CN112435919A - 一种金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法，其步骤如下：制备完成GaAs肖特基二极管器件；将GaAs肖特基二极管器件与临时载片正面相对临时键合；将GaAs肖特基二极管器件的衬底去除，得到以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层；以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层金刚石基片进行低温介质键合集成；将金刚石基GaAs肖特基二极管器件与临时载片分离。本发明将GaAs肖特基二极管器件与金刚石基片集成得到金刚石基GaAs肖特基二极管器件，与传统石英材料基GaAs肖特基二极管器件相比，器件的散热效果得到进一步提升，有利于提高肖特基二极管太赫兹倍频器输出功率。
Description
技术领域
本发明属于半导体工艺技术领域，具体涉及一种金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法。
背景技术
太赫兹(THz)科学技术是近二十年来迅速发展的一个新兴交叉学科和研究热点，涉及电磁学、光电子学、光学、半导体物理学、材料科学、生物、医学等多门科学。太赫兹频段覆盖电磁频谱的0.3THz～3THz频率范围，是一个蕴含着丰富物理内涵的宽频段电磁辐射区域。在近乎所有的太赫兹技术应用系统中，太赫兹接收前端是系统的最核心技术，在太赫兹(THz)频率低端范围内，通常采用半导体器件倍频方法获得固态源。该方法是将毫米波通过非线性半导体器件倍频至太赫兹频段，具有易于调节、结构紧凑、常温工作、寿命长等优点。利用肖特基二极管器件实现高效倍频不仅电路结构简单、倍频效率较高，还兼有振荡源具有的较高输出功率、倍频放大链高频率稳定度、低相位噪声的优点；同时肖特基二极管器件可稳定工作与30GHz-3000GHz整个毫米波及亚毫米波频段，平面GaAs肖特基二极管已经在THz频段上得到了广泛的应用，是THz技术领域中核心的固态电子器件。
由于频段高，输入倍频器的基波功率有限，为了得到更大的输出功率，因此有必要提高倍频器的倍频效率。但是温度升高时肖特基倍频二极管的效率降低，其主要原因之一是器件在输出大功率的同时会产生大量的热，却无法快捷有效地将这些热量散发出去。目前砷化镓(GaAs)肖特基二极管主要通过薄膜转移的方法集成在石英基片材料上，而这些基片材料具有较低的热导率，散热问题严重限制了二极管器件的性能，因此寻找具有高的导热性基片材料成为了解决散热问题的瓶颈。金刚石具有很高的热导率(800-2000W/mK)，利用金刚石材料替代石英材料改善肖特基二极管的散热问题，不过如何将砷化镓肖特基二极管与金刚石基片集成，这是目前需要解决的问题。
目前研究人员还没有很好的解决肖特基二极管与金刚石基片材料集成的问题，这也限制了肖特基二极管太赫兹倍频器高功率的发展。
发明内容
本发明提出的是一种金刚石与GaAs肖特基二极管集成的方法，其目的旨在将GaAs肖特基二极管与金刚石基片材料集成，获得高功率输出的太赫兹倍频器。
实现本发明目的的技术解决方案为：一种金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法，包括以下步骤：
1)在GaAs外延片上制备完成GaAs肖特基二极管器件，该GaAs肖特基二极管器件包括GaAs衬底、重掺杂GaAs层、低掺杂GaAs层、钝化层、阳极金属、阴极金属以及空气桥金属；
2)用稀盐酸清洗临时载片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；
3)在GaAs肖特基二极管器件的正面涂敷粘合材料作为键合材料；
4)将GaAs肖特基二极管器件和临时载片正面相对键合；
5)将GaAs肖特基二极管器件的GaAs衬底减薄抛光至小于50微米的厚度，然后利用湿法腐蚀的方法将GaAs衬底全部腐蚀干净，同时腐蚀会停止在腐蚀停止层，此时得到了以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层；
6)在以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面通过低温等离子体增强化学气相沉积生长一层介质；
7)将以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面的介质进行清洗处理，利用等离子体活化，活化完之后将以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面正面相对直接放入键合机中键合，得到金刚石基片的GaAs肖特基二极管器件；
8)将金刚石基GaAs肖特基二极管器件浸泡在粘合材料去除液中，待粘合材料被去除液全部溶解后金刚石基GaAs肖特基二极管器件将与临时载片自动分离，实现金刚石基GaAs肖特基二极管器件制备。
进一步的，步骤2)中所述临时载片为蓝宝石材料、石英材料或碳化硅材料。
进一步的，步骤3)在GaAs肖特基二极管器件的正面涂敷粘合材料作为键合材料，转速1000转/分钟-3000转/分钟，时间为30-60秒。
进一步的，步骤4)将GaAs肖特基二极管器件和临时载片正面相对在温度为250-350摄氏度的条件下键合。
进一步的，步骤6)中所述介质为氮化硅或氧化硅，生长厚度20-50纳米。
进一步的，步骤7)中利用氩、氧或者氮等离子体活化。
进一步的，步骤7)中活化完之后将以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面正面相对直接放入键合机中施加4000毫巴-6000毫巴的压力，温度保持室温键合，得到金刚石基片的GaAs肖特基二极管器件。
与现有技术相比，本发明的显著优点为：本发明将GaAs肖特基二极管器件与金刚石基片集成得到金刚石基GaAs肖特基二极管器件，与传统石英材料基GaAs肖特基二极管器件相比，器件的散热效果会得到明显提升，有利于提高肖特基二极管太赫兹倍频器输出功率。
附图说明
图1是临时载片样品示意图。
图2是GaAs肖特基二极管器件样品示意图。
图3是临时载片与GaAs肖特基二极管器件临时键合示意图。
图4是GaAs肖特基二极管器件衬底去除示意图。
图5是GaAs肖特基二极管器件与金刚石基片键合示意图。
图6是金刚石基GaAs肖特基二极管器件样品示意图。
图中：1是临时载片，2是GaAs衬底，3是重掺杂GaAs层，4是低掺杂GaAs层，5是阴极金属，6是阳极金属，7是钝化层，8是空气桥金属，9是粘合材料，10是键合介质，11是金刚石基片。
具体实施方式
本发明提供一种金刚石与GaAs肖特基二极管集成的方法，下面结合附图对该方法步骤进行详细说明：
①准备样品：用稀盐酸清洗临时载片1表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干，临时载片1包括但不限于蓝宝石材料、石英材料、碳化硅材料等，如图1所示。在GaAs外延片上制备完成GaAs肖特基二极管器件，该GaAs肖特基二极管器件包括GaAs衬底2、重掺杂GaAs层3、低掺杂GaAs层4、钝化层7、阳极金属6、阴极金属5以及空气桥金属8，如图2所示。
②临时键合：在GaAs肖特基二极管器件的正面涂敷粘合材料9作为键合材料，转速1000转/分钟-3000转/分钟，时间为30-60秒，将GaAs肖特基二极管器件和临时载片1正面相对在温度为250-350摄氏度的条件下键合，如图3所示。
③背面工艺：将GaAs肖特基二极管器件的GaAs衬底2减薄抛光至小于50微米的厚度，然后利用湿法腐蚀的方法将GaAs衬底2全部腐蚀干净，同时腐蚀会停止在腐蚀停止层，不会对GaAs外延层造成破坏，此时得到了以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层，如图4所示。
④键合：在以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片11表面通过低温等离子体增强化学气相沉积生长一层介质10，此介质可以是氮化硅、氧化硅等，生长厚度20-50纳米。将以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面的介质进行清洗处理，利用氩、氧或者氮等离子体活化，活化完之后将以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面正面相对直接放入键合机中施加4000毫巴-6000毫巴的压力，温度保持室温键合，得到金刚石基片的GaAs肖特基二极管器件，如图5所示。
⑤去键合：将金刚石基GaAs肖特基二极管器件浸泡在粘合材料去除液中，待粘合材料被去除液全部溶解后金刚石基GaAs肖特基二极管器件将与临时载片1自动分离，实现金刚石基GaAs肖特基二极管器件制备，如图6所示。
下面结合实施例对本发明进行详细说明。
实施例
一种金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法，具体包括：
1)在GaAs外延片上制备完成GaAs肖特基二极管器件，该GaAs肖特基二极管器件包括GaAs衬底、重掺杂GaAs层、低掺杂GaAs层、钝化层、阳极金属、阴极金属以及空气桥金属。
2)用稀盐酸清洗蓝宝石载片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干。
3)在GaAs肖特基二极管器件的正面涂敷粘合材料作为键合材料，转速1000转/分钟，时间为30秒；
4)将GaAs肖特基二极管器件和蓝宝石载片正面相对在温度为250摄氏度的条件下键合。
5)将GaAs肖特基二极管器件的GaAs衬底减薄抛光至50微米的厚度，然后利用湿法腐蚀的方法将GaAs衬底全部腐蚀干净，同时腐蚀会停止在腐蚀停止层，不会对GaAs外延层造成破坏，此时得到了以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层。
6)在以蓝宝石载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面通过低温等离子体增强化学气相沉积生长一层二氧化硅介质，生长厚度40纳米。
7)将以蓝宝石载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面的二氧化硅介质进行清洗处理，利用氩等离子体活化，活化完之后将以蓝宝石载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面正面相对直接放入键合机中施加4000毫巴的压力，温度保持室温键合，得到金刚石基片的GaAs肖特基二极管器件。
8)将金刚石基GaAs肖特基二极管器件浸泡在粘合材料去除液中，待粘合材料被去除液全部溶解后金刚石基GaAs肖特基二极管器件将与蓝宝石载片自动分离，实现金刚石基GaAs肖特基二极管器件制备。
经过以上步骤，就实现了金刚石与GaAs肖特基二极管集成。
Claims (7)
1.一种金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
1)在GaAs外延片上制备完成GaAs肖特基二极管器件，所述GaAs肖特基二极管器件包括GaAs衬底、重掺杂GaAs层、低掺杂GaAs层、钝化层、阳极金属、阴极金属以及空气桥金属；
2)用稀盐酸清洗临时载片表面，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；
3)在GaAs肖特基二极管器件的正面涂敷粘合材料作为键合材料；
4)将GaAs肖特基二极管器件和临时载片正面相对键合；
5)将GaAs肖特基二极管器件的GaAs衬底减薄抛光至小于50微米的厚度，然后利用湿法腐蚀的方法将GaAs衬底全部腐蚀干净，同时腐蚀会停止在腐蚀停止层，此时得到了以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层；
6)在以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面通过低温等离子体增强化学气相沉积生长一层介质；
7)将以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面的介质进行清洗处理，利用等离子体活化，活化完之后将以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面正面相对直接放入键合机中键合，得到金刚石基片的GaAs肖特基二极管器件；
8)将金刚石基GaAs肖特基二极管器件浸泡在粘合材料去除液中，待粘合材料被去除液全部溶解后金刚石基GaAs肖特基二极管器件将与临时载片自动分离，实现金刚石基GaAs肖特基二极管器件制备。
2.根据权利要求1所述的金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法，其特征在于，步骤2)中所述临时载片为蓝宝石材料、石英材料或碳化硅材料。
3.根据权利要求1所述的金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法，其特征在于，步骤3)在GaAs肖特基二极管器件的正面涂敷粘合材料作为键合材料，转速1000转/分钟-3000转/分钟，时间为30-60秒。
4.根据权利要求1所述的金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法，其特征在于，步骤4)将GaAs肖特基二极管器件和临时载片正面相对在温度为250-350摄氏度的条件下键合。
5.根据权利要求1所述的金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法，其特征在于，步骤6)中所述介质为氮化硅或氧化硅，生长厚度20-50纳米。
6.根据权利要求1所述的金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法，其特征在于，步骤7)中利用氩、氧或者氮等离子体活化。
7.根据权利要求1所述的金刚石与GaAs太赫兹肖特基二极管集成的方法，其特征在于，步骤7)中活化完之后将以临时载片为支撑的GaAs肖特基二极管器件层和金刚石基片表面正面相对直接放入键合机中施加4000毫巴-6000毫巴的压力，温度保持室温键合，得到金刚石基片的GaAs肖特基二极管器件。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030060031A1 (en) * | 2001-09-25 | 2003-03-27 | Sanyo Electric Company, Ltd. | Manufacturing method of schottky barrier diode |
| US8274058B1 (en) * | 2006-01-25 | 2012-09-25 | Sandia Corporation | Integrated heterodyne terahertz transceiver |
| CN104022163A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-09-03 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管 |
| CN104157744A (zh) * | 2014-07-21 | 2014-11-19 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种基于外延层转移实现金刚石基GaN的方法 |
| CN106783998A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-05-31 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种基于金刚石衬底的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法 |
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2020
- 2020-10-27 CN CN202011161537.8A patent/CN112435919B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030060031A1 (en) * | 2001-09-25 | 2003-03-27 | Sanyo Electric Company, Ltd. | Manufacturing method of schottky barrier diode |
| US8274058B1 (en) * | 2006-01-25 | 2012-09-25 | Sandia Corporation | Integrated heterodyne terahertz transceiver |
| CN104022163A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-09-03 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种散热改进型GaAs基太赫兹倍频肖特基二极管 |
| CN104157744A (zh) * | 2014-07-21 | 2014-11-19 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种基于外延层转移实现金刚石基GaN的方法 |
| CN106783998A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-05-31 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种基于金刚石衬底的氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法 |
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