CN112480451A - 聚合物基太赫兹空间光调制器及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了聚合物基太赫兹空间光调制器及其制备方法，所述方法包括：(1)采用溶液法制备P(VDF‑TrFE)薄膜；(2)将所述P(VDF‑TrFE)薄膜置于150～300摄氏度下静置，退火，以便得到聚合物基太赫兹空间光调制器。与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：本发明制备的空间光调制器以高取向度的结晶P(VDF‑TrFE)作为功能层，具有良好的稳定性；具有高空间分辨率，最小分辨尺寸为200nm；对于太赫兹波段光具有空间选择性吸收，开关比可达10。本发明有效开拓了空间光调制作用在太赫兹波段的应用，具有良好的开关效应与空间分辨率，有利于其在太赫兹空间光调制器件与其柔性器件领域的实际应用。

Description

聚合物基太赫兹空间光调制器及其制备方法
技术领域
本发明属于空间光调制器领域，具体涉及一种聚合物基太赫兹空间光调制器及其制备方法。
背景技术
光信息处理是一种近年来高速发展的新兴技术。光波作为载荷信息，其传播频率高，信号本身具有较大带宽；同时光波抗干扰性好，多束光可在空间中重叠而不互扰，因此可使用并行传播的方式对载荷信息进行传递与处理，使得信息处理容量大、速度高。
空间光调制器是一类对光波的空间分布进行调制的器件，可对光波的振幅、相位、偏振、频率等特性的一维或二维分布进行空间和时间的变换或调制，从而将源信号所运载的信息写进光束之中。
目前，实现空间光调制功能主要利用电吸收调制、光电调制、液晶调制等技术，但其调制波段主要限制在可见光区域(390-780nm)，对其他波段不显现明显调制作用。太赫兹光(波段0.03-3mm)具有高通过性、高时域信噪比、高带宽的特点，近年来在通讯、成像、传感等领域快速发展。然而，由于太赫兹光的高通过性，该波段的空间光调制方法仍为空白。
因此，既要产生对太赫兹光的吸收，同时又要具有高空间分辨率的材料，是目前太赫兹空间光调制器所急需的。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种聚合物基太赫兹空间光调制器及其制备方法，该方法通过将P(VDF-TrFE)进行超薄沉积与熔融结晶，可制备出具有高度取向的聚合物结晶薄膜。所获得薄膜具有对太赫兹光的高空间分辨率与空间周期性吸收，易于满足太赫兹频域的空间光调制器的要求。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种制备聚合物基太赫兹空间光调制器的方法。根据本发明的实施例，所述方法包括：
(1)采用溶液法制备P(VDF-TrFE)薄膜；
(2)将所述P(VDF-TrFE)薄膜置于150～300摄氏度下静置，退火，以便得到聚合物基太赫兹空间光调制器。
根据本发明实施例的制备聚合物基太赫兹空间光调制器的方法，通过简单的溶液法与热处理，将P(VDF-TrFE)进行超薄沉积与熔融结晶，可制备出具有高度取向的聚合物结晶薄膜，制备方法具有简单、低能耗、低污染的特点。制备得到的薄膜具有对太赫兹光的高空间分辨率与空间周期性吸收，易于满足太赫兹频域的空间光调制器的要求。与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：本发明制备的空间光调制器以高取向度的结晶P(VDF-TrFE)作为功能层，具有良好的稳定性；具有高空间分辨率，最小分辨尺寸为200nm；对于太赫兹波段光具有空间选择性吸收，开关比可达10。本发明有效开拓了空间光调制作用在太赫兹波段的应用，具有良好的开关效应与空间分辨率，有利于其在太赫兹空间光调制器件与其柔性器件领域的实际应用。
另外，根据本发明上述实施例的制备聚合物基太赫兹空间光调制器的方法还可以具有如下附加的技术特征：
在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述溶液法选自刮涂法、旋涂法和朗格缪尔-布洛杰特法中的至少之一。
在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述P(VDF-TrFE)薄膜的厚度不大于120nm。
在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述制备P(VDF-TrFE)薄膜采用的基片的材质选自玻璃、(111)取向硅、(110)取向硅、非晶硅、铂/硅基片、二氧化硅/硅基片、聚酰亚胺和聚对苯二甲酸乙二酯中的至少之一。其中，聚酰亚胺和聚对苯二甲酸乙二酯为柔性基片，相较传统的硬质基片，柔性基片具有良好的柔性，能够使用柔性基片继续空间光调制器的制备，有利于器件向柔性电子器件的集成。
在本发明的一些实施例中，所述基片的厚度为1μm～5mm。
在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述P(VDF-TrFE)的分子量为5～100万，优选47万。
在本发明的一些实施例中，所述P(VDF-TrFE)包括VDF与TrFE两种共聚单元，所述VDF与TrFE的摩尔比为50:50～90:10。
在本发明的一些实施例中，所述VDF与TrFE的摩尔比为50:50、60:40、70:30、80:20或者90:10。
在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述溶液法采用挥发性有机溶剂。
在本发明的一些实施例中，所述挥发性有机溶剂选自甲基乙基酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、磷酸三乙酯和丙酮中的至少之一。
在本发明的一些实施例中，所述溶液法中的溶液的质量分数为0～8％，优选2.5％。
在本发明的一些实施例中，在步骤(2)中，将所述P(VDF-TrFE)薄膜置于150～300摄氏度下静置0.1～48h，优选0.5h。
在本发明的一些实施例中，在步骤(2)中，将所述P(VDF-TrFE)薄膜置于200摄氏度下静置0.5h。
在本发明的一些实施例中，在步骤(2)中，所述退火的结束温度为75摄氏度以下，优选25摄氏度。
在本发明的一些实施例中，所述退火的降温速率为10摄氏度/分钟以下，优选0.5摄氏度/分钟。
在本发明的再一个方面，本发明提出了一种聚合物基太赫兹空间光调制器。根据本发明的实施例，所述聚合物基太赫兹空间光调制器是采用以上实施例所述的方法制备得到的。由此，本发明制备的空间光调制器以高取向度的结晶P(VDF-TrFE)作为功能层，具有良好的稳定性；具有高空间分辨率，最小分辨尺寸为200nm；对于太赫兹波段光具有空间选择性吸收，开关比可达10。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为实施例1中P(VDF-TrFE)空间光调制器的形貌与面内电极化分布图，其中，(a)为高温静置后退火薄膜的形貌；(b)为高温静置后退火薄膜的面内电极化分布图；(c)为退火薄膜内单晶取向与面内电极化分布示意图；(d)为单个晶粒内的面内电极化分布图。
图2为本发明中太赫兹光方向与面内电极化方向夹角与激发程度的示意图，其中，(a)为不同太赫兹光方向与P(VDF-TrFE)分子结构共振偶极矩示意图；(b)为P(VDF-TrFE)分子结构共振偶极矩与面内电极化方向示意图。
图3为实施例2中P(VDF-TrFE)空间光调制器对太赫兹光吸收的空间分布，其中，(a)为空间光调制器与太赫兹光的几何关系示意图；(b)为空间光调制器对太赫兹光的空间吸收分布图；(c)为在极坐标下太赫兹光吸收沿径长方向的吸收分布图；(d)为在极坐标下太赫兹光吸收沿径长方向的吸收曲线；(e)为在极坐标下太赫兹光吸收沿径角方向的吸收分布图；(f)为在极坐标下太赫兹光吸收沿径角方向的吸收曲线。
图4为实施例3中P(VDF-TrFE)空间光调制器薄膜对广角X光的散射信息与透射电子显微镜下拍摄的选区电子衍射图案。
图5为实施例4、5、6中P(VDF-TrFE)空间光调制器薄膜的形貌与面内电极化分布图，其中，(a)为实施例4的空间光调制器薄膜的形貌图；(b)为实施例4的空间光调制器薄膜的面内电极化分布；(c)为实施例5的空间光调制器薄膜的形貌；(d)为实施例5的空间光调制器薄膜的面内电极化分布；(e)为实施例6的空间光调制器薄膜的形貌；(f)为实施例6的空间光调制器薄膜的面内电极化分布。
图6为实施例7、8中P(VDF-TrFE)空间光调制器的光镜照片、表面形貌与面内电极化分布。(a)为实施例7的P(VDF-TrFE)空间光调制器的光镜照片；(b)为实施例8的P(VDF-TrFE)空间光调制器的光镜照片；(c)为实施例8的P(VDF-TrFE)空间光调制器的表面形貌；(d)为实施例8的P(VDF-TrFE)空间光调制器的面内电极化分布。
图7为本发明实施例制备聚合物基太赫兹空间光调制器的方法流程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种制备聚合物基太赫兹空间光调制器的方法。根据本发明的实施例，参考附图7，所述方法包括：
S100：采用溶液法制备P(VDF-TrFE)薄膜
在该步骤中，采用溶液法制备P(VDF-TrFE)薄膜。在本发明的实施例中，上述溶液法的具体类型并不受特别限制，只要能制备P(VDF-TrFE)薄膜，本领域人员可根据实际需要随意选择，作为一种优选的方案，所述溶液法选自刮涂法、旋涂法和朗格缪尔-布洛杰特法中的至少之一。进一步地，所述P(VDF-TrFE)薄膜的厚度不大于120nm。由此，所得薄膜的晶体取向度高，有利于实现对太赫兹光的空间调制作用。发明人发现，如果薄膜厚度大于120nm，薄膜内的晶体取向紊乱，无法实现对太赫兹光的调制。
在本发明的实施例中，制备P(VDF-TrFE)薄膜所用基片为平整基片，所述基片的材质种类并不受特别限制，本领域人员可根据实际需要随意选择，不仅选择传统的硬质基片如玻璃、(111)取向硅、(110)取向硅、非晶硅、铂/硅基片、二氧化硅/硅基片，还可以选择柔性基片如聚酰亚胺与聚对苯二甲酸乙二酯，由此，相较传统的硬质基片，上柔性基片具有良好的柔性，能够使用柔性基片继续空间光调制器的制备，有利于器件向柔性电子器件的集成。进一步地，所述基片的厚度为1μm-5mm。
在本发明的实施例中，上述P(VDF-TrFE)的分子量并不受特别限制，本领域人员可根据实际需要随意选择，作为一种优选的方案，所述P(VDF-TrFE)的分子量为5～100万，更优选47万。进一步地，所述P(VDF-TrFE)包括VDF与TrFE两种共聚单元，所述VDF与TrFE的摩尔比为50:50～90:10。优选地，所述VDF与TrFE的摩尔比为50:50、60:40、70:30、80:20或者90:10。
在本发明的实施例中，所述溶液法采用挥发性有机溶剂，所述挥发性有机溶剂的具体种类并不受特别限制，本领域人员可根据实际需要随意选择，作为一种优选的方案，所述挥发性有机溶剂选自甲基乙基酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、磷酸三乙酯和丙酮中的至少之一。同样地，所述溶液法中的溶液的质量分数的具体数值并不受特别限制，本领域人员可根据实际需要随意选择，作为一种优选的方案，所述溶液法中的溶液的质量分数为0～8％(但不可为0)，更优选2.5％。由此，在该溶液质量分数区间可利于控制薄膜的厚度在120nm以下，便于增强薄膜的结晶取向度。
S200：将所述P(VDF-TrFE)薄膜置于150～300摄氏度下静置，退火
在该步骤中，将所述P(VDF-TrFE)薄膜置于150～300摄氏度下静置，使P(VDF-TrFE)得以充分熔融且不发生热分解。发明人发现，在150摄氏度以下P(VDF-TrFE)无法充分熔融，在300摄氏度以下P(VDF-TrFE)将发生热分解。随后退火，诱导薄膜内P(VDF-TrFE)进行再结晶，在厚度的限制作用下得到具有良好取向度的结晶薄膜。在高温静置与退火处理后，可得到聚合物基太赫兹空间光调制器。
在本发明的实施例中，将所述P(VDF-TrFE)薄膜置于150～300摄氏度下静置的时间并不受特别限制，本领域人员可根据实际需要随意选择，作为一种优选的方案，所述P(VDF-TrFE)薄膜置于150～300摄氏度下静置0.1～48h，更优选0.5h。由此，保证P(VDF-TrFE)充分熔融且不热分解。发明人发现，退火温度较低时增加时间也可以保证充分熔融；退火温度较高时减小时间可避免P(VDF-TrFE)热分解。
在本发明的实施例中，退火的结束温度不受特别限制，本领域人员可根据实际需要随意选择，作为一种优选的方案，所述退火的结束温度为75摄氏度以下，以保证薄膜内的结晶过程充分进行，更优选25摄氏度。进一步地，所述退火的降温速率为10摄氏度/分钟以下，以保证薄膜内的结晶过程充分进行，优选0.5摄氏度/分钟。发明人发现，降温速率越慢结晶过程越充分。降温速度太大会导致结晶不充分，薄膜结晶质量差。降温速度越小薄膜质量越好，只是耗能耗时。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明制备的空间光调制器以高取向度的结晶P(VDF-TrFE)作为功能层，具有良好的稳定性。
本发明制备的空间光调制器可选择柔性绕卷膜作为基底，具有良好的柔性。
本发明制备的空间光调制器具有高空间分辨率，最小分辨尺寸为200nm。
本发明制备的空间光调制器对于太赫兹波段光具有空间选择性吸收，开关比可达10。
本发明有效开拓了空间光调制作用在太赫兹波段的应用，具有良好的开关效应与空间分辨率，有利于其在太赫兹空间光调制器件与其柔性器件领域的实际应用。
在本发明的再一个方面，本发明提出了一种聚合物基太赫兹空间光调制器。根据本发明的实施例，所述聚合物基太赫兹空间光调制器是采用以上实施例所述的方法制备得到的。由此，本发明制备的空间光调制器以高取向度的结晶P(VDF-TrFE)作为功能层，具有良好的稳定性；具有高空间分辨率，最小分辨尺寸为200nm；对于太赫兹波段光具有空间选择性吸收，开关比可达10。
下面详细描述本发明的实施例，需要说明的是下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。另外，如果没有明确说明，在下面的实施例中所采用的所有试剂均为市场上可以购得的，或者可以按照本文或已知的方法合成的，对于没有列出的反应条件，也均为本领域技术人员容易获得的。
实施例1
制备太赫兹空间光调制器：
使用旋涂法制备太赫兹空间光调制器，具体步骤如下：
(1)量取0.5g聚合物P(VDF-TrFE)(分子量为40万)，加入到20mL的丁酮溶剂中，搅拌至澄清的溶液。
(2)将溶液滴加在铂/硅基片上，以5000rpm的速度进行旋涂30s。
(3)将得到的薄膜在220℃下静置10min，随后以0.5摄氏度/分钟的速度退火至30摄氏度，得到具有高取向P(VDF-TrFE)结晶的太赫兹空间光调制器。
本实施例制备得到的太赫兹空间光调制器的表面形貌的原子力显微镜照片如图1(a)所示，太赫兹光调制器的面内电极化分布的压电力显微镜照片如图1(b)所示，太赫兹光调制器内单个晶粒形貌与面内极化分布的示意图如图1(c)所示，太赫兹光调制器内单个晶粒的面内电极化分布的压电力显微镜照片如图1(d)所示。从附图1(a)～1(d)可以看出，所制备薄膜由尺寸在30微米左右的晶体组成，每个晶体内都呈现出圆环状分布的铁电极化。
实施例2
对上述实施例1的空间光调制器，其局域分子取向与对太赫兹光的共振激发具有较大影响。如图2(a)示意，当分子共振偶极与共振光的电矢量垂直时，共振激发最小，分子对光的吸收率最小；当分子共振偶极与共振光的电矢量平行时，共振激发最大，分子对光的吸收率最大。对上述实施例1的空间光调制器，如图2(b)所示，分子共振偶记的方向与面内电极化方向互为反平行方向，因此当面内电极化垂直于共振光电矢量时，共振激发最小，反之亦反。
对上述实施例1的空间光调制器，如图3(a)所示，使一束水平方向偏振的共振太赫兹光投射到空间光调制器表面上，探测其表面每一点对太赫兹光的吸收率。吸收率分布如图3(b)所示，呈现出与面内电极化分布有类似特征的圆环状吸收图案，具有高空间分辨的选择性吸收，其最小分辨尺寸在200nm左右。如图3(b)内小图所示，高吸收率与低吸收率之间的比值达10。具体分布规律如图3(c)至图3(f)所示。以极坐标描述空间光调制器上的太赫兹光吸收率，沿径长方向延伸，吸收率呈周期性的强弱变化，如图3(c)、图3(d)所示。沿径角方向扫过，吸收率呈正弦式规律变化，且相邻圆环内的吸收率变化趋势相反，如图3(e)、图3(f)所示。其中，3(b)的标尺为3微米，3(c)的标尺为100纳米，3(e)的标尺为100纳米。
实施例3
太赫兹空间光调制器晶体结构与取向测试：
对上述实施例1的空间光调制器，使用X光对其进行二维广角散射实验，得到散射图案，如图4所示。在Qy轴附近有一道散射弧，表明调制器薄膜内的聚合物链被竖立取向。对上述实施例1的空间光调制器，使用透射电子显微镜对其进行选区电子衍射实验，得到衍射图案，如图4内小图所示。衍射图案呈现分立的六个衍射点，表明调制器薄膜内的聚合物链被竖立取向，且结晶成为质量良好的单晶。
实施例4
制备太赫兹空间光调制器：
使用旋涂法制备太赫兹空间光调制器，具体步骤如下：
(1)量取0.1g聚合物P(VDF-TrFE)(分子量为40万)，加入到20mL的丁酮溶剂中，搅拌至澄清的溶液。
(2)将溶液滴加在二氧化硅/硅基片上，以4000rpm的速度进行旋涂30s，制备得到P(VDF-TrFE)薄膜。
(3)将得到的薄膜在200℃下静置30min，随后以0.2摄氏度/分钟的速度退火至50摄氏度，得到具有高取向P(VDF-TrFE)结晶的太赫兹空间光调制器。所述太赫兹空间光调制器中P(VDF-TrFE)层的厚度为20nm。
本实施例制备得到的太赫兹空间光调制器的表面形貌的原子力显微镜照片如图5(a)所示，太赫兹光调制器的面内电极化分布的压电力显微镜照片如图5(b)所示。由此可以说明，该实施例所制备薄膜由尺寸在1微米左右的枝晶组成，薄膜整体呈现互相平行的铁电极化。图5(a)的标尺为2微米。
实施例5
制备太赫兹空间光调制器：
使用旋涂法制备太赫兹空间光调制器，具体步骤如下：
(1)量取0.3g聚合物P(VDF-TrFE)(分子量为40万)，加入到20mL的丁酮溶剂中，搅拌至澄清的溶液。
(2)将溶液滴加在二氧化硅/硅基片上，以4000rpm的速度进行旋涂30s。
(3)将得到的薄膜在220℃下静置10min，随后以0.2摄氏度/分钟的速度退火至50摄氏度，得到具有高取向P(VDF-TrFE)结晶的太赫兹空间光调制器。所述太赫兹空间光调制器中P(VDF-TrFE)层的厚度为60nm。
本实施例制备得到的太赫兹空间光调制器的表面形貌的原子力显微镜照片如图5(c)所示，太赫兹光调制器的面内电极化分布的压电力显微镜照片如图5(d)所示。由此可以说明，该实施例所制备薄膜由尺寸在10微米左右的晶体组成，晶体内呈现螺旋状的铁电极化。图5(c)的标尺为2微米。
实施例6
制备太赫兹空间光调制器：
使用旋涂法制备太赫兹空间光调制器，具体步骤如下：
(1)量取0.45g聚合物P(VDF-TrFE)(分子量为40万)，加入到20mL的丁酮溶剂中，搅拌至澄清的溶液。
(2)将溶液滴加在二氧化硅/硅基片上，以4000rpm的速度进行旋涂30s。
(3)将得到的薄膜在240℃下静置6min，随后以0.2摄氏度/分钟的速度退火至50摄氏度，得到具有高取向P(VDF-TrFE)结晶的太赫兹空间光调制器。所述太赫兹空间光调制器中P(VDF-TrFE)层的厚度为100nm。
本实施例制备得到的太赫兹空间光调制器的表面形貌的原子力显微镜照片如图5(e)所示，太赫兹光调制器的面内电极化分布的压电力显微镜照片如图5(f)所示。由此可以说明，该实施例所制备薄膜由尺寸在10微米左右的晶体组成，晶体内呈现圆环状的铁电极化。图5(e)的标尺为2微米。
实施例7
制备太赫兹空间光调制器
使用旋涂法制备太赫兹空间光调制器，具体步骤如下：
(1)量取0.3g聚合物P(VDF-TrFE)(分子量为40万)，加入到20mL的丁酮溶剂中，搅拌至澄清的溶液。
(2)使用稀聚乙烯吡咯烷酮溶液将商用聚酰亚胺膜粘贴到硅基片上烘干。
(3)将溶液滴加在聚酰亚胺膜上，以5000rpm的速度进行旋涂10s。
(4)将得到的薄膜在270℃下静置6min，随后以5摄氏度/分钟的速度退火至25摄氏度，并使用去离子水将聚乙烯吡咯烷酮洗去，得到具有高取向P(VDF-TrFE)结晶的柔性太赫兹空间光调制器。
本实施例制备得到的太赫兹空间光调制器在夹具夹持下的照片如图6(a)所示，由此可以说明，该实施例制备的调制器薄膜可以挠曲，具有柔性。
实施例8
制备太赫兹空间光调制器
使用旋涂法制备太赫兹空间光调制器，具体步骤如下：
(1)量取0.3g聚合物P(VDF-TrFE)(分子量为40万)，加入到20mL的丁酮溶剂中，搅拌至澄清的溶液。
(2)使用蒸镀法在商用聚酰亚胺膜的表面沉积一层厚度为10nm的金作为电极。
(3)使用稀聚乙烯吡咯烷酮溶液将金/聚酰亚胺膜粘贴到硅基片上烘干。
(4)将溶液滴加在聚酰亚胺膜上，以5000rpm的速度进行旋涂10s。
(5)将得到的薄膜在270℃下静置6min，随后以5摄氏度/分钟的速度退火至25摄氏度，并使用去离子水将聚乙烯吡咯烷酮洗去，得到具有高取向P(VDF-TrFE)结晶的柔性太赫兹空间光调制器。
本实施例制备得到的柔性太赫兹空间光调制器在夹具夹持下的照片如图6(b)所示，柔性太赫兹空间光调制器的表面形貌的原子力显微镜照片如图6(c)所示，柔性太赫兹光调制器的面内电极化分布的压电力显微镜照片如图6(d)所示。由此可以说明，该实施例制备的调制器薄膜可以挠曲，具有柔性。所制备薄膜由尺寸在20微米左右的晶体组成，晶体内呈现圆环状的铁电极化。图6(c)与图6(d)的尺寸为50微米。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种制备聚合物基太赫兹空间光调制器的方法，其特征在于，包括：
(1)采用溶液法制备P(VDF-TrFE)薄膜；
(2)将所述P(VDF-TrFE)薄膜置于150～300摄氏度下静置，退火，以便得到聚合物基太赫兹空间光调制器。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述溶液法选自刮涂法、旋涂法和朗格缪尔-布洛杰特法中的至少之一。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述P(VDF-TrFE)薄膜的厚度不大于120nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述制备P(VDF-TrFE)薄膜采用的基片的材质选自玻璃、(111)取向硅、(110)取向硅、非晶硅、铂/硅基片、二氧化硅/硅基片、聚酰亚胺和聚对苯二甲酸乙二酯中的至少之一；
任选地，所述基片的厚度为1μm～5mm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述P(VDF-TrFE)的分子量为5～100万，优选47万；
任选地，所述P(VDF-TrFE)包括VDF与TrFE两种共聚单元，所述VDF与TrFE的摩尔比为50:50～90:10；
任选地，所述VDF与TrFE的摩尔比为50:50、60:40、70:30、80:20或者90:10。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述溶液法采用挥发性有机溶剂；
任选地，所述挥发性有机溶剂选自甲基乙基酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、磷酸三乙酯和丙酮中的至少之一；
任选地，所述溶液法中的溶液的质量分数为0～8％，优选2.5％。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，将所述P(VDF-TrFE)薄膜置于150～300摄氏度下静置0.1～48h，优选0.5h。
8.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，将所述P(VDF-TrFE)薄膜置于200摄氏度下静置0.5h。
9.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述退火的结束温度为75摄氏度以下，优选25摄氏度；
任选地，所述退火的降温速率为10摄氏度/分钟以下，优选0.5摄氏度/分钟。
10.一种聚合物基太赫兹空间光调制器，其特征在于，所述聚合物基太赫兹空间光调制器是采用权利要求1-9中任一项所述方法制备得到的。
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