CN112578952B - 电容式触摸屏装置及其读取方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种电容式触摸屏装置及其读取方法，该装置及方法将像素单元划分为多个触摸侦测区域，并为每个触摸侦测区域配置一个触摸传感单元连接对应的所述触摸侦测区域内的任意一行像素单元所连接的栅极线和公共电极线，并用于侦测对应的所述触摸侦测区域内的电荷量，这样不需要为每个像素单元都单独配置一个触摸传感单元，大大减少了触摸传感单元的数量，另外，除了增加数量较少的触摸传感单元外，仅仅只增加了每列读取单元对应的读取走线，每条所述读取走线用于连接位于同一列的所述触摸传感单元，从而使面内走线简洁；并且，每个触摸传感单元侦测的电荷量可以被分别独立采集，因此感测精度高，在实现多点触控时能有效地防止鬼点。

Description

电容式触摸屏装置及其读取方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种电容式触摸屏装置及其读取方法。

背景技术

由于显示面板的触摸感应功能可带来更多样和更便捷的用户体验，触摸屏越来越多的应用在各行各业，其中，电容式触摸屏占有很大的触摸屏市场份额。

目前的电容式触摸屏采用两种触摸信号读取方式，第一种电容式触摸屏的读取方式为：直接在像素单元上分别读取横向和纵向的触摸信号，从而确定触摸点的横坐标和纵坐标，但是这种读取方式在触摸屏上进行多点触控时候，容易触摸到并没有触控事件的鬼点，例如，图1为现有技术的第一种电容式触摸屏的结构示意图，如图1所示，当触摸坐标(X2，Y2)和(X3，Y3)的两个黑色点时，容易触摸到坐标(X3，Y2)和(X2，Y3)的两个阴影点，这两个阴影点即为鬼点；图2为现有技术的第二种电容式触摸屏的结构示意图，如图2所示，第二种电容式触摸屏的读取方式为：从每个像素单元中都单独引出读取线，这种读取方式虽然能确定每个触摸点的横坐标和纵坐标，感测精度高且不会出现鬼点，但是，这种读取方式的读取走线过多，对于高分辨率、大尺寸的显示面板来说，其集成方法和信号读取的难度都很大。

有鉴于此，有必要提出一种新的电容式触摸屏及其读取方法，以避免现有技术的电容式触摸屏进行多点触控时容易出现鬼点，或者读取走线过多而集成和信号读取困难的技术问题。

发明内容

为了解决电容式触摸屏进行多点触控时容易出现鬼点，或者读取走线过多而集成和信号读取困难的问题，本申请实施例提供一种电容式触摸屏及其读取方法。

第一方面，本申请实施例提供一种电容式触摸屏装置，包括：

多条栅极线、多条数据线和多条公共电极线，所述栅极线和所述数据线垂直相交形成多个阵列排布的像素单元，所述公共电极线与所述栅极线平行设置并设于所述像素单元与所述栅极线之间；其中，多个所述像素单元被划分为多个触摸侦测区域，每个所述触摸侦测区域的面积小于手指触摸所述电容式触摸屏时占用的面积。

多个触摸传感单元，每个所述触摸传感单元连接对应的一个所述触摸侦测区域内的任意一行像素单元所连接的栅极线和公共电极线，并用于侦测对应的所述触摸侦测区域内的电荷量；

多条读取走线，所述读取走线与所述数据线平行设置，每条所述读取走线用于连接位于同一列的所述触摸传感单元，以将每个所述触摸侦测区域内的电荷量转换为电流量输出。

在一些实施例中，该电容式触摸屏装置还包括：读取单元，所述读取单元与多条所述读取走线连接，并用于将所述读取走线输出的电流量转换为输出电压进行读取，以根据所述输出电压的变化，由所述触摸侦测区域确定触摸位置。

在一些实施例中，每个所述像素单元包括显示晶体管、液晶电容和存储电容，其中：

所述显示晶体管的栅极连接对应的所述栅极线，所述显示晶体管的源极连接对应的所述数据线，所述显示晶体管的漏极连接所述液晶电容的一端和所述存储电容的一端。

所述液晶电容的另一端连接彩膜基板的公共电极，所述存储电容的另一端连接阵列基板的公共电极，所述阵列基板的公共电极与所述公共电极线连接。

在一些实施例中，所述触摸传感单元包括第一晶体管、第二晶体管、基准电容和传感电容，其中:

所述第一晶体管的栅极与源极互相连接，并与所述任意一行像素单元所连接的阵列基板的公共电极连接，所述第一晶体管的漏极连接传感节点。

所述基准电容的一端连接所述传感节点连接，所述基准电容的另一端接地。

所述传感电容的一端连接所述传感节点连接，所述传感电容的另一端接地。

所述第二晶体管的栅极连接所述任意一行像素单元所连接的栅极线，所述第二晶体管的源极与所述传感节点连接，所述第二晶体管的漏极连接对应的所述读取走线。

在一些实施例中，所述读取单元包括依次连接的积分器、放大器和模数转换器，其中：

所述积分器，用于将所述读取走线输出的电流量进行积分，以得到输出电压。

所述放大器，用于将所述输出电压放大。

所述模数转换器，用于将放大的所述输出电压由模拟信号转换为数字信号并读取。

在一些实施例中，每个所述触摸传感单元位于对应的所述触摸侦测区域内，或者相邻的两个所述触摸侦测区域之间。

在一些实施例中，每个所述触摸侦测区域包括相同数量行与相同数量列的像素单元。

第二方面，本申请实施例还提供一种用于如上所述的电容式触摸屏装置的读取方法，包括以下步骤：

S1、通过每个所述触摸传感单元实时侦测对应的所述触摸侦测区域内的电荷量。

S2、通过读取走线将所述电荷量转换为电流量输出，并通过读取单元将所述电流量转换为输出电压后进行读取。

S3、当至少一根所述读取走线输出的电流量转换的所述输出电压超过预设阈值时，根据至少一根所述读取走线确定所述触摸侦测区域，以确定触摸位置。

在一些实施例中，当所述电容式触摸屏未被触摸时，所述触摸传感单元侦测的对应的所述触摸侦测区域的电荷量为：

Q1＝Ci*Vcom

其中，Q1为触摸侦测区域未被触摸时的电荷量，Ci为基准电容的电容值，Vcom为阵列基板的公共电极即公共电极线的电位。

所述读取单元读取的输出电压为：

Vout1＝Ci*Vcom/Cf

其中，Vout2为触摸侦测区域未被触摸时读取单元的输出电压，Cf为积分器的反馈电容。

在一些实施例中，当所述电容式触摸屏被触摸时，所述触摸传感单元侦测的对应的所述触摸侦测区域的电荷量为：

Q2＝(Ci+Cp)*Vcom

其中，Q2为触摸侦测区域被触摸时的电荷量，Ci为基准电容的电容值，Ci为传感电容的电容值，Vcom为阵列基板的公共电极即公共电极线的电位。

所述读取单元读取的输出电压为：

Vout2＝(Ci+Cp)*Vcom/Cf

其中，Vout2为触摸侦测区域被触摸时读取单元的输出电压，Cf为积分器的反馈电容。

本申请实施例提供一种电容式触摸屏装置及其读取方法，该电容式触摸屏装置及其读取方法将像素单元划分为多个触摸侦测区域，只需要为每个触摸侦测区域配置一个触摸传感单元，每个所述触摸传感单元连接对应的所述触摸侦测区域内的任意一行像素单元所连接的栅极线和公共电极线，并用于侦测对应的所述触摸侦测区域内的电荷量，而不需要为每个像素单元都单独配置一个触摸传感单元，大大减少了触摸传感单元的数量，另外，除了增加数量较少的触摸传感单元外，仅仅只增加了每列读取单元对应的读取走线，每条所述读取走线用于连接位于同一列的所述触摸传感单元，从而使面内走线简洁；并且，每个触摸传感单元侦测的电荷量可以被分别独立采集，因此感测精度高，在实现多点触控时能有效地防止鬼点。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为现有技术的第一种电容式触摸屏的结构示意图。

图2为现有技术的第二种电容式触摸屏的结构示意图。

图3为本申请实施例提供的电容式触摸屏装置的结构示意图。

图4为本申请实施例提供的像素单元、触摸传感单元和读取单元的等效电路图。

图5为本申请实施例提供的电容式触摸屏装置的读取方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请所有实施例为区分薄膜晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。由于薄膜晶体管的源极和漏极是对称的，因此其源极和漏极是可以互换的。按附图中的形态规定薄膜晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。此外，本申请所有实施例采用的薄膜晶体管可以包括P型和/或N型晶体管两种，其中，P型薄膜晶体管在栅极为低电位时打开，在栅极为高电位时关闭；N型薄膜晶体管在栅极为高电位时打开，在栅极为低电位时关闭。

图3为本申请实施例提供的电容式触摸屏装置的结构示意图，如图3所示，该电容式触摸屏装置包括电容式触摸屏、栅极驱动器(附图中未示出)和源极驱动器(附图中未示出)，该电容式触摸屏装置的电容式触摸屏是集成了触摸和显示的显示面板，本申请实施例将多个像素单元101被划分为多个触摸侦测区域(图1所示的虚线框为一个触摸侦测区域10)，电容式触摸屏上包括沿第一方向延伸的多条栅极线Gate(n)、Gate(n+1)、Gate(n+2)、Gate(n+3)、Gate(n+4)等以及多条公共电极线Acom(n)、Acom(n+1)、Acom(n+2)、Acom(n+3)、Acom(n+4)等，沿第二方向上延伸的数据线Date(m)、Date(m+1)、Date(m+2)、Date(m+3)、Date(m+4)等，且第一方向与第二方向垂直，其中，栅极线和数据线垂直相交形成多个阵列排布的像素单元，公共电极线设于像素单元和栅极线之间。若第一方向为行，第二方向为列，则每行像素单元包括周期排列的红色像素单元R、绿色像素单元G和蓝色像素单元B(附图中未示出)，栅极驱动器用于通过栅极线驱动每行像素单元打开，源极驱动器用于在每行像素单元打开时通过数据线向每行像素单元施加数据电压，公共电极线用于施加公共电压以在像素电极和公共电极之间形成电压差，使得夹在公共电极和像素电极之间的液晶分子产生扭转而产生透光，从而使背光能穿过。

具体地，该电容式触摸屏装置为每个触摸侦测区域10设置一个触摸传感单元102，每个触摸传感单元102连接其用于侦测的触摸侦测区域10内的任意一行像素单元所连接的栅极线Gate和公共电极线，以通过侦测该触摸侦测区域10内的任意一行像素单元的电荷量的变化，来侦测该触摸侦测区域10内的电荷量的变化，然后通过沿第二方向延伸即与数据线Data平行设置的读取走线Read(k)、Read(k+1)等，将位于同一列的触摸传感单元连接并将触摸传感单元侦测到的电荷量转换为电流量输出，电荷量越大，则读取走线Read输出的电流量越大。

需要说明的是，图1中的虚线框仅为一个包括5行*5列像素单元101的触摸侦测区域10的示例，且触摸传感单元102设于该触摸侦测区域10的外部且与该包括5行*5列像素单元101的触摸侦测区域10的第一行像素单元所连接的栅极线Gate和公共电极线连接，实际上，每个触摸侦测区域10的形状和所包括的像素单元的个数都可以自行设置，且触摸侦测区域10的对应的触摸传感单元102也可以在该触摸侦测区域10的内部，只要与该触摸侦测区域10内的任意一行像素单元所连接的栅极线Gate和公共电极线连接即可，从而测量该触摸侦测区域10内的电荷量的变化。

还需要说明的是，本申请实施例之所以只需要侦测触摸侦测区域10内的任意一行像素的电荷量，是因为手指触摸电容式触摸屏时占用的面积一般较大，而像素单元一般较小，即手指占用电容式触摸屏的面积与像素单元的面积相比大得多，因此可以将不大于手指占用电容式触摸屏的面积作为触摸侦测区域10的面积，即每个触摸侦测区域10的面积小于手指触摸电容式触摸屏时占用的面积。

本申请实施例将每个触摸传感单元102与其用于侦测的触摸侦测区域10中的任意一行像素单元所连接的栅极线Gate和公共电极线连接，从而将每个触摸传感单元102与每个触摸侦测区域10连接，通过每个触摸侦测区域10内的任意一行像素单元的栅极线Gate或公共电极线能够确定触摸侦测区域10即触摸位置的水平坐标(当该行像素单元打开即该行像素单元对应的栅极线Gate为高电平时)，而不需要另外布置用于获得水平坐标的附加线。另外，通过读取走线Read将该触摸侦测区域10内的电荷量转换为电流量输出，即可以根据读取走线Read输出的电流量的变化确定触摸侦测区域10即触摸位置的垂直坐标，最终根据触摸位置的水平坐标和垂直坐标，确定触摸位置。

与传统的电容式触摸屏相比，本申请实施例提供的电容式触摸屏装置将像素单元划分为多个触摸侦测区域10，只需要为每个触摸侦测区域10配置一个触摸传感单元102，而不需要为每个像素单元都单独配置一个触摸传感单元102，从而大大减少了触摸传感单元102的数量，另外，除了增加数量较少的触摸传感单元102外，仅仅只增加了每列读取单元103对应的读取走线Read，从而使面内走线非常简洁；并且，每个触摸传感单元102侦测的电荷量可以被分别独立采集，因此感测精度高，实现多点触控的时候可以有效防止鬼点。可以理解的是，为了进一步减少读取走线Read，可以将多个触摸传感单元102尽量设置在同一列。

可以理解的是，每个触摸侦测区域10的面积可以根据实际情况进行划分，例如将触摸频率高的触摸侦测区域10的面积设置得相对较大，以提高感测精度，而将触摸频率低的触摸侦测区域10的面积设置得相对较小，以适当减少触摸侦测区域10、触摸传感单元102以及读取走线Read的个数，从而节约成本。但是，一般为了保持各个触摸侦测区域10的感测精度相同，可以将每个触摸侦测区域10设置为包括相同数量的阵列排布的像素单元，具体可以包括相同数量行和相同数量列的阵列排布的像素单元，并且，将每个触摸传感单元102设置在触摸侦测区域10的内部或外部的固定位置，需要强调的是，每个触摸传感单元102位于对应的触摸侦测区域10内，或者相邻的两个触摸侦测区域10之间，以便于利用每个触摸传感单元102来侦测每个触摸侦测区域10的电荷量的变化。

进一步地，如图4所示，该电容式触摸屏装置还包括：读取单元103，读取单元103与多条读取走线Read连接，并用于将读取走线Read输出的电流量转换为输出电压Vout进行读取，以方便直观地根据输出电压Vout的变化，根据输出电压Vout确定电荷量变化较大的触摸侦测区域10，从而根据触摸侦测区域10来确定触摸位置。

图4为本申请实施例提供的像素单元、触摸传感单元102和读取单元103的等效电路图，如图4所示，每个像素单元101包括显示晶体管T、液晶电容Clc和存储电容Cst，其中：

显示晶体管T的栅极连接对应的栅极线Gate，显示晶体管T的源极连接对应的数据线Data，显示晶体管T的漏极连接液晶电容Clc的一端和存储电容Cst的一端。

液晶电容Clc的另一端连接彩膜基板的公共电极CF com，存储电容Cst的另一端连接阵列基板的公共电极Array com，阵列基板的公共电极Array com与公共电极线Acom连接。

需要说明的是，本申请实施例针对的是阵列基板上的电路结构，本申请实施例中的公共电极线Acom均是指阵列基板上的公共电极线。

如图4所示，触摸传感单元102包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、基准电容Ci和传感电容Ct，其中:

第一晶体管T1的栅极与源极互相连接，并与任意一行像素单元所连接的阵列基板的公共电极连接，第一晶体管T1的漏极连接传感节点。

基准电容Ci的一端连接传感节点连接，基准电容Ci的另一端接地。

传感电容Ct的一端连接传感节点连接，传感电容Ct的另一端接地。

第二晶体管T2的栅极连接任意一行像素单元所连接的栅极线Gate，第二晶体管T2的源极与传感节点连接，第二晶体管T2的漏极连接对应的读取走线Read。

需要说明的是，基准电容Ci是指触摸侦测区域10未被触摸时该触摸侦测区域10自身的固有电容，基准电容Ci的电容值较小；而当触摸侦测区域10被触摸时，相当于在传感节点处，在基准电容Ci上并联上一个较大的传感电容Ct，即此时该触摸侦测区域10对应的触摸传感单元102的电容Cp增加为Ci+Ct。也就是说，当触摸侦测区域10未被触摸时，该触摸侦测区域10的电容Cp仅为基准电容Ci，此时传感电容Ct并不存在，可以理解为此时传感电容Ct为0，即Cp＝Ci；而当触摸侦测区域10被触摸时，在触摸侦测区域10产生了与基准电容Ci并联的传感电容Ct，该触摸侦测区域10的电容Cp为基准电容Ci与传感电容Ct并联产生的电容值，即Cp＝Ci+Ct。

具体地，根据电容两端的电荷量的计算公式：Q＝C*V，其中，Q为电容两端的电荷量，C为电容的电容值，V为电容两端的电压，可知当触摸传感单元102连接的一行像素单元未打开，即触摸传感单元102连接的栅极线Gate为低电平时，像素单元的显示晶体管和触摸传感单元102的第二晶体管T2均关闭，第一晶体管T1利用阵列基板的公共电极经公共电极线使基准电容Ci被持续充电，直至电荷量Q1达到Ci*Vcom为止，其中，Q1为触摸侦测区域10未被触摸时的电荷量，Ci为基准电容的电容值，Vcom为阵列基板的公共电极即公共电极线的电位。

而当触摸传感单元102对应的触摸侦测区域10被触摸，且触摸传感单元102连接的一行像素单元打开，即该触摸传感单元102连接的栅极线Gate为高电平时，触摸传感单元102中产生与基准电容Ci并联的传感电容Ct，此时第一晶体管利用阵列基板的公共电极Array com经公共电极线Acom使基准电容Ci和传感电容Ct被持续充电，直至电荷量Q2达到(Ci+Ct)*Vcom为止。其中，Q2为触摸侦测区域10被触摸时的电荷量，Ci为基准电容的电容值，Ci为传感电容的电容值，Vcom为阵列基板的公共电极即公共电极线的电位。

然后，通过读取走线Read将触摸侦测区域10未被触摸时的电荷量Q1或者触摸侦测区域10被触摸时的电荷量Q2转换为电流量输出。

如图4所示，每个读取单元103包括依次连接的积分器1031、放大器1032和模数转换器1033，其中：

积分器1031，用于将读取走线Read输出的电流量进行积分，以得到输出电压。

放大器1032，用于将输出电压放大。

模数转换器1033，用于将放大的输出电压由模拟信号转换为数字信号并读取。

具体地，当该电容式触摸屏未被触摸时，读取单元103读取的输出电压为：

Vout1＝Q1/Cf＝Ci*Vcom/Cf

其中，Vout1为触摸侦测区域未被触摸时读取单元的输出电压，Cf为积分器的反馈电容。

当电容式触摸屏被触摸时，读取单元103读取的输出电压为：

Vout2＝Q2/Cf＝(Ci+Cp)*Vcom/Cf

其中，Vout2为触摸侦测区域被触摸时读取单元的输出电压，Cf为积分器的反馈电容。

图5为本申请实施例提供的电容式触摸屏装置的读取方法的流程示意图，如图5所示，该电容式触摸屏装置的读取方法用于如上所述的电容式触摸屏装置，包括以下步骤：

S1、通过每个触摸传感单元102实时侦测对应的触摸侦测区域10内的电荷量。

S2、通过读取走线Read将每个触摸侦测区域10内的电荷量转换为电流量输出，并通过读取单元103将电流量转换为输出电压后进行读取。

S3、当至少一根读取走线Read输出的电流量转换的输出电压超过预设阈值时，根据至少一根读取走线Read确定触摸侦测区域10，以确定触摸位置。

本申请实施例提供的电容式触摸屏装置的读取方法，为每个触摸侦测区域10设置一个触摸传感区域，并通过每个触摸传感区域实时侦测对应的触摸侦测区域10的电荷量，并通过读取走线Read将电荷量转换为电流量输出，最后通过读取单元103将电流量进行积分得到输出电压，并将输出电压进行放大和数模转换最后得到数字显示的输出电压进行读取，这样，当读取单元103读取到某根读取走线Read输出的电荷量最终转换成的数字显示的输出电压超过预设阈值)时，根据该读取走线Read确定触摸位置的垂直坐标，同时，基于此时打开的像素单元连接的栅极线Gate为高电位，可以根据该栅极线Gate确定此时触摸到的触摸侦测区域10对应的触摸传感单元102的水平坐标，从而确定触摸位置的水平坐标，根据触摸位置的水平坐标和垂直坐标，确定触摸位置。其中，预设阈值是指能根据输出电压判断触摸动作的存在的最小电压值。

例如，如果与第80行像素的栅极线Gate和公共电极线连接的某个触摸传感单元102通过读取走线Read和读取单元103最终获得的输出电压Vout大于预设阈值时，根据该读取走线Read位于第200列，从而确定该触摸传感单元102位于第200列，而由于此时第80行像素为打开状态即第80行栅极线Gate为高电平，因此可以确定触摸位置的水平坐标为80，垂直坐标为200。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种电容式触摸屏装置，其特征在于，包括：

多条栅极线、多条数据线和多条公共电极线，所述栅极线和所述数据线垂直相交形成多个阵列排布的像素单元，所述公共电极线与所述栅极线平行设置并设于所述像素单元与所述栅极线之间；其中，每个所述像素单元为红色子像素、绿色子像素或蓝色子像素，多个所述像素单元被划分为一个触摸侦测区域，每个所述触摸侦测区域的面积小于手指触摸所述电容式触摸屏时占用的面积；

多个触摸传感单元，每个所述触摸传感单元连接对应的一个所述触摸侦测区域内的任意一行像素单元所连接的栅极线和公共电极线，并用于侦测对应的所述触摸侦测区域内的电荷量；

多条读取走线，所述读取走线与所述数据线平行设置，每条所述读取走线用于连接位于同一列的所述触摸传感单元，以将每个所述触摸侦测区域内的电荷量转换为电流量输出；

其中，所述触摸传感单元通过对应的所述触摸侦测区域内的任意一行像素单元所连接的栅极线和公共电极线，用于确定所述触摸侦测区域内的触摸位置的水平坐标；所述读取走线通过连接的同一列的所述触摸传感单元，用于确定所述触摸侦测区域内的触摸位置的垂直坐标；

所述触摸传感单元包括第一晶体管、第二晶体管、基准电容和传感电容；

所述第一晶体管的栅极与源极互相连接，并与所述任意一行像素单元所连接的阵列基板的公共电极连接，所述第一晶体管的漏极连接传感节点；

所述基准电容的一端连接所述传感节点连接，所述基准电容的另一端接地；

所述传感电容的一端连接所述传感节点连接，所述传感电容的另一端接地；

所述第二晶体管的栅极连接所述任意一行像素单元所连接的栅极线，所述第二晶体管的源极与所述传感节点连接，所述第二晶体管的漏极连接对应的所述读取走线。

2.如权利要求1所述的电容式触摸屏装置，其特征在于，还包括：读取单元，所述读取单元与多条所述读取走线连接，并用于将所述读取走线输出的电流量转换为输出电压进行读取，以根据所述输出电压的变化，由所述触摸侦测区域确定触摸位置。

3.如权利要求1所述的电容式触摸屏装置，其特征在于，每个所述像素单元包括显示晶体管、液晶电容和存储电容，其中：

所述显示晶体管的栅极连接对应的所述栅极线，所述显示晶体管的源极连接对应的所述数据线，所述显示晶体管的漏极连接所述液晶电容的一端和所述存储电容的一端；

所述液晶电容的另一端连接彩膜基板的公共电极，所述存储电容的另一端连接阵列基板的公共电极，所述阵列基板的公共电极与所述公共电极线连接。

4.如权利要求2所述的电容式触摸屏装置，其特征在于，所述读取单元包括依次连接的积分器、放大器和模数转换器，其中：

所述积分器，用于将所述读取走线输出的电流量进行积分，以得到输出电压；

所述放大器，用于将所述输出电压放大；

所述模数转换器，用于将放大的所述输出电压由模拟信号转换为数字信号并读取。

5.如权利要求1所述的电容式触摸屏装置，其特征在于，每个所述触摸传感单元位于对应的所述触摸侦测区域内，或者相邻的两个所述触摸侦测区域之间。

6.如权利要求1所述的电容式触摸屏装置，其特征在于，每个所述触摸侦测区域包括相同数量行与相同数量列的像素单元。

7.一种电容式触摸屏装置的读取方法，用于权利要求2-6任一项所述的电容式触摸屏装置，其特征在于，所述读取方法包括以下步骤：

S1、通过每个触摸传感单元实时侦测对应的所述触摸侦测区域内的电荷量；

S2、通过读取走线将所述电荷量转换为电流量输出，并通过读取单元将所述电流量转换为输出电压后进行读取；

S3、当至少一根所述读取走线输出的电流量转换的所述输出电压超过预设阈值时，根据至少一根所述读取走线确定所述触摸侦测区域，以确定触摸位置。

8.如权利要求7所述的电容式触摸屏装置的读取方法，其特征在于，当所述电容式触摸屏未被触摸时，所述触摸传感单元侦测的对应的所述触摸侦测区域的电荷量为：

Q1=Ci*Vcom

其中，Q1为触摸侦测区域未被触摸时的电荷量，Ci为基准电容的电容值，Vcom为阵列基板的公共电极即公共电极线的电位；

所述读取单元读取的输出电压为：

Vout1=Ci*Vcom/Cf

其中，Vout1为触摸侦测区域未被触摸时读取单元的输出电压，Cf为积分器的反馈电容。

9.如权利要求7所述的电容式触摸屏装置的读取方法，其特征在于，当所述电容式触摸屏被触摸时，所述触摸传感单元侦测的对应的所述触摸侦测区域的电荷量为：

Q2=（Ci+Cp）*Vcom

其中，Q2为触摸侦测区域被触摸时的电荷量，Ci为基准电容的电容值，Cp为传感电容的电容值，Vcom为阵列基板的公共电极即公共电极线的电位；

所述读取单元读取的输出电压为：

Vout2=（Ci+Cp）*Vcom/Cf

其中，Vout2为触摸侦测区域被触摸时读取单元的输出电压，Cf为积分器的反馈电容。

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