CN112583959B - 射频线缆及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种射频线缆及电子设备。电子设备包括边框、第一电路板、第二电路板、射频线缆以及天线，射频线缆包括依次连接的第一连接座、导线及第二连接座，第一连接座连接第一电路板，第二连接座连接第二电路板，边框包括靠近射频线缆的第一边框，和远离射频线缆、与第一边框相对的第二边框，天线的辐射体包括第一边框的一部分或天线的辐射体固定于第一边框内侧；射频线缆还包括第一磁性件，第一磁性件固定于导线，第二连接座包括第二接地端，第一磁性件具有靠近第二连接座的第二端面，第二端面与第二接地端的中心点之间的直线距离在第一阈值的范围内，或者第二端面与第二接地端的末端之间的直线距离在第二阈值的范围内。

Description

射频线缆及电子设备
技术领域
本申请涉及天线技术领域，特别涉及一种射频线缆及电子设备。
背景技术
在电子设备内，射频线缆被广泛用于实现射频信号的传输。而随着电子设备内天线数量和支持频段的不断增加，天线的空间占用逐渐延伸至射频线缆附近区域。此时，当天线靠近射频线缆设置时，天线上的能量会一定程度地耦合到射频线缆上。由于射频线缆本身的环境封闭，耦合至射频线缆内的天线能量难以再次辐射，最终使得天线的天线效率显著下降。
发明内容
本申请提供一种能够避免天线效率显著下降的线缆及的电子设备。
第一方面，本申请提供了一种电子设备。电子设备包括边框、第一电路板、第二电路板、射频线缆以及天线。所述第一电路板及所述第二电路板均位于所述边框的内侧。一种实施方式中，所述第一电路板与所述第二电路板彼此间隔设置。所述射频线缆包括依次连接的第一连接座、导线及第二连接座。所述第一连接座连接所述第一电路板。所述第二连接座连接所述第二电路板。所述边框包括靠近所述射频线缆的第一边框，和远离所述射频线缆、与所述第一边框相对的第二边框。可以理解的是，所述边框包括相对设置的第一长边框及第二长边框和相对设置的第一短边框与第二短边框。所述第一短边框与所述第二短边框连接在所述第一长边框与所述第二长边框之间。所述第一边框可以为第一长边框，此时，第二边框为第二长边框。所述第一边框也可以为第一短边框。此时，所述第二边框为第二短边框。所述天线的辐射体包括所述第一边框的一部分。或者所述天线的辐射体固定连接于所述第一边框的内侧。可以理解的是，所述导线位于所述辐射体的周边。一种实施方式中，所述天线与所述导线之间的距离在0至10毫米的范围内。
此外，所述射频线缆还包括第一磁性件。所述第一磁性件固定于所述导线。所述第二连接座包括第二接地端，也即所述第二接地端接地。所述第一磁性件具有靠近所述第二连接座的第二端面。所述第二端面与所述第二接地端的中心点之间的直线距离在第一阈值的范围内，或者所述第二端面与所述第二接地端的末端之间的直线距离在第二阈值的范围内。
可以理解的是，当所述辐射体辐射出天线信号时，因为所述辐射体位于所述导线的周边，所以辐射出的天线信号部分耦合至所述射频线缆中，从而使得所述第二接地端附近的交变电流较大。此外，因为所述第二接地端的附近电流为交变电流，所以该交变电流能够产生第一交变磁场。
此时，当所述第一磁性件固定于所述导线上，且所述第一磁性件的所述第二端面至所述第二连接座的所述第二接地端的直线距离D在第一阈值的范围内，或者所述第二端面与所述第二接地端的末端之间的直线距离在第二阈值的范围内时，所述第一磁性件位于交变电流的所在区域内。此时，所述第一磁性件与交变电流相互作用，并产生能够阻碍第一交变磁场的第二交变磁场，也即第二交变磁场的方向与第一交变磁场的方向相反。因此，当第一交变磁场被削弱之后，所述第二接地端附近的交变电流将显著地降低，也即所述第二接地端附近的阻抗将显著的增大。此时，在所述第一磁性件的所在区域的阻抗值大致为Z＝R+jXL＝ Aω(μ″+jμ′)，其中，A>0、ω>0、μ″≥0及μ′≥1。其中，A是与所述第一磁性件的材料长度、厚度相关的参量，ω＝2πf，f为天线信号的频率。μ″是所述第一磁性件的相对磁导率实部。μ′是所述第一磁性件的相对磁导率虚部。而当所述第一磁性件未套设于部分所述导线上时，在所述第一磁性件的所在区域阻抗值大致为0，显然，当所述第一磁性件固定所述导线上时，所述第一磁性件的所在区域的阻抗值是显著增大的。
故而，交变电流将很难通过所述第二接地端。此时，天线信号的能量将很难耦合至所述射频线缆中，从而避免所述辐射体的天线效率显著地降低。
一种实施方式中，所述第一阈值在0至10毫米的范围内。可以理解的是，当所述第一阈值在0至10毫米的范围内时，所述第一磁性件能够较大程度地靠近所述第二接地端，此时，所述第一磁性件能够保证覆盖到交变电流所在的区域。此时，所述第一磁性件能够在所述交变电流的作用下产生削弱第一交变磁场的第二交变磁场，从而保证所述天线信号的能量很难耦合到所述射频线缆上。
一种实施方式中，所述第二阈值在1至15毫米的范围内。可以理解的是，当所述第二阈值在1至15毫米的范围内时，所述第一磁性件能够较大程度地靠近所述第二接地端，此时，所述第一磁性件能够保证覆盖到交变电流所在的区域。此时，所述第一磁性件能够在所述交变电流的作用下产生削弱第一交变磁场的第二交变磁场，从而保证所述天线信号的能量很难耦合到所述射频线缆上。
一种实施方式中，所述第一磁性件具有与所述第二端面相背设置的第一端面。所述第二端面与所述第一端面之间的直线距离在5-20毫米的范围内。
可以理解的是，在该尺寸范围内的所述第一磁性件可以在保证天线的天线效率避免显著降低的同时，又不会因为尺寸太大而增加所述第一磁性件的材料投入成本。
此外，相较于在整条导线上设置第一磁性件，在该尺寸范围内的所述第一磁性件不会伸进所述第一缝隙内，从而避免所述第一磁性件影响所述第一缝隙的净空环境，即保证天线信号具有较佳的天线性能。
此外，相较于在整条导线上设置第一磁性件，在该尺寸范围内的所述第一磁性件的安装难度较低。
一种实施方式中，所述射频线缆还包括第二磁性件。所述第二磁性件固定于所述导线。所述第一连接座包括第一接地端。所述第二磁性件具有靠近所述第一连接座的第三端面。所述第三端面与所述第一接地端的中心点之间的直线距离在0至10毫米的范围内，或者所述第三端面与所述第一接地端的末端之间的直线距离在1至15毫米的范围内。
在本实施方式中，当所述辐射体辐射出天线信号时，因为所述辐射体位于所述导线的周边，所以辐射出的天线信号部分耦合至所述导线中，从而使得所述第一接地端附近的电流较大。此外，因为所述第一接地端的附近电流为交变电流，所以该交变电流能够产生第三交变磁场。
此时，当所述第二磁性件固定于所述导线上，且所述第三端面与所述第一接地端的中心点之间的直线距离在0至10毫米的范围内，或者所述第三端面与所述第一接地端的末端之间的直线距离在1至15毫米的范围内时，所述第二磁性件位于交变电流的所在区域内。此时，所述第二磁性件与交变电流相互作用，并产生能够阻碍第三交变磁场的第四交变磁场，也即所述第四交变磁场的方向与所述第三交变磁场的方向相反。因此，当第三交变磁场被削弱之后，所述第一接地端附近的交变电流将显著地降低，也即所述第一接地端附近的阻抗将显著的增大。此时，所述辐射体所辐射的天线信号的能量很难耦合至射频线缆中，也即进一步地避免所述辐射体的天线效率显著降低。
可以理解的是，根据上文可知，所述第一磁性件可以避免辐射体的天线效率显著降低。此时，在本实施方式中，通过所述第一磁性件与所述第二磁性件的相互配合，从而使得所述辐射体所辐射的天线信号的能量几乎不可能耦合至射频线缆中，也即进一步地避免所述辐射体的天线效率显著降低。
一种实施方式中，所述第一磁性件的形状为管状或者“C”状。
可以理解的是，当所述第一磁性件的形状为管状时，所述第一磁性件与所述导线的包覆面积较大，此时，所述第一磁性件的整体强度更佳。此外，因为所述第一磁性件与所述导线的包覆面积较大，所以所述第一磁性件能够保证覆盖到交变电流所在的区域。此时，所述第一磁性件能够在所述交变电流的作用下产生削弱第一交变磁场的第二交变磁场，从而保证所述天线信号的能量很难耦合到所述射频线缆上。
当所述第一磁性件为“C”状时，所述第一磁性件不但能够产生削弱第一交变磁场的第二交变磁场的情况下，在所述第一磁性件与所述导线的装配中，所述导线可以经所述第一磁性件的缺口与所述第一磁性件进行装配。因此，所述第一磁性件与所述导线的装配困难度较低。
一种实施方式中，所述第一磁性件的相对磁导率的实部在所述天线的频率为700MHz时大于或等于10。或者，所述第一磁性件的相对磁导率的实部在所述天线的频率为1.5GHz时大于或等于3。或者，所述第一磁性件的相对磁导率的虚部在所述天线的频率为700MHz时大于等于20。或者，所述第一磁性件的相对磁导率的虚部在所述天线的频率为1.5GHz时大于等于10。
可以理解的是，当所述第一磁性件的材料性质满足上述至少一个条件时，所述第一磁性件也能够较大程度地避免所述天线的天线效率降低。
具体的，以所述第一磁性件的相对磁导率的实部在天线的频率为700MHz时大于或等于 10为例进行描述。
可以理解的是，本实施方式的所述第一磁性件能够在所述第二接地端附近的交变电流作用下产生第二交变磁场，且第二交变磁场较大程度地接近于第一交变磁场的大小，从而使得第二交变磁场能够较大程度地削弱第一交变磁场。此时，所述第二接地端附近的交变电流将较大程度地降低。所述第二接地端附近的阻抗较大程度地增大。故而，交变电流将几乎不会通过所述第二接地端。天线信号的能量将很难耦合至所述射频线缆中，从而避免所述天线的天线效率显著地降低。
一种实施方式中，所述导线还包括第二导体及保护层。所述保护层固定连接于所述第二导体的外表面。所述第二导体连接于所述第二连接座的第二接地端。所述第一磁性件包覆在所述保护层的背离所述第二导体的表面。
可以理解的是，当所述第一磁性件包覆在所述保护层背离所述第二导体的部分表面时，所述第一磁性件与交变电流所在区域更接近，此时，所述第一磁性件更加容易产生能够削弱第一交变磁场的第二交变磁场，从而使得天线信号的能量不容易耦合至导线上。
一种实施方式中，所述导线还包括第二导体及保护层。所述保护层套设所述第二导体。所述第二导体连接于所述第二连接座的第二接地端。所述第一磁性件固定连接在所述第二导体与所述保护层之间。此时，通过所述保护层包覆在所述第一磁性件的外表面，从而通过所述保护层来保护所述第一磁性件，避免所述第一磁性件因露于外部而发生损坏。
一种实施方式中，所述电子设备还包括射频收发电路。所述射频收发电路安装于所述第一电路板。可以理解的是，所述射频收发电路可以用于对所述第一电路板周边的辐射体的辐射体发射射频信号，或者接收靠近所述第一电路板周边的辐射体的辐射体所转化的射频信号。所述导线的一端通过所述第一连接座和所述第一电路板电连接于所述射频收发电路。所述导线的另一端通过所述第二连接座和所述第二电路板电连接于所述辐射体。
可以理解的是，通过所述导线可以将设置于所述第一电路板的射频收发电路所发射的射频信号传输至第二电路板，并通过第二电路板传输至靠近所述第二电路板设置的辐射体，从而利用辐射体发射天线信号。此时，本实施方式无需在所述第二电路板上设置额外的射频收发电路就可以对靠近所述第二电路板设置的辐射体发射射频信号，以及接收靠近所述第二电路板设置的辐射体所转化的射频信号。
第二方面，本申请提供了一种电子设备。电子设备包括边框、第一电路板、第二电路板、射频线缆以及辐射体。所述第一电路板及所述第二电路板均位于所述边框的内侧。一种实施方式中，所述第一电路板与所述第二电路板彼此间隔设置。所述射频线缆包括依次连接的第一连接座、导线及第二连接座。所述第一连接座连接所述第一电路板。所述第二连接座连接所述第二电路板。所述边框包括靠近所述射频线缆的第一边框，和远离所述射频线缆、与所述第一边框相对的第二边框。可以理解的是，所述边框包括相对设置的第一长边框及第二长边框和相对设置的第一短边框与第二短边框。所述第一短边框与所述第二短边框连接在所述第一长边框与所述第二长边框之间。所述第一边框可以为第一长边框，此时，第二边框为第二长边框。所述第一边框也可以为第一短边框。此时，所述第二边框为第二短边框。所述辐射体包括所述第一边框的一部分。或者所述辐射体固定连接于所述第一边框的内侧。可以理解的是，所述导线位于所述辐射体的周边。一种实施方式中，所述辐射体与所述导线之间的距离在0至10毫米的范围内。
此外，所述射频线缆还包括第一磁性件。所述第一磁性件固定于所述导线。所述第二连接座包括第二接地端，也即所述第二接地端接地。所述第一磁性件用于在所述第二接地端所在区域的交变电流的作用下产生第二交变磁场，所述第二交变磁场的方向与所述第一交变磁场的方向相反，所述第一交变磁场为所述交变电流所产生的磁场。
可以理解的是，当所述辐射体辐射出天线信号时，因为所述辐射体位于所述导线的周边，所以辐射出的天线信号部分耦合至所述射频线缆中，从而使得所述第二接地端附近的电流较大。此外，因为所述第二接地端的附近电流为交变电流，所以该交变电流能够产生第一交变磁场。
此时，所述第一磁性件与交变电流相互作用，并产生能够阻碍第一交变磁场的第二交变磁场，也即所述第二交变磁场的方向与所述第一交变磁场的方向相反。因此，当第一交变磁场被削弱之后，所述第二接地端附近的交变电流将显著地降低，也即所述第二接地端附近的阻抗将显著的增大。此时，在所述第一磁性件的所在区域的阻抗值大致为Z＝R+jXL＝ Aω(μ″+jμ′)，其中，A>0、ω>0、μ″≥0及μ′≥1。其中，A是与所述第一磁性件的材料长度、厚度相关的参量，ω＝2πf，f为天线信号的频率。μ″是所述第一磁性件的相对磁导率实部。μ′是所述第一磁性件的相对磁导率虚部。而当所述第一磁性件未套设于部分所述导线上时，在所述第一磁性件的所在区域阻抗值大致为0，显然，当所述第一磁性件固定所述导线上时，所述第一磁性件的所在区的阻抗值是显著增大的。
故而，交变电流将很难通过所述第二接地端。此时，天线信号的能量将很难耦合至所述射频线缆中，从而避免所述辐射体的天线效率显著地降低。
一种实施方式中，所述第一磁性件具有与所述第二端面相背设置的第一端面。所述第二端面与所述第一端面之间的直线距离在5-20毫米的范围内。
可以理解的是，在该尺寸范围内的所述第一磁性件可以在保证天线的天线效率避免显著降低的同时，又不会因为尺寸太大而增加所述第一磁性件的材料投入成本。
此外，相较于在整条导线上设置第一磁性件，在该尺寸范围内的所述第一磁性件不会伸进所述第一缝隙内，从而避免所述第一磁性件影响所述第一缝隙的净空环境，即保证天线信号具有较佳的天线性能。
此外，相较于在整条导线上设置第一磁性件，在该尺寸范围内的所述第一磁性件的安装难度较低。
一种实施方式中，所述射频线缆还包括第二磁性件。所述第二磁性件固定于所述导线。所述第一连接座包括第一接地端。所述第二磁性件具有靠近所述第一连接座的第三端面。所述第三端面与所述第一接地端的中心点之间的直线距离在0至10毫米的范围内，或者所述第三端面与所述第一接地端的末端之间的直线距离在1至15毫米的范围内。
在本实施方式中，当所述辐射体辐射出天线信号时，因为所述辐射体位于所述导线的周边，所以辐射出的天线信号部分耦合至所述导线中，从而使得所述第一接地端附近的电流较大。此外，因为所述第一接地端的附近电流为交变电流，所以该交变电流能够产生第三交变磁场。
此时，当所述第二磁性件固定于所述导线上，且所述第三端面与所述第一接地端的中心点之间的直线距离在0至10毫米的范围内，或者所述第三端面与所述第一接地端的末端之间的直线距离在1至15毫米的范围内时，所述第二磁性件位于交变电流的所在区域内。此时，所述第二磁性件与交变电流相互作用，并产生能够阻碍第三交变磁场的第四交变磁场。因此，当第三交变磁场被削弱之后，所述第一接地端附近的交变电流将显著地降低，也即所述第一接地端附近的阻抗将显著的增大。此时，所述辐射体所辐射的天线信号的能量很难耦合至射频线缆中，也即进一步地避免所述辐射体的天线效率显著降低。
可以理解的是，根据上文可知，所述第一磁性件可以避免辐射体的天线效率显著降低。此时，在本实施方式中，通过所述第一磁性件与所述第二磁性件的相互配合，从而使得所述辐射体所辐射的天线信号的能量几乎不可能耦合至射频线缆中，也即进一步地避免所述天线的天线效率显著降低。
一种实施方式中，所述第一磁性件的形状为管状或者“C”状。
可以理解的是，当所述第一磁性件的形状为管状时，所述第一磁性件与所述导线的包覆面积较大，此时，所述第一磁性件的整体强度更佳。此外，因为所述第一磁性件与所述导线的包覆面积较大，所以所述第一磁性件能够保证覆盖到交变电流所在的区域。此时，所述第一磁性件能够在所述交变电流的作用下产生削弱第一交变磁场的第二交变磁场。
当所述第一磁性件为“C”状时，所述第一磁性件不但能够产生削弱第一交变磁场的第二交变磁场的情况下，在所述第一磁性件与所述导线的装配中，所述导线可以经所述第一磁性件的缺口与所述第一磁性件进行装配。因此，所述第一磁性件与所述导线的装配困难度较低。
一种实施方式中，所述第一磁性件的相对磁导率的实部在所述天线的频率为700MHz时大于或等于10。或者，所述第一磁性件的相对磁导率的实部在所述天线的频率为1.5GHz时大于或等于3。或者，所述第一磁性件的相对磁导率的虚部在所述天线的频率为700MHz时大于等于20。或者，所述第一磁性件的相对磁导率的虚部在所述天线的频率为1.5GHz时大于等于10。
可以理解的是，当所述第一磁性件的材料性质满足上述至少一个条件时，所述第一磁性件也能够较大程度地避免所述天线的天线效率降低。
具体的，以所述第一磁性件的相对磁导率的实部在天线的频率为700MHz时大于或等于 10为例进行描述。
可以理解的是，本实施方式的所述第一磁性件能够在所述第二接地端附近的交变电流作用下产生第二交变磁场，且第二交变磁场较大程度地接近于第一交变磁场的大小，从而使得第二交变磁场能够较大程度地削弱第一交变磁场。此时，所述第二接地端附近的交变电流将较大程度地降低。所述第二接地端附近的阻抗较大程度地增大。故而，交变电流将几乎不会通过所述第二接地端。天线信号的能量将很难耦合至所述射频线缆中，从而避免所述天线的天线效率显著地降低。
一种实施方式中，所述导线还包括第二导体及保护层。所述保护层固定连接于所述第二导体的外表面。所述第二导体连接于所述第二连接座的第二接地端。所述第一磁性件包覆在所述保护层的背离所述第二导体的表面。
可以理解的是，当所述第一磁性件包覆在所述保护层背离所述第二导体的部分表面时，所述第一磁性件与交变电流所在区域更接近，此时，所述第一磁性件更加容易产生能够削弱第一交变磁场的第二交变磁场，从而使得天线信号的能量不容易耦合至导线上。
一种实施方式中，所述导线还包括第二导体及保护层。所述保护层套设所述第二导体。所述第二导体连接于所述第二连接座的第二接地端。所述第一磁性件固定连接在所述第二导体与所述保护层之间。此时，通过所述保护层包覆在所述第一磁性件的外表面，从而通过所述保护层来保护所述第一磁性件，避免所述第一磁性件因露于外部而发生损坏。
一种实施方式中，所述电子设备还包括射频收发电路。所述射频收发电路安装于所述第一电路板。可以理解的是，所述射频收发电路可以用于对所述第一电路板周边的辐射体的辐射体发射射频信号，或者接收靠近所述第一电路板周边的辐射体的辐射体所转化的射频信号。所述导线的一端通过所述第一连接座和所述第一电路板电连接于所述射频收发电路。所述导线的另一端通过所述第二连接座和所述第二电路板电连接于所述辐射体。
可以理解的是，通过所述导线可以将设置于所述第一电路板的射频收发电路所发射的射频信号传输至第二电路板，并通过第二电路板传输至靠近所述第二电路板设置的辐射体，从而利用辐射体发射天线信号。此时，本实施方式无需在所述第二电路板上设置额外的射频收发电路就可以对靠近所述第二电路板设置的辐射体发射射频信号，以及接收靠近所述第二电路板设置的辐射体所转化的射频信号。
第三方面，本申请提供了一种射频线缆。射频线缆包括第一连接座、第二连接座、导线及第一磁性件。所述第一连接座和所述第二连接座分别连接在所述导线的两端。所述第一磁性件固定于所述导线。所述第二连接座包括第二接地端。所述第一磁性件具有靠近所述第二连接座的第二端面。所述第二端面与所述第二接地端的中心点之间的直线距离在第一阈值的范围内，或者所述第二端面与所述第二接地端的末端之间的直线距离在第二阈值范围内。
可以理解的是，当所述射频线缆应用于具有辐射体的电子设备，且所述射频线缆靠近所述辐射体设置时，所述第一磁性件能够在所述第二接地端所在区域的交变电流的作用下产生第二交变磁场，所述第二交变磁场的方向与所述第一交变磁场的方向相反，从而增大所述第二接地端所在区域的阻抗，进而使得电子设备中的天线信号的能量将很难耦合至所述射频线缆中，也即避免所述天线的天线效率显著地降低。
一种实施方式中，所述第一阈值在0至10毫米的范围内。可以理解的是，当所述第一阈值在0至10毫米的范围内时，所述第一磁性件能够较大程度地靠近所述第二接地端，此时所述第一磁性件能够保证覆盖到交变电流所在的区域。此时，所述第一磁性件能够在所述交变电流的作用下产生削弱第一交变磁场的第二交变磁场，从而保证所述天线信号的能量很难耦合到所述射频线缆上。
一种实施方式中，所述第二阈值在1至15毫米的范围内。可以理解的是，当所述第二阈值在1至15毫米的范围内时，所述第一磁性件能够较大程度地靠近所述第二接地端，此时所述第一磁性件能够保证覆盖到交变电流所在的区域。此时，所述第一磁性件能够在所述交变电流的作用下产生削弱第一交变磁场的第二交变磁场，从而保证所述天线信号的能量很难耦合到所述射频线缆上。
一种实施方式中，所述第一磁性件具有与所述第二端面相背设置的第一端面，所述第二端面与所述第一端面之间的直线距离在5-20毫米的范围内。
可以理解的是，在该尺寸范围内的所述第一磁性件可以在保证天线的天线效率避免显著降低的同时，又不会因为尺寸太大而增加所述第一磁性件的材料投入成本。
此外，相较于在整条导线上设置第一磁性件，在该尺寸范围内的所述第一磁性件不会伸进所述第一缝隙内，从而避免所述第一磁性件影响所述第一缝隙的净空环境，即保证天线信号具有较佳的天线性能。
此外，相较于在整条导线上设置第一磁性件，在该尺寸范围内的所述第一磁性件的安装难度较低。
一种实施方式中，所述射频线缆还包括第二磁性件。所述第二磁性件固定于所述导线。所述第一连接座包括第一接地端。所述第二磁性件具有靠近所述第一连接座的第三端面。所述第三端面与所述第一接地端的中心点之间的直线距离在0至10毫米的范围内。或者所述第三端面与所述第一接地端的末端之间的直线距离在1至15的范围内。
在本实施方式中，当所述辐射体辐射出天线信号时，因为所述辐射体位于所述导线的周边，所以辐射出的天线信号部分耦合至所述导线中，从而使得所述第一接地端附近的电流较大。此外，因为所述第一接地端的附近电流为交变电流，所以该交变电流能够产生第三交变磁场。
此时，当所述第二磁性件固定于所述导线上，且所述第三端面与所述第一接地端的中心点之间的直线距离在0至10毫米的范围内，或者所述第三端面与所述第一接地端的末端之间的直线距离在1至15毫米的范围内时，所述第二磁性件位于交变电流的所在区域内。此时，所述第二磁性件与交变电流相互作用，并产生能够阻碍第三交变磁场的第四交变磁场。因此，当第三交变磁场被削弱之后，所述第一接地端附近的交变电流将显著地降低，也即所述第一接地端附近的阻抗将显著的增大。此时，所述辐射体所辐射的天线信号的能量很难耦合至射频线缆中，也即进一步地避免所述辐射体的天线效率显著降低。
可以理解的是，根据上文可知，所述第一磁性件可以避免辐射体的天线效率显著降低。此时，在本实施方式中，通过所述第一磁性件与所述第二磁性件的相互配合，从而使得所述辐射体所辐射的天线信号的能量几乎不可能耦合至射频线缆中，也即进一步地避免所述辐射体的天线效率显著降低。
一种实施方式中，所述第一磁性件的形状为管状或者“C”状。
可以理解的是，当所述第一磁性件的形状为管状时，所述第一磁性件与所述导线的包覆面积较大，此时，所述第一磁性件的整体强度更佳。此外，因为所述第一磁性件与所述导线的包覆面积较大，所以所述第一磁性件能够保证覆盖到交变电流所在的区域。此时，所述第一磁性件能够在所述交变电流的作用下产生削弱第一交变磁场的第二交变磁场。
当所述第一磁性件为“C”状时，所述第一磁性件不但能够产生削弱第一交变磁场的第二交变磁场的情况下，在所述第一磁性件与所述导线的装配中，所述导线可以经所述第一磁性件的缺口与所述第一磁性件进行装配。因此，所述第一磁性件与所述导线的装配困难度较低。
一种实施方式中，所述第一磁性件的相对磁导率的实部在天线的频率为700MHz时大于或等于10。或者，所述第一磁性件的相对磁导率的实部在天线的频率为1.5GHz时大于或等于3。或者所述第一磁性件的相对磁导率的虚部在天线的频率为700MHz时大于等于22。或者所述第一磁性件的相对磁导率的虚部在天线的频率为1.5GHz时大于等于13。
可以理解的是，当所述第一磁性件的材料性质满足上述至少一个条件时，所述第一磁性件也能够较大程度地避免所述辐射体的天线效率降低。
具体的，以所述第一磁性件的相对磁导率的实部在天线的频率为700MHz时大于或等于 10为例进行描述。
可以理解的是，本实施方式的所述第一磁性件能够在所述第二接地端附近的交变电流作用下产生第二交变磁场，且第二交变磁场较大程度地接近于第一交变磁场的大小，从而使得第二交变磁场能够较大程度地削弱第一交变磁场。此时，所述第二接地端附近的交变电流将较大程度地降低。所述第二接地端附近的阻抗较大程度地增大。故而，交变电流将几乎不会通过所述第二接地端。天线信号的能量将很难耦合至所述射频线缆中，从而避免所述天线的天线效率显著地降低。
一种实施方式中，所述导线还包括第二导体及保护层。所述保护层固定连接于所述第二导体的外表面。所述第二导体连接于所述第二连接座的第二接地端。所述第一磁性件包覆在所述保护层的背离所述第二导体的表面。
可以理解的是，当所述第一磁性件包覆在所述保护层背离所述第二导体的部分表面时，所述第一磁性件与交变电流所在区域更接近，此时，所述第一磁性件更加容易产生能够削弱第一交变磁场的第二交变磁场，从而使得天线信号的能量不容易耦合至导线上。
一种实施方式中，所述导线还包括第二导体及保护层。所述保护层套设所述第二导体。所述第二导体连接于所述第二连接座的第二接地端。所述第一磁性件固定连接在所述第二导体与所述保护层之间。此时，通过所述保护层包覆在所述第一磁性件的外表面，从而通过所述保护层来保护所述第一磁性件，避免所述第一磁性件因露于外部而发生损坏。
第四方面，本申请提供了一种电子设备。所述电子设备包括第一电路板、第二电路板及如上所述的射频线缆。所述射频线缆的第一连接座连接所述第一电路板，所述射频线缆的第二连接座连接所述第二电路板。
可以理解的是，当所述电子设备具有所述射频线缆，且所述射频线缆靠近所述电子设备的辐射体设置时，所述第一磁性件能够在所述第二接地端所在区域的交变电流的作用下产生第二交变磁场，所述第二交变磁场的方向与所述第一交变磁场的方向相反，从而增大所述第二接地端所在区域的阻抗，进而使得电子设备中的天线信号的能量将很难耦合至所述射频线缆中，也即避免所述天线的天线效率显著地降低。
附图说明
图1是本申请实施例提供的电子设备的结构示意图；
图2是图1所示的电子设备在A-A线的剖面示意图；
图3是图1所示的电子设备的射频线缆的结构示意图；
图4是图1所示的电子设备在一种实施方式的部分结构示意图；
图5是图4的电子设备的部分分解示意图；
图6是图3所示的射频线缆在一种角度下的部分结构示意图；
图7是图3的所示的射频线缆与天线信号的关系示意图；
图8是图1所示的电子设备的LTE天线信号在B28频段的天线效率示意图；
图9是图1所示的电子设备的LTE天线信号在B3频段的天线效率示意图；
图10是图1所示的电子设备的LTE天线信号在B7频段的天线效率示意图；
图11是图3所示的射频线缆在另一种角度下的部分结构示意图；
图12是图1所示的电子设备在另一种实施方式的部分结构示意图；
图13(a)是图1所示的电子设备在再一种实施方式的部分结构示意图；
图13(b)是图13(a)所示的电子设备的射频线缆的结构示意图；
图14是图5所示的电子设备的第一电路板的部分结构示意图，其中第一电路板上安装有第三连接座；
图15是图5所示的电子设备的射频线缆的部分结构示意图；
图16是图15所示的射频线缆的部分分解示意图；
图17是图16所示的射频线缆的部分分解示意图；
图18是图15所示的射频线缆的导线与第一磁性件的一种实施方式的装配示意图；
图19是图15所示的射频线缆的导线与第一磁性件的另一种实施方式的装配示意图。
具体实施方式
下面结合本申请实施例中的附图对本申请实施例进行描述。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的电子设备100的结构示意图。电子设备100可以为平板电脑、手机、照相机、个人计算机、笔记本电脑、车载设备、可穿戴设备、增强现实(augmented reality，AR)眼镜、AR头盔、虚拟现实(virtual reality，VR)眼镜或者 VR头盔。图1所示实施例的电子设备100以手机为例进行阐述。
请参阅图2，图2是图1所示的电子设备100在A-A线的剖面示意图。
电子设备100包括壳体10、第一电路板20、第二电路板30及天线40。
一种实施方式中，壳体10的材质可以为金属材料。例如，壳体10的材质为铝合金。此外，壳体10包括边框13和中板14。边框13和中板14一体成型。中板14的周侧面连接于边框13的内侧面。边框13包括相对设置的第一长边框131和第二长边框132及相对设置的第一短边框133和第二短边框134。第一短边框133与第二短边框134连接在第一长边框131 与第二长边框132之间。结合图1所示，第一长边框131、第二长边框132、第一短边框133 及第二短边框134围成大致呈长方形的形状。此外，第一长边框131、第二长边框132、第一短边框133、第二短边框134及中板14连接形成大致呈框状的壳体10。壳体10围设出收容空间11。在其他实施方式中，壳体10的材质也可以塑料。
此外，第一电路板20与第二电路板30均安装于收容空间11内，也即第一电路板20与第二电路板30均安装于边框13的内侧。例如，第一电路板20与第二电路板30可以通过但不仅限于通过螺丝、螺钉或者销钉固定连接于壳体10。例如，第一电路板20与第二电路板30也可以通过粘胶或者焊接等固定方式连接于壳体10。
此外，第一电路板20与第二电路板30间隔设置。第一电路板20相对第二电路板30靠近边框13的第一短边框133设置。第二电路板30相对第一电路板20靠近边框13的第二短边框134设置，也即第一电路板20与第二电路板30位于收容空间11内的两侧。在其他实施方式中，第一电路板20与第二电路板30的位置可以对调。或者，第一电路板20也可以相对第二电路板30靠近边框13的第一长边框131设置。第二电路板30相对第一电路板20靠近边框13的第二长边框132设置。具体的本申请不做限制。
此外，天线40用于接收和发射天线信号。具体的，天线40包括射频收发电路41、辐射体42及射频线缆43。
其中，射频收发电路41位于收容空间11内，且射频收发电路41安装在第一电路板20 上。射频收发电路41用于发射和接收射频信号。一种实施方式中，射频收发电路41包括具有独立模块的射频收发芯片。射频收发芯片用于发射和接收射频信号。可以理解的是，通过设置一独立模块的射频收发芯片能够独立运行发射和接收射频信号的功能，从而提高天线信号的传输效率，进而提高辐射体42的性能。此外，射频收发电路41还可以包括电容、电感或者电阻等器件。电容、电感或者电阻是用于辅助射频信号的传输。例如，对射频信号进行放大处理等。当然，在其他实施方式中，射频收发电路41可以包括中央处理器(centralprocessing unit，CPU)，此时，将发射和接收射频信号的功能集成在CPU上。可以理解的是，因为CPU具有发射和接收射频信号的功能，所以电子设备100的内部可以节省一个芯片的占用空间，从而提高电子设备100的内部空间的利用率。此外，发射和接收射频信号的功能也可以集成在其他芯片上，例如电池管理芯片。
此外，辐射体42用于在接收到射频收发电路41发射的射频信号时，根据射频信号向电子设备100的外部辐射天线信号。此外，辐射体42还可用于接收电子设备100外部的天线信号，并将天线信号转化成射频信号。
辐射体42的形成具有多种方式，具体描述如下：
一种实施方式中，当壳体10为金属材料时，在边框13的第二短边框134上设置有第一天线缝135，在边框13的第一长边框131设置有第二天线缝137。此外，第二短边框134与中板14之间设有第一缝隙136。第一缝隙136经第二短边框134与第一长边框131的连接处延伸至第一长边框131。第一天线缝135、第二天线缝137和第一缝隙136将部分第二短边框 134和部分第一长边框131隔离出一段金属部分。该金属部分形成辐射体42。
此外，通过在第一天线缝135和第一缝隙136中设置绝缘材料，绝缘材料一方面可以将隔离出的金属部分连接至边框13中未隔离出的金属部分，从而保证边框13的整体性，进而避免电子设备100的外观面因出现凹坑而影响外观，另一方面可以保证隔离出的金属部分与未隔离出的金属部分保持绝缘设置。
在其他实施方式中，辐射体42也可以通过下文实施方式实现。具体的，当通过在第二短边框134上分别设置第一天线缝和第二天线缝。此时，第一天线缝和第二天线缝将第二短边框134分割出一段金属部分。该金属部分与中板14之间具有第一缝隙。此时，该金属部分与中板14分隔开。该金属部分形成辐射体42。其他实施方式也可以通过与上述相同的方式在边框13的第一短边框133、第一长边框131或者第二长边框132隔离出一段金属部分，以形成辐射体42。或者，也可以通过在第一短边框133、第一长边框131或者第二长边框132中至少两者隔离出一段金属部分，以形成辐射体42。
此外，在其他实施方式中，当壳体10为塑料时，也可以通过在收容空间11内固定柔性电路板，从而在柔性电路板上形成辐射体42。可以理解的是，辐射体42的具体的形成方式本申请不作出限制。
此外，射频线缆43位于收容空间11内，且射频线缆43靠近第一长边框131设置，远离第二长边框132设置。此时，射频线缆43位于辐射体42的周边。可以理解的是，射频线缆43位于辐射体42的周边指的是，射频线缆43与辐射体42之间的距离在0至10毫米的范围内。
此外，射频线缆43的一端电连接于第一电路板20，并通过第一电路板20电连接于射频收发电路41。射频线缆43的另一端电连接于第二电路板30，并通过第二电路板30电连接于辐射体42。此时，当射频收发电路41发射射频信号时，射频信号经第一电路板20传输至射频线缆43，再经第二电路板30传输至辐射体42。辐射体42将射频信号转化成天线信号，并将天线信号辐射出电子设备100的外部。此外，当天线信号辐射至电子设备100时，辐射体42接收天线信号，并将天线信号转化成射频信号。此时，射频信号经第二电路板30传输至射频线缆43，并经射频线缆43传输至第一电路板20。此时，射频收发电路41经第一电路板 20接收射频信号。
可以理解的是，通过射频线缆43可以将设置于第一电路板20的射频收发电路41所发射的射频信号传输至第二电路板30，并通过第二电路板30传输至靠近第二电路板30设置的辐射体42，从而利用辐射体42发射天线信号。此时，本实施方式无需设置数量较多的射频收发电路41就可以对电子设备100的较多位置处的辐射体42发射射频信号，以及接收电子设备100的较多位置处的辐射体42所传输的射频信号。故而，本实施方式的射频收发电路41的利用率较高。相同的，射频线缆43可以将不同位置处的辐射体42所接收的天线信号传输至第一电路板20的射频收发电路41上。
一种实施方式中，射频线缆43的另一端可以通过安装于第二电路板30上的匹配电路电连接于辐射体42。匹配电路可用于调整射频信号的频率，从而增加天线信号的频段，以满足用户的需求。
一种实施方式中，收容空间11内设置有一个或者多个卡扣件(图未示)。当卡扣件的数量为多个时，多个卡扣件沿着射频线缆43的延伸方向排布。卡扣件用于固定射频线缆43，以保证射频线缆43能够稳定地固定在壳体10上，从而保证射频线缆43与第一电路板20和第二电路板30的连接稳定性。此外，卡扣件也可以与壳体10一体成型。
一种实施方式中，当辐射体42为边框13的一部分时，部分射频线缆43位于第一长边框 131的周边。此时，射频线缆43自第一电路板20沿着第一长边框131的长度方向延伸至第二电路板30，也即部分射频线缆43的延伸方向与第一长边框131的延伸方向大致平行。可以理解的是，因为第一长边框131所在区域为电子设备100的较边缘区域，所以第一长边框131的附近区域较小不容易安装相关电子器件。此时，当部分射频线缆43设置在第一长边框131的附近区域时，可以使得第一长边框131附近区域得到有效利用，从而显著地提高电子设备100的空间利用率。
请参阅图3，图3是图1所示的电子设备100的射频线缆43的结构示意图。
射频线缆43包括导线4311、第一连接座4312、第二连接座4313及第一磁性件432。第一连接座4312和第二连接座4313分别固定连接在导线4311的两个端部上，且第一连接座4312与第二连接座4313分别与导线4311电连接。结合附图2所示，导线4311的一端通过第一连接座4312电连接于第一电路板20。此外，导线4311的另一端通过第二连接座4313 电连接于第二电路板30。
此外，第一磁性件432的形状可以为管状。第一磁性件432的位置不仅限于附图3所示意的第一磁性件432套设于导线4311上，也即第一磁性件432包覆部分导线4311的外表面。第一磁性件432与导线4311的具体连接关系将在下文描述。这里不再赘述。此外，附图3示意了第一磁性件432相较于第一连接座4312靠近第二连接座4313设置。
请参阅图4和图5，图4是图1所示的电子设备100在一种实施方式的部分结构示意图。图5是图4的电子设备100的部分分解示意图。
第一电路板20上安装有第三连接座21。第三连接座21电连接于第一电路板20，且第三连接座21能够与第一连接座4312扣合连接。此时，当第一连接座4312扣合连接在第三连接座21上时，导线4311通过第一连接座4312和第三连接座21电连接至第一电路板20上。
此外，第二电路板30上设有第四连接座31。第四连接座31电连接于第二电路板30，且第四连接座31能够与第二连接座4313扣合连接。此时，当第二连接座4313扣合在第四连接座31时，导线4311通过第二连接座4313与第四连接座31电连接至第二电路板30上。
可以理解的是，通过在第一电路板20上设置第三连接座21、第二电路板30上设置第四连接座31以及在导线4311的两端设置第一连接座4312和第二连接座4313，从而当第一连接座4312与第三连接座21扣合连接，第二连接座4313与第四连接座31扣合连接时，导线4311能够电连接至第一电路板20和第二电路板30。一方面，该装配方式简单，容易操作。另一方面，导线4311能够保证与第一电路板20和第二电路板30较稳定地电连接。
此外，第一连接座4312可以为连接器的公座。第三连接座21为连接器的母座。第二连接座4313可以为连接器的公座。第四连接座31为连接器的母座。当然，在其他实施方式中，第一连接座4312与第三连接座21可以对调。第二连接座4313与第四连接座31也可以对调。具体的，本申请不做限制。
请参阅图6，并结合图5所示，图6是图3所示的射频线缆43在一种角度下的部分结构示意图。
第一磁性件432具有相背设置的第一端面4321和第二端面4322。此时，第一端面4321 相对第二端面4322靠近第一连接座4312设置。第二端面4322相对第一端面4321靠近第二连接座4313设置。
此外，第二连接座4313具有第二接地端4314。第四连接座31具有第四接地端311。第二接地端4314可插接于第四接地端311。
此外，第二端面4322与第二接地端4314的中心点之间的直线距离D在第一阈值的范围内，或者，第二端面4322与第二接地端4314的末端之间的直线距离H在第二阈值的范围内。可以理解的是，第二接地端4314的末端指的是第二接地端4314中离第一磁性件432最远的端部。
请参阅图7，并结合图5和图6，图7是图3所示的射频线缆43与天线信号的关系示意图。
当射频收发电路41发射射频信号时，射频信号经射频线缆43传输至辐射体42上，以使辐射体42辐射出天线信号。此时，辐射出的天线信号部分耦合至射频线缆43中，从而使得第二接地端4314与第四接地端311附近的电流较大。此外，因为第二接地端4314与第四接地端311的附近电流为交变电流，所以该交变电流能够产生第一交变磁场。此时，当第一磁性件432套设于部分导线4311上，且第一磁性件432的第二端面4322至第二连接座4313的第二接地端4314的直线距离D在第一阈值的范围内，或者第二端面4322与第二接地端4314 的末端之间的直线距离H在第二阈值的范围内时，第一磁性件432位于交变电流的所在区域内。此时，第一磁性件432与交变电流相互作用，并产生能够阻碍第一交变磁场的第二交变磁场，也即第二交变磁场的方向与第一交变磁场的方向相反。因此，当第一交变磁场被削弱之后，第二接地端4314与第四接地端311附近的交变电流将显著地降低，也即第二接地端4314与第四接地端311附近的阻抗将显著的增大。此时，在第一磁性件432的固定区N的所在阻抗值大致为Z＝R+jXL＝Aω(μ″+jμ′)，其中，A>0、ω>0、μ″≥0及μ′≥1。其中， A是与第一磁性件432的材料长度、厚度相关的参量，ω＝2πf，f为天线信号的频率。μ″是第一磁性件432的相对磁导率实部。μ′是第一磁性件432的相对磁导率虚部。当第一磁性件 432未套设于部分导线4311上时，在第一磁性件432的固定区N的所在阻抗值大致为0，显然，当第一磁性件432固定于导线4311上时，第一磁性件432的固定区N的所在阻抗值是显著增大的。
故而，交变电流将很难通过第二接地端4314以及与插接于第二接地端4314的第四接地端311。天线信号的能量将很难耦合至射频线缆43中，从而避免辐射体42的天线效率显著地降低。可以理解的是，天线效率指的是最终辐射出电子设备100外部的辐射体42能量与射频收发电路41发射的能量之比，也即扣除被损耗的辐射能量与总发射的能量之比。
下文将结合附图8至图10具体描述电子设备100的长期演进(Long TermEvolution， LTE)天线信号在一些频段的天线效率的变化情况。请参阅图8至图10。图8是图1所示的电子设备100的LTE天线信号在B28频段的天线效率示意图。图9是图1所示的电子设备的 LTE天线信号在B3频段的天线效率示意图。图10是图1所示的电子设备的LTE天线信号在 B7频段的天线效率示意图。可以理解的是，B28频段包括上行频段703-748MHz以及下行频段758-803MHz。B3频段包括上行频段1710-1785MHz以及下行频段1805-1880MHz。B7频段包括上行频段2500-2570MHz以及下行频段2620-2690MHz。
如图8所示，图8中的虚线表示的是射频线缆43未包括第一磁性件432时LTE B28频段所对应的天线效率的曲线。根据该曲线可以发现，在720MHz附近，天线效率出现显著地降低的现象，也即曲线出现凹陷现象。此外，图8中的实线表示的是射频线缆43包括第一磁性件432时LTE B28频段所对应的天线效率的曲线。根据该曲线可以发现在720MHz附近，天线效率得到改善，也即天线效率恢复至正常的变化中，也即曲线不再出现凹陷现象。故而，根据两条曲线的对比，通过在导线4311设置第一磁性件432，可以避免LTE B28频段所对应的天线效率出现显著下降的现象。
如图9所示，图9中的虚线表示的是射频线缆43未包括第一磁性件432时LTE B3频段所对应的天线效率的曲线。根据该曲线可以发现，在1800MHz附近，天线效率出现显著地降低，也即曲线出现凹陷现象。此外，图9中的实线表示的是射频线缆43包括第一磁性件432时LTE B3频段所对应的天线效率的曲线。根据该曲线可以发现在1800MHz附近，天线效率得到改善，也即天线效率恢复至正常的变化中，也即曲线不再出现凹陷现象。故而，根据两条曲线的对比，通过在导线4311设置第一磁性件432，可以避免LTE B3频段所对应的天线效率出现显著下降的现象。
如图10所示，图10中的虚线表示的是射频线缆43未包括第一磁性件432时LTE B7频段所对应的天线效率的曲线。图10中的实线表示的是射频线缆43包括第一磁性件432时LTE B7频段所对应的天线效率的曲线。根据两条曲线可以发现，在2500-2700MHz的范围内，包括第一磁性件432的射频线缆43的天线效率相较于未包括第一磁性件432的射频线缆43的天线效率出现明显的改善现象，也即天线效率出现明显提升的现象。射频线缆43故而，通过在导线4311设置第一磁性件432，可以避免LTE B7频段所对应的天线效率出现显著下降的现象。
一种实施方式中，所述第一阈值在0至10毫米的范围内。例如，直线距离D可以为3毫米、5毫米、5.5毫米、7毫米或者10毫米。
可以理解的是，当所述第一阈值在0至10毫米的范围内时，第一磁性件432能够较大程度地靠近所述第二接地端4314，此时所述第一磁性件432能够保证覆盖到交变电流所在的区域。此时，所述第一磁性件432能够在所述交变电流的作用下产生削弱第一交变磁场的第二交变磁场，从而保证所述天线信号的能量很难耦合到所述射频线缆43上。
一种实施方式中，所述第二阈值在1至15毫米的范围内。第二阈值的范围为1至15毫米。例如，直线距离H可以为3毫米、3.6毫米、5毫米、7毫米或者10毫米。可以理解的是，当所述第二阈值在1至15毫米的范围内时，第一磁性件432能够较大程度地靠近所述第二接地端4314，此时所述第一磁性件432能够保证覆盖到交变电流所在的区域。此时，所述第一磁性件432能够在所述交变电流的作用下产生削弱第一交变磁场的第二交变磁场，从而保证所述天线信号的能量很难耦合到所述射频线缆43上。
请再次参阅图6，第一磁性件432的第一端面4321至第二端面4322的尺寸L在5至20毫米的范围内。例如L为5毫米、8毫米、10毫米或者20毫米。可以理解的是，在该尺寸范围内的第一磁性件432可以在保证辐射体42的天线效率避免显著降低的同时，又不会因为尺寸太大而增加第一磁性件432的材料投入成本。
此外，相较于在整条导线4311上设置第一磁性件432，在该尺寸范围内的第一磁性件432 不会伸进第一缝隙136(请参阅图2)内，从而避免第一磁性件432影响第一缝隙136净空环境，即保证天线信号具有较佳的天线性能。
此外，相较于在整条导线4311上设置第一磁性件432，在该尺寸范围内的第一磁性件432 的安装难度较低。
上文具体描述了通过在部分导线4311上套设第一磁性件432，且第一磁性件432的第二端面4322至第二连接座4313的第二接地端4314的直线距离D在第一阈值的范围内，或者第二端面4322与第二接地端4314的末端之间的直线距离H在第二阈值的范围内，从而使得辐射体42所辐射的天线信号的能量不容易耦合至射频线缆43中，也即避免辐射体42的天线效率出现显著降低的现象。下文将结合相关附图具体描述第一磁性件432的材质、第一磁性件 432的不同位置以及部分导线4311上设置有第二磁性件433的相关实施方式。
一种实施方式中，在辐射体42的频率为700MHz时，第一磁性件432的相对磁导率的实部大于或等于10。可以理解的是，本实施方式的第一磁性件432能够在第二接地端4314与第四接地端311附近的交变电流作用下产生第二交变磁场，且第二交变磁场较大程度地接近于第一交变磁场的大小，从而使得第二交变磁场能够较大程度地削弱第一交变磁场。此时，第二接地端4314与第四接地端311附近的交变电流将较大程度地降低。第二接地端4314与第四接地端311附近的阻抗较大程度地增大。故而，交变电流将几乎不会通过第二接地端4314 以及与插接于第二接地端4314的第四接地端311。天线信号的能量将很难耦合至射频线缆43 中，从而避免辐射体42的天线效率显著地降低。
在其他实施方式中，当第一磁性件432的材料性质满足以下至少一个条件时，第一磁性件432也能够较大程度地避免辐射体42的天线效率降低。具体的，在辐射体42的频率为700 MHz时，第一磁性件432的相对磁导率的虚部大于等于20。或者，在辐射体42的频率为1.5GHz 时,第一磁性件432的相对磁导率的实部大于或等于3。或者，在辐射体42的频率为1.5GHz 时,第一磁性件432的相对磁导率的虚部大于等于10。
请参阅图11，图11是图3所示的射频线缆43在另一种角度下的部分结构示意图。
第一连接座4312具有第一接地端4315。图5在不同角度下示意了第一接地端4315。第三连接座21具有第三接地端211(请参阅图5)。第一接地端4315可用于插接于第三接地端211。
此外，上文给出了第一磁性件432相对第一连接座4312靠近第二连接座4313设置，在其他实施方式中，第一磁性件432也可以相对第二连接座4313靠近第一连接座4312设置。此时，第一端面4321至第一连接座4312的第一接地端4315的直线距离D在第一阈值的范围内，或者第一端面4321至第一连接座4312的末端之间的直线距离H在第二阈值的范围内。此时，根据上文提到的相关论述可知，当第一接地端4315插接于第三接地端211时，第一磁性件432能够在第一接地端4315与第三接地端211附近的交变电流作用下产生第二交变磁场，第二交变磁场能够削弱第一交变磁场，也即第二交变磁场的方向与第一交变磁场的方向相反，从而使得第一接地端4315与第三接地端211附近的阻抗增大，进而使得辐射体42所辐射的能量很难耦合至射频线缆43中，避免辐射体42的天线效率显著地降低。
一种实施方式中，第一磁性件432可以通过涂覆的方式将磁性浆料或者磁性粉涂覆在导线4311的外表面。此时，第一磁性件432便包覆在导线4311的外表面。可以理解的是，本实施方式的第一磁性件432的形成方式较为简单，容易操作，且成本投入较低。
在其他实施方式中，第一磁性件432也可以通过缠绕或编织等方式形成在导线4311的外表面。具体的，通过将磁性线条缠绕或者编织在保护层的外表面。磁性条可以无缝隙地缠绕或编织在导线4311的外表面。可以理解的是，本实施方式的第一磁性件432的形成方式较为简单，容易操作，且成本投入较少。
在其他实施方式中，第一磁性件432也可以通过套设的方式固定连接于导线4311的外表面。具体的，通过制备出独立部件的第一磁性件432，再将导线4311穿过第一磁性件432，以使第一磁性件432固定连接于导线4311。本实施方式的第一磁性件432灵活性较佳，容易装配。
在其他实施方式中，第一磁性件432也可以包括多个独立设置的子部分。多个子部分拼接形成管状。可以理解的是，通过将第一磁性件432设置成多个独立设置的子部分，从而使得第一磁性件432更加容易固定连接于导线4311，也即降低第一磁性件432安装于导线4311 的困难度。
在其他实施方式中，第一磁性件432也可以通过粘接方式在导线4311的外表面粘接一圈。具体的，通过将具有粘性的第一磁性件432粘接于导线4311的外表面上。
请参阅图12，图12是图1所示的电子设备100在另一种实施方式的部分结构示意图。
第一磁性件432的形状也可以为“C”状，也即第一磁性件432弯折围成一内侧空间。可以理解的是，因为第一磁性件432为“C”状，所以在将第一磁性件432套设于导线4311的外表面时，导线4311可以经第一磁性件432的缺口安装于第一磁性件432的内侧空间内。因此，第一磁性件432安装于导线4311的困难度较低。
在其他实施方式中，当第一磁性件432的形状为“C”状时，也可以通过缠绕、编织、涂覆或者粘接等方式形成在导线4311上。具体可参阅上文描述。
一种实施方式中，第一磁性件432的形状为“C”状时，第一磁性件432靠近第二电路板 30设置，也即第一磁性件432的缺口背离第二电路板30。此时，第一磁性件432更靠近于第二接地端4314与第四接地端311的位置，从而保证第一磁性件432能够更好地靠近交变电流，并在交变电流的作用下产生阻碍第一交变磁场的第二交变磁场，进而使得第一磁性件432的所在区域的阻抗显著增大，防止天线信号的能量耦合至导线4311。
一种实施方式中，第一磁性件包括多个独立设置的子部分，多个所述子部分拼接形成“C”状。此时，第一磁性件432更加容易固定连接于导线4311，也即降低第一磁性件432安装于导线4311的困难度。
此外，上文具体描述了第一磁性件432靠近第一连接座4312设置，或者靠近第二连接座 4313设置。下文将结合附图13(a)和图13(b)来具体描述射频线缆43还包括第二磁性件 433。第二磁性件433与第一磁性件432中的一者靠近第一连接座4312设置，另一种靠近第二连接座4313设置。图13(a)是图1所示的电子设备100在再一种实施方式的部分结构示意图。图13(b)是图13(a)所示的电子设备100的射频线缆43的结构示意图。
如图13(a)和图 13 (b)所示，第二磁性件433相对第二连接座4313靠近第一连接座 4312设置。第二磁性件433具有朝向第一连接座4312的第三端面1。第三端面1与第一接地端4315的直线距离R在第一阈值的范围内。第三端面1与第一连接座4312的末端之间的直线距离H2在第二阈值的范围内。一种实施方式中，第一阈值的范围在0至10毫米的范围内。例如，直线距离R为3毫米、5毫米、7毫米、7.5毫米。第二阈值的范围在1至15毫米内。例如，直线距离H2为1毫米、3毫米、5毫米或者5.5毫米。
在本实施方式中，当辐射体42辐射出天线信号时，因为辐射体42位于射频线缆43的周边，所以辐射出的天线信号部分耦合至射频线缆43中，从而使得第一接地端4315附近的电流较大。此外，因为第一接地端4315的附近电流为交变电流，所以该交变电流能够产生第三交变磁场。
此时，当第二磁性件433固定于射频线缆43上，且第三端面1与第一接地端4315的中心点之间的直线距离R在第一阈值的范围内，或者第三端面1与第一连接座4312的末端之间的直线距离H2在第二阈值的范围内时，第二磁性件433位于交变电流的所在区域内。此时，第二磁性件433与交变电流相互作用，并产生能够阻碍第三交变磁场的第四交变磁场，第四交变磁场的方向与第三交变磁场的方向相反。因此，当第三交变磁场被削弱之后，第一接地端4315附近的交变电流将显著地降低，也即第一接地端4315附近的阻抗将显著的增大。此时，天线所辐射的天线信号的能量很难耦合至射频线缆43中，也即进一步地避免辐射体42 的天线效率显著降低。
可以理解的是，当第二端面4322与第二接地端4314之间的直线距离D在第一阈值的范围内，或者，第二端面4322与第二接地端4314的末端之间的直线距离H1在第二阈值的范围内时，第一磁性件432可以避免辐射体42的天线效率显著降低。此时，在本实施方式中，通过第一磁性件432与第二磁性件433的相互配合，从而使得辐射体42所辐射的天线信号的能量几乎不可能耦合至射频线缆43中，也即进一步地避免辐射体42的天线效率显著降低。
此外，第二磁性件433的结构与第一磁性件432的结构相同。这里不再赘述。附图13(a) 和图13(b)示意了第二磁性件433的形状与第一磁性件432的形状均为管状。在其他实施方式中，第二磁性件433的形状与第一磁性件432的形状也可以均为“C”状。或者，第二磁性件433的形状与第一磁性件432的形状中一者为管状，另一者为“C”状。此外，第二磁性件433的材质可以与第一磁性件432的材质一样，也可以不一样。例如，第二磁性件433的材质与第一磁性件432的材质均为铁氧体。或者第一磁性件432的材质为铁氧体。第二磁性件433的材质为磁性混合物。
此外，请再次参阅图13(b)第二磁性件433具有与第三端面1相背设置的第四端面2。所述第三端面1与第四端面2之间的直线距离L在5-20毫米的范围内。
此外，第二磁性件433包覆在导线4311的外表面。可以理解的是，第二磁性件433的包覆方式可以参考第一磁性件432的包覆方式，这里不再赘述。
上文具体描述了通过在部分导线4311上套设第一磁性件432及第二磁性件433，从而利用第一磁性件432与第二磁性件433相互配合，以进一步地使得辐射体42所辐射的天线信号的能量不容易耦合至射频线缆43中，从而避免辐射体42的天线效率出现显著降低的现象。下文将结合相关附图，具体描述射频线缆43与第一电路板20和第二电路板30之间的具体连接关系，以及第一磁性件432在线缆导线431中其他位置的实施方式。
请参阅图14，图14是图4所示的电子设备100的部分结构示意图。
第三连接座21还包括第三基座212和第三信号部213。第三接地端211凸设于第三基座 212上。第三接地端211与第三基座212均与第三信号部213绝缘设置。一种实施方式中，第三接地端211与第三基座212通过塑胶材料与第三信号部213绝缘设置。
此外，第一电路板20包括第一走线层22及第一接地层23。第一走线层22可以与第一接地层23同层设置，且第一走线层22与第一接地层23绝缘设置。第一走线层22与第一接地层23通过缝隙绝缘设置。第一走线层22的一部分电连接至射频收发电路41，另一部分延伸至第三连接座21，并与第三连接座21的第三信号部213电连接。
一种实施方式中，第三信号部213通过焊接的方式连接于第一走线层22的另一部分上。
此外，第一接地层23的一部分延伸至中板14的周边，并可以通过弹片电连接至中板14 上，另一部分延伸至第三连接座21，并与第三连接座21的第三基座212电连接。此外，射频电路41的一引脚也电连接于第一电路板20的第一接地层23。
一种实施方式中，第三连接座21的第三基座212通过焊接的方式连接于第一接地层23 的另一部分。
此外，如图14所示，第三接地端211的形状大致为环状结构。第三基座212的形状大致为长方体。第三信号部213的形状大致呈杆状。部分第三信号部213穿过第三基座212，并位于第三接地端211所围成的区域内。
请参阅图15及图16，图15是图5所示的电子设备100的射频线缆43的部分结构示意图。图16是图15所示的射频线缆43的部分分解示意图。
第一连接座4312还包括第一信号部4316、第一基座4317及第一绝缘部4318。第一接地端4315凸设于第一基座4317。第一接地端4315、第一基座4317均通过第一绝缘部4318与第一信号部4316绝缘设置。一种实施方式中，第一绝缘部4318的材质为塑胶材料。
结合附图14所示，当第一连接座4312扣合于第三连接座21时，第一信号部4316接触于第三信号部213，第一信号部电连接于第三信号部213。此时，第一信号部4316通过第三信号部213电连接于第一电路板20的第一走线层22。此外，第三接地端211插接于第一接地端4315，此时，第一接地端4315通过第三接地端211电连接于第一电路板20的第一接地层23。
请再次参阅图15及图16，第一接地端4315的形状大致呈环状结构。第一基座4317固定连接于导线4311。第一信号部4316与第一接地端4315位于第一基座4317的同一侧。
请参阅图16，第一接地端4315设有第一缺口4319。第一信号部4316包括固定部4328 及凸设于固定部4328一表面的第一夹持部4327和第二夹持部4329。第一夹持部4327与第二夹持部4329相对设置。固定部4328自第一接地端4315的外部经第一缺口4319伸入第一接地端4315所围成的区域内。第一夹持部4327和第二夹持部4329均位于第一接地端4315所围成的区域内。
此时，结合图14所示，当第一连接座4312扣合于第三连接座21时，第三接地端211扣合于第一接地端4315内，且第三接地端211的外表面与第一接地端4315的内表面接触。此外，第三信号部213被夹持在第一夹持部4327与第二夹持部4329之间，也即第一信号部4316连接于第三信号部213。
一种实施方式中，当第一连接座4312扣合于第三连接座21时，第三接地端211与第一接地端4315过度配合，以保证第三接地端211与第一接地端4315稳定的电连接。
一种实施方式中，当第一连接座4312扣合连接于第三连接座21时，第一接地端4315接触于第三基座4317，此时，第三接地端211与第一接地端4315的连接面积较大，从而提高第三接地端211与第一接地端4315的连接稳定性。
一种实施方式中，第一基座4317的一表面可以凸设加强部(图未示)，以可以提高第一连接座4312的整体的结构强度。
一种实施方式中，第二连接座4313的结构与第一连接座4312的结构相同。第二连接座 4313的结构均可参考上文第一连接座4312的具体结构。这里不再赘述。此外，第二连接座 4313与第四连接座31的连接关系，第四连接座31与第二电路板30之间的连接关系，可以分别参考上文的第一连接座4312与第三连接座21的连接关系，第三连接座21与第一电路板 20之间的连接关系。这里也不再赘述。
以下结合相关附图具体描述一下导线4311与第一连接座4312之间的连接关系。
请参阅图17，图17是图16所示的射频线缆43的部分分解示意图。
导线4311包括第一导体4339、绝缘介质层4338、第二导体4337及保护层4336。
其中，第一导体4339与第二导体4337用于传输射频信号。第一导体4339与第二导体 4337的材质可以为但不仅限于为铜。例如，第一导体4339与第二导体4337也可以为银或者金。
一种实施方式中，第一导体4339的形状可以大致呈圆柱状。第二导体4337的形状可以大致呈管状结构。此时，第一导体4339套设于第二导体4337内。
此外，绝缘介质层4338用于使第一导体4339与第二导体4337绝缘设置。绝缘介质层 4338位于第一导体4339与第二导体4337之间。绝缘介质层4338的材质可以为但不仅限于为聚乙烯(polyethylene，PE)。
一种实施方式中，第二导体4337可以采用编织或者缠绕等方式连接于绝缘介质层4338 的外表面。
此外，保护层4336用于保护第二导体4337。保护层4336位于第二导体4337背离第一导体4339的一侧。保护层4336可以为但不仅限于为聚氯乙烯(Polyvinyl chloride，PVC)。
请再次参阅图17，第一导体4339包括相对设置的第一端4335和第二端(图未示)。第一端4335连接于第一连接座4312的第一信号部。具体的，第一端4335固定连接于第一信号部的固定部4328。
一种实施方式中，固定部4328包括第一部分4334及弯折连接于第一部分4334的第二部分4333。第一夹持部4327与第二夹持部4329凸设于第二部分4333。此外，第一部分4334开设有第二缺口4332。第一导体4339的第一端4335被第二缺口4332所夹持。
可以理解的是，通过在第一部分4334开设第二缺口4332，从而在导线4311与第一连接座4312的装配中，将第一导体4339夹持在第二缺口4332内，第一导体4339便能够稳定固定在第一连接座4312上。可以理解的是，该装配方式简单，容易操作。
在其他实施方式中，第一导体4339也可以通过焊接固定连接于固定部4328。
可以理解的是，当第一导体4339的第一端4335连接于第一信号部4316的固定部4328 时，第一导体4339的第一端4335便通过第一连接座4312的第一信号部4316连接至第三连接座21的第三信号部213，再通过第三信号部213以及第一电路板20的第一走线层22连接至射频收发电路41，也即第一导体4339的第一端4335通过第一电路板20电连接至射频收发电路41。
相同的，第一导体4339的第二端也可以通过上述方式与第二连接座4313连接。具体的，可参考上文描述的第一导体4339的第一端4335与第一连接座4312的连接关系。这里不再赘述。
请再次参阅图17，第二导体4337包括第三端4331及远离第三端4331设置的第四端(图未示)。
此外，如图16和图17所示，第一基座4317的一表面凸设有第一弯折部4441及第二弯折部4442。第一弯折部4441与第二弯折部4442与第一接地端4315同侧。第一弯折部4441与第二弯折部4442共同包覆第二导体4337的第三端4331。可以理解的是，在导线4311与第一连接座4312的装配过程中，第一弯折部4441与第二弯折部4442处于平直状态。当将第二导体4337的第三端4331装配在第一弯折部4441与第二弯折部4442之间时，第一弯折部4441与第二弯折部4442弯折，以将第二导体4337的第二端进行包覆。此时，第二导体4337的第三端4331便通过第一弯折部4441和第二弯折部4442连接至第一基座4317。
在其他实施方式中，第二导体4337的第三端4331也可以通过焊接的方式直接固定连接于第一基座4317上。
可以理解的是，当第二导体4337的第三端4331固定连接至第一基座4317时，第二导体 4337的第三端4331便能够通过第一连接座4312的第一接地端4315连接至第三连接座21的第三接地端211，并通过第三接地端211电连接至第一电路板20的第一接地层23，也即第二导体4337的第三端4331通过第一电路板20接地。
相同的，第二导体4337的第四端连接于第二连接座4313的方式与第三端4331连接于第一连接座4312的方式一样，这里不再赘述。
可以理解的是，第一导体4339的第一端4335通过第一电路板20电连接至射频收发电路 41，第一导体4339的第二端通过第二电路板30电连接于所述辐射体42，第二导体4337的第三端4331通过第一电路板20接地以及第二导体4337的第四端通过第二电路板30接地时，射频信号便能够通过第一电路板20、射频线缆43以及第二电路板30传输至辐射体42，并通过辐射体42辐射出天线信号。
请再次参阅图16及图17，保护层4336位于第二导体4337背离第一导体4339的一侧。第一基座4317的一表面凸设有第三弯折部4443及第四弯折部4444。第三弯折部4443与第四弯折部4444及第一接地端4315同侧。第三弯折部4443与第四弯折部4444共同包覆保护层4336背离第二导体4337的表面。可以理解的是，在导线4311与第一连接座4312的装配过程中，第三弯折部4443与第四弯折部4444处于平直状态。当将导线4311放置于第三弯折部4443与第四弯折部4444之间时，第三弯折部4443与第四弯折部4444弯折，以包覆部分保护层4336。此时，导线4311便通过第三弯折部4443和第四弯折部4444连接至第一基座 4317上。此外，因为第三弯折部4443与第四弯折部4444包覆的是保护层4336，所以第三弯折部4443与第四弯折部4444不会损坏导线4311内的第一导体4339和第二导体4337。
上文具体描述了导线4311与第一连接座4312之间的连接关系。下文将结合相关附图以及导线4311的具体结构具体描述一下第一磁性件432与导线4311的连接位置和连接关系。
具体的，第一磁性件432的设置位置具有多种方式。下文将结合附图18和附图19具体描述第一磁性件432的两种设置方式，第一种实施方式：第一磁性件432包覆在保护层4336 背离第二导体4337的部分表面。第二种实施方式：第一磁性件432包覆在第二导体4337背离第一导体4339的表面。图18是图15所示的射频线缆43的导线4311与第一磁性件432的一种实施方式的装配示意图。图19是图15所示的射频线缆43的导线4311与第一磁性件432 的另一种实施方式的装配示意图。
第一种实施方式，如图18所示，第一磁性件432包覆在保护层4336背离第二导体4337 的部分表面。此时，第一磁性件432的内表面与保护层4336的外表面贴合。
可以理解的是，当第一磁性件432包覆在保护层4336背离第二导体4337的部分表面时，第一磁性件432与交变电流所在区域更接近，此时，第一磁性件432更加容易产生能够削弱第一交变磁场的第二交变磁场，从而使得天线信号的能量不容易耦合至导线4311上。
一种实施方式中，第一磁性件432可以通过涂覆的方式将磁性浆料或者磁性粉涂覆在保护层4336的外表面。此时，第一磁性件432便包覆在保护层4336上。可以理解的是，本实施方式的第一磁性件432的形成方式较为简单，容易操作，且成本投入较低。
在其他实施方式中，第一磁性件432也可以通过缠绕或编织等方式形成在保护层4336的外表面。具体的，通过将磁性线条缠绕或者编织在保护层4336的外表面。磁性条可以无缝隙地缠绕或编织在保护层4336的外表面。可以理解的是，本实施方式的第一磁性件432的形成方式较为简单，容易操作，且成本投入较少。
在其他实施方式中，第一磁性件432也可以通过套设的方式固定连接于保护层4336上。此外，第一磁性件432也可以通过粘接方式在保护层4336的外表面粘接一圈。
第二种实施方式中，与第一种实施方式相同的技术内容不再赘述：如图19所示，第一磁性件432包覆在第二导体4337背离第一导体4339的表面，也即第一磁性件432的内表面与第二导体4337的外表面贴合。此时，保护层4336包覆在第一磁性件432的外表面。此时，通过将保护层4336包覆在第一磁性件432的外表面，从而通过保护层4336来保护第一磁性件432，避免第一磁性件432因露于外部而发生损坏。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (24)

1.一种电子设备，其特征在于，包括边框、第一电路板、第二电路板、射频线缆以及天线，所述第一电路板及所述第二电路板均位于所述边框的内侧，所述射频线缆包括依次连接的第一连接座、导线及第二连接座，所述第一连接座连接所述第一电路板，所述第二连接座连接所述第二电路板，所述边框包括靠近所述射频线缆的第一边框，和远离所述射频线缆、与所述第一边框相对的第二边框，所述天线的辐射体包括所述第一边框的一部分或所述天线的辐射体固定于所述第一边框内侧；
所述射频线缆还包括第一磁性件，所述第一磁性件固定于所述导线，所述第二连接座包括第二接地端，所述第一磁性件具有靠近所述第二连接座的第二端面，所述第二端面与所述第二接地端的中心点之间的直线距离在第一阈值的范围内，所述第一阈值在0至10毫米的范围内，或者所述第二端面与所述第二接地端的末端之间的直线距离在第二阈值的范围内，所述第二阈值在1至15毫米的范围内。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一磁性件具有与所述第二端面相背设置的第一端面，所述第二端面与所述第一端面之间的直线距离在5-20毫米的范围内。
3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述射频线缆还包括第二磁性件，所述第二磁性件固定于所述导线，所述第一连接座包括第一接地端，所述第二磁性件具有靠近所述第一连接座的第三端面，所述第三端面与所述第一接地端的中心点之间的直线距离在0至10毫米的范围内，或者所述第三端面与所述第一接地端的末端之间的直线距离在1至15毫米的范围内。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一磁性件的形状为管状或者“C”状。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一磁性件的相对磁导率的实部在所述天线的频率为700MHz时大于或等于10，或者所述第一磁性件的相对磁导率的实部在所述天线的频率为1.5GHz时大于或等于3，或者所述第一磁性件的相对磁导率的虚部在所述天线的频率为700MHz时大于等于20，或者所述第一磁性件的相对磁导率的虚部在所述天线的频率为1.5GHz时大于等于10。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述导线还包括第二导体及保护层，所述保护层固定连接于所述第二导体的外表面，所述第二导体连接于所述第二连接座的第二接地端，所述第一磁性件包覆在所述保护层的背离所述第二导体的表面。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述导线还包括第二导体及保护层，所述保护层套设所述第二导体，所述第二导体连接于所述第二连接座的第二接地端，所述第一磁性件固定连接在所述第二导体与所述保护层之间。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括射频收发电路，所述射频收发电路安装于所述第一电路板，所述导线的一端通过所述第一连接座和所述第一电路板电连接于所述射频收发电路，所述导线的另一端通过所述第二连接座和所述第二电路板电连接于所述天线的辐射体。
9.一种电子设备，其特征在于，包括边框、第一电路板、第二电路板、射频线缆以及天线，所述第一电路板及所述第二电路板均位于所述边框的内侧，所述射频线缆包括依次连接的第一连接座、导线及第二连接座，所述第一连接座连接所述第一电路板，所述第二连接座连接所述第二电路板，所述边框包括靠近所述射频线缆的第一边框，和远离所述射频线缆、与所述第一边框相对的第二边框，所述天线的辐射体包括所述第一边框的一部分或所述天线的辐射体固定于所述第一边框内侧；
所述射频线缆还包括第一磁性件，所述第一磁性件固定于所述导线，所述第二连接座包括第二接地端，所述第一磁性件用于在所述第二接地端所在区域的交变电流的作用下产生第二交变磁场，所述第二交变磁场的方向与第一交变磁场的方向相反，所述第一交变磁场为所述交变电流所产生的磁场。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述第一磁性件具有相背设置的第一端面与第二端面，所述第二端面与所述第一端面之间的直线距离在5-20毫米的范围内。
11.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述射频线缆还包括第二磁性件，所述第二磁性件固定于所述导线，所述第一连接座包括第一接地端，所述第二磁性件具有靠近所述第一连接座的第三端面，所述第三端面与所述第一接地端的中心点之间的直线距离在0至10毫米的范围内，或者所述第三端面与所述第一接地端的末端之间的直线距离在1至15毫米的范围内。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一磁性件的形状为管状或者“C”状。
13.根据权利要求9至11中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述第一磁性件的相对磁导率的实部在所述天线的频率为700MHz时大于或等于10，或者所述第一磁性件的相对磁导率的实部在所述天线的频率为1.5GHz时大于或等于3，或者所述第一磁性件的相对磁导率的虚部在所述天线的频率为700MHz时大于等于20，或者所述第一磁性件的相对磁导率的虚部在所述天线的频率为1.5GHz时大于等于10。
14.根据权利要求9至11中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述导线还包括第二导体及保护层，所述保护层固定连接于所述第二导体的外表面，所述第二导体连接于所述第二连接座的第二接地端，所述第一磁性件包覆在所述保护层的背离所述第二导体的表面。
15.根据权利要求9至11中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述导线还包括第二导体及保护层，所述保护层套设所述第二导体，所述第二导体连接于所述第二连接座的第二接地端，所述第一磁性件固定连接在所述第二导体与所述保护层之间。
16.根据权利要求9至11中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括射频收发电路，所述射频收发电路安装于所述第一电路板，所述导线的一端通过所述第一连接座和所述第一电路板电连接于所述射频收发电路，所述导线的另一端通过所述第二连接座和所述第二电路板电连接于所述天线。
17.一种射频线缆，其特征在于，包括第一连接座、第二连接座、导线及第一磁性件；所述第一连接座和所述第二连接座分别连接在所述导线的两端，所述第一磁性件固定于所述导线，所述第二连接座包括第二接地端，所述第一磁性件具有靠近所述第二连接座的第二端面，所述第二端面与所述第二接地端的中心点之间的直线距离在第一阈值范围内，或者所述第二端面与所述第二接地端的末端之间的直线距离在第二阈值范围内；
所述第一磁性件用于在所述第二接地端所在区域的交变电流的作用下产生第二交变磁场，所述第二交变磁场的方向与第一交变磁场的方向相反，所述第一交变磁场为所述交变电流所产生的磁场，所述交变电流为所述射频线缆靠近天线的辐射体时，所述天线的辐射体辐射出的天线信号部分耦合至所述射频线缆内，并在所述第二接地端所在区域产生的电流。
18.根据权利要求17所述的射频线缆，其特征在于，所述第一磁性件具有与所述第二端面相背设置的第一端面，所述第二端面与所述第一端面之间的直线距离在5-20毫米的范围内。
19.根据权利要求17所述的射频线缆，其特征在于，所述射频线缆还包括第二磁性件，所述第二磁性件固定于所述导线，所述第一连接座包括第一接地端，所述第二磁性件具有靠近所述第一连接座的第三端面，所述第三端面与所述第一接地端的中心点之间的直线距离在0至10毫米的范围内，或者所述第三端面与所述第一接地端的末端之间的直线距离在1至15的范围内。
20.根据权利要求17至19中任一项所述的射频线缆，其特征在于，所述第一磁性件的形状为管状或者“C”状。
21.根据权利要求17至19中任一项所述的射频线缆，其特征在于，所述第一磁性件的相对磁导率的实部在天线的频率为700MHz时大于或等于10，或者所述第一磁性件的相对磁导率的实部在天线的频率为1.5GHz时大于或等于3，或者所述第一磁性件的相对磁导率的虚部在天线的频率为700MHz时大于等于20，或者所述第一磁性件的相对磁导率的虚部在天线的频率为1.5GHz时大于等于10。
22.根据权利要求17至19中任一项所述的射频线缆，其特征在于，所述导线还包括第二导体及保护层，所述保护层固定连接于所述第二导体的外表面，所述第二导体连接于所述第二连接座的第二接地端，所述第一磁性件包覆在所述保护层的背离所述第二导体的表面。
23.根据权利要求17至19中任一项所述的射频线缆，其特征在于，所述导线还包括第二导体及保护层，所述保护层套设所述第二导体，所述第二导体连接于所述第二连接座的第二接地端，所述第一磁性件固定连接在所述第二导体与所述保护层之间。
24.一种电子设备，其特征在于，包括第一电路板、第二电路板及如权利要求17至23中任一项所述的射频线缆，所述射频线缆的第一连接座连接所述第一电路板，所述射频线缆的第二连接座连接所述第二电路板。
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