CN112540278A - 测试半导体器件的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及测试半导体器件的设备和方法。一种测试半导体器件的设备，包括：探针卡板，所述探针卡板包括多个探针，所述多个探针包括第一组探针和第二组探针，其中所述测试半导体器件的设备被配置为：当所述多个探针接触所述半导体器件时：所述第一组探针被提供电压；所述第二组探针被提供电流；通过测量所述第二组探针的电压和测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压，计算良好接触的探针数量。如此，可以得到能够安全测试受测半导体器件的最大电流和/或良好接触的探针的数量。

Description

测试半导体器件的设备和方法
背景技术
测试半导体器件的设备，例如自动测试设备，可使用探针卡板上的探针对受测半导体器件(DUT)的特定测量点进行测试，例如电压和电流特性的测量。又例如测试半导体器件的设备可对受测半导体器件的特定测量点施加电信号，测量受测半导体器件对所施加电信号的响应。随着技术的发展，测试受测半导体器件所需的测量电流也增加。如何使用测试半导体器件的设备安全的测试受测半导体器件的议题渐受重视。此议题在以高电流测试受测半导体器件时更显重要。
发明内容
本发明通过测量能够安全测试受测半导体器件的最大电流和/或测量良好接触的探针的数量，可以达成避免传统测试半导体器件的设备的探针烧毁及损坏受测半导体器件的情况。本发明在以高电流进行测量受测半导体器件时更为有利，特别是使用大量探针支持高电流的情况。
本发明的一个方式的一个例子，一种测试半导体器件的设备，包括：探针卡板，所述探针卡板包括多个探针，所述多个探针包括第一组探针和第二组探针，其中所述测试半导体器件的设备被配置为：当所述多个探针接触所述半导体器件时：所述第一组探针被提供电压；所述第二组探针被提供电流；通过测量所述第二组探针的电压和测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压，计算良好接触的探针数量。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的设备，其中：所述第二组探针被提供的所述电流是单一个探针所能承受的最大电流或是所述单一个探针所能承受的最大电流的数倍至数十倍。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的设备，其中：若所述第二组探针的电压与所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压的差小于探针所能承受的最大电压乘以预定的倍数，且所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压与所述第一组探针的电压的差小于所述探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数，则在所述计算良好接触的探针数量前：提升所述第二组探针被提供的所述电流；测量所述第二组探针的电压；测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压；直到所述第二组探针的电压与所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压的差不小于探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数，或所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压与所述第一组探针的电压的差不小于所述探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数，才进行所述计算良好接触的探针数量，其中，所述预定的倍数的选择依能够安全的提升所述第二组探针被提供的所述电流而定，且所述预定的倍数小于1。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的设备，其中：所述测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的所述电压包括使用专属探针进行测量。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的设备，其中：所述第二组探针所包含的探针数量与所述第一组探针所包含的探针数量大致相等。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的设备，其中：所述第一组探针被提供的所述电压是由第一电源供应器提供，且所述第二组探针被提供的所述电流是由第二电源供应器提供。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的设备，还被配置为：利用所述良好接触的探针数量计算测试所述半导体器件的最大安全电流。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的设备，还被配置为：将所述第二组探针和所述第一组探针连接而成为相同的电源面，以小于所述最大安全电流的电流测试所述半导体器件。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的设备，其中：所述第一组探针被提供的所述电压是接近或等于0伏特。
本发明的一个方式的一个例子，一种测试半导体器件的方法，包括：使所述半导体器件与探针卡板的多个探针接触，所述多个探针包括第一组探针和第二组探针；提供电压给所述第一组探针；提供电流通过所述第二组探针；测量所述第二组探针的电压；测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压；计算良好接触的探针数量。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的方法，其中：所提供的通过所述第二组探针的所述电流是单一个探针所能承受的最大电流或是所述单一个探针所能承受的最大电流的数倍至数十倍。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的方法，其中：若所述第二组探针的电压与所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压的差小于探针所能承受的最大电压乘以预定的倍数，且所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压与所述第一组探针的电压的差小于所述探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数，则在所述计算良好接触的探针数量前：提升所提供的通过所述第二组探针的所述电流；测量所述第二组探针的电压；测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压；重复上述步骤直到所述第二组探针的电压与所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压的差不小于探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数，或所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压与所述第一组探针的电压的差不小于所述探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数，其中，所述预定的倍数的选择依能够安全的提升所提供的通过所述第二组探针的所述电流而定，且所述预定的倍数小于1。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的方法，其中：所述测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压包括使用专属探针进行测量。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的方法，其中：所述第二组探针所包含的探针数量与所述第一组探针所包含的探针数量大致相等。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的方法，其中：提供给所述第一组探针的所述电压是由第一电源供应器提供，且通过所述第二组探针的所述电流是由第二电源供应器提供。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的方法，还包括：利用所述良好接触的探针数量计算测试所述半导体器件的最大安全电流。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的方法，还包括：将所述第二组探针和所述第一组探针连接而成为相同的电源面，以小于所述最大安全电流的电流测试所述半导体器件。
本发明的一个方式的一个例子，所述的测试半导体器件的方法，其中：提供给所述第一组探针的所述电压是接近或等于0伏特。
上述的本发明的各个例子的两个或多个可以任意合理的组合。
上述内容是对本发明的非限制性概述，其仅由所附权利要求限定。
附图说明
附图并非意在按比例绘制。在附图中，在各个附图中所示出的每一个相同或几乎相同的部件由类似数字表示。为清晰起见，可无需在每个附图中对每一个部件进行标记。附图中：
图1是传统的测试半导体器件的设备的示意图。
图2是图1的测试半导体器件的设备的等效电路图。
图3是图1的测试半导体器件的设备的等效电路图。
图4是本发明的测试半导体器件的设备的例子的示意图。
图5是图4的测试半导体器件的设备的例子的等效电路图的示意的例子。
图6是图4的测试半导体器件的设备的例子的等效电路图的示意的例子。
图7是图4的测试半导体器件的设备的例子的等效电路图的示意的例子。
图8是本发明的测试半导体器件的方法的例子的示意流程图。
图9是本发明的测试半导体器件的方法的例子的示意流程图。
具体实施方式
说明书和权利要求中所用的中修饰权利要求要素的次序术语，例如“第一”、“第二”等的使用本身不意味着任何优先权、居先或者一个权利要求要素针对另一个要素的次序，或者执行方法操作的时间次序。这种术语仅仅用作区分具有某个名称的一个权利要求要素和具有相同名称的另一个权利要求要素的标记。
本文所用的措辞和术语仅用于描述，不应视为限制性的。“包括”、“包含”或“具有”、“含有”、“涉及”及其各种变型形式意在涵盖随后列出的项及其他项。
图1是传统的测试半导体器件的设备的示意图。参照图1，传统的测试半导体器件的设备100具有探针卡板101，电源供应设备102，其中探针卡板101具有多个探针111、112、113、114、115、116、117、118，又，探针卡板101还可具有多个接地探针130。当进行测试时，探针111、112、113、114、115、116、117、118接触受测半导体器件103，电流经过探针111、112、113、114、115、116、117、118。
图2和图3是图1的测试半导体器件的设备100的等效电路图。于图2及图3的示意的例子中，令探针111、112、113、114、115、116、117、118的等效电阻分别是111R、112R、113R、114R、115R、116R、117R、118R，电源由电源供应器151提供。图2示意了所有探针111、112、113、114、115、116、117、118都是良好接触的情况。图3示意了探针111、112、116不是良好接触和探针113、114、115、117、118是良好接触的情况。因为不是良好接触的电阻远大于良好接触的电阻，故探针111、112、116所对应的等效电阻111R、112R、116R所对应的路径视同断路。如此，流过探针113、114、115、117、118的电流会大于预期。若流过任一探针的电流超过单一探针所能承受的最大电流，这个探针会烧毁，因而通过其他探针电流会增加，造成更多探针烧毁，最后会造成全部探针烧毁。探针烧毁亦会损坏受测半导体器件103。探针烧毁的情况在高电流测试时更可能遇到。
本发明通过测量能够安全测试受测半导体器件的最大电流和/或测量良好接触的探针的数量，可以达成避免传统测试半导体器件的设备的探针烧毁和/或损坏受测半导体器件的情况。本发明在以高电流进行测量受测半导体器件时更为有利，特别是通过大量探针支持高电流的情况，例如在通过10至1000个探针支持10至100A的电流的情况。
图4是本发明的测试半导体器件的设备的例子的示意图。参照图4，本发明的测试半导体器件的设备400包括：探针卡板401，探针卡板401包括多个探针。例如，探针的数量在8至1000个之间。这些探针又被称为供电探针(force needle)，本发明中，若未说明探针的种类(如供电探针、感测探针、接地探针等)，仅以”探针”叙述，则应指可作为供电探针的探针。为了简化说明，于图4仅以探针411、412、413、414、421、422、423、424示意的表示，但不代表实际探针的数量仅限于此，特别是一般而言探针的数量在8至1000个之间。于图4的示意图中，多个探针分成第一组探针411、412、413、414及第二组探针421、422、423、424。此分组方式亦是为了简化说明，并非指实际探针的数量。例如，可以将数量在8至1000个之间的探针等分成两组，或是不等分成两组，或是等分或不等分成三组以上。于此示意的例子，例如第一组探针411、412、413、414连接到第一电源面441，第二组探针421、422、423、424连接到第二电源面442，第一电源面441和第二电源面442连接到电源供应设备402。另外，可有接地探针430连接到接地面440。当要进行测量时，多个探针411、412、413、414、421、422、423、424接触受测半导体器件403。受测半导体器件403例如可以是在晶圆上的芯片。
图5和图6分别是图4的测试半导体器件的设备400的例子的等效电路图的示意的例子。于图5和图6分别的示意的例子中，令第一组探针411、412、413、414的等效电阻分别是411R、412R、413R、414R，且令第二组探针421、422、423、424的等效电阻分别是421R、422R、423R、424R。于一个例子，探针的等效电阻典型地是5至20mOhm，例如10mOhm。探针的等效电阻包括良好接触时的接触电阻，且良好接触时的接触电阻可能占探针的等效电阻的主要的部份。然而，探针的等效电阻会依探针的规格与受测半导体器件而不同，因其会有不同的接触情形。所以探针的等效电阻不限于上述的数值，应依探针的规格与受测半导体器件而定，和/或接触时可能的情况而定。图5示意了所有第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424都是良好接触的情况。图6示意了第一组探针411、412、413、414中的探针411和412不是良好接触且探针413、414是良好接触和第二组探针421、422、423、424中的探针423不是良好接触且探针421、422、424是良好接触的情况。因为不是良好接触的电阻远大于良好接触的电阻，故探针411、412和423所对应的等效电阻411R、412R和423R所对应的路径视同断路。
参照图5及图6，第一组探针411、412、413、414被提供电压V0，电压V0可由电源供应设备402的第一电源供应器451提供；第二组探针421、422、423、424被提供电流IX，电流IX可由电源供应设备402的第二电源供应器452提供。于一例子，第一组探针411、412、413、414被提供的电压V0可接近或等于接地电压，例如令第一组探针411、412、413、414被提供的电压V0是接近或等于0V。必须确保第二组探针421、422、423、424被提供的电流IX不能太大，以免发生烧毁探针的情况。例如，电流IX可以是单一个探针所能承受的最大电流I0。单一个探针所能承受的最大电流I0视探针的规格和/或受测半导体器件而定。又例如，若是探针的总数量较大(例如100至1000个)的例子，第二组探针421、422、423、424被提供的电流IX可以是单一个探针所能承受的最大电流I0的数倍至数十倍。例如，当探针的总数量是Nt个，第二组探针421、422、423、424被提供的电流IX可以是单一个探针所能承受的Nt/Z倍，其中系数Z是16至64，例如32。于一特定的例子，若探针的总数量Nt是100个，则第二组探针421、422、423、424被提供的电流IX可以是I0的100/32倍。
接着，测量第二组探针421、422、423、424的电压VS和测量第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424之间的电压VD。其中，可以使用专属探针测量第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424之间的电压VD，专属探针例如可以是感测探针(sense needle)(于图中未示出)。如此，可以计算良好接触的探针数量N如下：
Figure BDA0002192480130000081
其中，Rneedle表示单一个探针的等效电阻。
得到良好接触的探针数量N后，可以计算出测试半导体器件的最大安全电流It是N*I0。如此，可以在测试受测半导体器件403时不超过最大安全电流It，因而不会发生探针烧毁的情况。
以图6的的特定例子为例，于一特定的示意的例子，令有4个第一组探针411、412、413、414和4个第二组探针421、422、423、424，令单一个探针的等效电阻Rneedle是10mOhm，第一组探针411、412、413、414的电压V0是0V，单一个探针所能承受的最大电流I0是150mA，第二组探针421、422、423、424被提供电流IX是150mA，若测得第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424之间的电压VD是0.75mV，第二组探针421、422、423、424的电压VS是1.25mV，则可得良好接触的探针数量N是5：
Figure BDA0002192480130000091
因而可以计算出测试半导体器件的最大安全电流It是N*I0＝750mA，其中，上述的算式中对应了4个第一组探针411、412、413、414中有2个良好接触的探针413、414和4个第二组探针421、422、423、424中有3个良好接触的探针421、422、424的情况。
然而，上述的例子仅是示例，实际上探针的总数量Nt可以是8至1000个。
确认最大安全电流It后可以对受测半导体器件403进行测试。此时，将第一组探针411、412、413、414与第二组探针421、422、423、424连接，例如将第一电源面441与第二电源面442连接，此连接可由电源供应设备402提供。图7是图4的测试半导体器件的设备400的例子的等效电路图的示意的例子。例如，参照图7，合并电源供应设备402中的第一电源供应器451与第二电源供应器452，使其中一个作为领导者(Leader)另一个作为跟随者(follower)，对受测半导体器件403进行测试。
于另一个例子，将对第一组探针411、412、413、414提供电压V0改为提供电流I1，如此仍可通过类似的方式测量良好接触的探针数量N和最大安全电流It。此方式在第二组探针421、422、423、424的电压VS与第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424之间的电压VD的差过大的情况或第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424之间的电压VD与第一组探针411、412、413、414的电压V0的差过大的情况特别有利。
于一例子，若第二组探针421、422、423、424的电压VS与第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424之间的电压VD的差小于探针所能承受的最大电压Vmax乘以预定的倍数P(于此，探针所能承受的最大电压Vmax等于单一个探针所能承受的最大电流I0乘以单一个探针的等效电阻Rneedle(Vmax＝I0*Rneedle))，且第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424之间的电压VD与第一组探针411、412、413、414的电压V0的差小于探针所能承受的最大电压Vmax乘以预定的倍数P，则可能因为第二组探针421、422、423、424被提供电流IX太小而使测量到的对应的电压(或电压的差VS-VD或VD-V0)过小而受噪讯(noise)影响过大，不能测量到足够精确的良好接触的探针数量N和/或最大安全电流It。此时，在计算良好接触的探针数量N和/或最大安全电流It前可以进行以下步骤：
提升所提供的通过第二组探针421、422、423、424的电流IX；
测量第二组探针421、422、423、424的电压VS；
测量第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424之间的电压VD；
重复上述步骤直到第二组探针421、422、423、424的电压VS与第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424之间的电压VD的差不小于探针所能承受的最大电压Vmax乘以预定的倍数P，或第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424之间的电压VD与第一组探针411、412、413、414的电压V0的差不小于探针所能承受的最大电压Vmax乘以预定的倍数P。
于此，电压的差VS-VD或VD-V0小于探针所能承受的最大电压Vmax乘以预定的倍数P是指因为电压的差VS-VD或VD-V0足够小于探针所能承受的最大电压Vmax而能够安全的提升通过第二组探针421、422、423、424的电流IX以进行更精确的测量和/或可能因为第二组探针421、422、423、424被提供电流IX太小而使测量到的对应的电压(或电压的差VS-VD或VD-V0)过小而受噪讯影响过大，不能依此计算出足够精确的良好接触的探针数量N和最大安全电流It的程度，依此选择适当的预定的倍数P。预定的倍数P小于1。于一例子，预定的倍数P例如是0.5。于此的“提升所提供的通过第二组探针421、422、423、424的电流IX“的增加程度视第二组探针421、422、423、424的电压VS与第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424之间的电压VD的差小于探针所能承受的最大电压Vmax的程度而定，且视第一组探针411、412、413、414和第二组探针421、422、423、424之间的电压VD与第一组探针411、412、413、414的电压V0的差小于探针所能承受的最大电压Vmax的程度而定。
小于预定的倍数P的例子特别适用于在探针的总数量Nt较大(例如，数十至千个)的情况。于一个特定的例子，令探针的总数量Nt是96个且分为第一组探针和第二组探针，令单一个探针的等效电阻Rneedle是10mOhm，第一组探针的电压V0是0V，单一个探针所能承受的最大电流I0是100mA，第二组探针被提供电流IX是100*96/32＝300mA，探针所能承受的最大电压Vmax＝I0*Rneedle＝1mV，测量得到第一组探针和第二组探针之间的电压VD是0.1mV，测量得到第二组探针的电压VS是0.2mV，预定的倍数P是0.5，则因为第二组探针的电压VS与第一组探针和第二组探针之间的电压VD的差0.1mV小于探针所能承受的最大电压Vmax(1mV)乘以预定的倍数P(0.5)(即，0.5mV)，且第一组探针和第二组探针之间的电压VD与第一组探针的电压V0的差0.1mV小于探针所能承受的最大电压Vmax(1mV)乘以预定的倍数P(0.5)(即，0.5mV)，可以例如提升第二组探针被提供电流IX为600mA，再进行测量，若仍有提升空间，可以继续提升(例如，提升为1.2A)，直到第二组探针的电压VS与第一组探针和第二组探针之间的电压VD的差不小于探针所能承受的最大电压Vmax乘以预定的倍数P，或第一组探针和第二组探针之间的电压VD与第一组探针的电压V0的差不小于探针所能承受的最大电压Vmax乘以预定的倍数P为止，或是直到第二组探针被提供电流IX够大而使测量到的对应的电压(或电压的差VS-VD或VD-V0)够大因而测量良好接触的探针数量N和/或最大安全电流It的准确度够高为止。
於一例子，前述的系数Z的選擇亦考虑想要的提升所提供的通过第二组探针的电流IX的次数。
图8是本发明的测试半导体器件的方法的例子的示意流程图。参照图8，本发明的测试半导体器件的方法，包括以下步骤：
S801使半导体器件与探针卡板的多个探针接触，多个探针包括第一组探针及第二组探针；
S802提供电压V0给第一组探针；
S803提供电流IX通过第二组探针；
S804测量第二组探针的电压VS；
S805测量第一组探针和第二组探针之间的电压VD；
S806计算良好接触的探针数量N。
于一例子，图8的本发明的测试半导体器件的方法还包括：S807利用良好接触的探针数量N计算测试半导体器件的最大安全电流It。
上述步骤的使用的设备、测量和计算的方式和用语解释的方式可以参照于上关联图4至7所述的设备和方式的一个或多个例子。
图9是本发明的测试半导体器件的方法的例子的示意流程图。参照图9，本发明的测试半导体器件的方法，包括以下步骤：
S901使半导体器件与探针卡板的多个探针接触，多个探针包括第一组探针及第二组探针；
S902提供电压V0给第一组探针；
S903提供电流IX通过第二组探针；
S904测量第二组探针的电压VS；
S905测量第一组探针和第二组探针之间的电压VD；
S906若第二组探针的电压与第一组探针和第二组探针之间的电压的差VS-VD小于探针所能承受的最大电压Vmax乘以预定的倍数P，且第一组探针和第二组探针之间的电压与第一组探针的电压的差VD-V0小于探针所能承受的最大电压Vmax乘以预定的倍数P，则在计算良好接触的探针数量N前进行以下步骤：
S907提升所提供的通过第二组探针的电流IX；
重复S907和S904至S906的步骤直到第二组探针的电压与第一组探针和第二组探针之间的电压的差VS-VD不小于探针所能承受的最大电压Vmax乘以预定的倍数P，或第一组探针和第二组探针之间的电压与第一组探针的电压的差VD-V0不小于探针所能承受的最大电压Vmax乘以预定的倍数P；
S908计算良好接触的探针数量N。
于一例子，图9的本发明的测试半导体器件的方法还包括：S909利用良好接触的探针数量N计算测试半导体器件的最大安全电流It。
于此，电压的差VS-VD或VD-V0小于探针所能承受的最大电压Vmax乘以预定的倍数P是指因为电压的差VS-VD或VD-V0足够小于探针所能承受的最大电压Vmax而能够安全的提升通过第二组探针的电流IX以进行更精确的测量和/或可能因为第二组探针被提供电流IX太小而使测量到的对应的电压(或电压的差VS-VD或VD-V0)过小而受噪讯影响过大，不能依此计算出足够精确的良好接触的探针数量N和最大安全电流It的程度，依此选择适当的预定的倍数P。预定的倍数P小于1。于一例子，预定的倍数P例如是0.5。于此的“提升所提供的通过第二组探针的电流IX“的增加程度视第二组探针的电压VS与第一组探针和第二组探针之间的电压VD的差小于探针所能承受的最大电压Vmax的程度而定，且视第一组探针和第二组探针之间的电压VD与第一组探针的电压V0的差小于探针所能承受的最大电压Vmax的程度而定。
上述步骤的使用的设备、测量和计算的方式和用语解释的方式可以参照于上关联图4至7所述的设备和方式的一个或多个例子。
本发明的各例子及方式可适当的组合与修改，只要这些组合与修改落入本发明的精神与范畴。
说明书的描述仅为示例性的，并且并不旨在限制。本发明仅由如所附权利要求书及其等效方案所限定的内容进行限制。

Claims (18)

1.一种测试半导体器件的设备，其特征在于，包括：
探针卡板，所述探针卡板包括多个探针，所述多个探针包括第一组探针和第二组探针，其中所述测试半导体器件的设备被配置为：
当所述多个探针接触所述半导体器件时：
所述第一组探针被提供电压；
所述第二组探针被提供电流；
通过测量所述第二组探针的电压和测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压，计算良好接触的探针数量。
2.根据权利要求1所述的测试半导体器件的设备，其中：
所述第二组探针被提供的所述电流是单一个探针所能承受的最大电流或是所述单一个探针所能承受的最大电流的数倍至数十倍。
3.根据权利要求1所述的测试半导体器件的设备，其中：
若所述第二组探针的电压与所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压的差小于探针所能承受的最大电压乘以预定的倍数，且所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压与所述第一组探针的电压的差小于所述探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数，则在所述计算良好接触的探针数量前：
提升所述第二组探针被提供的所述电流；
测量所述第二组探针的电压；
测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压；
直到所述第二组探针的电压与所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压的差不小于探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数，或所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压与所述第一组探针的电压的差不小于所述探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数，才进行所述计算良好接触的探针数量，
其中，所述预定的倍数的选择依能够安全的提升所述第二组探针被提供的所述电流决定，且所述预定的倍数小于1。
4.根据权利要求1所述的测试半导体器件的设备，其中：
所述测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的所述电压包括使用专属探针进行测量。
5.根据权利要求1所述的测试半导体器件的设备，其中：
所述第二组探针所包含的探针数量与所述第一组探针所包含的探针数量大致相等。
6.根据权利要求1所述的测试半导体器件的设备，其中：
所述第一组探针被提供的所述电压是由第一电源供应器提供，且
所述第二组探针被提供的所述电流是由第二电源供应器提供。
7.根据权利要求1至6任一项所述的测试半导体器件的设备，还被配置为：
利用所述良好接触的探针数量计算测试所述半导体器件的最大安全电流。
8.根据权利要求7所述的测试半导体器件的设备，还被配置为：
将所述第二组探针和所述第一组探针连接而成为相同的电源面，以小于所述最大安全电流的电流测试所述半导体器件。
9.根据权利要求1至6任一项所述的测试半导体器件的设备，其中：
所述第一组探针被提供的所述电压是接近或等于0伏特。
10.一种测试半导体器件的方法，其特征在于，包括：
使所述半导体器件与探针卡板的多个探针接触，所述多个探针包括第一组探针和第二组探针；
提供电压给所述第一组探针；
提供电流通过所述第二组探针；
测量所述第二组探针的电压；
测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压；
计算良好接触的探针数量。
11.根据权利要求10所述的测试半导体器件的方法，其中：
所提供的通过所述第二组探针的所述电流是单一个探针所能承受的最大电流或是所述单一个探针所能承受的最大电流的数倍至数十倍。
12.根据权利要求10所述的测试半导体器件的方法，其中：
若所述第二组探针的电压与所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压的差小于探针所能承受的最大电压乘以预定的倍数，且所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压与所述第一组探针的电压的差小于所述探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数，则在所述计算良好接触的探针数量前：
提升所提供的通过所述第二组探针的所述电流；
测量所述第二组探针的电压；
测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压；
重复上述步骤直到所述第二组探针的电压与所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压的差不小于探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数，或所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压与所述第一组探针的电压的差不小于所述探针所能承受的最大电压乘以所述预定的倍数，
其中，所述预定的倍数的选择依能够安全的提升所提供的通过所述第二组探针的所述电流而定，且所述预定的倍数小于1。
13.根据权利要求10所述的测试半导体器件的方法，其中：
所述测量所述第一组探针和所述第二组探针之间的电压包括使用专属探针进行测量。
14.根据权利要求10所述的测试半导体器件的方法，其中：
所述第二组探针所包含的探针数量与所述第一组探针所包含的探针数量大致相等。
15.根据权利要求10所述的测试半导体器件的方法，其中：
提供给所述第一组探针的所述电压是由第一电源供应器提供，且
通过所述第二组探针的所述电流是由第二电源供应器提供。
16.根据权利要求10至15任一项所述的测试半导体器件的方法，还包括：
利用所述良好接触的探针数量计算测试所述半导体器件的最大安全电流。
17.根据权利要求16所述的测试半导体器件的方法，还包括：
将所述第二组探针和所述第一组探针连接而成为相同的电源面，以小于所述最大安全电流的电流测试所述半导体器件。
18.根据权利要求10至15任一项所述的测试半导体器件的方法，其中：
提供给所述第一组探针的所述电压是接近或等于0伏特。
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