CN112421363A - 一种基于Nd:MgO:LiNbO3晶体的正交偏振双波长自由调控切换激光器 - Google Patents

一种基于Nd:MgO:LiNbO3晶体的正交偏振双波长自由调控切换激光器 Download PDF

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Abstract

本公开公开了一种基于Nd:MgO:LiNbO3晶体的正交偏振双波长自由调控切换激光器，激光器的水平光路上从左至右依次放置有激光二极管泵浦源、1084nm谐振腔全反镜、偏振片、Nd:MgO:LiNbO3晶体和输出镜；激光二极管泵浦源用于发射泵浦光；1084nm谐振腔全反镜用于反射Nd:MgO:LiNbO3晶体出射的1084nm激光，使1084nm激光在1084nm谐振腔内振荡；偏振片放置在1084nm与1093nm谐振腔的交叉处，与水平光路成45度角放置，用于分离正交偏振双波长；Nd:MgO:LiNbO3用于出射1084nm和1093nm激光；输出镜用于输出1084nm和1093nm激光；电光晶体和1093nm全反镜依次放置在所述偏振片的反射光路上；电光晶体处于1093nm谐振腔中，用于在外加电压的作用下改变1093nm激光的偏振态；1093nm全反镜用于反射1093nm激光，使1093nm激光两次通过所述电光晶体，并在1093nm谐振腔内振荡。

Description

一种基于Nd:MgO:LiNbO3晶体的正交偏振双波长自由调控切换 激光器
技术领域
本发明涉及激光器领域，尤其涉及一种基于Nd:MgO:LiNbO3晶体的正交偏振双波长自由调控切换激光器。
背景技术
1μm正交偏振双波长激光在材料加工、生物医学、仪器精密测量、激光测距以及激光干涉测量等方面均有着广泛的前景与研究应用价值，是激光领域的一个重要分支，因此如何对输出波长进行精确调控成为了研究重点之一。近年来，基于掺杂钕离子的Nd:YLF、Nd:YAP、Nd:GdVO4以及掺杂镱离子Yb:KGW、Yb:GMB等线性晶体的激光器成为获取正交偏振双波长激光最广为采用的技术手段，而产生正交偏振双波长的主要原因在于晶体材料所掺杂的离子具有垂直的正交偏振态。因此，如何对双波长进行精确控制是未来非常重要的发展方向。
基于Nd:MgO:LiNbO3晶体产生的正交偏振双波长现象刚刚发现，目前报道较少，参见文献“Fan M Q,Li T,Zhao S Z,et al.Dual-wavelength laser operation in a-cutNd:MgO:LiNbO3.Op tical Materials,2016,53:209-213”。显然高泵浦功率下所面临的问题并未涉及，而且也未对输出的正交偏振双波长进行精确调控，另外，基于Nd3+掺杂的MgO:LiNbO3晶体进行周期极化将激光的增益与变频共用同一晶体产生的自泵浦现象也是未来的发展方向。
发明内容
基于上述考虑，本发明提供一种基于Nd:MgO:LiNbO3晶体的正交偏振双波长自由调控切换激光器，其能够对正交偏振双波长1084nm与1093nm进行精确调控，解决了基于Nd:MgO:LiNbO3晶体正交偏振双波长激光器无法精确调控波长输出的问题。
本发明提供的一种基于Nd:MgO:LiNbO3晶体的正交偏振双波长自由调控切换激光器，包括：激光二极管泵浦源、1084nm谐振腔全反镜、偏振片、Nd:MgO:LiNbO3晶体、输出镜、电光晶体和1093nm全反镜，其中：
所述激光器的水平光路上从左至右依次放置有激光二极管泵浦源、1084nm谐振腔全反镜、偏振片、Nd:MgO:LiNbO3晶体和输出镜；
所述激光二极管泵浦源用于发射泵浦光；
所述1084nm谐振腔全反镜沿水平光路放置，用于反射从Nd:MgO:LiNbO3晶体出射的1084nm激光，使1084nm激光在所述1084nm谐振腔全反镜和输出镜构成的1084nm谐振腔内振荡；
所述偏振片放置在1084nm与1093nm谐振腔的交叉处，与水平光路成45度角放置，用于分离正交偏振双波长；
所述Nd:MgO:LiNbO3晶体沿水平光路放置，用于出射1084nm和1093nm激光；
所述输出镜沿水平光路放置，用于输出1084nm和1093nm激光；
所述电光晶体和1093nm全反镜依次放置在所述偏振片的反射光路上；
所述电光晶体处于1093nm谐振腔中，用于在外加电压的作用下改变1093nm激光的偏振态；
所述1093nm全反镜放置在所述电光晶体的光路后端，用于反射1093nm激光，使1093nm激光两次通过所述电光晶体，并在所述1093nm全反镜、偏振片和输出镜构成的1093nm谐振腔内振荡。
可选地，所述激光二极管泵浦源的波长为813nm，纤芯半径为200μm、数值孔径为0.22，经1:2耦合镜筒后发射半径为400μm的泵浦光斑，通过所述1084nm谐振腔全反镜和偏振片后聚焦于所述Nd:MgO:LiNbO3晶体的端面上。
可选地，所述1084nm谐振腔全反镜为平平镜，且镀有1084nm/1093nm全反膜。
可选地，所述偏振片镀有1084-1093nm偏振膜，对S偏振光高度反射，对P偏振光高度透射。
可选地，所述Nd:MgO:LiNbO3晶体采用a轴切割，晶体尺寸为：厚×宽×长＝2mm×6mm×40mm，MgO掺杂浓度设置为5％，Nd3+离子掺杂浓度设置为0.4％，两端面镀有813nm泵浦光和1084nm、1093nm基频光增透膜。
可选地，所述输出镜为平凹镜，且镀有1084nm/1093nm增透膜，透过率为6％。
可选地，所述电光晶体镀有1μm激光增透膜，当所述电光晶体两端加入λ/4电压时，能够使激光的相位延迟π/2。
可选地，所述电光晶体为铌酸锂晶体、磷酸二氢钾晶体或磷酸钛氧铷晶体。
可选地，所述1093nm全反镜镀有1093nm全反膜。
本发明还提供一种泵浦源系统，包括上述基于Nd:MgO:LiNbO3晶体的正交偏振双波长自由调控切换激光器。
本发明提供的技术方案的有益效果是：本发明基于Nd:MgO:LiNbO3晶体出现的双波长现象，在激光谐振腔中加入电光晶体与偏振片，巧妙的利用电光效应实现了正交偏振双波长的自由调控切换输出，保证了输出波长之间的互不干扰，解决了基于Nd:MgO:LiNbO3晶体正交偏振双波长激光器无法精确调控波长输出的问题，最终成功实现了基于Nd:MgO:LiNbO3晶体高功率正交偏振双波长的自由调控切换输出。
附图说明
图1为根据本发明一实施例的一种基于Nd:MgO:LiNbO3晶体1μm正交偏振双波长自由调控切换激光器的结构示意图。
图1中，各附图标记所指代的结构组件为：
1：激光二极管泵浦源； 2：1084nm谐振腔全反镜；
3：偏振片； 4：Nd:MgO:LiNbO3晶体；
5：输出镜； 6：电光晶体(LN、KD*P、RTP等)；
7：1093nm全反镜；
图2为根据本发明一实施例的双波长激光输出功率随泵浦功率的变化示意图。
图3为根据本发明一实施例的1084nm与1093nm激光交替输出示意图。
图4为根据本发明一实施例的双波长与单波长交替输出示意图。
具体实施方式
下文中，将参考附图详细描述本公开实施例的示例性实施方式，以使本领域技术人员可容易地实现它们。此外，为了清楚起见，在附图中省略了与描述示例性实施方式无关的部分。
在本公开实施例中，应理解，诸如“包括”或“具有”等的术语旨在指示本说明书中所公开的特征、数字、步骤、行为、部件、部分或其组合的存在，并且不欲排除一个或多个其他特征、数字、步骤、行为、部件、部分或其组合存在或被添加的可能性。
另外还需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开实施例。
图1为根据本发明一实施例的一种基于Nd:MgO:LiNbO3晶体1μm正交偏振双波长自由调控切换激光器的结构示意图，如图1所示，所述激光器包括激光二极管泵浦源1、1084nm谐振腔全反镜2、偏振片3、Nd:MgO:LiNbO3晶体4、输出镜5、电光晶体6和1093nm全反镜7，其中：
所述激光器的水平光路上从左至右依次放置有激光二极管泵浦源1、1084nm谐振腔全反镜2、偏振片3、Nd:MgO:LiNbO3晶体4和输出镜5；
所述激光二极管泵浦源1用于发射泵浦光；
所述1084nm谐振腔全反镜2沿水平光路放置，用于反射从Nd:MgO:LiNbO3晶体4出射的1084nm激光，使1084nm激光在所述1084nm谐振腔全反镜2和输出镜5构成的1084nm谐振腔内振荡；
所述偏振片3放置在1084nm与1093nm谐振腔的交叉处，与水平光路成45度角放置，用于分离正交偏振双波长；
所述Nd:MgO:LiNbO3晶体4沿水平光路放置，用于出射1084nm和1093nm激光；
所述输出镜5沿水平光路放置，用于输出1084nm和1093nm激光；
所述电光晶体6和1093nm全反镜7依次放置在所述偏振片3的反射光路上；
所述电光晶体6处于1093nm谐振腔中，用于在外加电压的作用下改变1093nm激光的偏振态；
所述1093nm全反镜7放置在所述电光晶体6的光路后端，用于反射1093nm激光，使1093nm激光两次通过所述电光晶体6，并在所述1093nm全反镜7、偏振片3和输出镜5构成的1093nm谐振腔内振荡。
在本发明一实施例中，所述激光二极管泵浦源1的波长为813nm，纤芯半径为200μm、数值孔径为0.22，经1:2耦合镜筒后发射半径为400μm的泵浦光斑，后续通过所述1084nm谐振腔全反镜2和偏振片3后聚焦于所述Nd:MgO:LiNbO3晶体4的端面上。
在本发明一实施例中，所述1084nm谐振腔全反镜2为平平镜，且镀有1084nm/1093nm全反膜。
在本发明一实施例中，所述偏振片3镀有1084-1093nm偏振膜，对S偏振光高度反射，对P偏振光高度透射。
在本发明一实施例中，所述Nd:MgO:LiNbO3晶体4采用a轴切割，晶体尺寸为：厚×宽×长＝2mm×6mm×40mm，MgO掺杂浓度设置为5％，Nd3+离子掺杂浓度设置为0.4％，两端面镀有813nm泵浦光和1084nm、1093nm基频光增透膜，所述Nd:MgO:LiNbO3晶体4以此搭建1084nm谐振腔和1093nm谐振腔，其中，所述1084nm谐振腔由1084nm谐振腔全反镜2和输出镜5构成，所述1093nm谐振腔由1093nm全反镜7、偏振片3和输出镜5构成。
在本发明一实施例中，所述输出镜5为平凹镜，且镀有1084nm/1093nm增透膜，透过率为6％。
在本发明一实施例中，所述电光晶体6镀有1μm激光增透膜，当所述电光晶体两端加入λ/4电压时，能够使激光的相位延迟π/2。其中，所述电光晶体6可选为铌酸锂(LN)晶体、磷酸二氢钾(KD*P)晶体或磷酸钛氧铷(RTP)晶体等等。
在本发明一实施例中，所述1093nm全反镜7镀有1093nm全反膜。
图2为根据本发明一实施例的双波长激光输出功率随泵浦功率的变化示意图，在图2示例中，泵浦光斑半径为0.4mm。
所述电光晶体6产生相位差δ与加在其上的电压V之间存在如下关系：
Figure BDA0002782844020000061
其中，λ为入射激光波长，n0为寻常光折射率，rij为晶体电光系数。
由上式可以看出，相位差δ为加在所述电光晶体6上的电压V的线性函数。因此，产生π/2延迟所需的电压为：
Figure BDA0002782844020000062
进一步的，根据Fuchtbauer-Ladenbury公式，可以计算出Nd:MgO:LiNbO3晶体4有效的受激发射截面为：
Figure BDA0002782844020000063
其中，I是作为波长函数的荧光强度，I(λ)表示波长λ处的荧光强度，n为材料折射率，c为光速，τ为上能级的辐射寿命，βj为分支比，比如对于4F3/2→4I11/2测得的分支比为0.44。
从上式(1-3)中可以看出，σλ与I(λ)λ5成正比，含有比例因子3βj/8πn2cτ∫λIdλ。因此，受激发射截面比Re可表示为：
Figure BDA0002782844020000064
通过上式可以发现，1093nm与1084nm两种谱线的受激发射截面比是温度T的函数，当受激发射截面比小于1时，自由运转状态下的基频光输出波长为1084nm，当受激发射截面比大于1时，基频光的输出波长为1093nm，若不加以控制，a切Nd:MgO:LN晶体的输出波长会随着晶体温度的升高，在某一泵浦功率下由1084nm变为1093nm。
另外，在高泵浦功率下，热效应严重，使得两条激光谱线的受激发射截面比开始得到反转，双波长激光开始出现，随着泵浦光功率的进一步提高，激光总功率略微下降，1084nm振荡减弱，1093nm振荡在此时刚刚出现，1093nm的受激发射截面逐渐抑制1084nm的激光振荡，最终得到了3.39W的双波长激光与最高6.76W的1093nm的单波长激光输出。
具体地，由图2可知，当低功率泵浦时，Nd:MgO:LiNbO3晶体4只出射1084nm激光，1084nm激光为P偏振光，会直接透过偏振片3，再由1084nm谐振腔全反镜2反射回谐振腔，所以此时谐振腔内只有1084nm激光稳定振荡，即激光器此时只输出波长为1084nm的激光。
当高功率泵浦时，热效应严重，使得两条激光谱线的受激发射截面比开始得到反转，1093nm激光开始出现，此时1084nm与1093nm双波长出现模式竞争现象，两种波长均有可能产生，但在不加入外部干扰的情况下，1093nm的激光在模式竞争中占据主导地位。此时1093nm与1084nm两种谱线的受激发射截面比大于1，即1093nm激光具有更高的增益，所以激光器输出波长为1093nm的激光。
Nd:MgO:LiNbO3晶体4出射的1084nm激光为P偏振，1093nm激光为S偏振，经过偏振片3时，由于偏振片的性质，会让P偏振光高度透射，S偏振光高度反射，即1093nm激光反射进入电光晶体6，而1084nm激光透过偏振片3。在电光晶体6两端加入λ/4电压，1093nm激光透过电光晶体6时会由线偏振光变成圆偏振光，再由1093nm全反镜7反射再次进入电光晶体6，出射光为线偏振光，但偏振方向已与原来相比旋转90度，则此时1093nm激光会透过偏振片3，从谐振腔中溢出无法稳定振荡，此时在模式竞争过程中，1093nm激光损耗近似于无限大，则1084nm激光具有较高增益，因此谐振腔中只有1084nm激光稳定振荡并透过右端输出镜5稳定输出。当电光晶体撤去λ/4电压时，1093nm激光两次透过电光晶体6偏振方向不改变，所以仍会被偏振片3反射进入谐振腔，在高功率泵浦机制下，恢复到不加外部控制的状态，1093nm的激光在模式竞争中占据主导地位。此时1093nm与1084nm两种谱线的受激发射截面比大于1，即1093nm激光具有更高的增益，因此谐振腔中只有1093nm激光在谐振腔中稳定振荡，所以透过右端输出镜5稳定输出的激光波长为1093nm。
上述1084nm与1093nm激光交替输出的示意图如图3所示。
0—λ/4电压对应于1093nm激光的外加腔内损耗为0—无限大。由于电光晶体6所产生的相位延迟与加在其两端的电压存在线性关系，即可以实现1093nm激光的外加腔内损耗的线性调节，因此可以实现1084nm与1093nm激光不同配比的输出。
在如图2所示的双波长功率区域，通过对电光晶体6加载电压的控制能够调节1093nm激光的腔内损耗，在电光晶体6两端加入λ/8电压，可以使得1093nm与1084nm激光的损耗相当，进而可以得到正交偏振双波长激光的同步输出。在电光晶体6两端加λ/4电压时，腔内只有1084nm激光稳定振荡，即输出镜5处只输出1084nm激光。当电光晶体6两端不加电压时，1093nm和1084nm激光存在模式竞争现象，1093nm的激光在模式竞争中占据主导地位，此时腔内只有1093nm激光能够稳定振荡，因此在输出镜5处只输出1093nm激光。如图4所示。
由此通过对电光晶体6加载电压的控制即可完成对交替顺序可变的正交偏振双波长的精确调控。
综上，本发明的目的在于解决基于Nd:MgO:LiNbO3晶体正交偏振双波长激光器无法精确调控波长输出的问题，并获得高功率1084nm与1093nm双波长自由调控切换和双波长的同时输出。

Claims (10)

1.一种基于Nd:MgO:LiNbO3晶体的正交偏振双波长自由调控切换激光器，其特征在于，所述激光器包括：激光二极管泵浦源、1084nm谐振腔全反镜、偏振片、Nd:MgO:LiNbO3晶体、输出镜、电光晶体和1093nm全反镜，其中：
所述激光器的水平光路上从左至右依次放置有激光二极管泵浦源、1084nm谐振腔全反镜、偏振片、Nd:MgO:LiNbO3晶体和输出镜；
所述激光二极管泵浦源用于发射泵浦光；
所述1084nm谐振腔全反镜沿水平光路放置，用于反射从Nd:MgO:LiNbO3晶体出射的1084nm激光，使1084nm激光在所述1084nm谐振腔全反镜和输出镜构成的1084nm谐振腔内振荡；
所述偏振片放置在1084nm与1093nm谐振腔的交叉处，与水平光路成45度角放置，用于分离正交偏振双波长；
所述Nd:MgO:LiNbO3晶体沿水平光路放置，用于出射1084nm和1093nm激光；
所述输出镜沿水平光路放置，用于输出1084nm和1093nm激光；
所述电光晶体和1093nm全反镜依次放置在所述偏振片的反射光路上；
所述电光晶体处于1093nm谐振腔中，用于在外加电压的作用下改变1093nm激光的偏振态；
所述1093nm全反镜放置在所述电光晶体的光路后端，用于反射1093nm激光，使1093nm激光两次通过所述电光晶体，并在所述1093nm全反镜、偏振片和输出镜构成的1093nm谐振腔内振荡。
2.根据权利要求1所述的泵浦源，其特征在于，所述激光二极管泵浦源的波长为813nm，纤芯半径为200μm、数值孔径为0.22，经1:2耦合镜筒后发射半径为400μm的泵浦光斑，通过所述1084nm谐振腔全反镜和偏振片后聚焦于所述Nd:MgO:LiNbO3晶体的端面上。
3.根据权利要求1或2所述的泵浦源，其特征在于，所述1084nm谐振腔全反镜为平平镜，且镀有1084nm/1093nm全反膜。
4.根据权利要求1-3任一所述的泵浦源，其特征在于，所述偏振片镀有1084-1093nm偏振膜，对S偏振光高度反射，对P偏振光高度透射。
5.根据权利要求1-4任一所述的泵浦源，其特征在于，所述Nd:MgO:LiNbO3晶体采用a轴切割，晶体尺寸为：厚×宽×长＝2mm×6mm×40mm，MgO掺杂浓度设置为5％，Nd3+离子掺杂浓度设置为0.4％，两端面镀有813nm泵浦光和1084nm、1093nm基频光增透膜。
6.根据权利要求1-5任一所述的泵浦源，其特征在于，所述输出镜为平凹镜，且镀有1084nm/1093nm增透膜，透过率为6％。
7.根据权利要求1-6任一所述的泵浦源，其特征在于，所述电光晶体镀有1μm激光增透膜，当所述电光晶体两端加入λ/4电压时，能够使激光的相位延迟π/2。
8.根据权利要求1-7任一所述的泵浦源，其特征在于，所述电光晶体为铌酸锂晶体、磷酸二氢钾晶体或磷酸钛氧铷晶体。
9.根据权利要求1-8任一所述的泵浦源，其特征在于，所述1093nm全反镜镀有1093nm全反膜。
10.一种泵浦源系统，其特征在于，包括所述权利要求1-9任一所述的基于Nd:MgO:LiNbO3晶体的正交偏振双波长自由调控切换激光器。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113078541A (zh) * 2021-03-26 2021-07-06 长春理工大学 一种基于Nd:MgO:LN的正交偏振双波长同步加压调Q激光器及方法
CN113258424A (zh) * 2021-05-11 2021-08-13 天津工业大学 双波长脉冲同步Tm,Ho:LLF被动调Q固体激光器
CN114284849A (zh) * 2021-12-30 2022-04-05 云南大学 基于变焦空心光泵浦可调涡旋位相正交圆筒柱矢量激光器
CN114447755A (zh) * 2022-04-11 2022-05-06 天津大学 基于腔内偏振转换器件的正交振荡激光增益自平衡系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102195229A (zh) * 2010-03-02 2011-09-21 中国科学院福建物质结构研究所 新型正交偏振双波长激光器
US20160056605A1 (en) * 2014-08-22 2016-02-25 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Shared multi-wavelength laser resonator with gain selected output coupling
CN110932081A (zh) * 2019-05-09 2020-03-27 长春理工大学 一种电光调q双波长激光交替同轴输出方法及激光器
CN110943366A (zh) * 2019-05-09 2020-03-31 长春理工大学 双波长交替调q输出群脉冲激光器及激光输出方法
CN111431021A (zh) * 2020-03-20 2020-07-17 天津大学 一种正交偏振输出的激光器

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102195229A (zh) * 2010-03-02 2011-09-21 中国科学院福建物质结构研究所 新型正交偏振双波长激光器
US20160056605A1 (en) * 2014-08-22 2016-02-25 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Shared multi-wavelength laser resonator with gain selected output coupling
CN110932081A (zh) * 2019-05-09 2020-03-27 长春理工大学 一种电光调q双波长激光交替同轴输出方法及激光器
CN110943366A (zh) * 2019-05-09 2020-03-31 长春理工大学 双波长交替调q输出群脉冲激光器及激光输出方法
CN111431021A (zh) * 2020-03-20 2020-07-17 天津大学 一种正交偏振输出的激光器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113078541A (zh) * 2021-03-26 2021-07-06 长春理工大学 一种基于Nd:MgO:LN的正交偏振双波长同步加压调Q激光器及方法
CN113258424A (zh) * 2021-05-11 2021-08-13 天津工业大学 双波长脉冲同步Tm,Ho:LLF被动调Q固体激光器
CN114284849A (zh) * 2021-12-30 2022-04-05 云南大学 基于变焦空心光泵浦可调涡旋位相正交圆筒柱矢量激光器
CN114284849B (zh) * 2021-12-30 2024-01-09 云南大学 基于变焦空心光泵浦可调涡旋位相正交圆筒柱矢量激光器
CN114447755A (zh) * 2022-04-11 2022-05-06 天津大学 基于腔内偏振转换器件的正交振荡激光增益自平衡系统

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