CN112509984A - 一种可用于光电子器件的防潮结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种可用于光电子器件的防潮结构及其制备方法，属于防潮薄膜结构领域；本发明的防潮薄膜结构从下到上依次为，附着面和薄膜结构，所述薄膜结构的总厚度不超过20um；所述薄膜结构是由混合溶剂、防潮剂和保护剂的混合溶液经喷涂而成；薄膜结构以质量成分计，分别为，混合溶剂：40～60％、防潮剂：30～40％、保护剂：10～20％；本发明的薄膜结构是先对光电子器件表面或基底表面进行清洗，然后分别制备混合溶剂、防潮剂和保护剂、按照比例进行混合；将混合溶液采用喷涂法喷涂到光电子器件表面或基底表面；然后烘干处理即可；通过本发明可以解决现有的SiO2防潮材料环保性不够，粘结性能较差，薄膜不均匀和出现坏点的问题。
Description
技术领域
本发明属于防潮薄膜结构领域，特别涉及一种可用于光电子器件的防潮结构及其制备方法。
背景技术
人类社会效率的提高带动了各行各业效率的提高，因而对各种设备功耗水平的要求也越来越高；因此，各种大型设备和高能耗设备越来越多的应用于各行各业和各种环境条件，环境对设备的影响在影响设备寿命的因素中所占的比例逐年加大；近几年，随着电子产品向着质轻、一体化、便携、多功能等方向发展的速度越来越快，电子设备在各类极端环境条件下工作时，器零部件和元件受环境影响而损坏进而影响整个设备寿命的问题更加突出；其中，潮湿环境对整个设备的电气性能和机械性能等的影响会随着电子设备高集成化、高密度装配和微电子化程度越来越高，以及电子线路的放大特性，而显得更加明显和致命，这会严重影响到电子设备整个行业的发展进程因此，在设计大规模集成电路和封装电子设备的过程中解决设备的防潮问题变得越来越严峻和紧迫。
目前市场上常用的有机防潮产品虽然具有一定作用，但是传统有机防潮薄膜不耐高温，在高温下容易气泡；抗冷热冲击变化能力弱，在温度差太大的环境下容易产生裂缝，并不能起到有效防护作用，因而很难满足现有产品对防潮性能的需求，加上有机分子对紫外辐照敏感，暴露于紫外光照下结构及其不稳定，导致防潮寿命短；同时由于多孔二氧化硅(SiO2)在结构和防水性方面的巨大优势已经开始广泛应用于防潮行业，目前已经使用的各种类型的SiO2材料制成的防潮膜对电子产品的防潮也有了一定的改善。
然而，现有的SiO2防潮材料所用溶剂大多含笨，同时粘结性能较差；而且，SiO2薄膜在制备的过程中容易分散不均匀，导致薄膜不均匀和出现坏点，从而提高成本和降低效率。
发明内容
针对背景技术中存在的问题，本发明的目的在于：提供了一种可用于光电子器件的防潮结构及其制备方法，解决了现有SiO2防潮材料的不足。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：本发明包括了一种可用于光电子器件的防潮结构及其制备方法，其中，一种可用于光电子器件的防潮结构，从下到上依次为，附着面和防潮薄膜结构，所述防潮薄膜结构的总厚度不超过20um；所述防潮薄膜结构是由混合溶剂、防潮剂和保护剂的混合溶液经喷涂而成；所述防潮薄膜结构以质量成分计，分别为，混合溶剂：40～60％、防潮剂：30～40％、保护剂：10～20％。
进一步的，所述附着面为光电子器件的表面或基底的表面。
进一步的，所述基底为刚性基底或柔性基底。
作为优选的，所述刚性基底为玻璃或蓝宝石。
作为优选的，所述柔性基底为金属箔、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸薄膜中的一种。
进一步的，所述混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂YGO-1204和水性乳液，其组分比例为：1:1:2:1。
进一步的，所述防潮剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷任一处理方法处理后具有稳定薄膜结构的15％水松根部萃取物和甘油混合液。
进一步的，所述保护剂为用乙二醇作为溶剂的纳米级多孔SiO2颗粒。
一种可用于光电子器件的防潮结构的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：先对光电子器件的表面或基底的表面进行清洗，包括如下分步骤：
步骤S1-1：先对光电子器件的表面或基底的表面进行清洗；
步骤S1-2：将清洗后的光电子器件的表面或基底的表面用干燥氮气吹干；
步骤S1-3：然后用氧离子对光电子器件的表面或基底的表面进行轰击；
步骤S2：分别制备混合溶剂、防潮剂和保护剂；
步骤S3：将步骤S2制备好的混合溶剂、防潮剂和保护剂按照混合溶剂：40～60％、防潮剂：30～40％、保护剂：10～20％的质量比例进行混合；
步骤S4：将步骤S3所得的混合溶液采用喷涂法喷涂到步骤S1得到的光电子器件表面或基底表面，混合溶液的浓度为2mg/ml，喷涂速率为515μL/min；
步骤S5：将步骤S4得到的薄膜结构进行80℃烘干处理5min，得到防潮薄膜结构；
步骤S6：将步骤S5得到的防潮薄膜结构进行防潮测试。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明具有以下积极的技术效果：
1、本发明所选取的加入乙二醇做溶剂的纳米级多孔SiO2具有多孔结构，溶剂绿色环保、成膜具有可弯折特性，并且利用其多孔结构增加有效比表面积的特点，能够有效的增大防潮分子的分布范围和数量，提升防潮效率；
2、本发明所选取的保护剂纳米级多孔SiO2具有的三维多孔结构和高耐热性，能够有效阻隔紫外辐照和外部高温环境对其内部防潮剂的损害，增加防潮剂的工作寿命；
3、分布于保护剂之间的为溶于甘油的天然15％水松根部萃取物，具有绿色环保无毒特性，且其不需要使用含笨或者有毒溶剂，防水氧侵蚀能力强，对极端环境适应能力强。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图，其中：
图1是本发明的一种可用于光电子器件的防潮结构薄膜的结构示意图；
图2是本发明的一种可用于光电子器件的防潮结构薄膜的制备方法示意图；
图中标记：1-混合溶剂；2-附着面。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明，即所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例一
如图1所示，所述可用于光电子器件的防潮薄膜，总厚度为20μm，混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂YGO-1204和水性乳液，防潮剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷处理后具有稳定薄膜结构，有较大接触面积和绿色环保特性的15％水松根部萃取物和甘油混合液，保护剂为用乙二醇作为溶剂的纳米级多孔SiO2颗粒；成分组成如下：
混合溶剂60％、防潮剂30％、保护剂10％；
制备方法如下：
1、先对光电子器件或待喷涂表面基底进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与膜有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的基底表面采用喷涂法喷涂浓度为2mg/ml的防潮薄膜原料混合溶液，喷涂速率为515μL/min；
3、将步骤2所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min，得到可用于光电子器件的防潮薄膜结构；
4、将步骤3所得防潮薄膜结构进行防潮测试。
实施例二
如图1所示，所述可用于光电子器件的防潮薄膜，总厚度为20μm，混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂YGO-1204和水性乳液，防潮剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷处理后具有稳定薄膜结构，有较大接触面积和绿色环保特性的15％水松根部萃取物和甘油混合液，保护剂为用乙二醇作为溶剂的纳米级多孔SiO2颗粒。成分组成如下：
混合溶剂45％、防潮剂40％、保护剂15％；
制备方法如下：
1、先对光电子器件或待喷涂表面基底进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的基底表面采用喷涂法喷涂浓度为2mg/ml的防潮薄膜原料混合溶液，喷涂速率为515μL/min；
3、将步骤2所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min，得到可用于光电子器件的防潮薄膜结构；
4、将步骤3所得防潮薄膜结构进行防潮测试。
实施例三
如图1所示，所述可用于光电子器件的防潮薄膜，总厚度为20μm，混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂YGO-1204和水性乳液，防潮剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷处理后具有稳定薄膜结构，有较大接触面积和绿色环保特性的15％水松根部萃取物和甘油混合液，保护剂为用乙二醇作为溶剂的纳米级多孔SiO2颗粒。成分组成如下：
混合溶剂55％、防潮剂35％、保护剂10％；
制备方法如下：
1、先对光电子器件或待喷涂表面基底进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的基底表面采用喷涂法喷涂浓度为2mg/ml的防潮薄膜原料混合溶液，喷涂速率为515μL/min；
3、将步骤2所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min，得到可用于光电子器件的防潮薄膜结构；
4、将步骤3所得防潮薄膜结构进行防潮测试。
实施例四
如图1所示，所述可用于光电子器件的防潮薄膜，总厚度为20μm，混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂YGO-1204和水性乳液，防潮剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷处理后具有稳定薄膜结构，有较大接触面积和绿色环保特性的15％水松根部萃取物和甘油混合液，保护剂为用乙二醇作为溶剂的纳米级多孔SiO2颗粒。成分组成如下：
混合溶剂55％、防潮剂30％、保护剂15％；
制备方法如下：
1、先对光电子器件或待喷涂表面基底进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的基底表面采用喷涂法喷涂浓度为2mg/ml的防潮薄膜原料混合溶液，喷涂速率为515μL/min；
3、将步骤2所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min，得到可用于光电子器件的防潮薄膜结构；
4、将步骤3所得防潮薄膜结构进行防潮测试。
实施例五
如图1所示，所述可用于光电子器件的防潮薄膜，总厚度为20μm，混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂YGO-1204和水性乳液，防潮剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷处理后具有稳定薄膜结构，有较大接触面积和绿色环保特性的15％水松根部萃取物和甘油混合液，保护剂为用乙二醇作为溶剂的纳米级多孔SiO2颗粒。成分组成如下：
混合溶剂50％、防潮剂40％、保护剂10％；
制备方法如下：
1、先对光电子器件或待喷涂表面基底进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的基底表面采用喷涂法喷涂浓度为2mg/ml的防潮薄膜原料混合溶液，喷涂速率为515μL/min；
3、将步骤2所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min，得到可用于光电子器件的防潮薄膜结构；
4、将步骤3所得防潮薄膜结构进行防潮测试。
实施例六
如图1所示，所述可用于光电子器件的防潮薄膜，总厚度为20μm，混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂YGO-1204和水性乳液，防潮剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷处理后具有稳定薄膜结构，有较大接触面积和绿色环保特性的15％水松根部萃取物和甘油混合液，保护剂为用乙二醇作为溶剂的纳米级多孔SiO2颗粒。成分组成如下：
混合溶剂50％、防潮剂35％、保护剂15％；
制备方法如下：
1、先对光电子器件或待喷涂表面基底进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的基底表面采用喷涂法喷涂浓度为2mg/ml的防潮薄膜原料混合溶液，喷涂速率为515μL/min；
3、将步骤2所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min，得到可用于光电子器件的防潮薄膜结构；
4、将步骤3所得防潮薄膜结构进行防潮测试。
实施例七
如图1所示，所述可用于光电子器件的防潮薄膜，总厚度为20μm，混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂YGO-1204和水性乳液，防潮剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷处理后具有稳定薄膜结构，有较大接触面积和绿色环保特性的15％水松根部萃取物和甘油混合液，保护剂为用乙二醇作为溶剂的纳米级多孔SiO2颗粒。成分组成如下：
混合溶剂50％、防潮剂30％、保护剂20％；
制备方法如下：
1、先对光电子器件或待喷涂表面基底进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的基底表面采用喷涂法喷涂浓度为2mg/ml的防潮薄膜原料混合溶液，喷涂速率为515μL/min；
3、将步骤2所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min，得到可用于光电子器件的防潮薄膜结构；
4、将步骤3所得防潮薄膜结构进行防潮测试。
实施例八
如图1所示，所述可用于光电子器件的防潮薄膜，总厚度为20μm，混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂YGO-1204和水性乳液，防潮剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷处理后具有稳定薄膜结构，有较大接触面积和绿色环保特性的15％水松根部萃取物和甘油混合液，保护剂为用乙二醇作为溶剂的纳米级多孔SiO2颗粒。成分组成如下：
混合溶剂45％、防潮剂40％、保护剂15％；
制备方法如下：
1、先对光电子器件或待喷涂表面基底进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的基底表面采用喷涂法喷涂浓度为2mg/ml的防潮薄膜原料混合溶液，喷涂速率为515μL/min；
3、将步骤2所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min，得到可用于光电子器件的防潮薄膜结构；
4、将步骤3所得防潮薄膜结构进行防潮测试。
实施例九
如图1所示，所述可用于光电子器件的防潮薄膜，总厚度为20μm，混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂YGO-1204和水性乳液，防潮剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷处理后具有稳定薄膜结构，有较大接触面积和绿色环保特性的15％水松根部萃取物和甘油混合液，保护剂为用乙二醇作为溶剂的纳米级多孔SiO2颗粒。成分组成如下：
混合溶剂45％、防潮剂35％、保护剂20％；
制备方法如下：
1、先对光电子器件或待喷涂表面基底进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的基底表面采用喷涂法喷涂浓度为2mg/ml的防潮薄膜原料混合溶液，喷涂速率为515μL/min；
3、将步骤2所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min，得到可用于光电子器件的防潮薄膜结构；
4、将步骤3所得防潮薄膜结构进行防潮测试。
实施例十
如图1所示，所述可用于光电子器件的防潮薄膜，总厚度为20μm，混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂YGO-1204和水性乳液，防潮剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷处理后具有稳定薄膜结构，有较大接触面积和绿色环保特性的15％水松根部萃取物和甘油混合液，保护剂为用乙二醇作为溶剂的纳米级多孔SiO2颗粒。成分组成如下：
混合溶剂40％、防潮剂40％、保护剂20％；
制备方法如下：
1、先对光电子器件或待喷涂表面基底进行清洗，分别利用洗涤剂、丙酮、去离子水、异丙醇进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干，然后进行氧等离子轰击处理，以保证与薄膜结构有良好的附着性；
2、将步骤1处理好的基底表面采用喷涂法喷涂浓度为2mg/ml的防潮薄膜原料混合溶液，喷涂速率为515μL/min；
3、将步骤2所得薄膜结构进行80℃烘干处理5min，得到可用于光电子器件的防潮薄膜结构；
4、将步骤3所得防潮薄膜结构进行防潮测试。
表1为纯光电子器件和喷涂有实施例1～10防潮薄膜的光电子器件在相同起始湿度和温度条件下不同时间间隔后的腐蚀程度(％)对比。
| 时间(周) | 0 | 1 | 3 | 5 | 7 | 9 |
| 纯散热器 | 1 | 93 | 87 | 71 | 64 | 59 |
| 实施例1 | 1 | 92 | 85 | 69 | 62 | 65 |
| 实施例2 | 1 | 90 | 83 | 65 | 54 | 51 |
| 实施例3 | 1 | 90 | 87 | 60 | 51 | 40 |
| 实施例4 | 1 | 93 | 81 | 64 | 56 | 50 |
| 实施例5 | 1 | 91 | 84 | 65 | 60 | 46 |
| 实施例6 | 1 | 97 | 96 | 96 | 95 | 94 |
| 实施例7 | 1 | 88 | 80 | 60 | 51 | 40 |
| 实施例8 | 1 | 91 | 80 | 61 | 52 | 45 |
| 实施例9 | 1 | 92 | 81 | 61 | 53 | 52 |
| 实施例10 | 1 | 89 | 81 | 63 | 56 | 43 |
表1
在上文中，结合具体的实施例对本发明的各种实施方式进行了描述。然而，应当得出的理解是：本发明的对各个实施例描述的用意不是对本发明的限制。以上所述仅是本发明的示范性实施例，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由权利要求确定。
Claims (9)
1.一种可用于光电子器件的防潮结构，其特征在于，从下到上依次为，附着面和防潮薄膜结构，
所述防潮薄膜结构的总厚度不超过20um；
所述防潮薄膜结构是由混合溶剂、防潮剂和保护剂的混合溶液经喷涂而成；
所述防潮薄膜结构以质量成分计，分别为，混合溶剂：40～60％、防潮剂：30～40％、保护剂：10～20％。
2.根据权利要求1所述的一种可用于光电子器件的防潮结构，其特征在于，所述附着面为基底的表面或者光电子器件的表面。
3.根据权利要求2所述的一种可用于光电子器件的防潮结构，其特征在于，所述基底为刚性基底或柔性基底。
4.根据权利要求3所述的一种可用于光电子器件的防潮结构，其特征在于，所述刚性基底为玻璃或蓝宝石。
5.根据权利要求3所述的一种可用于光电子器件的防潮结构，其特征在于，所述柔性基底为金属箔、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂或聚丙烯酸薄膜中的一种。
6.根据权利要求1所述的一种可用于光电子器件的防潮结构，其特征在于，所述混合溶剂为乙二醇、高分子聚电解质型731分散剂、硅烷偶联剂YGO-1204和水性乳液，其组分比例为：1:1:2:1。
7.根据权利要求1所述的一种可用于光电子器件的防潮结构，其特征在于，所述防潮剂为采用辊涂、LB膜法、刮涂、旋涂、滴涂、喷涂、提拉法、流延法、浸涂、喷墨打印、自组装或丝网印刷任一处理方法处理后具有稳定薄膜结构15％水松根部萃取物和甘油混合液。
8.根据权利要求1所述的一种可用于光电子器件的防潮结构，其特征在于，所述保护剂为用乙二醇作为溶剂的纳米级多孔SiO2颗粒。
9.一种可用于光电子器件的防潮结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：先对光电子器件的表面或基底的表面进行清洗，包括如下分步骤：
步骤S1-1：先对光电子器件的表面或基底的表面进行清洗；
步骤S1-2：将清洗后的光电子器件的表面或基底的表面用干燥氮气吹干；
步骤S1-3：然后用氧离子对光电子器件的表面或基底的表面进行轰击；
步骤S2：分别制备混合溶剂、防潮剂和保护剂；
步骤S3：将步骤S2制备好的混合溶剂、防潮剂和保护剂按照混合溶剂：40～60％、防潮剂：30～40％、保护剂：10～20％的质量比例进行混合；
步骤S4：将步骤S3所得的混合溶液采用喷涂法喷涂到步骤S1得到的光电子器件的表面或基底的表面，混合溶液的浓度为2mg/ml，喷涂速率为515μL/min；
步骤S5：将步骤S4得到的薄膜结构进行80℃烘干处理5min，得到防潮薄膜结构；
步骤S6：将步骤S5得到的防潮薄膜结构进行防潮测试。
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