CN112595729A - 一种Mini-LED晶圆快速检测系统及方法 - Google Patents

一种Mini-LED晶圆快速检测系统及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112595729A
CN112595729A CN202110235159.1A CN202110235159A CN112595729A CN 112595729 A CN112595729 A CN 112595729A CN 202110235159 A CN202110235159 A CN 202110235159A CN 112595729 A CN112595729 A CN 112595729A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mini
distance
partition
lens
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110235159.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112595729B (zh
Inventor
王巧彬
邹伟金
苏达顺
周波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gaoshi Technology Suzhou Co ltd
Original Assignee
Huizhou Govion Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huizhou Govion Technology Co ltd filed Critical Huizhou Govion Technology Co ltd
Priority to CN202110235159.1A priority Critical patent/CN112595729B/zh
Publication of CN112595729A publication Critical patent/CN112595729A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112595729B publication Critical patent/CN112595729B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

本发明涉及Mini‑LED芯片的晶圆快速检测方法及系统，考虑半导体芯片晶圆平整度实际情况，利用高倍工业镜头的景深范围，在确保成像清晰的前提下，在半导体芯片尤其是Mini‑LED芯片自动化检测过程中，创新采用n2分区对焦方式，通过对Mini‑LED芯片晶圆片的分区并进行选择性精准对焦操作，有效减少对焦操作次数和对焦时间，不但解决了目前Mini‑LED芯片的自动化检测存在的晶圆片部分区域因出现虚焦而导致不能清晰成像的问题，还解决了因增加自动对焦装置所出现检测效率过低而导致无法全检的问题。总之，该系统有效提升半导体芯片的良品率并保障半导体产业的可持续健康发展，具有较明显的经济效益。

Description

一种Mini-LED晶圆快速检测系统及方法
技术领域
本发明涉及半导体芯片检测技术领域，尤其涉及一种具有分区对焦功能的Mini-LED芯片的晶圆快速检测方法及系统。
背景技术
为适应半导体芯片技术及产业发展，在半导体芯片检测技术方面，已采用高放大倍率（3倍以上）镜头的晶圆自动化视觉检测设备代替传统的显微镜人为目检方式。然而，随着半导体芯片的纳米级加工水平的提升，芯片尺寸越趋集成化和小型化，特别像尺寸小于200μm的Mini-LED 芯片晶圆片的自动化检测设备，采用的高放大倍率镜头普遍存在景深过小的缺点，再加上Mini-LED 芯片晶圆片平整度通常大于镜头景深DOF（DOF为镜头能清晰成像的纵深距离范围），使视觉系统对晶圆片的某些区域出现虚焦而无法清晰成像，因而导致芯片缺陷过漏检而降低芯片产品的良品率。于是，在半导体芯片尤其是Mini-LED 芯片自动化检测系统上，增加一种能使晶圆片都能清晰成像的自动对焦技术或装置是非常必要的。同时，自动对焦装置主要由高精度测距模块和快速位移调节模块组成，通常利用测距模块实时测量镜头与待测产品距离，位移调节模块根据位移偏差进行实时调校，而位移调校时间远超视觉系统的采图时间，于是通过增加自动对焦装置配合视觉装置进行实时对焦将会大大增加检测时间而降低检测效率，满足不了半导体芯片尤其是Mini-LED 芯片自动化全检需求，严重影响芯片良品率有效提升和制约产业可持续健康发展。综上所述，在半导体芯片尤其是Mini-LED 芯片自动化检测技术上，急需一种能实现自动对焦且快速的自动化检测方法及系统。
发明内容
为解决目前半导体芯片尤其是Mini-LED 芯片的自动化检测存在的晶圆片部分区域因出现虚焦而导致不能清晰成像、而增加自动对焦装置又出现检测效率过低而导致无法全检的关联问题，本发明提出一种具有分区对焦功能的Mini-LED 芯片快速检测方法及系统。
一种Mini-LED晶圆快速检测方法，方法具体包括以下步骤：
a.进行上料操作，并利用固定模块将待测晶圆片样品吸附固定在样品载台上；
b.对晶圆片采用n2分区方式，其中n为正整数；
c.利用X/Y轴位移模块将晶圆片样品精准移动至测距区域，按照预先设定的分区 轨迹依序对各分区内的代表性芯片进行测距，并对各分区内的测距值进行计算处理得到该 分区的测距偏差均值
Figure DEST_PATH_IMAGE001
；
d.完成分区测距操作后，利用X/Y轴位移模块将晶圆片样品精准移动至成像区域， 利用视觉装置按照预先设定的分区轨迹依序对各分区芯片进行成像，视觉装置的工业镜头 视野首次进入某分区时，先利用该分区的测距偏差均值的绝对值
Figure DEST_PATH_IMAGE002
比对工业镜头景深 DOF，当
Figure DEST_PATH_IMAGE003
≥DOF/2时则进行对焦操作，利用Z轴位移模块快速调节样品载台，或利用Z轴位 移模块快速同步调节工业镜头和测距模块，使样品与镜头距离等于镜头标称工作距离并确 保视觉成像清晰；当
Figure 278713DEST_PATH_IMAGE003
＜DOF/2时则无需进行对焦操作而直接由视觉装置进行成像；
e.完成各分区成像后，进行下料操作，完成该晶圆片的检测。
作为本发明的一个优选实施例，所述步骤d中优选当
Figure 295387DEST_PATH_IMAGE003
≥DOF/3时则进行对焦操 作，利用Z轴位移模块快速调节样品载台，或利用Z轴位移模块快速同步调节工业镜头和测 距模块，使样品与镜头距离等于镜头标称工作距离并确保视觉成像清晰；当
Figure 809545DEST_PATH_IMAGE002
＜DOF/3时 则无需进行对焦操作而直接由视觉装置进行成像。
作为本发明的一个优选实施例，所述步骤c中使用测距模块进行测距，所述测距偏 差均值
Figure 673596DEST_PATH_IMAGE001
的获得方式为：先将测距模块测距值归零，选取镜头与其正下方位置处晶圆片的 距离为镜头标称工作距离时所对应的测距模块与其正下方位置处晶圆片的距离为归零位， 对各分区内的代表性芯片进行测距，计算得到各测距偏差值的均值即为测距偏差均值
Figure 956809DEST_PATH_IMAGE001
。
作为本发明的一个优选实施例，所述步骤d中工作距离根据测距偏差均值
Figure 451376DEST_PATH_IMAGE001
确定， 若测距偏差均值
Figure 623469DEST_PATH_IMAGE001
为负则上移样品载台，若测距偏差均值为正则下调样品载台。
作为本发明的一个优选实施例，所述步骤b中n优选为2-5。选择分区数量时应同时考虑精度和效率。
作为本发明的一个优选实施例，可根据测距值及分布情况进行自适应选择n2分区方式，实现具有智能n2分区对焦功能的Mini-LED Chip快速检测。
本发明还公开了一种Mini-LED晶圆快速检测系统，包括是视觉装置、自动对焦装置、样品载台装置和计算机系统；所述视觉装置包括工业相机、工业镜头和照明光源；所述自动对焦装置包括测距模块和位移模块；所述的样品载台装置包括样品载台和固定模块；所述Mini-LED晶圆快速检测系统可使用上述检测方法。
作为本发明的一个优选实施例，所述工业相机为高帧率大靶面的工业相机，所述工业镜头为高放大倍率大视野的工业镜头。
作为本发明的一个优选实施例，所述的样品载台装置包括样品载台和固定模块，采用玻璃载台、吸附功能的固定模块并结合X/Y/Z轴位移模块。
作为本发明的一个优选实施例，所述的计算机系统包括工控计算机、系统软件、图像采集卡和运动控制卡通过工控计算机程控系统实现判断或启动对焦操作、图像采集与处理分析、样品定位或快速移动等功能。
本发明提出的一种具有分区对焦功能的Mini-LED 晶圆快速检测方法及系统，充分考虑半导体芯片晶圆平整度实际情况，充分利用高倍工业镜头的景深范围，在确保成像清晰的前提下，在半导体芯片尤其是Mini-LED 芯片自动化检测过程中，创新采用有效分区对焦方式特别是n2分区对焦方式，通过对Mini-LED 芯片晶圆片的合适分区并进行选择性精准对焦操作，有效减少对焦操作次数和对焦时间，不但解决了目前半导体芯片尤其是Mini-LED 芯片的自动化检测存在的晶圆片部分区域因出现虚焦而导致不能清晰成像的问题，还解决了因增加自动对焦装置所出现检测效率过低而导致无法全检的问题。总之，该系统有效提升半导体芯片的良品率并保障半导体产业的可持续健康发展，具有较明显的经济效益。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的检测系统结构图
图2为n2分区方式示例图
图3为测距区域和成像区域的载台位置示意图
1.工业相机；2.工业镜头；3.照明光源；4.测距模块；5.半导体芯片；6.固定模块；7.样品载台；8.位移模块。
具体实施方式
为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
需要说明的是，当元件被称为“连接于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
如图1所示，所述的视觉装置主要包括工业相机1、工业镜头2和照明光源3，采用高帧率大靶面的工业相机和高放大倍率大视野的工业镜头，结合不同打光方式的照明光源，实现高效快速采集Mini-LED 芯片图像。
所述的自动对焦装置主要包括测距模块4和位移模块8，采用高精度且高速的测距 模块和X/Y/Z三轴位移模块，实现高效快速的自动对焦功能；并结合样品载台装置和计算机 系统，对晶圆片进行分区测距，根据分区方式及该分区域测距值
Figure 228894DEST_PATH_IMAGE001
大小，比对工业镜头景深 DOF，当某分区域测距偏差均值的绝对值
Figure 632193DEST_PATH_IMAGE003
≥DOF/3时则利用Z轴位移模块快速调节样品载 台，使样品与镜头距离等于镜头标称工作距离并确保视觉成像清晰。优选地，对晶圆片采用 n2分区方式，如图2所示，其中n为正整数，所述n可以为1、2、3、4、5、6、7、8、9、10等，优选为2- 5，实现具有n2分区对焦功能的Mini-LED 芯片快速检测；另外还可根据测距值及分布情况 进行自适应选择n2分区方式，实现具有智能n2分区对焦功能的Mini-LED 芯片快速检测。
所述的样品载台装置主要包括样品载台7和固定模块6，采用平整度极佳的玻璃载台、吸附功能的固定模块并结合X/Y/Z轴位移模块，实现样品高度平稳固定和高速的位移操作。
所述的计算机系统主要包括工控计算机、系统软件、图像采集卡和运动控制卡，通过工控计算机程控系统实现判断或启动对焦操作、图像采集与处理分析、样品定位或快速移动等功能。
本发明提出一种具有分区对焦功能的Mini-LED 芯片快速检测方法，包括以下实施步骤：
（1） 先进行上料操作，并利用固定模块将待测样品吸附固定在样品载台上。
（2） 利用X/Y轴位移模块将样品精准移动至测距区域，如图3所示，按照预先设定 的分区轨迹依序对各分区内的代表性芯片进行测距，并对各分区内的测距值进行计算处理 得到该分区的测距偏差均值
Figure 32082DEST_PATH_IMAGE001
。
（3） 完成分区测距操作后，利用X/Y轴位移模块将样品精准移动至成像区域，如图 3所示，利用视觉装置按照预先设定的分区轨迹依序对各分区芯片进行成像，视觉装置的工 业镜头视野首次进入某分区时，先利用该分区的测距偏差均值的绝对值
Figure 835346DEST_PATH_IMAGE002
比对工业镜头 景深DOF，当
Figure 477418DEST_PATH_IMAGE003
≥DOF/2时则进行对焦操作，利用Z轴位移模块快速调节样品载台，使样品与 镜头距离等于镜头标称工作距离并确保视觉成像清晰；当
Figure 735224DEST_PATH_IMAGE002
＜DOF/2时则无需进行对焦操 作而直接由视觉装置进行成像。优选地，当
Figure 633910DEST_PATH_IMAGE002
≥DOF/3时则进行对焦操作，利用Z轴位移模 块快速调节样品载台，使样品与镜头距离等于镜头标称工作距离并确保视觉成像清晰；当
Figure 547639DEST_PATH_IMAGE003
＜DOF/3时则无需进行对焦操作而直接由视觉装置进行成像。
（4） 完成各分区成像后，进行下料操作，完成该晶圆片的检测。
另外，因为晶元片样品重量比工业镜头轻，所以优选采用样品载台装置结合位移模块实现对焦及位移操作；但也可以利用位移模块同时驱动工业镜头和测距模块的方式来实现对焦和/或位移操作。
本发明提出的一种具有分区对焦功能的Mini-LED 芯片快速检测装置及方法，充分考虑半导体芯片晶圆平整度实际情况，充分利用高倍工业镜头的景深范围，在确保成像清晰的前提下，在半导体芯片尤其是Mini-LED 芯片自动化检测过程中，创新采用有效分区对焦方式特别是n2分区对焦方式，通过对Mini-LED 芯片晶圆片的合适分区并进行选择性精准对焦操作，有效减少对焦操作次数和对焦时间，不但解决了目前半导体芯片尤其是Mini-LED 芯片的自动化检测存在的晶圆片部分区域因出现虚焦而导致不能清晰成像的问题，还解决了因增加自动对焦装置所出现检测效率过低而导致无法全检的问题。总之，该系统有效提升半导体芯片的良品率并保障半导体产业的可持续健康发展，具有较明显的经济效益。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种Mini-LED晶圆快速检测方法，其特征在于：所述方法具体包括以下步骤：
步骤a.进行上料操作，并利用固定模块将待测晶圆片样品吸附固定在样品载台上；
步骤b.对晶圆片采用n2分区方式，其中n为正整数；
步骤c.利用X/Y轴位移模块将晶圆片样品精准移动至测距区域，按照预先设定的分区 轨迹依序对各分区内的代表性芯片进行测距，并对各分区内的测距值进行计算处理得到该 分区的测距偏差均值
Figure DEST_PATH_IMAGE002AAAAA
；
步骤d.完成分区测距操作后，利用X/Y轴位移模块将晶圆片样品精准移动至成像区域， 利用视觉装置按照预先设定的分区轨迹依序对各分区芯片进行成像，视觉装置的工业镜头 视野首次进入某分区时，先利用该分区的测距偏差均值的绝对值
Figure DEST_PATH_IMAGE004AAA
比对工业镜头景深 DOF，当
Figure DEST_PATH_IMAGE004AAAA
≥DOF/2时则进行对焦操作，利用Z轴位移模块快速调节样品载台，使样品与镜头 距离等于镜头标称工作距离并确保视觉成像清晰；当
Figure DEST_PATH_IMAGE005AA
＜DOF/2时则无需进行对焦操作而 直接由视觉装置进行成像；
步骤e.完成各分区成像后，进行下料操作，完成该晶圆片的检测。
2.根据权利要求1所述的一种Mini-LED晶圆快速检测方法，其特征在于：所述步骤d中 优选当
Figure DEST_PATH_IMAGE005AAA
≥DOF/3时则进行对焦操作，利用Z轴位移模块快速调节样品载台，使样品与镜头 距离等于镜头标称工作距离并确保视觉成像清晰；当
Figure DEST_PATH_IMAGE004AAAAA
＜DOF/3时则无需进行对焦操作而 直接由视觉装置进行成像。
3.根据权利要求1或2所述的一种Mini-LED晶圆快速检测方法，其特征在于：所述步骤d中，利用Z轴位移模块快速同步调节工业镜头和测距模块，使样品与镜头距离等于镜头标称工作距离并确保视觉成像清晰。
4.根据权利要求1所述的一种Mini-LED晶圆快速检测方法，其特征在于： 所述步骤c中 使用测距模块进行测距，所述测距偏差均值
Figure DEST_PATH_IMAGE002AAAAAA
的计算方法为：先将测距模块测距值归零，选 取镜头与其正下方位置处晶圆片的距离为镜头标称工作距离时所对应的测距模块与其正 下方位置处晶圆片的距离为归零位，对各分区内的代表性芯片进行测距，计算得到各测距 偏差值的均值即为测距偏差均值
Figure DEST_PATH_IMAGE002AAAAAAA
。
5.根据权利要求1所述的一种Mini-LED晶圆快速检测方法，其特征在于：所述步骤d中 工作距离根据测距偏差均值确定，若测距偏差均值
Figure DEST_PATH_IMAGE002AAAAAAAA
为负则上移样品载台，若测距偏差均 值
Figure DEST_PATH_IMAGE002AAAAAAAAA
为正则下调样品载台。
6.根据权利要求1所述的一种Mini-LED晶圆快速检测方法，其特征在于：测距时测距装置中轴线与样品载台中轴线重合，成像时工业镜头中轴线与样品载台中轴线重合。
7.根据权利要求1所述的一种Mini-LED晶圆快速检测方法，其特征在于：所述步骤b中n优选为2-5。
8.根据权利要求1所述的一种Mini-LED晶圆快速检测方法，其特征在于：可根据测距值及分布情况进行自适应选择n2分区方式，实现具有智能n2分区对焦功能的Mini-LED Chip快速检测。
9.一种Mini-LED晶圆快速检测系统，其特征在于：包括视觉装置、自动对焦装置、样品载台装置和计算机系统；所述视觉装置包括工业相机、工业镜头和照明光源；所述自动对焦装置包括测距模块和位移模块；所述的样品载台装置包括样品载台和固定模块；所述的计算机系统包括工控计算机、系统软件、图像采集卡和运动控制卡通过工控计算机程控系统实现判断或启动对焦操作、图像采集与处理分析、样品定位或快速移动等功能；所述Mini-LED晶圆快速检测系统可使用权利要求1-8中任一种检测方法。
10.根据权利要求9所述的一种Mini-LED晶圆快速检测系统，其特征在于：所述工业相机为高帧率大靶面的工业相机，所述工业镜头为高放大倍率大视野的工业镜头。
11.根据权利要求9所述的一种Mini-LED晶圆快速检测系统，其特征在于：所述的样品载台装置包括样品载台和固定模块，采用玻璃载台、吸附功能的固定模块并结合X/Y/Z轴位移模块。
CN202110235159.1A 2021-03-03 2021-03-03 一种Mini-LED晶圆快速检测系统及方法 Active CN112595729B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110235159.1A CN112595729B (zh) 2021-03-03 2021-03-03 一种Mini-LED晶圆快速检测系统及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110235159.1A CN112595729B (zh) 2021-03-03 2021-03-03 一种Mini-LED晶圆快速检测系统及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112595729A true CN112595729A (zh) 2021-04-02
CN112595729B CN112595729B (zh) 2021-06-04

Family

ID=75210365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110235159.1A Active CN112595729B (zh) 2021-03-03 2021-03-03 一种Mini-LED晶圆快速检测系统及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112595729B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115078402A (zh) * 2022-06-15 2022-09-20 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种用于检测硅片的系统

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0264057A2 (en) * 1986-10-07 1988-04-20 Fujitsu Limited Automatic focusing system for observing means for inspecting an object
TW558629B (en) * 2001-09-19 2003-10-21 Siemens Ag Device and method to plain-parallel alignment of an inspectable even object-surface to a focus-plain of an objective
WO2008068896A1 (ja) * 2006-12-04 2008-06-12 Tokyo Electron Limited 欠陥検出装置、欠陥検出方法、情報処理装置、情報処理方法及びそのプログラム
CN102359758A (zh) * 2011-07-21 2012-02-22 华中科技大学 一种半导体芯片的外观检测装置
CN103674966A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 深圳市大族激光科技股份有限公司 一种用于晶圆表面瑕疵检测的装置与方法
CN103698879A (zh) * 2013-12-18 2014-04-02 宁波江丰生物信息技术有限公司 一种实时对焦的装置及方法
CN104634792A (zh) * 2013-11-07 2015-05-20 沈阳芯源微电子设备有限公司 Pss良率在线监测系统及其检测方法
CN109085695A (zh) * 2018-08-08 2018-12-25 杭州上池科技有限公司 一种用于平面样本快速对焦拍照的方法
CN109300823A (zh) * 2018-11-28 2019-02-01 德淮半导体有限公司 超声波扫描系统以及用于对晶圆进行超声波扫描的方法
CN109411381A (zh) * 2018-10-15 2019-03-01 德淮半导体有限公司 晶圆检测工艺中的对焦方法及晶圆检测装置
CN208921641U (zh) * 2018-09-30 2019-05-31 德淮半导体有限公司 一种晶圆检测设备
CN110085709A (zh) * 2019-05-05 2019-08-02 无锡职业技术学院 一种led图像全自动计数统计系统

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0264057A2 (en) * 1986-10-07 1988-04-20 Fujitsu Limited Automatic focusing system for observing means for inspecting an object
TW558629B (en) * 2001-09-19 2003-10-21 Siemens Ag Device and method to plain-parallel alignment of an inspectable even object-surface to a focus-plain of an objective
WO2008068896A1 (ja) * 2006-12-04 2008-06-12 Tokyo Electron Limited 欠陥検出装置、欠陥検出方法、情報処理装置、情報処理方法及びそのプログラム
CN102359758A (zh) * 2011-07-21 2012-02-22 华中科技大学 一种半导体芯片的外观检测装置
CN104634792A (zh) * 2013-11-07 2015-05-20 沈阳芯源微电子设备有限公司 Pss良率在线监测系统及其检测方法
CN103674966A (zh) * 2013-12-06 2014-03-26 深圳市大族激光科技股份有限公司 一种用于晶圆表面瑕疵检测的装置与方法
CN103698879A (zh) * 2013-12-18 2014-04-02 宁波江丰生物信息技术有限公司 一种实时对焦的装置及方法
CN109085695A (zh) * 2018-08-08 2018-12-25 杭州上池科技有限公司 一种用于平面样本快速对焦拍照的方法
CN208921641U (zh) * 2018-09-30 2019-05-31 德淮半导体有限公司 一种晶圆检测设备
CN109411381A (zh) * 2018-10-15 2019-03-01 德淮半导体有限公司 晶圆检测工艺中的对焦方法及晶圆检测装置
CN109300823A (zh) * 2018-11-28 2019-02-01 德淮半导体有限公司 超声波扫描系统以及用于对晶圆进行超声波扫描的方法
CN110085709A (zh) * 2019-05-05 2019-08-02 无锡职业技术学院 一种led图像全自动计数统计系统

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115078402A (zh) * 2022-06-15 2022-09-20 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种用于检测硅片的系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN112595729B (zh) 2021-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110006905B (zh) 一种线面阵相机结合的大口径超净光滑表面缺陷检测装置
CN110609039B (zh) 一种光学检测装置及其方法
US20160209334A1 (en) Wafer inspection with focus volumetric method
CN111696077A (zh) 一种基于WaferDet网络的晶圆缺陷检测方法
JP2008139203A (ja) 欠陥検出装置、欠陥検出方法、情報処理装置、情報処理方法及びそのプログラム
CN102607467A (zh) 基于视觉测量的电梯导轨垂直度检测装置和检测方法
KR102362929B1 (ko) 프로브 니들의 니들 팁 위치 조정 방법 및 검사 장치
JP2017107201A (ja) 動的オートフォーカスシステム
CN112595729B (zh) 一种Mini-LED晶圆快速检测系统及方法
CN105987917A (zh) 蓝宝石长晶缺陷及表面缺陷光学检测方法和检测系统
CN110044262A (zh) 基于图像超分辨率重建的非接触式精密测量仪及测量方法
US7636466B2 (en) System and method for inspecting workpieces having microscopic features
CN111830795A (zh) 浸没式光刻机浸没流场中微小气泡检测工装及其检测方法
CN209992407U (zh) 线面阵相机结合的大口径超净光滑表面缺陷检测装置
CN108376666B (zh) 一种晶圆芯片定位系统及定位方法
CN114252014A (zh) 一种光掩膜基板标记尺寸测试系统及方法
CN103247548A (zh) 一种晶圆缺陷检测装置及方法
CN109844810B (zh) 图像处理方法及图像处理装置
CN212300252U (zh) 一种可自动调整待测样品位置的图像测量仪
CN112730442A (zh) 基于机器视觉的产品表面缺陷自动在线检测装置及系统
CN111965960A (zh) 基于线阵成像组件的3d手机盖板玻璃曝光装置及方法
CN102565082A (zh) 对位装置及对位方法
CN204389406U (zh) 蓝宝石长晶缺陷及表面缺陷光学检测系统
JP2000283929A (ja) 配線パターン検査方法及びその装置
WO2022160866A1 (zh) 一种显微装置及显微装置的调焦方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 215163 rooms 101, 102, 901 and 902, floor 1, building 11, 198 Jialingjiang Road, high tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Gaoshi Technology (Suzhou) Co.,Ltd.

Address before: 516000 West Side of the 4th Floor of CD Building, No. 2 South Road, Huatai Road, Huiao Avenue, Huizhou City, Guangdong Province

Patentee before: HUIZHOU GOVION TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Application publication date: 20210402

Assignee: Suzhou Gaoshi Semiconductor Technology Co.,Ltd.

Assignor: Gaoshi Technology (Suzhou) Co.,Ltd.

Contract record no.: X2021990000430

Denomination of invention: A mini LED wafer rapid detection system and method

Granted publication date: 20210604

License type: Common License

Record date: 20210722

EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract
CP03 Change of name, title or address

Address after: 215129 Rooms 101, 102, 901, 902, Floor 9, Building 11, No. 198, Jialing River Road, High tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Gaoshi Technology (Suzhou) Co.,Ltd.

Address before: 215163 rooms 101, 102, 901 and 902, floor 1, building 11, 198 Jialingjiang Road, high tech Zone, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee before: Gaoshi Technology (Suzhou) Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address