CN112625279A - 壳层厚度可控的pamma@bt/pp纳米复合电介质薄膜及制备方法 - Google Patents

壳层厚度可控的pamma@bt/pp纳米复合电介质薄膜及制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于化学材料技术领域，涉及一种壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜及制备方法；1)在钛酸钡BT表面引发甲基丙烯酸甲酯MMA原位自由基聚合制备PMMA@BT纳米颗粒；2)将PMMA@BT纳米颗粒和聚丙烯PP，熔融共混15min得到样品；3)将样品剪成小块试样，采用热压机在190℃、125MPa下热压成型得到PMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜。本发明制备的纳米材料具有均匀核‑壳结构、壳层厚度可调以及分散良好的特性，且该电介质薄膜具有良好的透光性和出色的柔韧性，介电损耗小，极化强度大，击穿强度和电介质薄膜的介电性能协同上升；且制备方法简单，易于控制。

Description

壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜及制备 方法
技术领域
本发明属于化学材料技术领域，涉及一种壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜及制备方法。
背景技术
随着电子电气工业的发展和电子能源系统的高性能需求，有机薄膜电介质电容器因其微/ 纳秒级的充放电速度、宽广的温谱和频谱稳定性、优异的耐压和柔韧特性而受到人们的高度关注。当今广泛研究的电介质薄膜大多采用铁电类聚合物(如聚偏氟乙烯(PVDF)及其共聚物)作为基体，由于其本征的铁电性损耗，这类复合电介质均具有难以克服的充放电效率低、发热集中易击穿等问题；而利用具有线性充放电特性的非极性聚合物(如聚丙烯(PP))作为复合电介质基体，又具有ε低(≈2.2)、加工制备困难、复合电介质微观均匀性和界面特性难以控制等缺点。因而如何实现纳米复合电介质薄膜ε和电Eb的协同提升是实现其储能密度提升的关键，也是当前电极化储能研究领域的热点和难题。
发明内容
本发明的目的是壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜及制备方法，纳米材料具有均匀核-壳结构、壳层厚度可调以及分散良好的特性，且该电介质薄膜具有良好的透光性和出色的柔韧性，介电损耗小，极化强度大，击穿强度和电介质薄膜的介电性能协同上升；且制备方法简单，易于控制。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的制备方法包括以下步骤：
1)在钛酸钡BT纳米颗粒表面引发甲基丙烯酸甲酯MMA原位自由基聚合制备 PMMA@BT纳米颗粒；备用；甲基丙烯酸甲酯MMA/钛酸钡BT质量比为0.2～0.75；
2)将PMMA@BT纳米颗粒和聚丙烯PP，在190℃、转速为60r/min条件下熔融共混15min得到PMMA@BT/PP纳米复合电介质样品；所述PMMA@BT/PP中，PMMA@BT/的质量分数为5～15％；
3)将样品剪成小块试样，采用热压机在190℃、125MPa下热压成型，循环排除气泡，保压10min后取出，得到PMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜。
进一步的，所述步骤1)包括以下步骤：
1.1)将钛酸钡纳米颗粒干燥后与H2O2水溶液混合，钛酸钡质量与H2O2体积比为20g： 100mL超声分散处理30min后，在105℃温度下搅拌5h，冷却至室温，经离心固液分离，固体依次经洗涤、离心、冷冻干燥、真空干燥得到HO-BT纳米颗粒；
1.2)将HO-BT纳米颗粒和甲苯混合，超声分散30min得到混合液；用冰醋酸调节混合液pH值为4；向混合液中缓慢加入硅烷偶联剂KH-550，HO-BT纳米颗粒质量与甲苯体积比为15g：100mL；硅烷偶联剂KH-550的加入量为4g/100mL甲苯；然后通入氮气，80℃下搅拌24h，冷却至室温，经离心固液分离，取固体用甲苯洗涤、离心；真空干燥、研磨得到 APS-BT纳米颗粒；
1.3)将APS-BT纳米颗粒与二氯甲烷混合，超声分散30min，APS-BT纳米颗粒质量与二氯甲烷体积比为13g：100mL；再加入1mL三乙胺稳定混合液，继续滴加50mL含0.56g二-溴代异丁酸的二氯甲烷溶液，冰浴3h，在室温下搅拌12h，离心固液分离；取固体用二氯甲烷洗涤、干燥，得到Br-APS-BT纳米颗粒；
1.4)将Br-APS-BT纳米颗粒加入到二甲基甲酰胺中，超声分散30min，再加入CuBr和甲基丙烯酸甲酯在60℃条件下通入氮气30min搅拌至溶解；再加入五甲基二乙烯基三胺，搅拌反应24h；Br-APS-BT纳米颗粒质量、CuBr质量、五甲基二乙烯基三胺质量与二甲基甲酰胺体积比为4g：0.5g：0.6g：50mL；反应产物经离心固液分离，取固体产物用丙酮超声洗涤，经离心、冷冻干燥、真空干燥得到PMMA@BT纳米颗粒。
进一步的，所述PMMA@BT纳米颗粒为核壳结构。
进一步的，所述PMMA@BT纳米颗粒的壳层厚度为4～10nm。
一种壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的制备方法所制备的壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜。
进一步的，所述PMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的拉伸比最高为1:4。
进一步的，所述PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的厚度为30～40μm或1mm。
进一步的，所述PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的介电损耗低于0.005；所述PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的Pm最大为1.05μC/cm2；所述PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜储能密度最大为1.62J/cm3。
本发明的有益效果是：
1、本发明选用纳米钛酸钡(BaTiO3,BT)为无机填料粒子，通过表面引发原子自由基聚合(ATRP)方法，实现甲基丙烯酸甲酯(MMA)单体聚合为壳而包覆在BT粒子表面，并制备出PMMA@BT纳米粒子；进一步将PMMA@BT与PP复合制备出壳层厚度可控的 PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜，制备方法简单，易于控制实现。
2、本发明制备的PMMA@BT纳米颗粒为核壳结构，PMMA@BT纳米颗粒的壳层厚度为 4～10nm，PMMA@BT/PP纳米复合电介质拉伸比最高为1:4，力学性能良好，使得制备的电介质薄膜具有良好的柔韧性。
3、本发明制备的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜，其厚度为30～40μm或1mm。PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的介电损耗低于0.005；所述PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜储能密度最大为1.62J/cm3。电介质薄膜为纳米级别，电介质薄膜具有良好的透光性；且介电损耗小，极化强度大，击穿强度和电介质薄膜的介电性能协同上升。
附图说明
图1为本发明试验1中样品的SEM对比图；
图2为本发明试验2中样品的介电常数对比图；
图3为本发明试验2中样品的介电损耗对比图；
图4为本发明试验3中样品的应力-应变曲线对比图；
图5为本发明试验3中样品的最大拉伸力和应变对比图；
图6为本发明试验3中热拉伸试验结果图；
图7为本发明试验4中样品的储能密度对比图。
具体实施方式
现结合附图以及实施例对本发明做详细的说明。
实施例1
本实施例提供的壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的制备方法包括以下步骤：
1)原位引发自由基聚合制备PMMA@BT核-壳结构纳米杂化颗粒
1.1)羟基化钛酸钡BT纳米颗粒：
为了使BT表面可以接枝更多的有机基团，我们首先通过双氧水氧化BT纳米颗粒，使其表面具备更多的活性羟基。
具体的，将钛酸钡BT纳米颗粒在真空干燥箱中80℃烘干5h后，取20g BT纳米颗粒注入100mL H2O2水溶液(浓度30％)量程250mL的单口圆底烧瓶中，并将混合物超声分散处理30min后于105℃油浴锅里回流并机械搅拌，反应5h。反应结束后冷却至室温，混合溶液体系通过离心机，在5000r/min下离心5min，回收纳米颗粒并用去离子水洗涤、离心，重复3次。最后，将羟基化的BT(HO-BT)纳米颗粒在冷冻干燥机中干燥9h，然后在80℃真空干燥箱中干燥10h。得到的钛酸钡颗粒命名为羟基化钛酸钡，简写成BT-OH。
1.2)硅烷化(APS)修饰HO-BT：
将上述制备的BT-OH进一步与氨基硅烷偶联剂KH-550反应，制备氨基功能化的BT纳米颗粒(BT-NH2)。
将15g HO-BT纳米颗粒和100mL甲苯合并置于250mL的三颈圆底烧瓶中，并在200W下超声分散30min。转移到油浴锅中回流，且用冰醋酸(98％)调节混合液pH值为4(缓慢滴加3mL)，同时通过滴液漏斗缓慢加入4g APS(硅烷偶联剂KH-550)，调节滴速为0.5d/s缓慢滴入烧瓶中，然后通入氮气，在80℃下搅拌回流24h。反应结束后，冷却至室温，混合溶液体系通过离心机，在5000rpm下离心5min，回收BT纳米颗粒并用甲苯洗涤、离心，重复两次，去除未接到HO-BT表面的KH-550偶联剂。最后，将所得到钛酸钡颗粒在80℃下真空干燥24h 后仔细研磨，即得到产物氨基功能化钛酸钡，简写成APS-BT。
1.3)溴化BT：将APS-BT纳米颗粒(13g)加入到100mL二氯甲烷中超声分散30min(200 W)，加入几滴(1mL)三乙胺稳定混合液，再逐滴加入50mL含0.56g二-溴代异丁酸(自由引发剂)的二氯甲烷溶液，冰浴3h，然后将混合物在室温下轻轻搅拌12h。通过离心(5000rpm， 5min)回收处理的BT纳米颗粒，并用二氯甲烷洗涤2次，65℃下干燥24h。得到的纳米颗粒命名为溴化钛酸钡，简写成Br-APS-BT。
1.4)可控壳层厚度的核-壳结构杂化颗粒的制备
将4g Br-APS-BT纳米粒子加入到含50mL二甲基甲酰胺DMF的三口烧瓶中，超声分散30min，然后加入0.5g CuBr，称取质量为4g甲基丙烯酸甲酯MMA(MMA/BT质量比为 0.2)加入烧瓶中，在60℃条件下通入氮气30min搅拌至溶解，用注射器加入0.6g五甲基二乙烯基三胺PMDETA溶液，在N2保护下于60℃油浴中搅拌反应24h。反应产物用离心机以转速为5000r/min，时间5min分离，得到的最后产物依次用丙酮超声洗涤多次直到上层清液没有颜色，离心分离5min后冷冻干燥10h，65℃真空干燥12h，得到目标产物甲基丙烯酸甲酯原位聚合钛酸钡纳米颗粒，简写成PMMA@BT；
本实施例制备的PMMA@BT为核壳结构，壳层厚度为10nm；
2)PMMA@BT/PP纳米复合电介质
2)将PMMA@BT纳米颗粒和聚丙烯PP，在190℃、转速为60r/min条件下熔融共混15min得到PMMA@BT/PP纳米复合电介质样品；
本实施例中，PMMA@BT/PMMA@BT/PP的质量比为10％；
3)PMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜制备
将PMMA@BT/PP纳米复合电介质样品剪成小块样品，采用热压机在190℃、125MPa下将小块试样热压成型，循环排除气泡5次然后保压10min后取出，得到PMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜。PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的厚度为1mm。
实施例2
与实施例1不同的是，本实施例步骤1.4)中，称取质量为5g甲基丙烯酸甲酯MMA(MMA/BT质量比为0.25)；本实施例制备的PMMA@BT为核壳结构，壳层厚度为8nm；
本实施例步骤2)中，PMMA@BT/PMMA@BT/PP的质量比为10％。PAMMA@BT/PP 纳米复合电介质薄膜的厚度为40μm。
实施例3
与实施例1不同的是，本实施例中，步骤1.4)中，称取质量为10g甲基丙烯酸甲酯MMA (MMA/BT质量比为0.5)；本实施例制备的PMMA@BT为核壳结构，壳层厚度为6nm；
本实施例中，PMMA@BT/PMMA@BT/PP的质量比为10％；PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的厚度为30μm。
实施例4
与实施例1不同的是，本实施例中，步骤1.4)中，称取质量为15g甲基丙烯酸甲酯MMA (MMA/BT质量比为0.75)；本实施例制备的PMMA@BT为核壳结构，壳层厚度为4nm；
本实施例中，PMMA@BT/PMMA@BT/PP的质量比为10％。
实施例5
与实施例2不同的是，本实施例步骤2)中，PMMA@BT/PMMA@BT/PP的质量比为 2％。
实施例6
与实施例2不同的是，本实施例步骤2)中，PMMA@BT/PMMA@BT/PP的质量比为 5％。
实施例7
与实施例2不同的是，本实施例步骤2)中，PMMA@BT/PMMA@BT/PP的质量比为 15％。
为了进一步说明本发明制备方法所制备的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜性能，进行以下试验。
试验1电介质微观形貌
对比组1：纯聚丙烯材料
对比组2：质量分数占5％的钛酸钡BT与质量分数占95％聚丙烯材料，按照本发明制备方法得到的BT/PP电介质；；
试验组1：实施例6制备的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质；其中PMMA@BT/PP为 5％；
试验组2：实施例3制备的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质；其中PMMA@BT/PP为 10％。
试验过程，对上述四组样品分别进行扫描电子显微镜，以表征其形貌。
具体的，利用液氮将薄膜样品在低温下进行淬断，对薄膜断面进行喷金处理，然后利用 HITACHI公司生产的SU 8010型扫描电子显微镜，在加速电压为10kV的条件下，对四组样品的脆断面的表面形貌进行表征。结果如图1所示。图1(a)为对比组1的SEM图；图1 (b)为对比组2的SEM图；图1(c)为试验组1的SEM图；图1(d)为试验组2的SEM 图。
如图1(a)和图1(b)所示，很明显可以观察到PP基质中纯BT纳米颗粒的明显聚集。但是，在填充量相同(图1(c))的情况下，PMMA@BT纳米颗粒在聚合物基体中有良好的的分散。并且即使在高负载量(图1(d))的填料情况下，PMMA@BT在PP基体中仍然有均匀的分散，并没有观察到明显的聚集。
结果表明，对于陶瓷，由于表面能的巨大差异使两相界面易产生缺陷。一般而言，陶瓷填料与基体的界面作用力越强，复合电介质内部产生气孔、缺陷的可能越小，从而可提高电介质介电性能。核-壳结构的陶瓷填料由于其结构可灵活设计及组合，与聚合物基体具有界面可调控性，通过ATRP法构筑有机界面，可以使填料与基体相互作用增强，并且有明显的相容性改善。有机PMMA壳在优化BT纳米颗粒在PP基体中的分散中起着至关重要的作用。PMMA外壳在BT纳米颗粒表面上的涂层不仅降低了BT纳米颗粒的表面能，而且提高了BT 纳米颗粒与PP基体之间的相容性。这为制备具有高介电性能、高击穿场强以及降低介电损耗的陶瓷/聚合物电介质提供了基础。
试验2介电性能
对比组1：纯的聚丙烯PP材料
对比组2：质量分数占10％的钛酸钡BT与质量分数占90％的聚丙烯材料，按照本发明制备方法得到的BT/PP电介质；
试验组2、实施例3和实施例5-7制备的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜；其中：PAMMA@BT的质量分数分别为10％、2％、5％和15％。
对上述几组样品进行介电性能测试，对样品的介电常数和介电损耗进行分析对比。
具体的，利用高真空电阻蒸发金属镀膜仪将待测复合薄膜样条上下表面进行镀铜作为电极，面积为0.1256cm2，在室温条件下于阻抗分析仪中进行介电性能测试，频率范围为102～106 Hz。结果如图2和图3所示。
从图2可知，在102～106Hz范围内，复合电介质表现出稳定的介电性能，并且PMMA@BT/PP复合电介质的ε随着PMMA@BT纳米填料负载浓度增加而增大。
对于介电损耗部分，如图3所示，同样tanδ呈现单调增加的趋势。应当注意，随着纳米颗粒的负载含量从10wt％增加到15wt％，在103Hz下的介电损耗从0.002突然增加到0.009. 尽管填料含量在15wt％时的纳米复合电介质ε比填料含量为10wt％时更高(ε从3.75增加到 3.86)，但15wt％下的介电损耗在0.005以上，高介电损耗会导致较低的Eb和较低的η。ε的增加可以归因于BT纳米颗粒内在的高ε特性，同时BT纳米颗粒核和接枝的PMMA有机壳层之间的界面极化也有助于ε的提升；但随着负载的PMMA@BT纳米颗粒从10wt％增加到15wt％，ε仅仅轻微增加，这归因于PP基体中纳米颗粒的团聚，这可以通过tanδ的突然增加和电击穿的减小来证明，与纳米粒子均匀分散的(10wt％)纳米复合电介质相比，负载浓度为15wt％的PMMA@BT团聚的形成将导致用于界面极化的比表面积减小，因此，仅观察到ε略有增加；然而，结块的形成将显着增加泄漏损耗，因此导致tanδ的突然增加。
试验3力学性能
对比组1：纯的聚丙烯PP材料
对比组2：质量分数占10％的钛酸钡BT与质量分数占90％的聚丙烯材料，按照本发明制备方法得到的BT/PP电介质；
试验组：实施例3和实施例5-7制备的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜；其中：PAMMA@BT的质量分数分别为10％、2％、5％和15％。
对上述几组样品的力学性能进行考察，得到其应力-应变曲线、最大拉伸力和应变。
具体的，在平板硫化机上使用模具压制拉伸样条，之后用万能拉力机按GB1042-1992标准测试力学性能。
拉伸强度σt＝P/b·d
断裂伸长率εt＝(G-G0)/G0
σt为拉伸强度(MPa)，P为最大负荷(N)，b为试样宽度(mm)，d为试样厚度(mm)，εt为断裂伸长率(％)，G为试样断裂标距(mm)，G0为试样原始标距(mm)。
进一步的，还在165℃的烘箱中对实施例3制备的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜进行了简单的热拉伸实验，结果如图6所示；图6(a)为热拉伸之前；图6(b)为拉伸之后。
从图4和图5可知，与负载10wt％BT纳米颗粒的复合电介质相比，相同填充量下，PMMQ@BT/PP复合电介质的最大应力和应变均得到改善，这说明了有机PMMA壳层有助于优化BT纳米颗粒和PP基体之间的界面作用，因此核-壳结构的纳米填料在改善其Eb中起到积极作用。更重要的是，在室温下薄膜卷绕过程中，应变的显著提高是非常有意义，从BT/PP 复合电介质的60.52％提高到PMMA@BT/PP复合电介质的94.28％。由于机械性能对填料含量的依赖性，PMMA@BT/PP纳米复合电介质随填料含量的增加而呈现出最大应力的单调增加和应变的单调下降。如图6所示，PMMA@BT/PP复合电介质在填料含量为10wt％时展现出1:4的高拉伸比；且PMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜良好的透光性和出色的柔韧性。这些优异的高拉伸比、透光及柔性在BOPP工艺中非常重要。
试验4储能密度
对比组：纯PP材料
试验组：实施例1～实施例4制备的壳层厚度分别为4nm、6nm、8nm和10nm的 PMMA@BT/PP复合电介质薄膜.；PAMMA@BT的质量分数均为10％。
对上述样品，先用高真空电阻蒸发镀膜机在薄膜的两面分别蒸镀上铜电极，然后再将镀有铜电极的薄膜放在美国Radiant公司生产的Precision Multiferroic铁电测试仪中，将电极连同薄膜都浸入到绝缘油(二甲基硅油)中，频率为10Hz，在一定的电压下测试其电位移-电场强度(D-E)曲线，利用D-E曲线对坐标轴Y轴积分即计算得到储能密度。如图7所示。图7中的内图为充放电效率。
从图7可知，PP基电介质的储能密度从0.72J/cm3增加到0.95J/cm3；对于在相同填充量下的PMMA@BT/PP纳米复合电介质来说，当PMMA@BT的壳层厚度从4nm增加到10nm 时，储能密度逐渐增加，在250MV/m的电场250MV/m的电场下储能密度从0.95J/cm3增加到1.62J/cm3；然而，当PMMA壳层厚度增加到10nm时，储能密度降低到1.45J/cm3。纳米复合电介质的介电损耗略有增加将导致界面极化所用的比表面积减小，从而导致放电能量密度降低，从而降低电荷放电效率。

Claims (8)

1.一种壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：
1)在钛酸钡BT纳米颗粒表面引发甲基丙烯酸甲酯MMA原位自由基聚合制备PMMA@BT纳米颗粒；备用；甲基丙烯酸甲酯MMA/钛酸钡BT质量比为0.2～0.75；
2)将PMMA@BT纳米颗粒和聚丙烯PP，在190℃、转速为60r/min条件下熔融共混15min得到PMMA@BT/PP纳米复合电介质样品；所述PMMA@BT/PP中，PMMA@BT/的质量分数为5～15％；
3)将样品剪成小块试样，采用热压机在190℃、125MPa下热压成型，循环排除气泡，保压10min后取出，得到PMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜。
2.根据权利要求1所述的壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1)包括以下步骤：
1.1)将钛酸钡纳米颗粒干燥后与H2O2水溶液混合，钛酸钡质量与H2O2体积比为20g：100mL超声分散处理30min后，在105℃温度下搅拌5h，冷却至室温，经离心固液分离，固体依次经洗涤、离心、冷冻干燥、真空干燥得到HO-BT纳米颗粒；
1.2)将HO-BT纳米颗粒和甲苯混合，超声分散30min得到混合液；用冰醋酸调节混合液pH值为4；向混合液中缓慢加入硅烷偶联剂KH-550，HO-BT纳米颗粒质量与甲苯体积比为15g：100mL；硅烷偶联剂KH-550的加入量为4g/100mL甲苯；然后通入氮气，80℃下搅拌24h，冷却至室温，经离心固液分离，取固体用甲苯洗涤、离心；真空干燥、研磨得到APS-BT纳米颗粒；
1.3)将APS-BT纳米颗粒与二氯甲烷混合，超声分散30min，APS-BT纳米颗粒质量与二氯甲烷体积比为13g：100mL；再加入1mL三乙胺稳定混合液，继续滴加50mL含0.56g二-溴代异丁酸的二氯甲烷溶液，冰浴3h，在室温下搅拌12h，离心固液分离；取固体用二氯甲烷洗涤、干燥，得到Br-APS-BT纳米颗粒；
1.4)将Br-APS-BT纳米颗粒加入到二甲基甲酰胺中，超声分散30min，再加入CuBr和甲基丙烯酸甲酯在60℃条件下通入氮气30min搅拌至溶解；再加入五甲基二乙烯基三胺，搅拌反应24h；Br-APS-BT纳米颗粒质量、CuBr质量、五甲基二乙烯基三胺质量与二甲基甲酰胺体积比为4g：0.5g：0.6g：50mL；反应产物经离心固液分离，取固体产物用丙酮超声洗涤，经离心、冷冻干燥、真空干燥得到PMMA@BT纳米颗粒。
3.根据权利要求2所述的壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的制备方法，其特征在于：所述PMMA@BT纳米颗粒为核壳结构。
4.根据权利要求3所述的壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的制备方法，其特征在于：所述PMMA@BT纳米颗粒的壳层厚度为4～10nm。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的制备方法所制备的壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜。
6.根据权利要求5所述的壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜，其特征在于：所述PMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的拉伸比最高为1:4。
7.根据权利要求6所述的壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜，其特征在于：所述PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的厚度为30～40μm或1mm。
8.根据权利要求7所述的壳层厚度可控的PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜，其特征在于：所述PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜的介电损耗低于0.005；所述PAMMA@BT/PP纳米复合电介质薄膜储能密度最大为1.62J/cm3。
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