CN112427264A - 导热膏涂覆方法、系统、半导体封装结构及其制备方法 - Google Patents

导热膏涂覆方法、系统、半导体封装结构及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种导热膏涂覆方法、系统、半导体封装结构及其制备方法,包括:提供底板及喷涂装置,底板包括若干个打点位置;使用喷涂装置依次于各打点位置喷涂预设量的导热膏;其中,使用喷涂装置于各打点位置喷涂预设量的导热膏之前,还包括:测量喷涂装置的喷口与位于其正下方的打点位置的高度;当测量的高度与预设高度有偏差时,将喷涂装置的喷口与位于其正下方的打点位置的距离调整至预设高度。本发明通过使用喷涂装置,并将喷涂装置调整至预设高度,向各打点位置喷涂预设量的导热膏,使得导热膏被均匀地涂覆在底板上,底板的中间弧面和两端处的导热膏厚度相同,避免出现两端处导热膏过薄而导致的连接失效和空洞率过高问题。

Description

导热膏涂覆方法、系统、半导体封装结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体生产领域,特别是涉及一种导热膏涂覆方法、系统、半导体封装结构及其制备方法。
背景技术
近年来,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)被广泛关注,随着技术的发展,其应用前景被广泛看好。当前,IGBT封装功率模块的底板一般设计成具有翘曲结构,这主要是为了在后续使用过程中便于安装。
具有这种翘曲结构的铜底板也带来了相关问题,在通过导热膏过回流焊来连接覆铜陶瓷板和铜底板的工艺中,翘曲的铜底板在印刷工艺中通过钢网印刷的导热膏一个中间厚、两边薄的弧形结构。因此,回流焊后形成的导热膏焊层也是不均匀的一个弧形结构,这样的弧形焊层结构会导致底板两端的焊层厚度过薄,使得功率循环过程中由于热应力的作用下导致机械性失效。弧面中间部分的较厚的焊层则会带来另外一个问题,厚度越大,模块的结壳热阻也越大,更大的热阻会导致芯片的热量更难以通过底板散失出去。并且,当需要印刷较小尺寸的导热膏点时,钢网印刷难以很好地印刷小尺寸的导热膏点,在制作印刷位置较小的钢网时,这时候在工艺上难以实现或者做出的钢网的可靠性不好,容易使用老化,磨损等情况。
发明内容
基于此,有必要针对上述背景技术中的技术问题,提供一种在回流焊工艺后能够得到厚度均匀的导热膏层的导热膏涂覆方法、系统、半导体封装结构及其制备方法,
为了解决上述技术问题,一方面,本发明提供了一种导热膏的涂覆方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供底板及喷涂装置,所述底板包括若干个打点位置;
使用所述喷涂装置依次于各所述打点位置喷涂预设量的导热膏;其中,使用所述喷涂装置于各所述打点位置喷涂预设量的所述导热膏之前,还包括如下步骤:
测量所述喷涂装置的喷口与位于其正下方的所述打点位置的高度;
当测量的高度与预设高度有偏差时,将所述喷涂装置的喷口与位于其正下方的所述打点位置的距离调整至预设高度。
于上述实施例中的导热膏的涂覆方法中,通过使用喷涂装置,并将喷涂装置调整至预设高度,向各打点位置喷涂预设量的导热膏,使得导热膏被均匀地涂覆在底板上,底板各处的导热膏厚度相同,避免出现两端处导热膏过薄而导致的连接失效和空洞率过高问题。
在其中一个实施例中,所述底板的上表面为曲面。
在其中一个实施例中,所述预设高度为0.6-1.0mm。
在其中一个实施例中,所述使用所述喷涂装置依次于各所述打点位置喷涂预设量的导热膏之前,还包括如下步骤:
建立三维坐标系;
基于所述三维坐标系,使用所述喷涂装置逐行逐列逐点于各所述打点位置喷涂预设量的所述导热膏。
于上述实施例中的导热膏的涂覆方法中,通过建立三维坐标系,使得喷涂装置能够精确地定位到打点位置和预设高度,并且便于涂覆过程开始时的校正。
在其中一个实施例中,还包括如下步骤:
对所得结构进行回流处理,以于所述底板表面形成厚度均匀的导热膏层。
于上述实施例中的导热膏的涂覆方法中,由于在底板上涂覆的导热膏厚度均匀,使得在回流处理之后能够得到厚度均匀的导热膏层。
本发明还提供了一种导热膏涂覆系统,包括:
喷涂装置,用于在底板表面各打点位置喷涂预设量的导热膏;
测量装置,用于在所述喷涂装置向位于其正下方的所述打点位置喷涂所述导热膏之前测量所述喷涂装置的喷口与位于其正下方的所述打点位置的高度;
调节装置,与喷涂装置及测量装置相连接,用于当所述测量结果与预设高度有偏差时,将所述喷涂装置的喷口与位于其正下方的所述打点位置的距离调整至预设高度;
驱动装置,与喷涂装置相连接,用于驱动所述喷涂装置在各所述打点位置之间移动。
于上述实施例中的导热膏涂覆系统中,通过测量装置和调节装置将喷涂装置调整至预设高度,驱动装置驱动喷涂装置向各打点位置喷涂预设量的导热膏,使得导热膏被均匀地涂覆在底板上,底板各处的导热膏厚度相同,避免出现两端处导热膏过薄而导致的连接失效和空洞率过高问题。
在其中一个实施例中,还包括:
处理模块,与所述驱动装置相连接,用于建立三维坐标系;
所述驱动装置基于所述处理模块建立的所述三维坐标系驱动所述喷涂装置移动。
于上述实施例中的导热膏涂覆系统中,通过建立三维坐标系,使得喷涂装置能够精确地定位到打点位置和预设高度,并且便于涂覆过程开始时的校正。
在其中一个实施例中,所述喷涂装置为喷射阀或螺杆阀。
本发明还提供了一种半导体封装结构的制备方法,包括如下步骤:
采用如上述任一实施例中的导热膏的涂覆方法于所述底板表面喷涂第一层导热膏;
提供覆铜陶瓷板,将所述覆铜陶瓷板贴合于所述第一层导热膏的上表面;
于所述覆铜陶瓷板上表面喷涂第二层导热膏;
提供IGBT芯片,将所述IGBT芯片贴合于所述第二层导热膏的上表面;
对所得结构进行回流,以于所述覆铜陶瓷板与所述IGBT芯片之间形成厚度均匀的第二导热膏层。
于上述实施例中的半导体封装结构的制备方法中,厚度均匀的第一导热膏层能够对贴合于其上表面的覆铜陶瓷板产生较为均匀的热应力作用。同时,通过使用导热膏将两种结构通过导热膏贴合在一起,由于导热膏是膏状,经过回流或者烧结之后,导热膏能够紧密的将两种结构结合在一起,使得回流或者烧结之后中间的连接层变得非常牢固和紧密。
在其中一个实施例中,于所述覆铜陶瓷板上表面喷涂第二层导热膏之前,还包括:
对所得结构进行回流,以于所述底板与所述覆铜陶瓷板之间形成厚度均匀的第一导热膏层。
本发明还提供了一种半导体封装结构,包括:
底板;
第一导热膏层,位于所述底板的上表面,采用如权利要求1-5任一项所述的导热膏的涂覆方法喷涂形成;
覆铜陶瓷板,位于所述第一导热膏层的上表面;
第二导热膏层,位于所述覆铜陶瓷板的上表面;
IGBT芯片,位于所述第二导热膏层的上表面。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例中提供的导热膏的涂覆方法的流程图;
图2为本申请一实施例中提供的导热膏的涂覆方法中使用喷涂装置于底板上喷涂导热膏的示意图;
图3为本申请另一实施例中提供的导热膏的涂覆方法的流程图;
图4为本申请一实施例中提供的导热膏涂覆系统的结构框图;
图5-6为本申请一些实施例中提供的半导体封装结构的制备方法的流程图;
图7为本申请一实施例中提供的半导体封装结构的结构示意图。
附图标记说明:
10-底板,2-喷涂装置,3-导热膏,11-第一导热膏层,12-覆铜陶瓷板,13-第二导热膏层,14-IGBT芯片,4-测量装置,5-调节装置,6-驱动装置。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。
应当明白,尽管可使用术语第一、第二等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分,这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此,在不脱离本发明教导之下,下面讨论的第一元件、部件、区、层、掺杂类型或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分;举例来说,可以将第一导热膏层称为第二导热膏层,且类似地,可以将第二导热膏层称为第一导热膏层。
在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式,除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是,术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在,但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时,在本说明书中,术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例,这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。因此,本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状,而是包括由于例如制造技术导致的形状偏差,图中显示的区实质上是示意性的,它们的形状并不表示器件的区的实际形状,且并不限定本发明的范围。
近年来,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)被广泛关注,随着技术的发展,其应用前景被广泛看好。当前,IGBT封装功率模块的底板一般设计成具有翘曲结构,这主要是为了在后续使用过程中便于安装。
具有这种翘曲结构的铜底板也带来了相关问题,在通过锡膏过回流焊来连接覆铜陶瓷板和铜底板的工艺中,翘曲的铜底板在印刷工艺中通过钢网印刷的锡膏是一个中间厚、两边薄的弧形结构。因此,回流焊后形成的锡膏焊层也是不均匀的一个弧形结构,这样的弧形焊层结构会导致底板两端的焊层厚度过薄,使得功率循环过程中由于热应力的作用下导致机械性失效。弧面中间部分的较厚的焊层则会带来另外一个问题,厚度越大,模块的结壳热阻也越大,更大的热阻会导致芯片的热量更难以通过底板散失出去。并且,当需要印刷较小尺寸的锡膏点时,钢网印刷难以很好地印刷小尺寸的锡膏点,在制作印刷位置较小的钢网时,这时候在工艺上难以实现或者做出的钢网的可靠性不好,容易使用老化,磨损等情况。
为了解决上述技术问题,请参阅图1及图2,本发明提供一种导热膏的涂覆方法,包括如下步骤:
S10:提供底板10及喷涂装置2,底板10包括若干个打点位置;
S15:使用喷涂装置2依次于各打点位置喷涂预设量的导热膏3。
具体的,预设量指的是喷涂装置2每一次打点时喷出的导热膏3的量,用户可根据实际需求设置预设量的大小,本发明对此不作限定。
具体的,导热膏3可以为锡膏或银浆,本发明对导热膏的种类不作限定。
在其中一个实施例中,步骤S15之前,还包括如下步骤:
S11:测量喷涂装置2的喷口与位于其正下方的打点位置的高度;
S12:当测量的高度与预设高度有偏差时,将喷涂装置2的喷口与位于其正下方的打点位置的距离调整至预设高度。
具体的,预设高度指的是预先设定的喷涂装置2打点时,喷口与底板10之间的距离,预设高度会直接影响导热膏3在底板10的离散状态、直径及形状。用户可根据实际需求,设置喷涂装置2打点时的预设高度,以调整导热膏点在底板10上的离散状态、直径及形状,本发明对此不作限定。优选的,在本实施例中,预设高度为0.6-1.0mm,具体的,预设高度可以为0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm或1mm等等。
具体的,在本申请的一个实施例中,用户可根据实际需求,调整喷涂装置2的打点速率,本实施例对喷涂装置2的打点速率并不做限定。
于上述实施例中的导热膏的涂覆方法中,通过使用喷涂装置2,并将喷涂装置2调整至预设高度,向各打点位置喷涂预设量的导热膏3,使得导热膏3被均匀地涂覆在底板10上,底板10的中间弧面和两端处的导热膏3厚度相同,避免出现两端处导热膏3过薄而导致的连接失效和空洞率过高问题。
具体的,喷涂装置2安装具有激光探高等功能激光检测治具,可以自动到打点位置测量高度,并根据测量的高度自动调整至预设高度。
在其中一个实施例中,请参阅图3,步骤S15之前,还包括如下步骤:
S13:建立三维坐标系;
S14:基于三维坐标系,使用喷涂装置2逐行逐列逐点于各打点位置喷涂预设量的导热膏3。
于上述实施例中的导热膏的涂覆方法中,通过建立三维坐标系,使得喷涂装置能够精确地定位到打点位置和预设高度,并且便于涂覆过程开始时的校正。
具体的,喷涂装置2中安装的功能激光检测治具可以用于补偿校正过程中的Z轴高度。喷涂装置2自动到打点位置测量高度,根据测量的结果,自动调整Z轴上的高度至预设高度。
具体的,可以将开始喷涂的第一个点设为零点位置(X=0,Y=0,Z=0),并根据软件程序设置的校正点数(即每一行、列飞行打点数目)逐行逐列逐点地打出每一个点状的导热膏3。用户可以根据各打点位置实际需求的导热膏3的量,设置在每个打点位置的坐标点上喷涂导热膏3打点的个数以及校正点数,本发明对此不作限定。
在其中一个实施例中,步骤S15之后还包括:
S16:对所得结构进行回流处理,以于底板10表面形成厚度均匀的导热膏层。
于上述实施例中的导热膏的涂覆方法中,由于在底板上涂覆的导热膏厚度均匀,使得在回流处理之后能够得到厚度均匀的导热膏层。
可选的,还可以对所得结构进行烧结处理,当导热膏为锡膏时,对所得结构进行回流处理;当导热膏为银浆时,对所得结构进行银烧结处理;本实施例对形成焊层的具体工艺并不做限定。
在其中一个实施例中,底板10的上表面为曲面。具体的,底板10的上表面可以为凹曲面。
于上述实施例中的导热膏的涂覆方法中,由于喷涂装置2每一次喷出的导热膏3都是预设量,即在曲面的底板10上喷涂了一层厚度均匀的导热膏,使得在回流处理之后能够在曲面的底板10上得到厚度均匀的导热膏层,避免出现底板10的两端导热膏层过薄,功率循环过程中由于热应力的作用下导致机械性失效或者底板10中间的导热膏层过厚,导致散热困难的问题。
请参阅图4,本发明还提供一种导热膏涂覆系统,包括:
喷涂装置2,用于在底板10表面各打点位置喷涂预设量的导热膏3;
测量装置4,用于在喷涂装置2向位于其正下方的打点位置喷涂导热膏3之前测量喷涂装置2的喷口与位于其正下方的打点位置的高度;
调节装置5,与喷涂装置2及测量装置4相连接,用于当测量结果与预设高度有偏差时,将喷涂装置2的喷口与位于其正下方的打点位置的距离调整至预设高度;
驱动装置6,与喷涂装置2相连接,用于驱动喷涂装置2在各所述打点位置之间移动。
于上述实施例中的导热膏涂覆系统中,通过测量装置4和调节装置5将喷涂装置2调整至预设高度,驱动装置6驱动喷涂装置2向各打点位置喷涂预设量的导热膏3,使得导热膏3被均匀地涂覆在底板10上,底板10的中间弧面和两端处的导热膏3厚度相同,避免出现两端处导热膏3过薄而导致的连接失效和空洞率过高问题。
具体的,在本申请的一个实施例中,用户可根据实际需求,调整喷涂装置2的打点速率,本实施例对喷涂装置2的打点速率并不做限定。
在其中一个实施例中,导热膏涂覆系统还包括:
处理模块,与驱动装置6相连接,用于建立三维坐标系;驱动装置6基于处理模块建立的三维坐标系驱动喷涂装置2移动。
于上述实施例中的导热膏涂覆系统中,通过建立三维坐标系,使得喷涂装置2能够精确地定位到打点位置和预设高度,并且便于涂覆过程开始时的校正。
具体的,喷涂装置2可以为喷射阀或螺杆阀,本发明对喷涂装置2的种类不作限定。优选的,在其中一个实施例中,喷涂装置2为螺杆阀,螺杆阀具有打点速度更快的特点。
进一步的,用户可以根据实际需求使用不同口径的喷射阀,喷射阀的口径会影响喷射导热膏3的点的直径大小。优选的,本实施例中的喷射阀口径为0.2-0.45mm,具体的,喷射阀口径可以为0.2mm、0.3mm、0.4mm或0.45mm等等。
进一步的,用户可根据实际需求,调整喷射阀或螺杆阀的阀门打点速率,本实施例对阀门打点速率并不做限定。
于上述实施例中的导热膏涂覆系统中,当需要印刷较小尺寸的导热膏点时,钢网印刷难以很好地印刷小尺寸的导热膏点,在制作印刷位置较小的钢网时,这时候在工艺上难以实现或者做出的钢网的可靠性不好,容易使用老化,磨损等情况。通过根据导热膏3的粉径,选择小口径的喷射阀,能够在小尺寸的底板上形成厚度均匀的导热膏层,以制作较小尺寸的芯片。
请参阅图5,本发明还提供一种半导体封装结构的制备方法,包括如下步骤:
采用如前任一实施例中的导热膏的涂覆方法于底板10表面喷涂第一层导热膏3;
提供覆铜陶瓷板12,将覆铜陶瓷板12贴合于第一层导热膏3的上表面;
于覆铜陶瓷板12上表面喷涂第二层导热膏3;
提供IGBT芯片14,将IGBT芯片14贴合于第二层导热膏3的上表面;
对所得结构进行回流,以于底板10与覆铜陶瓷板12之间形成厚度均匀的第一导热膏层11,覆铜陶瓷板12与IGBT芯片14之间形成厚度均匀的第二导热膏层13。
于上述实施例中的半导体封装结构的制备方法中,厚度均匀的第一导热膏层11能够对贴合于其上表面的覆铜陶瓷板12产生较为均匀的热应力作用。同时,通过使用导热膏将两种结构通过导热膏贴合在一起,由于导热膏是膏状,经过回流或者烧结之后,导热膏能够紧密的将两种结构结合在一起,使得回流或者烧结之后中间的连接层变得非常牢固和紧密。
可选的,请参阅图6,在本申请的一个实施例中,于覆铜陶瓷板12上表面喷涂第二层导热膏3之前,还包括如下步骤:
对所得结构进行回流,以于底板10与覆铜陶瓷板12之间形成厚度均匀的第一导热膏层11;
可选的,本申请实施例可以在将覆铜陶瓷板12贴合于第一层导热膏3的上表面之后和将IGBT芯片14贴合于第二层导热膏3的上表面之后分别对第一层导热膏和第二层导热膏进行回流或者烧结,也可以在将IGBT芯片14贴合于第二层导热膏3的上表面之后对第一层导热膏和第二层导热膏同时进行回流或者烧结,本实施例对此并不做限定。
请参阅图7,本发明还提供一种半导体封装结构,包括:
底板10;
第一导热膏层11,位于底板10的上表面,采用如前任一实施例中的导热膏的涂覆方法喷涂形成;
覆铜陶瓷板12,位于第一导热膏层11的上表面;
第二导热膏层13,位于覆铜陶瓷板12的上表面;
IGBT芯片14,位于第二导热膏层13的上表面。
上述实施例中提供的导体封装结构,通过形成厚度均匀的第一导热膏层11和第二导热膏层13,避免了在功率循环过程中由于热应力的作用下导致的机械性失效问题,同时也避免产生过大的模块结壳热阻,模块结壳热阻过大会导致芯片的热量更难以通过底板10散失出去。
应该理解的是,虽然图1、图3及图5的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的顺序限制,这些步骤可以以其它的顺序执行。而且,图1、图3及图5中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段,这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在本说明书的描述中,参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种导热膏的涂覆方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供底板及喷涂装置,所述底板包括若干个打点位置;
使用所述喷涂装置依次于各所述打点位置喷涂预设量的导热膏;其中,使用所述喷涂装置于各所述打点位置喷涂预设量的所述导热膏之前,还包括如下步骤:
测量所述喷涂装置的喷口与位于其正下方的所述打点位置的高度;
当测量的高度与预设高度有偏差时,将所述喷涂装置的喷口与位于其正下方的所述打点位置的距离调整至预设高度。
2.根据权利要求1所述的导热膏的涂覆方法,其特征在于,所述底板的上表面为曲面。
3.根据权利要求1所述的导热膏的涂覆方法,其特征在于,所述使用所述喷涂装置依次于各所述打点位置喷涂预设量的导热膏之前,还包括如下步骤:
建立三维坐标系;
基于所述三维坐标系,使用所述喷涂装置逐行逐列逐点于各所述打点位置喷涂预设量的所述导热膏。
4.根据权利要求1-3任一项所述的导热膏的涂覆方法,其特征在于,还包括如下步骤:
对所得结构进行回流处理,以于所述底板表面形成厚度均匀的导热膏层。
5.一种导热膏涂覆系统,其特征在于,包括:
喷涂装置,用于在底板表面各打点位置喷涂预设量的导热膏;
测量装置,用于在所述喷涂装置向位于其正下方的所述打点位置喷涂所述导热膏之前测量所述喷涂装置的喷口与位于其正下方的所述打点位置的高度;
调节装置,与喷涂装置及测量装置相连接,用于当所述测量结果与预设高度有偏差时,将所述喷涂装置的喷口与位于其正下方的所述打点位置的距离调整至预设高度;
驱动装置,与喷涂装置相连接,用于驱动所述喷涂装置在各所述打点位置之间移动。
6.根据权利要求5所述的导热膏涂覆系统,其特征在于,还包括:
处理模块,与所述驱动装置相连接,用于建立三维坐标系;
所述驱动装置基于所述处理模块建立的所述三维坐标系驱动所述喷涂装置移动。
7.根据权利要求5所述的导热膏涂覆系统,其特征在于,所述喷涂装置为喷射阀或螺杆阀。
8.一种半导体封装结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
采用如权利要求1-3任一项所述的导热膏的涂覆方法于所述底板表面喷涂第一层导热膏;
提供覆铜陶瓷板,将所述覆铜陶瓷板贴合于所述第一层导热膏的上表面;
于所述覆铜陶瓷板上表面喷涂第二层导热膏;
提供IGBT芯片,将所述IGBT芯片贴合于所述第二层导热膏的上表面;
对所得结构进行回流,以于所述覆铜陶瓷板与所述IGBT芯片之间形成厚度均匀的第二导热膏层。
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构的制备方法,其特征在于,于所述覆铜陶瓷板上表面喷涂第二层导热膏之前,还包括:
对所得结构进行回流,以于所述底板与所述覆铜陶瓷板之间形成厚度均匀的第一导热膏层。
10.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:
底板;
第一导热膏层,位于所述底板的上表面,采用如权利要求1-3任一项所述的导热膏的涂覆方法喷涂形成;
覆铜陶瓷板,位于所述第一导热膏层的上表面;
第二导热膏层,位于所述覆铜陶瓷板的上表面;
IGBT芯片,位于所述第二导热膏层的上表面。
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