CN112405352B - 一种改善抛光头研磨液结晶的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体硅片加工技术领域。一种改善抛光头研磨液结晶的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一,剪裁精抛研磨布,以精抛研磨布作为抛光头保护垫;步骤二,抛光头表面擦拭干净;步骤三,将剪裁好的抛光头保护垫粘附在所述抛光头的上表面。本专利解决了抛光头结晶造成机械伤不良。解决了抛光头停机保养困难.提高产能工作效率。

Description

一种改善抛光头研磨液结晶的方法
技术领域
本发明涉及半导体硅片加工技术领域,具体涉及一种改善抛光头研磨液结晶的方法。
背景技术
在半导体硅片镜面抛光过程中,颗粒的落入无疑是造成机械伤的主要原因,对于镜面抛光工序来说最易产生大颗粒区域为抛光头上研磨液结晶。抛光头结晶长时间堆积,达到一定的厚度在加工产品过程中自然脱落造成机械伤。
传统研磨头的保养方法为1)抛光头停止定盘上铺上塑料薄膜;2)拆去抛光头外罩;3)抛光头涂NaOH药液腐蚀4小时;4)腐蚀结束后使用纯水冲洗抛光头;5)待抛光头NaOH药液冲洗干净使用刀片刮去未腐蚀掉的研磨剂结晶;6)刀片刮干净后在使用纯水冲洗抛光头。
通过上述保养方法对抛光头结晶的清除,常需要大量的人力物力时间停机进行抛光头结晶清除。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供一种改善抛光头研磨液结晶的方法,以解决抛光头上存有研磨液结晶的问题。
本发明的技术方案是:一种改善抛光头研磨液结晶的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一,剪裁精抛研磨布,以精抛研磨布作为抛光头保护垫;
步骤二,抛光头表面擦拭干净;
步骤三,将剪裁好的抛光头保护垫粘附在所述抛光头的上表面。
本专利解决了抛光头结晶造成机械伤不良。解决了抛光头停机保养困难.提高产能工作效率。改善后抛光头保养无需每月停机一天做保养,只需要在平时工作中抛光头保护垫破损污迹更换大约6个月/次。保养方便更换一枚抛光头保护垫3-5分钟完成简单方便。灵活多样可以适应不同抛光设备抛光头,灵活裁剪抛光头大小的保护垫制作防护垫。
进一步优选地,步骤三之后,黏贴完成压去抛光头保护垫上气泡冲洗干净。
进一步优选地,抛光头保护垫通过纯水冲洗干净。避免引入杂质。
进一步优选地,所述抛光头保护垫是一内开圆孔的圆形保护垫。便于匹配抛光头的结构。
进一步优选地,所述抛光头保护垫的外径大于抛光头外径,且差值为28mm-32mm。
进一步优选地,所述抛光头保护垫的内径与传动主轴的外径之间差值为0mm-1mm。
进一步优选地,所述抛光头保护垫的圆孔的内径为130mm,所述圆形保护垫的外径为390mm。
该尺寸适用于抛光头的外径为360mm,抛光头的传动主轴的外径为130mm。
进一步优选地,所述抛光头保护垫上开设有一径向延伸的割痕。
便于抛光头保护垫安装至抛光头上。
进一步优选地,每5-6个月替换一次抛光头保护垫。
进一步优选地,步骤二,通过酒精对抛光头表面擦拭干净。
附图说明
图1为本发明的局部结构示意图。
图中,1为抛光头保护垫,2为抛光头,3为传动主轴。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的说明。
具体实施例1,参见图1,一种改善抛光头研磨液结晶的方法,包括如下步骤:步骤一,剪裁精抛研磨布,以精抛研磨布作为抛光头保护垫1;步骤二,抛光头2表面擦拭干净;步骤三,将剪裁好的抛光头保护垫1粘附在抛光头的上表面。本专利解决了抛光头结晶造成机械伤不良。解决了抛光头停机保养困难.提高产能工作效率。改善后抛光头保养无需每月停机一天做保养,只需要在平时工作中抛光头保护垫破损污迹更换大约6个月/次。保养方便更换一枚抛光头保护垫3-5分钟完成简单方便。
本专利使用现场废弃精抛研磨布按照抛光头尺寸裁剪粘贴;有①节能环保废物在利用②裁剪制作简单工作量少③减少结晶④保持时间长耐用⑤更换保养方便等优点。
步骤三之后,黏贴完成压去抛光头保护垫上气泡冲洗干净。抛光头保护垫通过纯水冲洗干净。避免引入杂质。
抛光头保护垫是一内开圆孔的圆形保护垫。便于匹配抛光头的结构。
抛光头保护垫1的外径大于抛光头外径,且差值为28mm-32mm。抛光头保护垫1的内径与传动主轴3的外径之间差值为0mm-1mm。具体的可以是,所述抛光头保护垫的圆孔的内径为130mm,所述圆形保护垫的外径为390mm。该尺寸适用于抛光头2的外径为360mm,抛光头2的传动主轴3的外径为130mm。抛光头保护垫上开设有一径向延伸的割痕。便于抛光头保护垫安装至抛光头上。
每5-6个月替换一次抛光头保护垫。
步骤二,通过酒精对抛光头表面擦拭干净。
以上仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种改善抛光头研磨液结晶的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一,剪裁现场废弃精抛研磨布,以精抛研磨布作为抛光头保护垫;
步骤二,抛光头表面擦拭干净;
步骤三,将剪裁好的抛光头保护垫粘附在所述抛光头的上表面;
所述抛光头保护垫的外径大于抛光头外径,且差值为28mm-32mm;
所述抛光头保护垫是一内开圆孔的圆形保护垫;
所述抛光头保护垫上开设有一径向延伸的割痕。
2.根据权利要求1所述的一种改善抛光头研磨液结晶的方法,其特征在于:步骤三之后,黏贴完成压去抛光头保护垫上气泡冲洗干净。
3.根据权利要求1所述的一种改善抛光头研磨液结晶的方法,其特征在于:抛光头保护垫通过纯水冲洗干净。
4.根据权利要求1所述的一种改善抛光头研磨液结晶的方法,其特征在于:所述抛光头保护垫的内径与传动主轴的外径之间差值为0mm-1mm。
5.根据权利要求1所述的一种改善抛光头研磨液结晶的方法,其特征在于:所述抛光头保护垫的圆孔的内径为130mm,所述圆形保护垫的外径为390mm。
6.根据权利要求1所述的一种改善抛光头研磨液结晶的方法,其特征在于:每5-6个月替换一次抛光头保护垫。
7.根据权利要求1所述的一种改善抛光头研磨液结晶的方法,其特征在于:步骤二,通过酒精对抛光头表面擦拭干净。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN101357450B (zh) * 2007-08-03 2011-03-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械研磨装置及清洗研磨垫、研磨头的方法
CN102380818A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 无锡华润上华半导体有限公司 化学机械研磨方法和研磨设备
CN103878668A (zh) * 2012-12-20 2014-06-25 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种用于化学机械抛光设备的清洗装置
US9434045B2 (en) * 2014-05-05 2016-09-06 Macronix International Co., Ltd. Planarization device and planarization method using the same
CN204819118U (zh) * 2015-08-14 2015-12-02 麦斯克电子材料有限公司 一种硅片研磨抛光设备
JP6951078B2 (ja) * 2017-02-01 2021-10-20 株式会社ディスコ 研削装置
CN211220219U (zh) * 2019-08-22 2020-08-11 长鑫存储技术有限公司 晶圆研磨装置

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