CN112530298B - 一种等离子体显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种等离子体显示面板,包括光源,以及依次设置的基底、导光层和电路层,所述导光层自侧面从光源导光;其中,所述导光层包括设置在所述基底上的等离子层和覆盖在所述等离子层上的介质层;所述电路层通电后产生垂直于等离子层的磁场,控制所述导光层发光或不发光。本发明通过导光层导光,再通过电路层控制导光层的发光状态,由彩膜层实现色彩显示,在实现面板显示的同时,还精简了结构。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板领域,特别涉及一种等离子体显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展和客户的需求提高,显示器做薄的趋势日益提高。但是现有的液晶面板不具备自发光功能,因此厚度较大;而大尺寸的OLED面板造价昂贵,不利于普及;直下式的显示方案需要用到大量的LED芯片,成本较高,工艺难度较大。
因此现有技术还有待改进和提高。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处,本发明的目的在于提供一种等离子体显示面板及显示装置,通过导光层导光,再通过电路层控制导光层的发光状态,由彩膜层实现色彩显示,在实现面板显示的同时,还精简了结构。
为了达到上述目的,本发明采取了以下技术方案:
本发明提供一种等离子体显示面板,包括光源,以及依次设置的基底、导光层、电路层和彩膜层,所述导光层自侧面从光源导光;其中,所述导光层包括设置在所述基底上的等离子层和覆盖在所述等离子层上的介质层;所述电路层通电后产生垂直于等离子层的磁场,控制所述导光层发光或不发光;所述彩膜层用于在导光层发光时将导光层发出的光转换为相应的色光。
所述等离子层包括多个像素子阵列,每个所述像素子阵列中包括至少三个等离子体,至少三个所述等离子体之间阵列排布在所述基底上。
所述彩膜层包括红色膜、绿色膜和蓝色膜,通过所述红色膜、绿色膜和蓝色膜分别将导光层发出的光转换为红色光、绿色光和蓝色光。
所述等离子层包括多个像素子阵列,每个所述像素子阵列中包括至少四个等离子体,至少四个所述等离子体之间阵列排布在所述基底上。
所述彩膜层包括红色膜、绿色膜、蓝色膜和透明膜,通过所述红色膜、绿色膜和蓝色膜分别将导光层发出的光转换为红色光、绿色光和蓝色光,通过透明膜输出白色光。
所述电路层包括用于产生垂直于所述等离子层的磁场发生单元,所述磁场发生单元与等离子体个数相等,且与所述等离子体在显示面板的垂直方向上位置一一对应。
所述磁场发生单元包括第一晶体管和电感线圈,所述第一晶体管的控制端与扫描线连接,所述第一晶体管的输入端与电源线连接,所述第一晶体管的输出端与所述电感线圈的一端连接,所述电感线圈的另一端接地。
所述等离子体为半球体,接收所述光源提供的左旋圆偏振光或者右旋圆偏振光进行发光。
等离子体显示面板还包括设置在所述彩膜层的偏光片。
一种显示装置,包括装置本体,所述装置本体中设置有如上文所述的等离子体显示面板。
相较于现有技术,本发明提供的等离子体显示面板,包括光源,以及依次设置的基底、导光层和电路层,所述导光层自侧面从光源导光;其中,所述导光层包括设置在所述基底上的等离子层和覆盖在所述等离子层上的介质层;所述电路层通电后产生垂直于等离子层的磁场,控制所述导光层发光或不发光。本发明通过导光层导光,再通过电路层控制导光层的发光状态,由彩膜层实现色彩显示,在实现面板显示的同时,还精简了结构。
附图说明
图1为本发明提供的等离子体显示面板实施例一的结构图;
图2为本发明提供的等离子体显示面板实施例二的结构图;
图3为本发明提供的导光层的结构图;
图4为本发明提供的磁场发生单元的电路图。
具体实施方式
本发明提供一种等离子体显示面板及显示装置,通过导光层导光,再通过电路层控制导光层的发光状态,由彩膜层实现色彩显示,在实现面板显示的同时,还精简了结构。
本发明的具体实施方式是为了便于对本发明的技术构思、所解决的技术问题、构成技术方案的技术特征和带来的技术效果做更为详细的说明。需要说明的是,对于这些实施方式的解释说明并不构成对本发明的保护范围的限定。此外,下文所述的实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间不构成冲突就可以相互组合。
为了方便理解本申请实施例,首先在此介绍本申请实施例涉及到的相关要素。
等离子体(plasma)又叫做电浆,是由部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质,尺度大于德拜长度的宏观电中性电离气体,其运动主要受电磁力支配,并表现出显著的集体行为。它广泛存在于宇宙中,常被视为是除去固、液、气外,物质存在的第四态。等离子体是一种很好的导电体,利用经过巧妙设计的磁场可以捕捉、移动和加速等离子体。等离子体物理的发展为材料、能源、信息、环境空间、空间物理、地球物理等科学的进一步发展提供了新的技术和工艺。
当光打在金属表面时,二维光或是等离子体就会被激发。等离子体可以被看作是光子和电子的连接。可以建立一个混合原则,由光转变成的等离子体在金属表面传播时(该等离子体的波长比原始光波的波长小的多);等离子体能被二维光学仪器(镜子、波导、透镜等)处理,等离子体能再次转变成光或者电信号。
现有技术中的液晶面板厚度较大,OLED面板价格昂贵,直下式LED面板工艺复杂,对生产效率或成本有一定的局限,不利于普及。
鉴于现有技术存在的上述问题,请参阅图1和图2,本发明提供一种等离子体显示面板,包括光源10,以及依次设置的基底100、导光层200、电路层300和彩膜层400,所述导光层200自侧面从光源10导光;其中,所述导光层200包括设置在所述基底上的等离子层和覆盖在所述等离子层上的介质层220;所述电路层300通电后产生垂直于等离子层的磁场,控制所述导光层200发光或不发光;所述彩膜层400用于在导光层200发光时将导光层200发出的光转换为相应的色光。
具体实施时,本实施例中,导光层200接入光源10提供的光线,经过介质层220进入到等离子层中,再通过等离子层的反射,将光线从显示面板的正向(由基底至彩膜层400方向为显示面板的正向)射出,实现面板发光。具体的,所述电路层300受控通电之后,会产生相应的垂直于所述等离子层的磁场,该磁场将改变等离子层的相对介电常数,从而改变等离子层的电子密度;当该电子密度与所述介质层220相同时,光线将在导光层200中发生全反射,因此将光线锁在导光层200中;此时,显示面板表现为不发光状态,而当所述电路层300断电之后,所述等离子层失去磁场的控制,相对介电常数恢复,此时导光层200的全反射被破坏,光线从导光层200发射出去,显示面板表现为发光状态。
进一步的,当所述导光层200出光后,由所述彩膜层400将光线转换为相应的三原色光,实现相应的图像显示。需要说明的是,所述介质层220的材料可以是但不限于PMMA、ABS玻璃。
实施例一
具体的,请参阅图1,所述等离子层包括多个像素子阵列,每个所述像素子阵列中包括至少三个等离子体211,至少三个所述等离子体211之间阵列排布在所述基底上。
具体实施时,本实施例中,等离子层中划分有多个像素子阵列,每个像素子阵列为最小的显示单元,每个像素子阵列包括至少三个等离子体211,每个等离子体211为最小的发光单元,至少三个所述等离子体211分别由电路层300控制相对介电常数大小。
进一步的,请继续参阅图1,所述彩膜层400包括红色膜R、绿色膜G和蓝色膜B,通过所述红色膜R、绿色膜G和蓝色膜B分别将导光层200发出的光转换为红色光、绿色光和蓝色光。本实施例中,由所述红色膜R、绿色膜G和蓝色膜B分别设置在至少三个所述等离子体211上方的,得到三原色光,进而根据电路层300对所述等离子发光状态的调整,进行使得每个像素子阵列、等离子体211之间组成相应的图像进行显示。
实施例二
具体的,请参阅图2,所述等离子层包括多个像素子阵列,每个所述像素子阵列中包括至少四个等离子体211,至少四个所述等离子体211之间阵列排布在所述基底上。
具体实施时,本实施例中,等离子层中划分有多个像素子阵列,每个像素子阵列为最小的显示单元,每个像素子阵列包括至少四个等离子体211,每个等离子体211为最小的发光单元,至少四个所述等离子体211分别由电路层300控制相对介电常数大小。
进一步的,请继续参阅图2,所述彩膜层400包括红色膜R、绿色膜G、蓝色膜B和透明膜W,通过所述红色膜R、绿色膜G和蓝色膜B分别将导光层200发出的光转换为红色光、绿色光和蓝色光,通过透明膜W输出白色光。本实施例中,由所述红色膜R、绿色膜G和蓝色膜B分别设置在至少三个所述等离子体211上方的,得到三原色光,进而根据电路层300对所述等离子发光状态的调整,进行使得每个像素子阵列、等离子体211之间组成相应的图像进行显示。此外,还通过所述透明膜W增强出光亮度,提高了显示效果。图2中的箭头表示等离子体以阵列式铺满整个基底底部。
更进一步的,请一并参阅图1和图2,所述电路层300包括用于产生垂直于所述等离子层的磁场发生单元(如图1中的1、2和3,或2中的1、2、3和4,均为磁场发生单元),所述磁场发生单元与等离子体211个数相等,且与所述等离子体211在显示面板的垂直方向上位置一一对应。
具体实施时,本实施例中,每个磁场发生单元对应控制一个等离子体211的相对介电常数,每个等离子体211在受到电路层300产生的磁场控制时则改变自身的相对介电常数,直至与所述介质层220的相对介电常数一致时,光线发生全反射,光线将被锁在导光层200中,无法从导光层200射出;而没有受到电路层300产生的磁场控制时,则维持原有的相对介电常数,使得光线从导光板射出,经过红色膜R、绿色膜G或蓝色膜B变色,或者经过透明膜W增强亮度,最后经过每个等离子体211的发光状态组合成相应的图像进行显示。
具体的,请继续参阅图4,所述磁场发生单元包括第一晶体管Q1和电感线圈L1,所述第一晶体管Q1的控制端与扫描线Gate Li ne连接,所述第一晶体管Q1的输入端与电源线Source Li ne连接,所述第一晶体管Q1的输出端与所述电感线圈L1的一端连接,所述电感线圈L1的另一端接地。
具体实施时,本实施例中,由于所述等离子体211阵列排布在基底上,而所述磁场发生单元与所述等离子体211一一对应,因此所述磁场发生单元也以阵列排布在电路层300。每个磁场发生单元均通过扫描线Gate Li ne和电源线Source Li ne以阵列排布连接。当所述第一晶体管Q1的控制端从扫描线Gate Li ne接入扫描信号,再从所述电源线SourceLi ne接入电源电压后,所述第一晶体管Q1导通,使得连接在第一晶体管Q1输出端的电感线圈L1得电,产生相应的磁场。特别的,所述电感线圈L1所产生的磁场方向垂直于所述等离子层,且位置在垂直方向上与等离子体211一一对应,以实现一个磁场发生单元控制一个等离子体211发光状态的目的。所述第一晶体管为TFT三极管或其他能够实现相应的功能的开关器件。
进一步的,所述等离子体211为半球体,接收所述光源10提供的左旋圆偏振光或者右旋圆偏振光进行发光。本实施例中,等离子体211是通过将等离子气体封装在基底固定位置形成单个等离子体211,本实施例中设置为半球体。
更进一步的,请参阅图3,所述光源10包括依次连接的激光器11、光线分数器和多条光纤13,激光器11激发光线,再经过光线分束器12分离,通过多条所述光纤13输出至所述导光板,为导光板提供左旋圆偏振光或者右旋圆偏振光,当所述左旋圆偏振光或者右旋圆偏振光从介质层220进入等离子体211时,发生反射现象,将光线反射至显示面板出光面(正面),最后经过彩膜变色实现图像显示。
具体的,等离子体显示面板还包括设置在所述彩膜层400的偏光片500。本实施例中,通过所述偏光片500对经过彩膜层400的光线进行处理,解决眩光等问题,增强图像显示效果。
为了本发明是技术方案更加清楚,下面对导光层200发光状态控制原理进行说明:
根据相对介电常数公式:
其中,ε为等离子的相对介电常数,下标+和-分别代表右圆极化(RCP)和左圆极化(LCP)。ω是入射电磁波的频率,ωp=(nee2/ε0m)1/2是等离子体211频率,ne是等离子体211的电子密度,e是绝对电子电荷,m为电子质量,ε0是自由空间的介电常数,ωce=eB/m是电子的回旋频率,B是外加磁场的磁感应强度。
由所述相对介电常数公式可知,等离子体211的相对介电常数可随磁场的改变而改变,因此可通过外加磁场的方式改变等离子体211的相对介电常数。
进一步的,根据麦克斯韦电磁场理论,光在介质中的传播速度为:
其中,c为真空中光速,μ为介质的磁导率,ε为介质的介电常数,μ0为真空中磁导率,ε0为真空中介电常数,μr为介质的相对磁导率,εr为介质的相对介电常数。
综上所述,可知,改变材料的相对介电常数,可同时改变材料的电子密度;因此,针对本发明中的等离子体211,改变等离子体211的相对介电常数,则可改变等离子体211的电子密度,且所述相对介电常数可由磁场进行控制。同时,根据光的全反射原理,可知当等离子体211的电子密度等于所述介质层220时,将会发生全反射,将光线锁在导光层200中,使得显示面板整体体现为不发光状态;而当等离子体211的相对介电常数受外部磁场调控到与介质1不同时,导光层200的全反射现象在有等离子体211的位置被破坏,显示面板的整体现象为发光状态,从而实现了磁场控制显示开关,并且显示仅通过基底100、导光层200、电路层300、彩膜层400和偏光片500实现图像显示,结构简单,可做到轻薄,且等离子体211设置工艺成熟且难度不高,价格相对于OLED等更低,有利于普及。
基于上述的等离子体显示面板,本发明还提供一种显示装置,包括装置本体,所述装置本体中设置有如上文所述的等离子体显示面板。由于所述等离子体显示面板已在上文进行了详细描述,在此不再赘述。
综上所述,本发明提供的一种等离子体显示面板,包括光源,以及依次设置的基底、导光层和电路层,所述导光层自侧面从光源导光;其中,所述导光层包括设置在所述基底上的等离子层和覆盖在所述等离子层上的介质层;所述电路层通电后产生垂直于等离子层的磁场,控制所述导光层发光或不发光。本发明通过导光层导光,再通过电路层控制导光层的发光状态,由彩膜层实现色彩显示,在实现面板显示的同时,还精简了结构。
可以理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种等离子体显示面板,其特征在于,包括光源,以及依次设置的基底、导光层、电路层和彩膜层,所述导光层自侧面从光源导光;其中,所述导光层包括设置在所述基底上的等离子层和覆盖在所述等离子层上的介质层;所述电路层受控通电之后,会产生相应的垂直于所述等离子层的磁场,该磁场将改变等离子层的相对介电常数,从而改变等离子层的电子密度;当该电子密度与所述介质层相同时,光线将在导光层中发生全反射,将光线锁在导光层中,显示面板表现为不发光状态,当所述电路层断电之后,所述等离子层失去磁场的控制,相对介电常数恢复,导光层的全反射被破坏,光线从导光层发射出去,显示面板表现为发光状态;所述彩膜层用于在导光层发光时将导光层发出的光转换为相应的色光。
2.根据权利要求1所述的等离子体显示面板,其特征在于,所述等离子层包括多个像素子阵列,每个所述像素子阵列中包括至少三个等离子体,至少三个所述等离子体之间阵列排布在所述基底上。
3.根据权利要求2所述的等离子体显示面板,其特征在于,所述彩膜层包括红色膜、绿色膜和蓝色膜,通过所述红色膜、绿色膜和蓝色膜分别将导光层发出的光转换为红色光、绿色光和蓝色光。
4.根据权利要求1所述的等离子体显示面板,其特征在于,所述等离子层包括多个像素子阵列,每个所述像素子阵列中包括至少四个等离子体,至少四个所述等离子体之间阵列排布在所述基底上。
5.根据权利要求4所述的等离子体显示面板,其特征在于,所述彩膜层包括红色膜、绿色膜、蓝色膜和透明膜,通过所述红色膜、绿色膜和蓝色膜分别将导光层发出的光转换为红色光、绿色光和蓝色光,通过透明膜输出白色光。
6.根据权利要求3或5所述的等离子体显示面板,其特征在于,所述电路层包括用于产生垂直于所述等离子层的磁场发生单元,所述磁场发生单元与等离子体个数相等,且与所述等离子体在显示面板的垂直方向上位置一一对应。
7.根据权利要求6所述的等离子体显示面板,其特征在于,所述磁场发生单元包括第一晶体管和电感线圈,所述第一晶体管的控制端与扫描线连接,所述第一晶体管的输入端与电源线连接,所述第一晶体管的输出端与所述电感线圈的一端连接,所述电感线圈的另一端接地。
8.根据权利要求6所述的等离子体显示面板,其特征在于,所述等离子体为半球体,接收所述光源提供的左旋圆偏振光或者右旋圆偏振光进行发光。
9.根据权利要求1所述的等离子体显示面板,其特征在于,还包括设置在所述彩膜层的偏光片。
10.一种显示装置,其特征在于,包括装置本体,所述装置本体中设置有如权利要求1-9任意一项所述的等离子体显示面板。
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GR01 | Patent grant | ||
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