CN112505454B - 电容寿命计算方法、系统、介质、终端、电压检测电路及驱动器 - Google Patents

电容寿命计算方法、系统、介质、终端、电压检测电路及驱动器 Download PDF

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CN112505454B CN202011344246.2A CN202011344246A CN112505454B CN 112505454 B CN112505454 B CN 112505454B CN 202011344246 A CN202011344246 A CN 202011344246A CN 112505454 B CN112505454 B CN 112505454B
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Abstract

本发明提供一种电容寿命计算方法、系统、介质、终端、电压检测电路及驱动器；所述方法包括以下步骤：获取待计算寿命的目标电容所处的当前环境温度及所述目标电容的当前表面温度；根据所述当前环境温度和所述当前表面温度，计算所述目标电容由纹波电流产生的当前温升；获取所述目标电容两端的当前电压；根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容的当前寿命；本发明能够实现对电容寿命的准确计算，从而在电容失效前对其进行及时维护，防止电容失效引起的着火等故障问题，降低因电容失效造成的损失，提高了电容使用的安全性和可靠性。

Description

电容寿命计算方法、系统、介质、终端、电压检测电路及驱动器
技术领域
本发明属于电容技术领域，特别是涉及一种电容寿命计算方法、系统、介质、终端、电压检测电路及驱动器。
背景技术
通常，PCB上有很多的元器件，用户在使用时，都希望该PCB能够正常工作很久，从而减少维修；其中，大部分的元器件工作在一个功耗很低的状态下，能够稳定运行很久，但是，有的元器件就工作在一个会持续发热的状态，所以，其寿命就会受到影响。
驱动器中的母线电容是驱动器整体寿命的短板，如何估算实际工况下，该母线电容的寿命，以在该母线电容失效前及时进行维护，防止因其失效可能引起的着火等现象，成为领域内技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种电容寿命计算方法、系统、介质、终端、电压检测电路及驱动器，用于解决现有技术中无法实现实时获取电容的寿命，导致电容在失效前未能及时进行维护，造成电容因失效而引起故障的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种电容寿命计算方法，包括以下步骤：获取待计算寿命的目标电容所处的当前环境温度及所述目标电容的当前表面温度；根据所述当前环境温度和所述当前表面温度，计算所述目标电容由纹波电流产生的当前温升；获取所述目标电容两端的当前电压；根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容的当前寿命。
于本发明的一实施例中，根据所述当前环境温度和所述当前表面温度，计算所述目标电容由纹波电流产生的当前温升的计算公式为：
ΔT＝(Ts–Tx)×Kc；
其中，ΔT表示所述当前温升；Ts表示所述当前表面温度；Tx表示所述当前环境温度；Kc表示所述目标电容的折算系数。
于本发明的一实施例中，根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容的当前寿命包括以下步骤：根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容对应每一工况下的使用寿命；根据每一所述工况下的工作时间，计算对应每一所述工况下，所述目标电容消耗寿命的百分比；将各所述工况下，所述消耗寿命的百分比累加，获取所述目标电容的总消耗寿命的百分比；根据所述总消耗寿命的百分比，计算所述目标电容的当前寿命。
于本发明的一实施例中，计算所述目标电容对应每一工况下的使用寿命的计算公式为：
Figure BDA0002799382740000021
其中，Lx表示所述使用寿命；L表示额定寿命；To表示额定温度；Tx表示所述当前环境温度；△To表示所述目标电容的最大允许温升；△T表示所述当前温升；Vo表示所述目标电容的最大允许电压；Vx表示所述当前电压；计算对应每一所述工况下，所述消耗寿命的百分比的计算公式为：
X＝tx/Lx；
其中，X表示所述消耗寿命的百分比；tx表示所述工作时间；Lx表示所述使用寿命；根据所述总消耗寿命的百分比，计算所述目标电容的当前寿命的计算公式为：
W＝(1-Y)×Lx′；
Y＝X1+X2+…Xi…+Xn；
其中，W表示所述当前寿命；Y表示所述总消耗寿命的百分比；Lx′表示对应当前工况下，所述目标电容的使用寿命；Xi表示对应工况i下，所述消耗寿命的百分比；i的值从1取到n。
本发明提供一种电容寿命计算系统，包括：第一获取模块、第一计算模块、第二获取模块及第二计算模块；所述第一获取模块用于获取待计算寿命的目标电容所处的当前环境温度及所述目标电容的当前表面温度；所述第一计算模块用于根据所述当前环境温度和所述当前表面温度，计算所述目标电容由纹波电流产生的当前温升；所述第二获取模块用于获取所述目标电容两端的当前电压；所述第二计算模块用于根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容的当前寿命。
本发明提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的电容寿命计算方法。
本发明提供一种终端，包括：处理器及存储器；所述存储器用于存储计算机程序；所述处理器用于执行所述存储器存储的计算机程序，以使所述终端执行上述的电容寿命计算方法。
本发明提供一种电压检测电路，包括：电阻模块和控制单元；所述电阻模块与待计算寿命的目标电容并联连接，所述电阻模块包括至少两个电阻，所述至少两个电阻依次串联连接；所述控制单元与所述电阻模块中相邻两个所述电阻之间的待测点连接，用于获取所述待测点处的直流电压，并根据所述直流电压和所述至少两个电阻的阻值，计算出所述目标电容两端的当前电压。
本发明提供一种驱动器，包括上述的终端、上述的电压检测电路、第一温度传感器及第二温度传感器；其中，所述驱动器的母线电容作为目标电容；所述电压检测电路分别与所述终端和所述目标电容连接，用于获取所述目标电容两端的当前电压，并将所述当前电压发送至所述终端；所述第一温度传感器设置在所述驱动器上，且与所述终端连接，用于采集所述目标电容所处的当前环境温度，并将所述当前环境温度发送至所述终端；所述第二温度传感器设置在所述目标电容上，且与所述终端连接，用于采集所述目标电容的当前表面温度，并将所述当前表面温度发送至所述终端。
于本发明的一实施例中，所述第一温度传感器的位置在距离所述目标电容位置的1cm～3cm处；所述第二温度传感器设置在所述目标电容的中间。
如上所述，本发明所述的电容寿命计算方法、系统、介质、终端、电压检测电路及驱动器，具有以下有益效果：
与现有技术相比，本发明能够实现对电容寿命的准确计算，从而在电容失效前对其进行及时维护，防止电容失效引起的着火等故障问题，降低因电容失效造成的损失，提高了电容使用的安全性和可靠性。
附图说明
图1显示为本发明的电容寿命计算方法于一实施例中的流程图。
图2显示为本发明的电压检测电路于一实施例中的电路图。
图3显示为本发明的计算目标电容的当前寿命于一实施例中的流程图。
图4显示为本发明的电容寿命计算系统于一实施例中的结构示意图。
图5显示为本发明的终端于一实施例中的结构示意图。
图6显示为本发明的电压检测电路于一实施例中的结构示意图。
图7显示为本发明的驱动器于一实施例中的结构示意图。
标号说明
21 电阻模块
22 控制单元
41 第一获取模块
42 第一计算模块
43 第二获取模块
44 第二计算模块
51 处理器
52 存储器
61 电阻模块
62 控制单元
71 终端
72 电压检测电路
73 第一温度传感器
74 第二温度传感器
S1～S4 步骤
S41～S44 步骤
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明的电容寿命计算方法、系统、介质、终端、电压检测电路及驱动器，与现有技术相比，本发明能够实现对电容寿命的准确计算，从而在电容失效前对其进行及时维护，防止电容失效引起的着火等故障问题，降低因电容失效造成的损失，提高了电容使用的安全性和可靠性。
如图1所示，于一实施例中，本发明的电容寿命计算方法包括以下步骤：
步骤S1、获取待计算寿命的目标电容所处的当前环境温度及所述目标电容的当前表面温度。
具体地，通过温度传感器采集该目标电容所处的当前环境温度及该目标电容的当前表面温度。
优选地，用于采集该当前环境温度的温度传感器设置在距离该目标电容位置的1cm～3cm处，以保证采集的当前环境温度更接近该目标电容实际所处的环境温度，从而提高了后续该目标电容寿命计算结果的准确可靠性。
于一实施例中，用于采集该当前表面温度的温度传感器贴设在该目标电容的表面；优选地，该温度传感器设在该目标电容的中间，使该温度传感器采集的温度能够更好地反映该目标电容的实际工作温度，使后续该目标电容的寿命计算结果更加准确可靠。
步骤S2、根据所述当前环境温度和所述当前表面温度，计算所述目标电容由纹波电流产生的当前温升。
于一实施例中，根据所述当前环境温度和所述当前表面温度，计算所述目标电容由纹波电流产生的当前温升的计算公式为：
ΔT＝(Ts–Tx)×Kc；
其中，ΔT表示所述当前温升；Ts表示所述当前表面温度；Tx表示所述当前环境温度；Kc表示所述目标电容的折算系数，为一定量，是该目标电容的一参数，由该目标电容的元器件供应商提供。
步骤S3、获取所述目标电容两端的当前电压。
如图2所示，于一实施例中，通过电压检测电路获取该目标电容两端的当前电压。
于本实施例中，该目标电容为电解电容E1。
具体地，在该电解电容E1的两端并联一电阻模块21，该电阻模块21包括至少两个依次串联连接的电阻，该电阻模块21中相邻两个所述电阻之间的待测点与一控制单元22连接，以使该控制单元22获取该待测点处的直流电压，并根据该直流电压和该至少两个电阻的阻值，计算出该目标电容两端的当前电压。
如图2所示，于一实施例中，该电阻模块21包括五个依次串联连接的电阻，分别为R1、R2、R3、R4、R5，取电阻R1和电阻R2之间任一连接点作为该待测点，将其与控制单元22连接，该控制单元22获取的该待测点处的直流电压记为VDC，根据该VDC和该五个电阻R1、R2、R3、R4、R5的阻值，计算该目标电容两端的当前电压Vx的计算公式如下：
Figure BDA0002799382740000051
由上述公式可得，
Figure BDA0002799382740000061
需要说明的是，可以电阻R1、R2、R3、R4、R5中任意相邻两个电阻之间的一连接点作为该待测点，具体选择哪一连接点作为该待测点(对应图2中虚线与电阻模块21的交点，均可作为待测点)，不作为限制本发明的条件，可视实际应用场景来定，只要保证该待测点处对应的直流电压VDC不大于该控制单元22允许的最大输入电压即可，以避免对控制单元22造成损伤。
进一步地，还可在该电阻模块21与该控制单元22之间增加一电压采样单元，用于对待测点处的直流电压VDC进行比例转换，使转换后的电压信号不大于该控制单元22允许的最大输入电压。
需要说明的是，该电压采样单元是领域内现有的技术手段，用于实现对电压信号的比例转换，其具体的电路结构、连接关系及工作原理不作为限制本发明的条件，所以，在此也不再详细赘述。
需要说明的是，该电阻模块21中的电阻是起到分压的作用，用于分压的电阻的数量不限，设置多个电阻的目的是减少每个电阻承受的电压，以及保障分压后的待测点处的VDC信号不大于控制单元22允许的最大输入电压；同样，如果能够保证该目标电容两端的当前电压Vx不大于控制单元22允许的最大输入电压，则也可以将该目标电容的一端直接与控制单元22连接，从而使该控制单元22可以直接获取该目标电容两端的当前电压Vx。
于一实施例中，该控制单元22采用控制芯片。
需要说明的是，该控制芯片为领域内现有的技术手段，其具体的结构及工作原理不作为限制本发明的条件，所以，在此也不再赘述。
需要说明的是，该步骤S3的执行顺序可以在步骤S2之后，也可以在步骤S2与步骤S1之间，或者也可以在步骤S1之前，其具体的执行顺序不作为限制本发明的条件，只要保证经步骤S1～步骤S3之后，能够获取当前环境温度、当前温升及当前电压，以用于后续电容寿命的计算即可。
步骤S4、根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容的当前寿命。
如图3所示，于一实施例中，根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容的当前寿命包括以下步骤：
步骤S41、根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容对应每一工况下的使用寿命。
于一实施例中，计算所述目标电容对应每一工况下的使用寿命的计算公式为：
Figure BDA0002799382740000071
其中，Lx表示所述使用寿命；L表示额定寿命；To表示额定温度；Tx表示所述当前环境温度；△To表示所述目标电容的最大允许温升；△T表示所述当前温升；Vo表示所述目标电容的最大允许电压；Vx表示所述当前电压。
需要说明的是，上述公式中的L、To、△To、Vo均为该目标电容的参数(已知定量)，一般在元器件的规格书或目录中有记载；诸如，以Capxon UJ系列电解电容为例，其电容参数为450V 820μF，根据规格书可知，L＝2000小时；To＝105℃；△To＝5℃；Vo＝450V；Kc＝1.1。
需要说明的是，对应不同的工况，该目标电容实际的使用寿命可能相同，也可能不同；诸如，对应一目标电容，该目标电容的供应商会提供一个在最严酷工况下的寿命—2000小时，则当温度下降、工作电压下降或工作负载下降，都会使该目标电容的使用寿命指数(2000小时)上升，所以，不同工况下就会有不同的使用寿命。
步骤S42、根据每一所述工况下的工作时间，计算对应每一所述工况下，所述目标电容消耗寿命的百分比。
于一实施例中，计算对应每一所述工况下，所述消耗寿命的百分比的计算公式为：
X＝tx/Lx；
其中，X表示所述消耗寿命的百分比；tx表示所述工作时间；Lx表示所述使用寿命。
需要说明的是，在每一工况下，该目标电容实际的驱动运行时间(工作时间)可能相同，也可能不同，因对应每一工况，该目标电容的使用寿命也可能存在区别，所以，需计算对应每一工况下，该目标电容消耗寿命的百分比。
下面通过具体实施例来进一步解释说明步骤S42。
实施例一
于本实施例中的工况下，经步骤S41计算该工况下，对应该目标电容的使用寿命为10000小时，且在该工况下，使用了2小时，则经步骤S42计算得到的，在该工况下，该目标电容的消耗寿命的百分比为2/10000。
实施例二
于本实施例中的工况下，经步骤S41计算该工况下，对应该目标电容的使用寿命为20000小时，且在该工况下，使用了2小时，则经步骤S42计算得到的，在该工况下，该目标电容的消耗寿命的百分比为2/20000。
进一步地，该电容寿命计算方法还包括将经步骤S42计算所得的，对应每一工况下，该目标电容消耗寿命的百分比存储至EEPROM中。
步骤S43、将各所述工况下，所述消耗寿命的百分比累加，获取所述目标电容的总消耗寿命的百分比。
参考实施例一和实施例二，将实施例一和实施例二中计算所得的消耗寿命的百分比进行累加，得到该目标电容经实施例一中的工况和实施例二中的工况后，所对应的总消耗寿命的百分比为3/10000(2/10000+2/20000)。
步骤S44、根据所述总消耗寿命的百分比，计算所述目标电容的当前寿命。
于一实施例中，根据所述总消耗寿命的百分比，计算所述目标电容的当前寿命的计算公式为：
W＝(1-Y)×Lx′；
Y＝X1+X2+…Xi…+Xn；
其中，W表示所述当前寿命；Y表示所述总消耗寿命的百分比；Lx′表示对应当前工况下，所述目标电容的使用寿命；Xi表示对应工况i下，所述消耗寿命的百分比；i的值从1取到n。
需要说明的是，本发明所述的电容寿命计算方法的保护范围不限于本实施例列举的步骤执行顺序，凡是根据本发明的原理所做的现有技术的步骤增减、步骤替换所实现的方案都包括在本发明的保护范围内。
如图4所示，于一实施例中，本发明的电容寿命计算系统包括第一获取模块41、第一计算模块42、第二获取模块43及第二计算模块44。
所述第一获取模块41用于获取待计算寿命的目标电容所处的当前环境温度及所述目标电容的当前表面温度。
所述第一计算模块42用于根据所述当前环境温度和所述当前表面温度，计算所述目标电容由纹波电流产生的当前温升。
所述第二获取模块43用于获取所述目标电容两端的当前电压。
所述第二计算模块44用于根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容的当前寿命。
需要说明的是，所述第一获取模块41、所述第一计算模块42、所述第二获取模块43及所述第二计算模块44的结构及原理与上述电容寿命计算方法中的步骤(步骤S1～步骤S4)一一对应，故在此不再赘述。
需要说明的是，应理解以上系统的各个模块的划分仅仅是一种逻辑功能的划分，实际实现时可以全部或部分集成到一个物理实体上，也可以物理上分开。且这些模块可以全部以软件通过处理元件调用的形式实现；也可以全部以硬件的形式实现；还可以部分模块通过处理元件调用软件的形式实现，部分模块通过硬件的形式实现。例如，x模块可以为单独设立的处理元件，也可以集成在上述系统的某一个芯片中实现，此外，也可以以程序代码的形式存储于上述系统的存储器中，由上述系统的某一个处理元件调用并执行以上x模块的功能。其它模块的实现与之类似。此外这些模块全部或部分可以集成在一起，也可以独立实现。这里所述的处理元件可以是一种集成电路，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤或以上各个模块可以通过处理器元件中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。
例如，以上这些模块可以是被配置成实施以上方法的一个或多个集成电路，例如：一个或多个特定集成电路(Application Specific Integrated Circuit，简称ASIC)，或，一个或多个数字信号处理器(Digital Singnal Processor，简称DSP)，或，一个或者多个现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，简称FPGA)等。再如，当以上某个模块通过处理元件调度程序代码的形式实现时，该处理元件可以是通用处理器，例如中央处理器(Central Processing Unit，简称CPU)或其它可以调用程序代码的处理器。再如，这些模块可以集成在一起，以片上系统(system-on-a-chip，简称SOC)的形式实现。
本发明的存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的电容寿命计算方法。所述存储介质包括：ROM、RAM、磁碟、U盘、存储卡或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
如图5所示，本发明的终端包括处理器51及存储器52。
所述存储器52用于存储计算机程序；优选地，所述存储器52包括：ROM、RAM、磁碟、U盘、存储卡或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
所述处理器51与所述存储器52相连，用于执行所述存储器52存储的计算机程序，以使所述终端执行上述的电容寿命计算方法。
优选地，所述处理器51可以是通用处理器，包括中央处理器(Central ProcessingUnit，简称CPU)、网络处理器(Network Processor，简称NP)等；还可以是数字信号处理器(Digital Signal Processor，简称DSP)、专用集成电路(Application SpecificIntegrated Circuit，简称ASIC)、现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，简称FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。
需要说明的是，本发明的电容寿命计算系统可以实现本发明的电容寿命计算方法，但本发明的电容寿命计算方法的实现装置包括但不限于本实施例列举的电容寿命计算系统的结构，凡是根据本发明的原理所做的现有技术的结构变形和替换，都包括在本发明的保护范围内。
如图6所示，于一实施例中，本发明的电压检测电路包括电阻模块61和控制单元62。
所述电阻模块61与待计算寿命的目标电容并联连接，所述电阻模块61包括至少两个电阻，所述至少两个电阻依次串联连接。
所述控制单元62与所述电阻模块61中相邻两个所述电阻之间的待测点连接，用于获取所述待测点处的直流电压，并根据所述直流电压和所述至少两个电阻的阻值，计算出所述目标电容两端的当前电压。
需要说明的是，该电压检测电路与前述步骤S3中，用于获取目标电容两端的当前电压的电压检测电路工作原理相同，在此不再赘述。
如图7所示，于一实施例中，本发明的驱动器包括上述的终端71、上述的电压检测电路72、第一温度传感器73及第二温度传感器74。
其中，所述驱动器的母线电容作为目标电容。
具体地，所述电压检测电路72分别与所述终端71和所述目标电容连接，用于获取所述目标电容两端的当前电压，并将所述当前电压发送至所述终端71。
具体地，所述第一温度传感器73设置在所述驱动器上，且与所述终端71连接，用于采集所述目标电容所处的当前环境温度，并将所述当前环境温度发送至所述终端71。
于一实施例中，所述第一温度传感器73的位置在距离所述目标电容位置的1cm～3cm处。
具体地，所述第二温度传感器74设置在所述目标电容上，且与所述终端71连接，用于采集所述目标电容的当前表面温度，并将所述当前表面温度发送至所述终端71。
于一实施例中，所述第二温度传感器74设置在所述目标电容的中间。
需要说明的是，将上述的电容寿命计算方法应用在该驱动器中的母线电容上，用于实现对该母线电容寿命的准确计算，其具体的工作原理参考前述电容寿命的计算方法，在此不再赘述。
需要说明的是，驱动器中母线电容的寿命是影响该驱动器整体寿命的重要因素，通过对该母线电容的寿命进行实时计算，以在该母线电容失效前及时对其进行维护，防止因其失效可能引起的着火、电弧等现象，从而降低因失效造成的损失，提高了该驱动器在工作过程中的安全可靠性。
综上所述，本发明的电容寿命计算方法、系统、介质、终端、电压检测电路及驱动器，与现有技术相比，本发明能够实现对电容寿命的准确计算，从而在电容失效前对其进行及时维护，防止电容失效引起的着火等故障问题，降低因电容失效造成的损失，提高了电容使用的安全性和可靠性；所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (7)

1.一种电容寿命计算方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取待计算寿命的目标电容所处的当前环境温度及所述目标电容的当前表面温度；
根据所述当前环境温度和所述当前表面温度，计算所述目标电容由纹波电流产生的当前温升；
获取所述目标电容两端的当前电压；
根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容的当前寿命；根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容的当前寿命包括以下步骤：
根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容对应每一工况下的使用寿命；计算所述目标电容对应每一工况下的使用寿命的计算公式为：
Figure FDA0003790694660000011
其中，Lx表示所述使用寿命；L表示额定寿命；To表示额定温度；Tx表示所述当前环境温度；△To表示所述目标电容的最大允许温升；△T表示所述当前温升；Vo表示所述目标电容的最大允许电压；Vx表示所述当前电压；
根据每一所述工况下的工作时间，计算对应每一所述工况下，所述目标电容消耗寿命的百分比；计算对应每一所述工况下，所述消耗寿命的百分比的计算公式为：
X＝tx/Lx；
其中，X表示所述消耗寿命的百分比；tx表示所述工作时间；Lx表示所述使用寿命；
将各所述工况下，所述消耗寿命的百分比累加，获取所述目标电容的总消耗寿命的百分比；
根据所述总消耗寿命的百分比，计算所述目标电容的当前寿命；根据所述总消耗寿命的百分比，计算所述目标电容的当前寿命的计算公式为：
W＝(1-Y)×Lx'；
Y＝X1+X2+…Xi…+Xn；
其中，W表示所述当前寿命；Y表示所述总消耗寿命的百分比；Lx'表示对应当前工况下，所述目标电容的使用寿命；Xi表示对应工况i下，所述消耗寿命的百分比；i的值从1取到n。
2.根据权利要求1所述的电容寿命计算方法，其特征在于，根据所述当前环境温度和所述当前表面温度，计算所述目标电容由纹波电流产生的当前温升的计算公式为：
ΔT＝(Ts–Tx)×Kc；
其中，ΔT表示所述当前温升；Ts表示所述当前表面温度；Tx表示所述当前环境温度；Kc表示所述目标电容的折算系数。
3.一种电容寿命计算系统，其特征在于，包括：第一获取模块、第一计算模块、第二获取模块及第二计算模块；
所述第一获取模块用于获取待计算寿命的目标电容所处的当前环境温度及所述目标电容的当前表面温度；
所述第一计算模块用于根据所述当前环境温度和所述当前表面温度，计算所述目标电容由纹波电流产生的当前温升；
所述第二获取模块用于获取所述目标电容两端的当前电压；
所述第二计算模块用于根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容的当前寿命；根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容的当前寿命包括以下步骤：
根据所述当前环境温度、所述当前温升及所述当前电压，计算所述目标电容对应每一工况下的使用寿命；计算所述目标电容对应每一工况下的使用寿命的计算公式为：
Figure FDA0003790694660000021
其中，Lx表示所述使用寿命；L表示额定寿命；To表示额定温度；Tx表示所述当前环境温度；△To表示所述目标电容的最大允许温升；△T表示所述当前温升；Vo表示所述目标电容的最大允许电压；Vx表示所述当前电压；
根据每一所述工况下的工作时间，计算对应每一所述工况下，所述目标电容消耗寿命的百分比；计算对应每一所述工况下，所述消耗寿命的百分比的计算公式为：
X＝tx/Lx；
其中，X表示所述消耗寿命的百分比；tx表示所述工作时间；Lx表示所述使用寿命；
将各所述工况下，所述消耗寿命的百分比累加，获取所述目标电容的总消耗寿命的百分比；
根据所述总消耗寿命的百分比，计算所述目标电容的当前寿命；根据所述总消耗寿命的百分比，计算所述目标电容的当前寿命的计算公式为：
W＝(1-Y)×Lx'；
Y＝X1+X2+…Xi…+Xn；
其中，W表示所述当前寿命；Y表示所述总消耗寿命的百分比；Lx'表示对应当前工况下，所述目标电容的使用寿命；Xi表示对应工况i下，所述消耗寿命的百分比；i的值从1取到n。
4.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至2中任一项所述的电容寿命计算方法。
5.一种终端，其特征在于，包括：处理器及存储器；
所述存储器用于存储计算机程序；
所述处理器用于执行所述存储器存储的计算机程序，以使所述终端执行权利要求1至2中任一项所述的电容寿命计算方法。
6.一种驱动器，其特征在于，包括权利要求5中所述的终端、电压检测电路、第一温度传感器及第二温度传感器；其中，所述驱动器的母线电容作为目标电容；
所述电压检测电路分别与所述终端和所述目标电容连接，用于获取所述目标电容两端的当前电压，并将所述当前电压发送至所述终端；
所述第一温度传感器设置在所述驱动器上，且与所述终端连接，用于采集所述目标电容所处的当前环境温度，并将所述当前环境温度发送至所述终端；
所述第二温度传感器设置在所述目标电容上，且与所述终端连接，用于采集所述目标电容的当前表面温度，并将所述当前表面温度发送至所述终端；所述电压检测电路包括：电阻模块和控制单元；
所述电阻模块与待计算寿命的目标电容并联连接，所述电阻模块包括至少两个电阻，所述至少两个电阻依次串联连接；
所述控制单元与所述电阻模块中相邻两个所述电阻之间的待测点连接，用于获取所述待测点处的直流电压，并根据所述直流电压和所述至少两个电阻的阻值，计算出所述目标电容两端的当前电压。
7.根据权利要求6所述的驱动器，其特征在于，所述第一温度传感器的位置在距离所述目标电容位置的1cm～3cm处；所述第二温度传感器设置在所述目标电容的中间。
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