CN112468056A - 磁极线圈激励调节设备、系统和磁极线圈系统 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种磁极线圈激励调节设备、系统和磁极线圈系统，所述磁极线圈激励调节设备，包括整流器、单相逆变器和控制器，本申请实施例通过设置有整流器可以将所述外电源的电转换为直流电，然后通过所述单相逆变器将外电源的电压升高至数倍，在电流一定的情况下，大大提高提供给所述磁极线圈的激励源的容量。本申请实施例通过设置有所述整流器、所述单相逆变器和所述控制器解决了现有技术中存在的目前工程系统的电源容量一般都比较低，无法保证磁极线圈测试试验的正常进行的技术问题，达到了提高磁极线圈激励源容量的技术效果。

Description

磁极线圈激励调节设备、系统和磁极线圈系统

技术领域

本申请涉及电气设备技术领域，特别是涉及一种磁极线圈激励调节设备、系统和磁极线圈系统。

背景技术

大型电机作为发大型电机和原动机应用于电力工业和其他工业当中，在我国电力系统中扮演着极为重要的角色。大型电机一般包括定子、转子和其他附件等，其中定子一般由铁芯和磁极线圈(也称励磁绕组)构成，磁极线圈作为大型电机的基本构成部件之一主要用来产生主磁场。主磁场的建立是大型电机工作的必要条件，所以磁极线圈的性能优良将直接影响大型电机的整体质量和运行，因此，要保障大型电机运行的稳定性就必须大大提高磁极线圈的可靠性。

目前对于磁极线圈的性能提升主要是通过材料、生产工艺上的改进来提高其绝缘性，同时对磁极线圈进行一系列试验验证确定其稳定性。磁极线圈进行性能试验时的需要很大的电压容量，也就是需要很大的激励源，目前磁极线圈的激励源主要采用工程系统的电源，但是目前工程系统的电源容量一般都比较低，无法保证磁极线圈测试试验的正常进行。

发明内容

基于此，有必要针对目前工程系统的电源容量一般都比较低，无法保证磁极线圈测试试验的正常进行的问题，提供一种磁极线圈激励调节设备、系统和磁极线圈系统。

一种磁极线圈激励调节设备，包括：

整流器，所述整流器的输入端用于连接外电源；

单相逆变器，所述单相逆变器的输入端与所述整流器的输出端电连接，所述单相逆变器的输出端用于连接磁极线圈；

控制器，与所述单相逆变器的控制端电连接，用于控制所述单相逆变器的工作状态。

在其中一个实施例中，所述单相逆变器包括：

单相全桥逆变回路，所述单相全桥逆变回路的输入端与所述整流器的输出端电连接，所述单相全桥逆变回路的输出端用于连接所述磁极线圈。

在其中一个实施例中，所述单相全桥逆变回路包括：

第一桥臂单元，所述第一桥臂单元的集电极与所述整流器的正极输出端电连接，所述第一桥臂单元的发射极用于连接所述磁极线圈的第一端；

第二桥臂单元，所述第二桥臂单元的集电极与所述第一桥臂单元的发射极电连接，所述第二桥臂单元的发射极与所述整流器的负极输出端电连接；

第三桥臂单元，所述第三桥臂单元的发射极与所述第二桥臂单元的发射极电连接，所述第三桥臂单元的集电极用于连接所述磁极线圈的第二端；

第四桥臂单元，所述第四桥臂单元是发射极与所述第三桥臂单元的集电极电连接，所述第四桥臂单元的集电极与所述第一桥臂单元的集电极电连接；

所述第一桥臂单元、所述第二桥臂单元、所述第三桥臂单元和所述第四桥臂单元的门极均与所述控制器信号连接。

在其中一个实施例中，所述第一桥臂单元、所述第二桥臂单元、所述第三桥臂单元和所述第四桥臂单元均包括：

IBGT管，所述IGBT管的门极均与所述控制器信号连接；

二极管，所述二极管的正极与所述IGBT管的发射极电连接，所述二极管的负极与所述IGBT管的集电极电连接。

在其中一个实施例中，还包括：

滤波电容组件，所述滤波电容组件的第一端与所述第一桥臂单元的集电极电连接，所述滤波电容组件的第二端与所述第二桥臂单元的发射极电连接，所述滤波电容组件与所述整流器并联。

在其中一个实施例中，还包括：

吸收电容组件，所述吸收电容组件的第一端与所述第一桥臂单元的集电极电连接，所述吸收电容组件的第二端与所述第三桥臂单元的发射极电连接。

在其中一个实施例中，还包括：

调压器，所述调压器的输入端用于连接外电源，所述调压器的输出端与所述所述整流器的输入端电连接。

在其中一个实施例中，所述调压器为三相调压器。

一种磁极线圈激励调节系统，包括：

如上所述的磁极线圈激励调节设备；

外电源，与所述整流器的输入端电连接。

一种磁极线圈系统，包括：

如上所述的磁极线圈激励调节系统；

电容器，所述电容器的第一端与所述单相逆变器的第一输出端电连接；

磁极线圈，所述磁极线圈的第一端与所述电容器的第二端电连接，所述磁极线圈的第二端与所述单相逆变器的第二输出端电连接。

本申请实施例提供了一种磁极线圈激励调节设备，包括整流器、单相逆变器和控制器。本申请实施例通过设置有整流器可以将所述外电源的电转换为直流电，然后通过所述单相逆变器将外电源的电压升高至数倍，在电流一定的情况下，大大提高提供给所述磁极线圈的激励源的容量。本申请实施例通过设置有所述整流器、所述单相逆变器和所述控制器解决了现有技术中存在的目前工程系统的电源容量一般都比较低，无法保证磁极线圈测试试验的正常进行的技术问题，达到了提高磁极线圈激励源容量的技术效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例提供的磁极线圈激励调节设备及其应用环境示意图；

图2为本申请一个实施例提供的磁极线圈激励调节设备结构示意图；

图3为本申请一个实施例提供的磁极线圈激励调节设备结构示意图；

图4为本申请一个实施例提供的磁极线圈激励调节设备单相全桥逆变回路示意图；

图5为本申请一个实施例提供的磁极线圈激励调节设备结构示意图；

图6为本申请一个实施例提供的磁极线圈激励调节系统结构示意图；

图7为本申请一个实施例提供的磁极线圈系统结构示意图。

附图标记说明：

10、磁极线圈激励调节设备；100、整流器；200、单相逆变器；210、单相全桥逆变回路；211、第一桥臂单元；212、第二桥臂单元；213、第三桥臂单元；214、第四桥臂单元；Z1、第一IBGT管；Z2、第二IBGT管；Z3、第三IBGT管；Z4、第四IBGT管；300、控制器；400、滤波电容组件；500、吸收电容组件；600、调压器；20、磁极线圈激励调节系统；21、外电源；30、磁极线圈系统；31、电容器；32、磁极线圈。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本申请的一种磁极线圈激励调节设备、系统和磁极线圈系统进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

请参见图1，磁极线圈32为电机等电气设备的核心部件，用于产生磁场，所述磁极线圈32在工作或者进行性能测试时需要配置有高容量的激励源。本申请实施例提供了一种磁极线圈激励调节设备10，用于调节所述磁极线圈32的激励源，为所述磁极线圈32提供更大容量的激励。以下实施例以本申请实施例提供的所述磁极线圈激励调节设备10应用于磁极线圈32进行测试试验为例进行具体阐述。

请参见图2，本申请一个实施例提供了一种磁极线圈激励调节设备10，包括：整流器100、单相逆变器200和控制器300。

所述整流器100的输入端用于连接外电源21，在使用时，所述整流器100的输入端与所述外电源21电连接。当所述外电源21为交流电时，所述整流器100将所述交流电转换为直流电，以供后级电子器件使用，当所述外电源21为直流电时，所述整流器100作为导体，将所述外电源21提供的直流电输送至后级电子器件以供使用。所述整流器100可以为硅整流器，例如硅雪崩整流器，当反向电压超过预设峰值时，所述硅雪崩整流器在整个PN结上发生均匀的雪崩击穿，可工作在高压大电流下，能承受相当大的反向浪涌功率，同时可以有效降低因过压击穿造成损坏的可能性和提高整流装置的可靠性。所述整流器100还可以采用硒整流器，抗过载容量大，同样也具有很强的反向浪涌功率的承载能力。本实施例对于所述整流器100的类型、数量等均不作任何限定，可根据实际情况具体选择，只需要满足可以实现将所述外电源21的交流电转换为直流电的功能即可。

所述单相逆变器200的输入端与所述整流器100的输出端电连接，所述单相逆变器200的输出端用于连接磁极线圈32，所述单相逆变器200用于将低压直流电转换为高压交流电，例如，所述整流器100输出的为12V或24V的直流电，所述单相逆变器200可以将12V或24V的直流电转换为220V，甚至更高的电压，输入后级电路的电压强度呈倍数增加。所述整流器100、所述单相逆变器200与其他电子器件之间形成的回路中的电阻不变，当输入所述磁极线圈32的电流不变，电压增大时，也就意味着输入所述磁极线圈32的激励源的容量(容量＝电压×电流)大大增加，从而实现为所述磁极线圈32提供大容量激励源的目的。本实施例所述单相逆变器200可以为电流源型逆变器，也可以为电压型逆变器，本实施例不作任何限定，可根据实际情况具体选择，只需要满足可以实现将低压直流电转换为高压交流电的功能即可。

所述控制器300与所述单相逆变器200的控制端电连接，所述控制器300用于控制所述单相逆变器200的工作状态，也就是控制所述单相逆变器200中的每个电子开关的通断。所述控制器300可以产生例如PWM脉冲波等，向所述单相逆变器200发送PWM脉冲波，通过所述PWM脉冲波控制每个电子开关的通断。所述控制器300可以控制芯片，例如PLC芯片，也可以为微处理器或者服务器等，本实施例对于所述控制器300的类型等均不作任何限定，可根据实际情况具体选择，只需要满足可以实现控制所述单相逆变器200的工作状态的功能即可。

本实施例提供的一种磁极线圈激励调节设备10的工作原理如下：

本实施例提供的所述磁极线圈激励调节设备10包括：整流器100、单相逆变器200和控制器300。在工作时，所述整流器100与外电源21电连接，所述整流器100将所述外电源21提供的交流电转换为直流电，所述单相逆变器200与所述整流器100的输出端电连接，所述单相逆变器200将所述整流器100输出的低压直流电转换为高电压的单相交流电提供给所述磁极线圈32使用。本实施例提供的所述磁极线圈激励调节设备10将所述外电源21提供的电压大大升高，为所述磁极线圈32提供更大电容量的激励，(激励源的电容量＝电压×电流)。

本申请实施例提供了一种磁极线圈激励调节设备10，包括所述整流器100、所述单相逆变器200和所述控制器300。本申请实施例通过设置有整流器100可以将所述外电源21的电转换为直流电，然后通过所述单相逆变器200将外电源21的电压升高至数倍，在电流一定的情况下，大大提高提供给所述磁极线圈32的激励源的容量。本申请实施例通过设置有所述整流器100、所述单相逆变器200和所述控制器300解决了现有技术中存在的目前工程系统的电源容量一般都比较低，无法保证磁极线圈测试试验的正常进行的技术问题，达到了提高磁极线圈32激励源容量的技术效果。

请参见图3，在一个实施例中，所述单相逆变器200包括：单相全桥逆变回路210。

所述单相全桥逆变回路210的输入端与所述整流器100的输出端电连接，所述单相全桥逆变回路210的输出端用于连接所述磁极线圈32。在使用时，所述单相全桥逆变回路210的两个输出端分别与所述磁极线圈32的两端电连接，所述单相全桥逆变回路210将所述整流器100的低电压转化为高电压单相交流电，从而提高激励源的容量。在同样的直流输入电压下，所述单相全桥逆变回路210的最大输出电压是半桥逆变器等其他逆变器的两倍至数倍。所述单相全桥逆变回路210的控制方式可采用PWM控制方式，谐波含量小，也可以采用方波控制方式，直流电压利用率高，或者也可以采用电压对消控制方式等，本实施例不作具体限定。本实施例对于所述单相全桥逆变回路210的类型和具体电路构成不作任何限定，可根据实际情况具体设定，只需要满足可以将所述整流器100输出的电压升高至少两倍的功能即可。

请参见图4，在一个实施例中，所述单相全桥逆变回路210包括：第一桥臂单元211、第二桥臂单元212、第三桥臂单元213和第四桥臂单元214。

所述磁极线圈包括两端，分别为第一端和第二端，所述第一桥臂单元211的集电极与所述整流器100的正极输出端电连接，所述第一桥臂单元211的发射极用于连接所述磁极线圈32的第一端。所述第二桥臂单元212的集电极与所述第一桥臂单元211的发射极电连接，所述第二桥臂单元212的发射极与所述整流器100的负极输出端电连接。所述第三桥臂单元213的发射极与所述第二桥臂单元212的发射极电连接，所述第三桥臂单元213的集电极用于连接所述磁极线圈32的第二端。所述第四桥臂单元214是发射极与所述第三桥臂单元213的集电极电连接，所述第四桥臂单元214的集电极与所述第一桥臂单元211的集电极电连接。所述第一桥臂单元211、所述第二桥臂单元212、所述第三桥臂单元213和所述第四桥臂单元214的门极均与所述控制器300信号连接。所述第一桥臂单元211、所述第二桥臂单元212、所述第三桥臂单元213和所述第四桥臂单元214完全相同，方便通过同种信号进行控制。本实施例对于所述第一桥臂单元211、所述第二桥臂单元212、所述第三桥臂单元213和所述第四桥臂单元214均不作任何限定，可根据实际情况具体选择。

在一个实施例中，所述第一桥臂单元211、所述第二桥臂单元212、所述第三桥臂单元213和所述第四桥臂单元214均包括：一个IBGT管和一个二极管。所述IGBT管的门极均与所述控制器300信号连接，所述控制器300用于产生控制信号，以控制4个所述IGBT管的通断。例如当所述控制器300控制关断第一IBGT管Z1和第三IBGT管Z3，导通第二IBGT管Z2和第四IBGT管Z4，电流从第二IBGT管Z2流经第四IBGT管Z4。当所述控制器300控制导通第一IBGT管Z1和第三IBGT管Z3，关断第二IBGT管Z2和第四IBGT管Z4，电流通过所述第二IBGT管Z2与第四IBGT管Z4流入所述磁极线圈32。所述二极管的正极与所述IGBT管的发射极电连接，所述二极管的负极与所述IGBT管的集电极电连接，所述二极管用于单向导通，引导电流沿桥臂或者预设方向流动，防止电流回流。本实施例对于所述IBGT管和所述二极管的具体型号等均不作任何限定，可根据实际情况具体选择。

请参见图5，在一个实施例中，所述的磁极线圈激励调节设备10还包括：滤波电容组件400、吸收电容组件500、调压器600。

所述滤波电容组件400的第一端与所述第一桥臂单元211的集电极电连接，所述滤波电容组件400的第二端与所述第二桥臂单元212的发射极电连接，所述滤波电容组件400与所述整流器100并联。所述滤波电容组件400用于过滤所述外电源21中的杂波，使得所述整流器100中输出的电压转换为纹波，更加接近直流。所述滤波电容组件400中的电容的数量可以为一个，也可以为多个，当所述电容为多个时，多个所述电容之间可以并联，也可以串联，本实施例不作任何限定，可根据实际情况具体选择或者设定，只需要满足可以实现过滤所述外电源21中杂波的功能即可。

所述吸收电容组件500的第一端与所述第一桥臂单元211的集电极电连接，所述吸收电容组件500的第二端与所述第三桥臂单元213的发射极电连接。在所述单相逆变器200工作的过程中会产生不同频率的杂波，所述吸收电容组件500与所述单相逆变器200电连接，可以有效吸收所述单相逆变器200工作过程中产生的杂波，从而避免所述单相逆变器200工作过程中产生的杂波影响后级电路以及所述磁极线圈32的工作频率，大大提高本实施例提供的所述磁极线圈激励调节设备10的工作性能。所述吸收电容组件500中的电容的数量可以为一个，也可以为多个，当所述电容为多个时，多个所述电容之间可以并联，也可以串联，本实施例不作任何限定，可根据实际情况具体选择或者设定，只需要满足可以实现过滤所述单相逆变器200工作过程中产生的杂波的功能即可。

所述调压器600的输入端用于连接外电源21，所述调压器600的输出端与所述所述整流器100的输入端电连接，所述调压器600用于将外电源21调节至预设电压。在实际工作中，所述整流器100的型号一旦固定，所述整流器100的输入电压及最佳工作电压也固定，所述调压器600根据所述整流器100的工作电压对所述外电源21的电压进行调整，调整至所述整流器100的最佳工作电压，以提高本实施例提供的所述磁极线圈激励调节设备10的工作性能。同时，不管是试验测试还是实际工作中，一般电源均采用交流电，也就是说所述外电源21一般为交流电，本实施例中所述调压器600采用三相调压器，以和所述外电源21相匹配，提高本实施例提供的所述磁极线圈激励调节设备10的工作性能。需要指出的是，本实施例中的调压器600可以为升压器，也可以为降压器，可根据所述外电源21和所述所述整流器100的工作电压具体设定。本实施例对于所述调压器600的类型、型号等均不作任何限定，可根据实际情况具体选择，只需要满足可以实现将外电源21调节至预设电压的功能即可。

请参见图6，本申请一个实施例提供了一种磁极线圈激励调节系统20，包括：外电源21和磁极线圈激励调节设备10。

所述外电源21与所述整流器100的输入端电连接，所述外电源21可以为直流电，也可以为交流电，所述外电源21与所述磁极线圈激励调节设备10电连接，共同构成所述磁极线圈32的大容量激励源，为所述磁极线圈32提供高频的输入电压和大容量激励源。本实施例对于所述外电源21不作任何限定，可根据实际情况具体选择。

所述磁极线圈激励调节设备10的有益效果已经在上述实施例中详细阐述，在此不再赘述。

请参见图7，本实施例提供了一种磁极线圈系统30，包括：磁极线圈激励调节系统20、电容器31和磁极线圈32。

所述磁极线圈激励调节系统20的有益效果已经在上述实施例中详细阐述，在此不再赘述。

所述电容器31的第一端与所述单相逆变器200的第一输出端电连接，所述磁极线圈32的第一端与所述电容器31的第二端电连接，所述磁极线圈32的第二端与所述单相逆变器200的第二输出端电连接。所述电容器31与所述磁极线圈32共同作用形成LC谐振电路，所述LC谐振电路将所述磁极线圈激励调节系统20转换为更高的电压。本实施例对于所述电容器31和所述磁极线圈32的类型、型号等均不作任何限定，可根据实际情况具体选择。

本实施例提供的磁极线圈系统30的工作原理如下：

所述电容器31与所述磁极线圈32共同构成LC谐振电路，所述磁极线圈激励调节系统20输出的电压为U，设所述磁极线圈激励调节系统20工作角频率为ω，则LC谐振电路的输入阻抗(也就是所述磁极线圈激励调节系统20的输出阻抗)Z(jω)为：

LC谐振电路发生谐振时(1)式右部分虚部为零，设谐振频率为ω₀则有：

所述磁极线圈激励调节系统20的输出电压为：

所述磁极线圈激励调节系统20的容量为：

P_L＝U_LI＝QUI (5)

通过上式(1)-(5)便可确定所述磁极线圈激励调节系统20提供给所述磁极线圈32的激励源的容量值。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种磁极线圈激励调节设备，其特征在于，包括：

整流器，所述整流器的输入端用于连接外电源；

单相逆变器，所述单相逆变器的输入端与所述整流器的输出端电连接，所述单相逆变器的输出端用于连接磁极线圈；

控制器，与所述单相逆变器的控制端电连接，用于控制所述单相逆变器的工作状态。

2.根据权利要求1所述的磁极线圈激励调节设备，其特征在于，所述单相逆变器包括：

单相全桥逆变回路，所述单相全桥逆变回路的输入端与所述整流器的输出端电连接，所述单相全桥逆变回路的输出端用于连接所述磁极线圈。

3.根据权利要求2所述的磁极线圈激励调节设备，其特征在于，所述单相全桥逆变回路包括：

第一桥臂单元，所述第一桥臂单元的集电极与所述整流器的正极输出端电连接，所述第一桥臂单元的发射极用于连接所述磁极线圈的第一端；

第二桥臂单元，所述第二桥臂单元的集电极与所述第一桥臂单元的发射极电连接，所述第二桥臂单元的发射极与所述整流器的负极输出端电连接；

第三桥臂单元，所述第三桥臂单元的发射极与所述第二桥臂单元的发射极电连接，所述第三桥臂单元的集电极用于连接所述磁极线圈的第二端；

第四桥臂单元，所述第四桥臂单元是发射极与所述第三桥臂单元的集电极电连接，所述第四桥臂单元的集电极与所述第一桥臂单元的集电极电连接；

所述第一桥臂单元、所述第二桥臂单元、所述第三桥臂单元和所述第四桥臂单元的门极均与所述控制器信号连接。

4.根据权利要求3所述的磁极线圈激励调节设备，其特征在于，所述第一桥臂单元、所述第二桥臂单元、所述第三桥臂单元和所述第四桥臂单元均包括：

IBGT管，所述IGBT管的门极均与所述控制器信号连接；

二极管，所述二极管的正极与所述IGBT管的发射极电连接，所述二极管的负极与所述IGBT管的集电极电连接。

5.根据权利要求3所述的磁极线圈激励调节设备，其特征在于，还包括：

滤波电容组件，所述滤波电容组件的第一端与所述第一桥臂单元的集电极电连接，所述滤波电容组件的第二端与所述第二桥臂单元的发射极电连接，所述滤波电容组件与所述整流器并联。

6.根据权利要求3所述的磁极线圈激励调节设备，其特征在于，还包括：

吸收电容组件，所述吸收电容组件的第一端与所述第一桥臂单元的集电极电连接，所述吸收电容组件的第二端与所述第三桥臂单元的发射极电连接。

7.根据权利要求1所述的磁极线圈激励调节设备，其特征在于，还包括：

调压器，所述调压器的输入端用于连接外电源，所述调压器的输出端与所述所述整流器的输入端电连接。

8.根据权利要求7所述的磁极线圈激励调节设备，其特征在于，所述调压器为三相调压器。

9.一种磁极线圈激励调节系统，其特征在于，包括：

如权利要求1-8任一项所述的磁极线圈激励调节设备；

外电源，与所述整流器的输入端电连接。

10.一种磁极线圈系统，其特征在于，包括：

如权利要求9所述的磁极线圈激励调节系统；

电容器，所述电容器的第一端与所述单相逆变器的第一输出端电连接；

磁极线圈，所述磁极线圈的第一端与所述电容器的第二端电连接，所述磁极线圈的第二端与所述单相逆变器的第二输出端电连接。

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