CN112427759A - 一种ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法 - Google Patents

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Abstract

一种ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，涉及一种ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法。目的是解决现有ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊时钎料对母材润湿性差、钎缝中易生成脆性化合物、金属母材过度溶解、以及接头残余应力大的问题。方法：Cu粉中加入ZrH2粉末，在Cu粉表面生长石墨烯，在加入ZrH2进行压片得到钎料箔片；组装后进行钎焊。本发明在Cu粉表面原位生长垂直少层石墨烯，制备了含有石墨烯增强复合钎料，降低了钎缝中脆性化合物占比，缓解了接头残余应力，提高了钎料对母材润湿性。避免了脆性化合物的生成，解决母材过度溶解的问题。本发明适用于ZrC‑SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊。

Description

一种ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法
技术领域
本发明涉及一种ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法。
背景技术
ZrC-SiC复相陶瓷(ZS陶瓷)是通过在具有超高熔点(3420℃)和硬度(25.5GPa)的ZrC陶瓷中加入SiC制备而成，改善了ZrC烧结性并提高抗氧化性和断裂韧性等性能，可广泛应用于极端热环境和化学环境中，如高推重比发动机和航天热防护系统等。Ti-6Al-4V(TC4)为α+β两相钛合金，是目前熟知应用最为普遍且较为成功的钛合金。其具有低密度、高比强度，以及优异的耐腐蚀性和抗疲劳性等特点。ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊往往存在钎料对母材润湿性差、钎缝中易生成脆性化合物、金属母材过度溶解以及接头残余应力大等问题。
发明内容
本发明为了解决现有ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊时钎料对母材润湿性差、钎缝中易生成脆性化合物、金属母材过度溶解、以及接头残余应力大的问题，提出一种ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法。
本发明ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法按以下步骤进行：
步骤一、向纯Cu粉中加入ZrH2粉末作为分散剂，充分混合后均匀平铺于硅片上；
步骤二、使用PECVD法在步骤一硅片上的铜粉表面生长石墨烯(VFG)，得到VFG-Cu；
步骤三、按质量分数称取VFG-Cu 80％～92％和余量的ZrH2并混合均匀，得到混合粉末；
步骤四、对步骤三中得到的混合粉末进行压片处理，得到钎料箔片；
步骤五、将待钎焊的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金进行预清洗处理，得到预清洗处理后的ZrC-SiC陶瓷和TC4钛合金；
步骤六、将步骤四得到的钎料箔片置于步骤五得到的预预清洗处理处理后的ZrC-SiC陶瓷和TC4钛合金之间并进行组装，进行钎焊，然后随炉冷却，即完成。
本发明原理及有益效果为：
本发明在Cu粉表面原位生长垂直少层石墨烯，制备了含有石墨烯增强复合钎料，优化钎缝组织，降低了钎缝中脆性化合物占比。石墨烯的添加还降低了钎料线膨胀系数，缓解了接头残余应力，实现ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金的可靠连接。钎料中添加了ZrH2粉末，在焊接过程中分解出Zr元素，可与母材ZS陶瓷进行反应，从而提高了钎料对母材润湿性。金属母材TC4会向钎料中过度溶解，导致的结果是焊缝中Ti元素含量较高，从而会生成大量不利于接头性能的脆性化合物，而本发明通过在Cu表面生长石墨烯，Ti会优先与石墨烯反应，从而减少接头中的脆性化合物的产生；另外，金属母材TC4向母材中溶解程度主要受到温度影响，本发明钎焊工艺不仅所得接头强度高，还能够解决母材过度溶解的问题。
本发明与专利CN201410066482.0相比区别为：专利CN201410066482.0公开了一种低温高效制备石墨烯增强铜基复合钎料的方法，该专利所制备复合钎料为石墨烯增强的Cu基钎料，钎料成分为Cu与Sn、Ag、P、Mn的混合，钎料中无活性元素，无法实现惰性陶瓷的活性连接，并且该专利只公开了钎料的制备，并未公开适用的焊接对象，无法确定该能否解决石墨烯分散性差、表面缺陷多、制备效率低的问题。本发明提出的石墨烯增强的Cu-Zr钎料，是一种活性钎料，可以实现惰性陶瓷的钎焊连接，同时本发明通过该钎料实现了陶瓷与金属的连接，通过石墨烯的引入解决了金属/陶瓷钎焊应力过大的难题。
本发明与专利CN201810011105.5的区别为：专利CN201810011105.5公开了一种用于核用SiC陶瓷连接的Zr基钎料及钎焊工艺，该专利中钎料为Zr基钎料，而本发明为Cu基钎料，两种钎料本质上完全不同，包括钎料熔点、服役温度、物理性能等的不同。铜基钎料的服役温度低于500℃，专利CN201810011105.5中Zr基钎料高于铜基钎料的服役温度；本发明Cu基钎料熔点在900-950℃，而专利CN201810011105.5焊接温度在1100-1350℃之间，说明熔点远远高于本发明钎料熔点。物理性能方面，Zr具有低的热中子吸收截面、耐蚀、不形成强放射性的特点，而铜基钎料不是应用于该背景的钎料，因此无此特性。专利CN201810011105.5中钎料元素需要考虑具有低的热中子吸收截面、耐蚀、合金元素不形成强放射性核元素的需求，而本发明不需考虑。此外，焊接对象和解决的问题也不相同，专利CN201810011105.5的钎料应用领域是核燃料包壳材料的焊接，且是SiC陶瓷同种材料的焊接。而本发明应用在航天领域，且焊接对象是金属和陶瓷，为异种材料的连接，因此本发明需要解决金属/陶瓷的连接应力的问题。
附图说明
图1为实施例二得到的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金的钎焊接头SEM形貌图。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方式间的任意合理组合。
具体实施方式一：本实施方式ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法按以下步骤进行：
步骤一、向纯Cu粉中加入ZrH2粉末作为分散剂，充分混合后均匀平铺于硅片上；
步骤二、使用PECVD法在步骤一硅片上的铜粉表面生长石墨烯(VFG)，得到VFG-Cu；
步骤三、按质量分数称取VFG-Cu 80％～92％和余量的ZrH2并混合均匀，得到混合粉末；步骤三重新称取ZrH2；
步骤四、对步骤三中得到的混合粉末进行压片处理，得到钎料箔片；
步骤五、将待钎焊的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金进行预清洗处理，得到预清洗处理后的ZrC-SiC陶瓷和TC4钛合金；
步骤六、将步骤四得到的钎料箔片置于步骤五得到的预预清洗处理处理后的ZrC-SiC陶瓷和TC4钛合金之间并进行组装，进行钎焊，然后随炉冷却，即完成。
本实施方式在Cu粉表面原位生长垂直少层石墨烯，制备了含有石墨烯增强复合钎料，优化钎缝组织，降低了钎缝中脆性化合物占比。石墨烯的添加还降低了钎料线膨胀系数，缓解了接头残余应力，实现ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金的可靠连接。钎料中添加了ZrH2粉末，在焊接过程中分解出Zr元素，可与母材ZS陶瓷进行反应，从而提高了钎料对母材润湿性。金属母材TC4会向钎料中过度溶解，导致的结果是焊缝中Ti元素含量较高，从而会生成大量不利于接头性能的脆性化合物，而本实施方式通过在Cu表面生长石墨烯，Ti会优先与石墨烯反应，从而减少接头中的脆性化合物的产生；另外，金属母材TC4向母材中溶解程度主要受到温度影响，本实施方式钎焊工艺不仅所得接头强度高，还能够解决母材过度溶解的问题。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是：步骤一所述平铺厚度为44-75μm。(44-75μm时为单层Cu粉)。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二不同的是：步骤一所述Cu粉中分散剂的质量分数为0.5％～3％。ZrH2作为分散剂使用，在沉积过程中不会生长石墨烯，ZrH2能够防止生长石墨烯之后的Cu粉末粘连在一起。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式三不同的是：步骤一所述Cu粉中分散剂的质量分数为1％～2％。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是：步骤二所述PECVD法(等离子体增强化学气相沉积法)在铜粉表面生长石墨烯的工艺为：在等离子体增强化学气相沉积设备中进行，抽真空至1Pa～10Pa以下，按照体积比通入80％Ar+20％H2的混合气体，控制混合气体流量为100sccm，调节并控制混合气体压强为200Pa，开始加热至700℃～750℃，到温后通入CH4和Ar，关闭混合气，调节CH4和Ar压强比为20：80，控制CH4和Ar总气流量为100sccm，并将CH4和Ar的气体总压强控制在500Pa～800Pa，设定射频功率为180W～220W，反应沉积50min～70min，关闭射频和电源，停止CH4通入，待温度降至450℃下停止通入Ar，随炉冷却至室温，得到VFG-Cu。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是：步骤三所述混合粉末中VFG-Cu的质量分数为80％～92％，ZrH2为余量。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式六不同的是：步骤三所述混合粉末中VFG-Cu的质量分数为85％～90％，ZrH2为余量。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是：步骤四所述压片工艺为：在压力为2MPa～10Mpa下保持2min～3min，得到厚度50μm～500μm的钎料箔片。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是：步骤五所述预清洗处理工艺为：首先切割成型，再经砂盘打磨至表面光滑，然后放入无水乙醇溶液中超声清洗5min～20min。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式一至九之一不同的是：步骤六所述钎焊工艺为：将钎焊炉中抽真空至5×10-3Pa，首先以1℃/min～10℃/min的速率升温到960℃～990℃并保温10min～15min，然后以1℃/min～5℃/min的速率降温冷却到室温。
实施例一：
本实施例ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法按以下步骤进行：
步骤一、向纯Cu粉中加入ZrH2粉末作为分散剂，充分混合后均匀平铺于硅片上；
所述平铺厚度为44-75μm；所述Cu粉中分散剂的质量分数为1％。
步骤二、使用PECVD法在步骤一硅片上的铜粉表面生长石墨烯(VFG)，得到VFG-Cu；
所述PECVD法(等离子体增强化学气相沉积法)在铜粉表面生长石墨烯的工艺为：在等离子体增强化学气相沉积设备中进行，抽真空至5Pa以下，按照体积比通入80％Ar+20％H2的混合气体，控制混合气体流量为100sccm，调节并控制混合气体压强为200Pa，开始加热至700℃，到温后通入CH4和Ar，关闭混合气，调节CH4和Ar压强比为20：80，控制CH4和Ar总气流量为100sccm，并将CH4和Ar的气体总压强控制在800Pa，设定射频功率为180W，反应沉积50min，关闭射频和电源，停止CH4通入，待温度降至450℃下停止通入Ar，随炉冷却至室温，得到VFG-Cu。
步骤三、按质量分数称取VFG-Cu：80％和余量的ZrH2并混合均匀，得到混合粉末；
步骤四、对步骤三中得到的混合粉末进行压片处理，得到钎料箔片；所述压片工艺为：在压力为10Mpa下保持3min，得到厚度200μm的钎料箔片；
步骤五、将待钎焊的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金进行预清洗处理，得到预清洗处理后的ZrC-SiC陶瓷和TC4钛合金；所述预清洗处理工艺为：首先切割成型，再经砂盘打磨至表面光滑，然后放入无水乙醇溶液中超声清洗10min；
步骤六、将步骤四得到的钎料箔片置于步骤五得到的预预清洗处理处理后的ZrC-SiC陶瓷和TC4钛合金之间并进行组装，进行钎焊，然后随炉冷却，即完成；
所述钎焊工艺为：将钎焊炉中抽真空至5×10-3Pa，首先以10℃/min的速率升温到960℃并保温15min，然后以5℃/min的速率降温冷却到室温。
本实施例ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金的焊接接头无气孔，组织致密、强度高，接头室温剪切强度达到90MPa。
实施例二：本实施例ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法按以下步骤进行：
步骤一、向纯Cu粉中加入ZrH2粉末作为分散剂，充分混合后均匀平铺于硅片上；
所述平铺厚度为44-75μm；所述Cu粉中分散剂的质量分数为2％。
步骤二、使用PECVD法在步骤一硅片上的铜粉表面生长石墨烯(VFG)，得到VFG-Cu；
所述PECVD法(等离子体增强化学气相沉积法)在铜粉表面生长石墨烯的工艺为：
在等离子体增强化学气相沉积设备中进行，抽真空至10Pa以下，按照体积比通入80％Ar+20％H2的混合气体，控制混合气体流量为100sccm，调节并控制混合气体压强为200Pa，开始加热至750℃，到温后通入CH4和Ar，关闭混合气，调节CH4和Ar压强比为20：80，控制CH4和Ar总气流量为100sccm，并将CH4和Ar的气体总压强控制在700Pa，设定射频功率为200W，反应沉积60min，关闭射频和电源，停止CH4通入，待温度降至450℃下停止通入Ar，随炉冷却至室温，得到VFG-Cu。
步骤三、按质量分数称取VFG-Cu：87％和余量的ZrH2并混合均匀，得到混合粉末；
步骤四、对步骤三中得到的混合粉末进行压片处理，得到钎料箔片；所述压片工艺为：在压力为10Mpa下保持3min，得到厚度200μm的钎料箔片；
步骤五、将待钎焊的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金进行预清洗处理，得到预清洗处理后的ZrC-SiC陶瓷和TC4钛合金；所述预清洗处理工艺为：首先切割成型，再经砂盘打磨至表面光滑，然后放入无水乙醇溶液中超声清洗20min；
步骤六、将步骤四得到的钎料箔片置于步骤五得到的预预清洗处理处理后的ZrC-SiC陶瓷和TC4钛合金之间并进行组装，进行钎焊，然后随炉冷却，即完成；
所述钎焊工艺为：将钎焊炉中抽真空至5×10-3Pa，首先以10℃/min的速率升温到990℃并保温10min，然后以5℃/min的速率降温冷却到室温。
本实施例ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法通过合理选择合理选择钎料成分并对其相应的设计焊接工艺，能够形成无气孔、组织致密、强度高的焊接接头(如图1所示)。经过测试表明，本实施例钎料连接ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金的接头室温剪切强度达到91MPa。

Claims (10)

1.一种ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：该方法按以下步骤进行：
步骤一、向纯Cu粉中加入ZrH2粉末作为分散剂，充分混合后均匀平铺于硅片上；
步骤二、使用PECVD法在步骤一硅片上的铜粉表面生长石墨烯，得到VFG-Cu；
步骤三、按质量分数称取VFG-Cu 80％～92％和余量的ZrH2并混合均匀，得到混合粉末；
步骤四、对步骤三中得到的混合粉末进行压片处理，得到钎料箔片；
步骤五、将待钎焊的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金进行预清洗处理，得到预清洗处理后的ZrC-SiC陶瓷和TC4钛合金；
步骤六、将步骤四得到的钎料箔片置于步骤五得到的预预清洗处理处理后的ZrC-SiC陶瓷和TC4钛合金之间并进行组装，进行钎焊，然后随炉冷却，即完成。
2.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤一所述平铺厚度为44-75μm。
3.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤一所述Cu粉中分散剂的质量分数为0.5％～3％。
4.根据权利要求3所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤一所述Cu粉中分散剂的质量分数为1％～2％。
5.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤二所述PECVD法在铜粉表面生长石墨烯的工艺为：
在等离子体增强化学气相沉积设备中进行，抽真空至1Pa～10Pa以下，按照体积比通入80％Ar+20％H2的混合气体，控制混合气体流量为100sccm，调节并控制混合气体压强为200Pa，开始加热至700℃～750℃，到温后通入CH4和Ar，关闭混合气，调节CH4和Ar压强比为20：80，控制CH4和Ar总气流量为100sccm，并将CH4和Ar的气体总压强控制在500Pa～800Pa，设定射频功率为180W～220W，反应沉积50min～70min，关闭射频和电源，停止CH4通入，待温度降至450℃下停止通入Ar，随炉冷却至室温，得到VFG-Cu。
6.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤三所述混合粉末中VFG-Cu的质量分数为80％～92％，ZrH2为余量。
7.根据权利要求6所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤三所述混合粉末中VFG-Cu的质量分数为85％～90％，ZrH2为余量。
8.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤四所述压片工艺为：在压力为2MPa～10Mpa下保持2min～3min，得到厚度50μm～500μm的钎料箔片。
9.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤五所述预清洗处理工艺为：首先切割成型，再经砂盘打磨至表面光滑，然后放入无水乙醇溶液中超声清洗5min～20min。
10.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤六所述钎焊工艺为：将钎焊炉中抽真空至5×10-3Pa，首先以1℃/min～10℃/min的速率升温到960℃～990℃并保温10min～15min，然后以1℃/min～5℃/min的速率降温冷却到室温。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114669816A (zh) * 2022-04-22 2022-06-28 湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司 一种氧化铝陶瓷-金属钎焊方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103817466A (zh) * 2014-02-26 2014-05-28 哈尔滨工业大学 一种低温高效制备石墨烯增强铜基复合钎料的方法
CN105252169A (zh) * 2015-09-14 2016-01-20 安徽工程大学 一种钎焊ZrB2-SiC陶瓷的活性非晶钎料及其制备方法和钎焊工艺
CN105397344A (zh) * 2015-12-23 2016-03-16 哈尔滨工业大学 原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料的方法
CN106363265A (zh) * 2016-10-08 2017-02-01 哈尔滨工业大学 使用Ti‑Zr‑Ni‑Cu钎料钎焊SiC和Zr‑4合金的方法
US20180272476A1 (en) * 2015-09-25 2018-09-27 Tianjin University Preparation of Sn-based silver-graphene lead-free composite solders
CN108620767A (zh) * 2018-05-08 2018-10-09 哈尔滨工业大学 一种用于钎焊石英短纤维增强二氧化硅复合材料与Invar合金的复合钎料及其制备方法
JP2020527461A (ja) * 2017-07-04 2020-09-10 ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハーＲｏｇｅｒｓ Ｇｅｒｍａｎｙ ＧｍｂＨ 活性ハンダ付けのためのハンダ付け材料、及び活性ハンダ付け方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103817466A (zh) * 2014-02-26 2014-05-28 哈尔滨工业大学 一种低温高效制备石墨烯增强铜基复合钎料的方法
CN105252169A (zh) * 2015-09-14 2016-01-20 安徽工程大学 一种钎焊ZrB2-SiC陶瓷的活性非晶钎料及其制备方法和钎焊工艺
US20180272476A1 (en) * 2015-09-25 2018-09-27 Tianjin University Preparation of Sn-based silver-graphene lead-free composite solders
CN105397344A (zh) * 2015-12-23 2016-03-16 哈尔滨工业大学 原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料的方法
CN106363265A (zh) * 2016-10-08 2017-02-01 哈尔滨工业大学 使用Ti‑Zr‑Ni‑Cu钎料钎焊SiC和Zr‑4合金的方法
JP2020527461A (ja) * 2017-07-04 2020-09-10 ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハーＲｏｇｅｒｓ Ｇｅｒｍａｎｙ ＧｍｂＨ 活性ハンダ付けのためのハンダ付け材料、及び活性ハンダ付け方法
CN108620767A (zh) * 2018-05-08 2018-10-09 哈尔滨工业大学 一种用于钎焊石英短纤维增强二氧化硅复合材料与Invar合金的复合钎料及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ZHANG LX等: "Microstructure evolution and mechanical property of ZrC-SiC/Ti6Al4V joints brazed using Ti-15Cu-15Ni filler", 《JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114669816A (zh) * 2022-04-22 2022-06-28 湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司 一种氧化铝陶瓷-金属钎焊方法
CN114669816B (zh) * 2022-04-22 2023-08-22 湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司 一种氧化铝陶瓷-金属钎焊方法

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