大的RF信号512A的高频为27MHz时，RF信号403的频率为27MHz。又例如，当经放大的RF信号512A的高频为60MHz，RF信号403的频率为60MHz。
由于RF信号403具有高频RF信号508A的高频且具有包络，所述包络具有低频RF信号508B的频率，因此RF信号403控制站1至4内的等离子体密度以及站1至4内的等离子体的能量。例如，通过改变(例如增加或减少)增益值“a”来改变站1至4内的等离子体的能量。又例如，通过改变(例如增加或减少)增益值“b”来改变站1至4内的等离子体密度。此外，通过改变(例如增加或减少)增益值“Z”来改变站1至4内的能量以及等离子体密度。
在一些实施方案中，组合器514将经放大的高频RF信号512A的功率乘以经放大的低频RF信号512B的功率，以产生经组合的RF信号516的功率。例如，组合器514将时间1000毫秒处的经放大的高频RF信号512A的功率值乘以时间1000毫秒处的经放大的RF信号512B的功率值，以产生时间1000毫秒处的经组合的RF信号516的功率值。在该示例中，组合器514将时间2000毫秒处的经放大的高频RF信号512A的功率值乘以时间2000毫秒处的经放大的RF信号512B的功率值，以产生时间2000毫秒处的经组合的RF信号516的功率值。
图6为系统600的实施方案图，其示出了使用RF产生器104作为具有低频(LF)相互调制的高频产生器。系统600包含HF产生器602，HF产生器602为图1的RF产生器104的示例。系统600还包含HF匹配装置604，HF匹配装置604为图1的匹配网络106的示例。系统600还包含分配器121。系统600包含等离子体室102、站2、站3和站4。HF产生器602的输出端子通过RF缆线105而耦合至HF匹配装置604的输入端子。此外，HF匹配装置604的输出端子通过RF传输线107而耦合至分配器121的输入端子。
HF产生器602产生RF信号603并通过RF缆线105将高频RF信号603供给至HF匹配装置604的输入端子。例如，HF产生器602通过下列方式进行LF相互调制：将低频RF信号508A的RF功率(见图7A)与高频RF信号508B的RF功率(见图7A)相加以产生RF信号603。RF信号603具有包络，所述包络具有低频RF信号508A的低频。HF匹配装置604接收RF信号603并且使耦合至HF匹配装置604的输出端子的负载的阻抗与耦合至HF匹配装置604的输入端子的源的阻抗匹配以输出经修改的RF信号606。RF信号603为图1的RF信号111的示例，而经修改的RF信号606为图1的经修改的RF信号113的示例。耦合至HF匹配装置604的输出端子的负载的示例包含RF传输线107、分配器121、RF连接器109A-109D以及站1-4。此外，耦合至HF匹配装置604的输入端子的源的示例包含HF产生器602以及RF缆线105。
分配器121通过RF传输线107从HF匹配装置604的输出端子接收经修改的RF信号606并将经修改的RF信号606的RF功率分配至多个RF信号608A、608B、608C和608D。RF信号608A通过分配器121的第一输出RF连接器以及RF连接器109A而发送至图1的等离子体室102的下电极，RF信号608B通过分配器121的第二输出RF连接器以及RF连接器109B而发送至站2的下电极。类似地，RF信号608C通过分配器121的第三输出RF连接器以及RF连接器109C而发送至站3的下电极，RF信号608D通过分配器121的第四输出RF连接器以及RF连接器109D而发送至站4的下电极。
图7A为系统700的实施方案图，其示出了HF产生器602的实施方案。系统700包含HF产生器602、HF匹配装置604、HF分配器121以及等离子体室102。
HF产生器602包含HF振荡器506A、LF振荡器506B、反馈增益控制532、增益设置503、HF预放大器510A、增益设置505、反馈增益控制534、LF预放大器510B、组合器704、HF功率放大器518、反馈增益控制536以及增益设置507。HF产生器402具有外壳730，外壳730由金属制成。HF产生器402的外壳730围绕HF产生器602的多个部件，如HF振荡器506A、LF振荡器506B、反馈增益控制532、增益设置503、HF预放大器510A、增益设置505、反馈增益控制534、LF预放大器510B、组合器704、HF功率放大器518、反馈增益控制536以及增益设置507。例如，外壳730具有17.1英寸的宽度、19.7英寸的深度以及7英寸的高度。又例如，外壳730具有16英寸的宽度、15英寸的深度以及5英寸的高度。应注意，外壳730的高度可以为3U、5U、或7U。例如，HF产生器602可作为3U架单元或5U架单元或7U架单元提供。外壳730通过架支撑。在一实施方案中，外壳730的尺寸与高频产生器外壳(未显示)的尺寸相同。
HF产生器602的外壳730的部件可通过外壳的门或外壳730的侧边访问。例如，用户开启HF产生器602的外壳730的门以获得对外壳730的多个部件中的一或多者的访问。又例如，用户移动HF产生器602的外壳730的侧壁或上壁以访问外壳730的部件中的一或多者。
组合器704的示例包含相互调制器以及加法器。组合器740可以实现为ASIC、PLD、或加法器电路、或控制器、或处理器。
HF预放大器510A的输出端子O3被耦合至组合器704的输入端子I3，而LF预放大器510B的输出端子O4被耦合至组合器704的另一输入端子I4。组合器704的输出端子O5被耦合至HF功率放大器518的输入端子I5。此外，反馈增益控制536的另一端被耦合至组合器704的输出端子O5。
组合器704在其输入端子I3处通过将输出端子O3耦合至组合器740的输入端子I3的导体从HF预放大器510A的输出端子O3接收经放大的高频RF信号512A。此外，组合器704在其输入端子I4处通过将输出端子O4耦合至组合器740的输入端子I4的导体从LF预放大器510B的输出端子O4接收经放大的低频RF信号512B。组合器704组合(如相互调制或加法运算)经放大的高频RF信号512A的变量与经放大的低频RF信号512B的变量，以产生经组合的RF信号708的变量。例如，组合器704将经放大的高频RF信号512A加上经放大的低频RF信号512B的功率，以产生经组合的RF信号708，经组合的RF信号708具有经放大的高频RF信号512A与经放大的低频RF信号512B的功率的和或总和。
经组合的RF信号708通过将输出端子O5耦合至输入端子I5的导体从组合器704的输出端子O5供给至HF功率放大器518的输入端子I5。HF功率放大器518根据增益值“Z”放大经组合的RF信号708的变量，以在输出端子O6处输出RF信号603的变量。相对于经组合的RF信号708，RF信号603为经放大的RF信号，其被增益值“Z”放大。RF信号603通过RF缆线105从HF功率放大器518的输出端子O6发送至HF匹配装置404的输入端子。由于RF信号603具有高频RF信号508A的高频且具有具有低频RF信号508B的低频的包络，因此RF信号603能控制站1至4内的等离子体密度以及站1至4内的等离子体的能量。
图7B显示了图580与582、图784与图788的实施方案，其说明图7A的组合器704所产生的经组合的RF信号708以及RF信号603。图784绘出了经组合的RF信号708的电压与时间t的关系图，图788绘出了RF信号603的电压与时间t的关系图。
组合器704将经放大的高频RF信号512A的电压加上经放大的低频RF信号512B的电压，以产生经组合的RF信号708的电压。例如，组合器704将时间1000毫秒处的经放大的高频RF信号512A的电压值加上时间1000毫秒处的经放大的RF信号512B的电压值，以产生时间1000毫秒处的经组合的RF信号708的电压值。在该示例中，组合器514将时间2000毫秒处的经放大的高频RF信号512A的电压值加上时间2000毫秒处的经放大的RF信号512B的电压值，以产生时间2000毫秒处的经组合的RF信号708的电压值。
经组合的RF信号708具有包络786，包络786所具有的频率与经放大的RF信号512B的低频相同。例如，当经放大的RF信号512B的频率为2MHz时，经组合的RF信号708的包络786的频率也为2MHz。又例如，当经放大的RF信号512B的频率为400kHz时，经组合的RF信号708的包络786的频率也为400kHz。此外，经组合的RF信号708与经放大的RF信号512A的高频具有相同频率。例如，当经放大的RF信号512A的高频为27MHz时，经组合的RF信号708的频率为27MHz。又例如，当经放大的RF信号512A的高频为60MHz时，经组合的RF信号708的频率为60MHz。
图5A的HF功率放大器518以增益值“Z”放大经组合的RF信号708的电压，以输出RF信号603的电压。RF信号603具有包络790，包络790所具有的频率与经放大的RF信号512B的低频相同。例如，当经放大的RF信号512B的频率为2MHz时，RF信号603的包络790的频率也为2MHz。又例如，当经放大的RF信号512B的频率为400kHz时，RF信号603的包络790的频率也为400kHz。此外，RF信号603具有与经放大的RF信号512A的高频相同的频率。例如，当经放大的RF信号512A的高频为27MHz时，RF信号603的频率为27MHz。又例如，当经放大的RF信号512A的高频为60MHz，RF信号603的频率为60MHz。
在一些实施方案中，组合器704将经放大的高频RF信号512A的功率加上经放大的低频RF信号512B的功率，以产生经组合的RF信号708的功率。例如，组合器704将时间1000毫秒处的经放大的高频RF信号512A的功率值加上时间1000毫秒处的经放大的RF信号512B的功率值，以产生时间1000毫秒处的经组合的RF信号708的功率值。在该示例中，组合器704将时间2000毫秒处的经放大的高频RF信号512A的功率值加上时间2000毫秒处的经放大的RF信号512B的功率值，以产生时间2000毫秒处的经组合的RF信号708的功率值。
图8为系统800的实施方案图，其示出了HF产生器802的实施方案。系统800包含HF产生器802、HF匹配装置811、HF分配器121以及等离子体室102。HF产生器802为图1的RF产生器104的示例，HF匹配装置811为图1的匹配网络106的示例。
HF产生器802包含图5A的HF产生器402的部件，但HF产生器802排除了组合器514。此外，HF产生器802包含额外的部件，例如中频(MF)振荡器802、MF预放大器804、反馈增益控制806、增益设置808以及组合器814。HF产生器802具有外壳830，外壳830由金属制成。HF产生器802的外壳830围绕HF产生器802的部件。例如，外壳830具有17.1英寸的宽度、19.7英寸的深度以及7英寸的高度。又例如，外壳830具有16英寸的宽度、15英寸的深度以及5英寸的高度。应注意，外壳830的高度可以为3U、5U、或7U。例如，HF产生器802可作为3U架单元或5U架单元或7U架单元提供。外壳830通过架支撑。又例如，外壳830的尺寸与高频产生器外壳(未显示)的尺寸相同。
HF产生器802的外壳830的部件可通过外壳830的门或外壳830的侧边访问。例如，用户开启HF产生器802的外壳830的门以获得对外壳830的部件中的一或多者的访问。又例如，用户移动HF产生器802的外壳830的侧壁或上壁以访问外壳830的多个部件中的一或多者。
MF振荡器803的一示例为电子振荡器，电子振荡器在中频处(例如从3MHz至20MHz的频率范围内)振荡。例如，MF振荡器803为产生具有中频的周期性振荡信号的电子电路，周期性振荡信号例如是正弦波。此外，反馈增益控制806的示例包含电阻器以及分压器。例如，分压器的输入端子被耦合至MF预放大器804的输出端子O8，分压器的输出端子被耦合至MF预放大器804的输入端子I6。
应注意，当将MF振荡器803与HF振荡器506A及LF振荡器506B一起使用于在中频处振荡时，HF振荡器506A在从20MHz至100MHz范围内的高频处振荡而非在从10MHz至100MHz范围内振荡。例如，MF振荡器803的振荡频率范围排除HF振荡器506A的振荡频率范围。此外，HF振荡器506A的振荡频率范围排除LF振荡器506B的振荡频率范围，LF振荡器506B的振荡频率范围排除MF振荡器803的振荡频率范围。
增益设置808的示例包含马达以及连接件，马达通过连接件而耦合至反馈增益控制806。例如，增益设置808与反馈增益控制806的组合为可变电压供应源。
MF预放大器804的示例包含运算放大器、固定放大器以及其增益受到电压控制的放大器。当MF预放大器804为运算放大器时，运算放大器的正输入端子(例如输入端子I6)被耦合至MF振荡器803的输出端子O7，运算放大器的负输入端子被耦合至地电位。组合器814的示例包含调制器以及乘法器。组合器814可以实现为ASIC、PLD、或乘法器电路、或控制器、或处理器。
MF振荡器803的输出端子O7被耦合至MF预放大器804的输入端子I6，LF预放大器510B的输出端子O4被耦合至组合器814的输入端子I4，HF预放大器510A的输出端子O3被耦合至组合器914的输入端子I3。此外，MF振荡器803的输出端子O8被耦合至组合器814的输入端子I7。此外，组合器814的输出端子O5被耦合至反馈增益控制536的另一端。此外，MF预放大器804的输出端子O8被耦合至反馈增益控制806的一端，反馈增益控制806的另一端被耦合至MF预放大器804的输入端子I6及MF振荡器803的输出端子O7。
MF振荡器803振荡以产生中间RF信号822。中间RF信号822具有中频，中频介于高频RF信号508A的高频与低频RF信号508B的低频之间。例如，中间RF信号822具有频率13.56MHz，低频RF信号508A具有频率2MHz，而高频RF信号508B具有频率60MHz。又例如，中间RF信号822具有频率27MHz，低频RF信号508A具有频率400kHz，而高频RF信号508B具有频率60MHz。又例如，中频低于高频RF信号508A的高频且高于低频RF信号508B的低频。
中间RF信号822通过将输出端子O7耦合至输入端子I6的导体从MF振荡器803的输出端子O7供给至MF预放大器804的输入端子I6。MF预放大器804根据增益值“c”放大中间RF信号822的变量，以在MF预放大器804的输出端子O8处输出经放大的中间RF信号824的变量。相对于中间RF信号822，经放大的中间RF信号824的变量被增益值“c”放大。增益值“c”由反馈增益控制806的参数(例如电阻或电压)控制。反馈增益控制806的该参数由增益设置808所控制，增益设置808被耦合至图1的探针控制装置和系统控制装置110。例如，探针控制装置和系统控制装置110的处理器发送控制信号至增益设置808的马达，使马达的转子相对于马达的定子旋转。一旦马达旋转后，反馈增益控制806的电阻器的长度改变以改变电阻器的电阻。电阻器的电阻的变化使增益值“c”改变，以控制MF预放大器804所提供的增益。又例如，探针控制装置和系统控制装置110的处理器发送控制信号至可变电压供应源以改变可变电压供应源的电压的量，可变电压供应源为增益设置808与反馈增益控制806的组合的示例。可变电压供应源的电压的量的变化使MF预放大器804的输入端子I6处的电压改变，从而改变MF预放大器804的增益值“c”。
组合器814在其输入端子I7处通过将输出端子O8耦合至组合器814的输入端子I7的导体从MF预放大器804的输出端子O8接收经放大的中间RF信号824。此外，组合器814接收经放大的低频RF信号512B以及经放大的高频RF信号512A。组合器814组合(例如调制或乘法运算)经放大的高频RF信号512A的变量与经放大的低频RF信号512B的变量以及经放大的中间RF信号824的变量，以产生经组合的RF信号816的变量。例如，组合器814将经放大的高频RF信号512A的功率乘以经放大的低频RF信号512B的功率以及经放大的中间RF信号824的电压，以产生经组合的RF信号816，经组合的RF信号816具有经放大的高频RF信号512A的功率、经放大的低频RF信号512B的功率与经放大的中间RF信号824的功率的乘积。又例如，组合器814将经放大的高频RF信号512A的电压乘以经放大的低频RF信号512B的电压以及经放大的中间RF信号824的电压，以产生经组合的RF信号816，经组合的RF信号816具有经放大的高频RF信号512A的电压、经放大的低频RF信号512B的电压与经放大的中间RF信号824的电压的乘积。
经组合的RF信号816通过将输出端子O5耦合至输入端子I5的导体从组合器516的输出端子O5供给至HF功率放大器518的输入端子I5。HF功率放大器518根据增益值“Z”放大经组合的RF信号816的变量，以在输出端子O6处输出RF信号810的变量。相对于经组合的RF信号816，RF信号810为经放大的RF信号，其被增益值“Z”放大。由RF信号810所提供的增益值“Z”的控制如变化方式与上述RF信号403所提供的增益值“Z”的控制方式相同。RF信号810通过RF缆线105从HF功率放大器518的输出端子O6发送至HF匹配装置811的输入端子。
HF匹配装置811接收RF信号810并且使耦合至HF匹配装置811的输出端子的负载的阻抗与耦合至HF匹配装置811的输入端子的源的阻抗匹配，以输出经修改的RF信号812。RF信号810为图1的RF信号111的示例，经修改的RF信号812为图1的经修改的RF信号113的示例。耦合至HF匹配装置811的输入端子的源的示例包含HF产生器802及RF缆线105。分配器121通过RF传输线107从HF匹配装置811的输出端子接收经修改的RF信号812，并将经修改的RF信号812的RF功率分配至多个RF信号，多个RF信号中的每一信号发送至站1至4中的对应的站。
图9为系统900的实施方案图，以说明HF产生器902的实施方案。系统900包含HF产生器902、HF匹配装置911、HF分配器121以及等离子体室102。HF产生器902为图1的RF产生器104的示例，HF匹配装置911为图1的匹配网络106的示例。
HF产生器902包含与图8的HF产生器802相同的多个部件，不同的是HF产生器902排除了组合器814。HF产生器902包含另一部件作为替代，该另一部件为组合器914。HF产生器902具有外壳930，外壳930由金属制成。HF产生器902的外壳930围绕HF产生器902的部件。例如，外壳930具有17.1英寸的宽度、19.7英寸的深度以及7英寸的高度。又例如，外壳930具有16英寸的宽度、15英寸的深度以及5英寸的高度。应注意，外壳930的高度可以为3U、5U、或7U。例如，可将HF产生器902提供作为3U架单元或5U架单元或7U架单元。外壳930通过架支撑。
HF产生器902的外壳930的多个部件可通过外壳930的门或外壳930的侧边访问。例如，用户开启HF产生器902的外壳930的门以获得对外壳930的部件中的一或多者的访问。又例如，用户移动HF产生器902的外壳930的侧壁或上壁以访问外壳930的部件中的一或多者。
组合器914的示例包含相互调制器以及加法器。组合器914可以实现为ASIC、PLD、或加法器电路、或控制器、或处理器。
MF预放大器804的输出端子O8被耦合至组合器914的输入端子I7，LF预放大器510B的输出端子O4被耦合至组合器914的输入端子I4，HF预放大器510A的输出端子O3被耦合至组合器914的输入端子I3。组合器914的输出端子O5被耦合至HF功率放大器518的输入端子I5。此外，反馈增益控制536的另一端被耦合至组合器914的输出端子O5。
组合器914在其输入端子I7处通过将输出端子O8耦合至输入端子I7的导体从MF预放大器804的输出端子O8接收经放大的中间RF信号824。此外，组合器914在其输入端子I3处接收经放大的高频RF信号512A并在其输入端子I4处接收经放大的低频RF信号512B。组合器704组合(例如相互调制或加法运算)经放大的高频RF信号512A的变量与经放大的低频RF信号512B的变量以及经放大的中间RF信号824的变量，以产生经组合的RF信号916的变量。例如，组合器914将经放大的高频RF信号512A的功率加上经放大的低频RF信号512B的功率以及经放大的中间RF信号824的功率，以产生经组合的RF信号916，经组合的RF信号916具有经放大的高频RF信号512A的功率、经放大的低频RF信号512B的功率以及经放大的中间RF信号824的功率的和或总和。
经组合的RF信号916通过将输出端子O5耦合至输入端子I5的导体从组合器914的输出端子O5供给至HF功率放大器518的输入端子I5。HF功率放大器518根据增益值“Z”放大经组合的RF信号916的变量，以在输出端子O6处输出RF信号910的变量。相对于经组合的RF信号916，RF信号910为经放大的RF信号，其被增益值“Z”所放大。RF信号910通过RF缆线105从HF功率放大器518的输出端子O6发送至HF匹配装置911的输入端子。
HF匹配装置911接收RF信号910并且使耦合至HF匹配装置911的输出端子的负载的阻抗与耦合至HF匹配装置911的输入端子的源的阻抗匹配以输出经修改的RF信号912。RF信号910为图1的RF信号111的示例，经修改的RF信号912为图1的经修改的RF信号113的示例。耦合至HF匹配装置911的输入端子的源的示例包含HF产生器902以及RF缆线105。分配器121通过RF传输线107从HF匹配装置911的输出端子接收经修改的RF信号912，并将经修改的RF信号912的RF功率分配至多个RF信号，多个RF信号中的每一信号发送至站1至4中的对应的站。
本文中所述的实施方案可利用各种计算机系统配置实行，这些计算机系统配置包含手持硬件单元、微处理器系统、基于微处理器的或可编程消费电子装置、微型计算机、主机等。所述实施方案也可在分布式的计算环境中实践，在这种环境中任务由经由网络链接的多个远程处理硬件单元执行。
在一些实施方案中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、RF产生器设置、RF匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与系统连接或通过接口连接的装载锁。
概括地说，在各种实施方案中，控制器被定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为ASIC的芯片、PLD、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方案中，操作参数是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
在一些实施方案中，控制器是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其使得能对晶片处理进行远程访问。计算机实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。
在一些实施方案中，远程计算机(例如服务器)通过网络(其包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例包括在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。
在多种实施方案中，示例性系统包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
还应注意，在某些实施方案中，虽然上述操作可应用至数种等离子体室，例如包含感应耦合等离子体(ICP)反应器的等离子体室，变压器耦合等离子体室，电容耦合等离子体反应器，导体工具，介电工具，包含电子回旋共振(ECR)反应室的等离子体室等。例如，一或多个RF产生器耦合至ICP反应器内的电感器。电感器的形状的示例包含螺线管、圆顶形线圈、平面形线圈等。
如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器与下列中的一个或多个通信：其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具。
考虑到上述实施方案，应理解，实施方案中的一些使用涉及储存在计算机系统中的数据的各种计算机实现操作。这些操作是通过物理方式操控物理数量的那些操作。形成实施方案的一部分的本文中所述的操作中的任何操作是有用的机械操作。
一些实施方案还涉及执行这些操作的硬件单元或设备。可针对专门用途的计算机专门建构设备。计算机在被定义为专门用途的计算机时，其执行其他处理、程序执行或其他不是特别用途的部分的例程，同时其仍然能够针对专门用途进行操作。
在一些实施方案中，本文中所述的操作可由选择性启用的计算机处理或者可由存储在计算机存储器、高速缓存或通过计算机网络所获得的一或多个计算机程序配置的计算机处理。当数据是通过计算机网络获得时，该数据可由计算机网络上的其他计算机如计算资源云所处理。
一或多个实施方案也可制作成非瞬时计算机可读介质上的计算机可读码。非瞬时计算机可读介质是储存数据且后续被计算机系统读取的任何数据储存硬件单元，如存储器装置。非瞬时计算机可读介质的示例包括硬盘驱动器、网络附加储存装置(NAS)、ROM、RAM、光盘-ROM(CD-ROM)、可录CD(CD-R)、可重复写入的CD(CD-RW)、磁带及其他光学式及非光学式储存硬件单元。在一些实施方案中，非瞬时计算机可读介质可包含分散于网络耦合计算机系统的计算机可读有形介质，因此计算机可读码以分散方式储存及执行。
虽然上述某些方法操作以特定顺序说明，但应理解，在各种实施方案中，在操作之间进行其他内务操作，或者调整方法操作使其发生的时间略有不同，或者将方法操作分配至允许方法操作以各种间隔进行的系统中，或者以不同于文中所示的顺序来进行方法操作。
还应明白，在一实施方案中，在不脱离本公开内容所述的各种实施方案的范围的情况下，来自任何上述实施方案的一或多个特征可与任何其他实施方案的一或多个特征组合。
虽然前述的实施方案已为了清楚理解的目的而相当详细地进行了描述，但应明白，某些改变与修改可在随附的权利要求的范围内实施。因此，本发明实施方案应视为说明性的而非限制性的，且这些实施方案不应受限于本文中所提供的细节，而是可在随附的权利要求的范围及等同方案内进行修改。

Claims (20)

1.一种高频射频(RF)产生器，其包含：
低频振荡器，其被配置成产生低频RF信号；
高频振荡器，其被配置成产生高频RF信号；
高频预放大器，其耦合至所述高频振荡器的输出端子以接收所述高频RF信号，其中所述高频预放大器被配置成放大所述高频RF信号以产生经放大的高频RF信号；
低频预放大器，其耦合至所述低频振荡器的输出端子以接收所述低频RF信号，其中所述低频预放大器被配置成放大所述低频RF信号以产生经放大的低频RF信号；
组合器，其耦合至所述高频预放大器的输出端子以从所述高频预放大器接收所述经放大的高频RF信号，其中所述组合器耦合至所述低频预放大器的输出端子以从所述低频预放大器接收所述经放大的低频RF信号，其中所述组合器被配置成将所述经放大的低频RF信号乘上所述经放大的高频RF信号以输出经组合的RF信号；以及
输出放大器，其耦合至所述组合器的输出端子，其中所述输出放大器被配置成放大所述经组合的RF信号以输出经放大的信号，从而将所述经放大的信号提供至阻抗匹配电路。
2.根据权利要求1所述的高频RF产生器，其中所述组合器被配置成将所述经放大的低频RF信号的电压乘上所述经放大的高频RF信号的电压以输出所述经组合的RF信号，其中所述经组合的RF信号具有包络，所述包络具有所述低频RF信号的频率，其中所述经组合的RF信号具有所述高频RF信号的频率。
3.根据权利要求1所述的高频RF产生器，其还包含外壳，所述外壳包含所述低频振荡器、所述高频振荡器、所述低频预放大器、所述高频预放大器、所述组合器以及所述输出放大器。
4.根据权利要求1所述的高频RF产生器，其中所述低频振荡器被配置成在从100千赫(kHz)至3兆赫(MHz)并且包含100kHz和3MHz的频率范围内振荡，且所述高频振荡器被配置成在从10MHz至100MHz并且包含10MHz和100MHz的频率范围内振荡。
5.根据权利要求1所述的高频RF产生器，其还包含：
第一反馈增益控制器，其耦合至所述高频预放大器的所述输出端子以及所述高频振荡器的所述输出端子，其中所述第一反馈增益控制器被配置成控制所述经放大的高频RF信号的增益的量；以及
第二反馈增益控制器，其耦合至所述低频预放大器的所述输出端子以及所述低频振荡器的所述输出端子，其中所述第二反馈增益控制器被配置成控制所述经放大的低频RF信号的增益的量。
6.根据权利要求1所述的高频RF产生器，其还包含：
反馈增益控制器，其耦合至所述输出放大器的输出端子以及所述组合器的所述输出端子，其中所述反馈增益控制器被配置成控制提供至所述经组合的RF信号的增益的量。
7.一种高频射频(RF)产生器，其包含：
低频振荡器，其被配置成产生低频RF信号；
高频振荡器，其被配置成产生高频RF信号；
高频预放大器，其耦合至所述高频振荡器的输出端子以接收所述高频RF信号，其中所述高频预放大器被配置成放大所述高频RF信号以产生经放大的高频RF信号；
低频预放大器，其耦合至所述低频振荡器的输出端子以接收所述低频RF信号，其中所述低频预放大器被配置成放大所述低频RF信号以产生经放大的低频RF信号；
组合器，其耦合至所述高频预放大器的输出端子以从所述高频预放大器接收所述经放大的高频RF信号，其中所述组合器耦合至所述低频预放大器的输出端子以从所述低频预放大器接收所述经放大的低频RF信号，其中所述组合器被配置成将所述经放大的低频RF信号加上所述经放大的高频RF信号以输出经组合的RF信号；以及
输出放大器，其耦合至所述组合器的输出端子，其中所述输出放大器被配置成放大所述经组合的RF信号以输出经放大的信号，从而将所述经放大的信号提供至阻抗匹配电路。
8.根据权利要求7所述的高频RF产生器，其中所述组合器被配置成将所述经放大的低频RF信号的电压加上所述经放大的高频RF信号的电压以输出所述经组合的RF信号，其中所述经组合的RF信号具有包络，所述包络具有所述低频RF信号的频率，其中所述经组合的RF信号具有所述高频RF信号的频率。
9.根据权利要求7所述的高频RF产生器，其还包含外壳，所述外壳包含所述低频振荡器、所述高频振荡器、所述低频预放大器、所述高频预放大器、所述组合器以及所述输出放大器。
10.根据权利要求7所述的高频RF产生器，其中所述低频振荡器被配置成在从100千赫(kHz)至3兆赫(MHz)并且包含100kHz和3MHz的频率范围内振荡，且所述高频振荡器被配置成在从10MHz至100MHz并且包含10MHz和100MHz的频率范围内振荡。
11.根据权利要求7所述的高频RF产生器，其还包含：
第一反馈增益控制器，其耦合至所述高频预放大器的所述输出端子以及所述高频振荡器的所述输出端子，其中所述第一反馈增益控制器被配置成控制所述经放大的高频RF信号的增益的量；以及
第二反馈增益控制器，其耦合至所述低频预放大器的所述输出端子以及所述低频振荡器的所述输出端子，其中所述第二反馈增益控制器被配置成控制所述经放大的低频RF信号的增益的量。
12.根据权利要求7所述的高频RF产生器，其还包含：
反馈增益控制器，其耦合至所述输出放大器的输出端子以及所述组合器的所述输出端子，其中所述反馈增益控制器被配置成控制提供至所述经组合的RF信号的增益的量。
13.一种等离子体系统，其包括：
高频射频(RF)产生器，其包含：
低频振荡器，其被配置成产生低频RF信号；
高频振荡器，其被配置成产生高频RF信号；
高频预放大器，其耦合至所述高频振荡器的输出端子以接收所述高频RF信号，其中所述高频预放大器被配置成放大所述高频RF信号以产生经放大的高频RF信号；
低频预放大器，其耦合至所述低频振荡器的输出端子以接收所述低频RF信号，其中所述低频预放大器被配置成放大所述低频RF信号以产生经放大的低频RF信号；
组合器，其耦合至所述高频预放大器的输出端子以从所述高频预放大器接收所述经放大的高频RF信号，其中所述组合器耦合至所述低频预放大器的输出端子以从所述低频预放大器接收所述经放大的低频RF信号，其中所述组合器被配置成将所述经放大的低频RF信号组合所述经放大的高频RF信号以输出经组合的RF信号；以及
输出放大器，其耦合至所述组合器的输出端子，其中所述输出放大器被配置成放大所述经组合的RF信号以输出经放大的信号，从而将所述经放大的信号提供至阻抗匹配电路；
匹配装置，其耦合至所述高频RF产生器的输出端子，其中所述匹配装置被配置成接收所述经放大的信号以输出经修改的RF信号；
分配器，其耦合至所述匹配装置的输出端子，其中所述分配器被配置成接收所述经修改的RF信号以输出多个经分配的RF信号。
14.根据权利要求13所述的等离子体系统，其中所述组合器被配置成将所述经放大的高频RF信号的电压乘上所述经放大的低频RF信号的电压以输出所述经组合的RF信号的电压。
15.根据权利要求13所述的等离子体系统，其中所述组合器被配置成将所述经放大的高频RF信号的电压加上所述经放大的低频RF信号的电压以输出所述经组合的RF信号的电压。
16.根据权利要求13所述的等离子体系统，其中所述高频RF产生器具有外壳，所述外壳包含：所述低频振荡器、所述高频振荡器、所述低频预放大器、所述高频预放大器、所述组合器以及所述输出放大器。
17.根据权利要求13所述的等离子体系统，其中所述低频振荡器被配置成在从100千赫(kHz)至3兆赫(MHz)并且包含100kHz和3MHz的频率范围内振荡，且所述高频振荡器被配置成在从10MHz至100MHz并且包含10MHz和100MHz的频率范围内振荡。
18.根据权利要求13所述的等离子体系统，其中所述高频RF产生器还包含：
第一反馈增益控制器，其耦合至所述高频预放大器的所述输出端子以及所述高频振荡器的所述输出端子，其中所述第一反馈增益控制器被配置成控制所述经放大的高频RF信号的增益的量；以及
第二反馈增益控制器，其耦合至所述低频预放大器的所述输出端子以及所述低频振荡器的所述输出端子，其中所述第二反馈增益控制器被配置成控制所述经放大的低频RF信号的增益的量。
19.根据权利要求13所述的等离子体系统，其中所述高频RF产生器还包含：
反馈增益控制器，其耦合至所述输出放大器的输出端子以及所述组合器的所述输出端子，其中所述反馈增益控制器被配置成控制提供至所述经组合的RF信号的增益的量。
20.根据权利要求13所述的等离子体系统，其还包含：
多个等离子体室，其耦合至所述分配器的多个输出端子，其中所述等离子体室中的每一个被配置成接收用于在所述等离子体室中的所述每一个内激励或维持等离子体的所述经分配的信号中的对应的信号。
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