CN112384847A - 相变材料显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及显示器。在一种布置中提供了多个像素，其中，每个像素包括在多个稳定状态之间可以热切换的相变材料。每个像素包括切换装置，切换装置被配置为响应于控制信号，加热相变材料，从而对相变材料进行热切换。切换装置包括单个电子组件，该单个电子组件能够通过控制信号在不同状态之间切换，并被配置成在像素的相变材料的热切换期间，像素的相变材料接收的热量主要包括在单个电子组件内产生的热量。
Description
技术领域
本发明涉及一种使用相变材料(PCM)的显示器。
背景技术
已知的是，在高分辨率反射显示器和透视显示器中使用PCM。PCM是可以通过电学的、光学的或热学的方式在具有不同光电特性的多个相之间进行切换的材料。由于在完成相变后，不需要持续地供电来维持新的状态，因此双稳态PCM尤其具有吸引力。通过使用快速的热能的脉冲启动PCM中的相变，PCM光电装置能够动态地改变其光学特性。像素可以在微米量级范围内进行切换，以实现高分辨率的显示特性。
虽然PCM显示器的稳定性有利于低能耗，但是在切换过程中仍然会出现能量损耗。
发明内容
本发明的目的是提供一种功耗更低和/或结构更简单的PCM显示器。
根据本发明的一方面，提供了一种显示器，包括多个像素，其中，每个像素包括相变材料元件，该相变材料元件包括可在相对于彼此具有不同折射率的多个稳定状态之间热切换的相变材料；每个像素包括切换装置，该切换装置被配置为响应于切换装置接收的控制信号，加热像素的相变材料，从而对像素的相变材料进行热切换；以及切换装置包括单个电子组件，该单个电子组件能够通过上述控制信号在不同状态之间切换，并被配置成在像素的相变材料的热切换期间，像素的相变材料接收的热量主要包括在单个电子组件内产生的热量。
因此，提供了一种显示器，其中，每个像素中的单个电子组件本质上执行响应于控制信号改变状态以及产生切换像素的PCM所需的热量的双重作用。与使用单独的电阻式加热元件的替代性方法相比，本实施例实现了显著的低功耗和/或能够简化结构和/或提高了紧凑性。
在实施例中，在单个电子组件和PCM元件之间设置有金属散热结构。该金属散热结构将在单个电子组件内产生的热量有效地导向PCM元件，使得能够快速地、可靠地进行切换和/或进一步有助于降低整体功耗。
本公开的实施例尤其可以应用于但不限于“无缝”显示器，其中，诸如反射器之类的光学不透明层被定位在切换装置和可切换的PCM元件之间(从而在使用时使切换装置不可见)，由切换装置提供的加热构成通过光学不透明层传递到PCM元件的信号。
附图说明
现在将参照附图仅以示例的方式对本发明作进一步说明，其中：
图1示意性地描绘了针对包括多个像素的显示器的一部分的驱动电子电路。
图2描绘了用于将示例PCM元件切换到结晶状态(在右图示意性地描绘)的加热器控制周期(左图)。
图3描绘了用于将示例PCM元件切换到非结晶状态(在右图示意性地描绘)的加热器控制周期(左图)。
图4是像素的侧截面示意图。
图5描绘了用于切换图4的像素的电路，包括通过使电流流经半导体装置外部的电阻式加热元件来对相变材料(PCM)元件施加加热的半导体装置。
图6是根据实施例的像素的侧截面示意图。
图7描绘了用于切换图6的像素的电路，包括直接对PCM元件施加加热而不使用半导体装置外部的电阻式加热元件的半导体装置。
图8描绘了图5的电路的变体，其中，被配置作为二极管工作的半导体装置用于通过使电流流经半导体装置外部的电阻式加热元件来对PCM元件施加加热。
图9描绘了图7的电路的变体，其中，被配置作为二极管工作的半导体装置用于直接对PCM元件施加加热，而不使用半导体装置外部的电阻式加热元件。
图10描绘了图5和图8的电路的变体，其中，阈值选择器用于通过使电流流经阈值选择器外部的电阻式加热元件来对PCM元件施加加热。
图11描绘了图7和图9的电路的变体，其中，阈值选择器用于直接将加热曲线应用于PCM元件，而不使用阀值选择器外部的电阻式加热元件。
图12是包括金属散热结构的像素的侧截面示意图。
具体实施方式
在整个本说明书中，使用了术语“光学的”和“光”，因为他们是本领域与电磁辐射有关的常用的术语，但可以理解的是，在本说明书的上下文中，它们不限于可见光。设想本发明还能够用于可见光谱以外的波长，例如红外光和紫外光。
图1描绘了针对显示器的一部分的驱动电子电路2。显示器包括多个像素4。图1描绘了显示器左上角的四个示例性像素4。每个像素4包括包含有PCM元件12的层的堆叠20(示例性堆叠20在图4和图6中示出，并在稍后进一步详细描述)。PCM元件12包括可在相对于彼此具有不同折射率的多个稳定状态之间可逆地切换的PCM。在实施例中，每个像素4的PCM元件12控制像素4的颜色。PCM元件12在包括导致像素4具有不同颜色的至少两种光学状态的一组光学状态之间是可切换的。在实施例中，不同的颜色包括红色和白色、蓝色和白色、或绿色和白色。
可选地，可以提供附加的光学元件，例如控制像素4的整体强度(例如控制灰度等级)的光学元件。例如，每个附加的光学元件可以包括液晶显示器(LCD)元件，该LCD元件包括例如以下中的一个或多个：具有偏振片的LCD、无偏振片的LCD、染料掺杂的LCD。可替选地或者附加地，附加的光学元件可以包括电润湿光学元件或MEMS元件。可以使用任何其他提供所需光学特性(例如灰度控制)的光学元件。
如图4和图6所示，每个像素4包括层的堆叠20。该堆叠20包括PCM元件12。PCM元件12可以提供为横跨多个像素4的连续的PCM的层，或者可以为每个像素4提供单独的PCM单元。每个像素4包括PCM的一部分(形成该像素4的PCM元件12)，(尽管像素4之间可能会有一些串扰，其中，为了切换一个像素4的PCM元件12的加热也会在相邻像素4的PCM元件12中造成一定程度的加热)该PCM的一部分至少主要独立于任何其他像素4的PCM的部分而可热切换。
每个像素4中的PCM可在相对于彼此具有不同折射率的多个稳定状态之间进行切换。在实施例中，切换是可逆的。相对于每个其他稳定状态，每个稳定状态都有不同的折射率(可选地，包括不同的折射率虚分量，从而具有不同的吸光度)。在实施例中，每个堆叠20中的所有层都是固态的，并被配置成使它们的厚度以及折射率和吸收特性结合在一起，从而使PCM的不同状态产生不同的、可见地和/或可测量地不同的反射光谱。这种类型的光学装置在Nature511，206-211(2014年7月10日)、WO2015/097468A1、WO2015/097469A1、EP3203309A1和PCT/GB2016/053196中均有描述。
在实施例中，PCM包括、主要由或由以下一种或多种材料组成：钒的氧化物(也可称为VOx)、铌的氧化物(也可称为NbOx)、包括Ge、Sb和Te的合金或化合物、包括Ge和Te的合金或化合物、包括Ge和Sb的合金或化合物、包括Ga和Sb的合金或化合物、包括Ag、In、Sb和Te的合金或化合物、包括In和Sb的合金或化合物、包括In、Sb和Te的合金或化合物、包括In和Se的合金或化合物、包括Sb和Te的合金或化合物、包括Te、Ge、Sb和S的合金或化合物、包括Ag，Sb和Se的合金或化合物、包括Sb和Se的合金或化合物、包括Ge、Sb、Mn和Sn的合金或化合物、包括Ag、Sb和Te的合金或化合物、包括Au、Sb和Te的合金或化合物、以及包括Al和Sb的合金或化合物(包括以下任何稳定的化学计量的化合物/合金：GeSbTe、VOx、NbOx、GeTe、GeSb、GaSb、AgInSbTe、InSb、InSbTe、InSe、SbTe、TeGeSbS、AgSbSe、SbSe、GeSbMnSn、AgSbTe、AuSbTe和AlSb)。优选地，PCM包括Ge2Sb2Te5和Ag3In4Sb76Te17中的一种。可以理解的是，这些材料的各种化学计量形式也是可能的：例如GexSbyTez；以及另一种合适的材料是Ag3In4Sb76Te17(也称为AIST)。此外，上述材料中的任意一种都可以包括一种或多种掺杂物，例如C或N。还可以使用其他材料。
已知当在非晶相和结晶相之间切换时，PCM的折射率的实部和虚部都会发生剧烈变化。例如，可以通过适当的电脉冲或来自激光光源的光脉冲所引起的加热来实现切换，或者，如下面的实施例中所描述的，通过与PCM热接触的切换装置产生的热量的热传导来实现切换。当材料在非晶相和结晶相之间切换时，折射率会有很大的变化。材料在任何一种状态下都是稳定的。切换可以有效地进行无限次。然而，切换并非一定要是可逆的。
尽管本文描述的一些实施例提到PCM可在两种状态(例如结晶相和非晶相)之间切换，但是转变可以在任何两种固相之间进行，包括但不限于：从结晶相到另一种结晶相或准结晶相，或反之亦然；从非结晶相到结晶相或准结晶相/半有序态，或反之亦然，以及介于两者之间的所有形式。实施例也不限于仅两种状态。
在实施例中，PCM包括在厚度小于200纳米的层中的Ge2Sb2Te5(GST)。在另一实施例中，PCM包括在厚度小于100纳米的层中的GeTe(不一定是等比例的合金)。
提供了多个切换装置22，用于根据需要选择性地驱动每个PCM元件12。每个切换装置22选择性地对所选择的PCM元件12的PCM进行加热，以执行热切换。图2和图3示出了适用于示例性切换(非晶相到结晶相以及结晶相到非晶相)的热加热曲线(温度对时间)的示例。在这里，切换装置22是由控制信号CTRL驱动的。本例中的控制信号CTRL包括两种预定义类型之一的电流脉冲，每种不同类型的脉冲适用于产生适合于不同类型的切换的温度随时间的变化(加热曲线)。
图2中，控制信号CTRL(实线)包括相对低的振幅和长持续时间的脉冲。该脉冲提供了有效地将PCM切换到结晶状态(如右图所示)的第一加热曲线(虚线)。第一加热曲线使得PCM被加热到比PCM的结晶温度TC更高、但低于PCM的熔化温度TM的温度。温度维持在结晶温度TC以上一段时间以足以使PCM结晶。
图3中，控制信号CTRL(实线)包括振幅较高但持续时间较短的脉冲。该脉冲提供了有效地将PCM切换到非晶态(如右图所示)的第二加热曲线(虚线)。第二加热曲线使得PCM被加热到比熔化温度TM更高的温度，导致PCM熔化，但被充分快速地冷却，使再结晶不会过度发生，且PCM冻结成非晶态。
如图2和图3的示例所示，在PCM的加热完成后，PCM保持在所选择的稳定状态(例如非晶态或结晶态)，直到施加进一步的加热。因此，当基于PCM时，像素4无需施加任何信号而自然保持在给定的光学状态，并因此可以以比其他显示技术低得多的功率工作。切换可以有效地进行无限次。切换速度也非常快，通常小于300ns(纳秒)，当然要比人眼能感知的速度快好几个数量级。
在实施例中，每个像素4的堆叠20包括反射层14。反射层14可以跨越多个像素4。反射层14可以被制成高度反射或仅部分反射。反射层14可以被省略。在实施例中，反射层14包括诸如金属之类的反射材料。已知的是，金属可以提供良好的反射率(当足够厚时)，并且还具有高导热性和导电性。对于可见光、红外光和/或紫外光，反射层14可以具有50％或更高的反射比，可选地，为90％或更高，可选地为99％或更高。反射层14可以包括金属薄膜，例如由Au、Ag、Al或者Pt组成。如果这层要部分反射，那么可以选择5到15纳米范围内的厚度，否则这层要做的更厚，例如100纳米，以基本上完全反射。
在实施例中，每个像素4的堆叠20进一步包括间隔层13。间隔层13位于PCM元件12和反射层14之间。
在实施例中，每个像素4的堆叠20进一步包括覆盖层11。PCM元件12位于覆盖层11和反射层14之间。覆盖层11的上表面可以朝向设备的观测侧，并且反射层14在需要作为镜子时可以作为背反射器。光通过观测表面(从图4和图6中的上方)进入和离开。然而，由于取决于PCM的折射率和间隔层13的厚度的干涉效应，反射率随波长而显著变化。间隔层13和覆盖层11都是光学透射的，理想的情况是尽可能透明。
覆盖层11和间隔层13中的每一者可以包括单层，或者包括相对于彼此具有不同折射率的多层(即，在覆盖层11或间隔层13包括多层时，这些层中至少两层相对于彼此具有不同的折射率)。选择形成覆盖层11和/或间隔层13的一个或多个材料的厚度和折射率以(通过干涉和/或吸收)创建所需的光谱响应。可用于形成覆盖层11和/或间隔层13的材料包括(但不限于)ZnO、TiO2、SiO2、Si3N4、TaO、ITO和ZnS-SiO2。
在实施例中，堆叠20进一步包括在切换装置22和堆叠20(在切换装置22之上)的层之间的阻挡层(未示出)。在实施例中，阻挡层是具有热传导性的电绝缘体，使得阻挡层将切换装置22与PCM电绝缘，但是使得来自切换装置22的热量能够经过阻挡层传递到PCM，以改变PCM的状态，例如响应于第一加热曲线改变到结晶态，以及响应于第二加热曲线改变到非晶态。在示例性实施例中，阻挡层包括以下材料中的一种或多种：SiN、AlN、SiO2、碳化硅(SiC)和金刚石(C)。
每个像素4中的任何或所有层可以通过溅射形成，溅射可以在100摄氏度的相对低温下进行。还可以使用从光刻技术或其他技术(如印刷)中已知的常规技术对层进行图案化。如有需要，还可以为装置提供附加层。
在具体实施例中，PCM元件12包括GST，厚度小于100nm，并且优选小于10nm，例如6nm或7nm厚。根据所需的颜色和光学特性，将间隔层13生长为具有通常在10nm到250nm的范围内的厚度。例如，覆盖层11的厚度为20nm。
图1中示意性地示出了示例性驱动电子电路2。驱动控制器42包括行驱动器44和列驱动器46。行驱动器44和列驱动器46通过行信号线51和列信号线52向像素4提供驱动信号。行信号线51通过与像素4对应的行连接53连接到每个像素4。列信号线52通过与像素4对应的列连接54连接到每个像素4。行信号线51和列信号线52通过与像素4对应的行连接53和列连接54向像素4施加行控制信号和列控制信号的组合，使得能够对每个像素4进行单独寻址。
每个像素4包括切换装置22。切换装置22响应于切换装置22(例如，如图1所示，通过行信号线51和列信号线52)接收的控制信号，将加热曲线(例如，图2和图3所示以及如上文所讨论的)施加到像素4的PCM元件12。
在图4所示的布置中，切换装置22包括电阻式加热元件15。例如，电阻式加热元件15可以包括金属材料或金属合金材料，或非金属材料或金属氧化物(例如ITO)材料。图5描绘了用于驱动图4中所示像素4的示例性电路。当通过相应的行信号线51和列信号线52寻址到像素4时，薄膜晶体管(TFT)16作为开关工作，并选择性地驱动电流流经电阻式加热元件15。因此，本示例中的切换装置22包括两个元件：TFT 16和电阻式加热元件15。
发明人发现，在图4和图5中所示类型的布置的工作期间，TFT 16内产生了显著的加热。但这种加热并没有最佳地有助于像素4中的PCM元件12的切换，因为该切换主要是通过单独的电阻式加热元件15内的焦耳加热来实现的。TFT 16中产生的大部分热量都简单地损失掉了。发明人已经认识到，这种能量反而能够直接用于切换(或帮助切换)PCM。在下面描述的实施例中，利用这种认知来提供能够更有效地实现切换(总体使用更少的功率)和/或使用更简单和/或更紧凑的结构的布置。
图6和图7描绘了示例性实施例的像素4。像素4包括切换装置22。切换装置22包括能够通过控制信号在不同状态之间切换(例如，以开关的方式在导通状态和截止状态之间进行切换，导通状态是电流能够比在截止状态下更容易流过单个电子元件的状态)的单个电子组件16。单个电子组件16被配置成在热切换期间(例如，在行控制信号和列控制信号对像素4进行寻址时)，PCM元件12接收的热量主要包括在单个电子组件16内产生并从单个电子组件16传导到PCM元件12的热量。在PCM的热切换过程中，每个像素4被配置成在单个电子组件16中比在像素4中的其他位置产生的热量多。因此，图6和图7的结构与图4和图5的结构的区别在于切换装置22不包括任何单独的电阻式加热元件15。相反，切换功能和所需的加热是在同一个单个电子组件16(在所示的示例中为TFT)内部提供的。因此，最大限度地使用了用于响应于控制信号而进行切换的电子组件中不可避免地产生的热量。因此，与在图4和图5中所描述类型的布置相比，可以更好地利用功率。去除对单独的电阻式加热元件15的需要，也使得像素4的整体结构更简单、更易于制造、并且在垂直方向上更加紧凑。
在实施例中，单个电子组件16的第一端子(例如，源极或漏极)直接连接(即不通过任何其他电子组件，如电阻)到行信号线51中的一个，单个电子组件16的第二端子(例如，栅极端子)直接连接(即不通过任何其他电子组件，如电阻)到列信号线52中的一个。在图7的具体示例中，单个电子组件16的第一端子和第二端子(分别是源极和栅极)分别在点53和点54直接连接到行信号线51和列信号线52。与之不同，在图5中，TFT 16与列信号线52在点54处直接连接，但TFT 16与行信号线51在点53处没有直接连接(而是通过电阻式加热元件15连接)。
单个电子组件16可以采取各种形式。
在一类实施例中，单个电子组件16包括半导体装置。在实施例中，半导体装置包括有源开关。在实施例中，半导体装置包括TFT(如图7的示例所示)。
在TFT内产生的加热功率等于TFT的导通电阻乘以流经TFT的电流的平方。热量主要是在TFT的沟道内产生的。能够使用本领域的公知技术根据需要通过改变迁移率和尺寸来控制沟道电阻。在非限制性的示例中，用于驱动PCM元件12中的转变的功率点可以是用于转变到非晶态的约400mW(对应图2中CTRL脉冲的高度)和用于转变到结晶态的约200mW(对应图3中CTRL脉冲的高度)。使用图4和图5中所示类型的方法，n型TFT在饱和时的导通电阻为200欧姆，电阻加热元件15也为200欧姆(针对最大功率传输)，在TFT 16和电阻加热元件15中耗散的功率将大致相同(对于非晶相转变，使用V＝18V和I＝45mA，各约400mW；对于结晶相转变，使用V＝12.65V和I＝31.6mA，各约200mW；分别总计800mW和400mW)。在图4和图5的方法中，只需在TFT中产生400mW或200mW，从而有效地将每个像素4的功率需求减半。在更低功率的实施例中(例如，非晶相转变为40mW，结晶相转变为20mW)，情况将是类似的，在总体功率需求上同样节省50％。
图9描绘了包括二极管的单个电子组件16的替代性实施例。二极管可以使用双端子TFT来实现，例如通过将三端子TFT自偏置(例如，通过连接漏极和栅极)来实现。创建的二极管连接的TFT具有像标准二极管一样的整流特性，但也具有可以根据迁移率和W/L比进行选择的阻抗。漏电流和TFT一样低，且与阈值选择器(下文讨论)相比，整流比可以做得非常大。图8描绘了使用单独的电阻式加热元件15的对比布置，以便进行比较。
图11描绘了可替代的实施例，其中，单个电子组件16包括阈值选择器，阈值选择器包括具有电阻的阈值材料，当阈值电流流经阈值材料时，电阻发生变化。在本实施例中，电阻的变化是可以由控制信号启动的单个电子组件16的状态变化的示例。在实施例中，阈值材料包括金属绝缘体转变(MIT)材料。在阈值材料中耗散的功率等于阈值材料的导电状态电阻乘以流经的电流的平方。当阈值电流流经时，显示电阻发生变化的示例性阈值材料包括氧化铌、氧化钒和氧化钛。图10描绘了使用单独的电阻式加热元件15的对比布置，以便进行比较。
在一类实施例中，阈值选择器的开/关比在10/1到20/1的范围内，例如，在高阻抗状态下为10k欧姆以及在低阻抗状态下为500欧姆。当电流流过时，阈值选择器改变其阻抗，并产生焦耳加热。然后，该加热能够用于切换PCM元件12。
在图10所示类型的典型实施例中，将使电阻式加热元件15的电阻等于阈值选择器的低阻抗值。与上文所讨论的图5和图8的布置一样，这导致总功率是所需功率的两倍。通过使用阈值选择器本身作为加热器，如图11所示类型的布置可以节省一半的功率。
图12是具有金属散热结构33的像素4的侧截面图，该金属散热结构用于将热量从单个电子组件16导向(堆叠20中的)PCM元件。在所示的具体示例中，单个电子组件16包括在基板上形成的TFT。在实施例中，基板被配置为具有低导热性，从而减少在远离PCM元件12的方向上的热量损失。例如，基板可以包括聚酰亚胺(PI)。TFT包括源极61、沟道62、漏极63和栅极64。在单个电子组件16和(堆叠20中的)PCM元件之间设置有金属散热结构33。在所示的示例中，金属散热结构33被设置为与源极61和漏极63热接触。在电绝缘的平坦化层32中设置有氧化物层31并嵌入有金属散热器结构33。金属散热结构33提升了热量从单个电子组件16传导到PCM的效率，从而避免了热能的损耗，并促进了快速的、高效的和/或可靠的切换。
Claims (16)
1.一种显示器，包括：
多个像素，其中：
每个像素包括相变材料元件，所述相变材料元件包括能在相对于彼此具有不同折射率的多个稳定状态之间进行热切换的相变材料；
每个像素包括切换装置，所述切换装置被配置为响应于所述切换装置接收的控制信号，加热所述像素的所述相变材料，从而对所述像素的所述相变材料进行热切换；以及
所述切换装置包括单个电子组件，所述单个电子组件能够通过所述控制信号在不同状态之间切换，并被配置成在所述像素的所述相变材料的热切换期间，所述像素的所述相变材料接收的热量主要包括在所述单个电子组件内产生的热量。
2.根据权利要求1所述的显示器，其中，每个像素被配置成在所述相变材料的热切换期间，在所述单个电子组件内比在所述像素内的其他地方产生的热量更多。
3.根据权利要求1或2所述的显示器，进一步包括：
行信号线和列信号线，被配置为通过经由对应于所述像素的所述行信号线对所述像素施加行控制信号以及经由对应于所述像素的所述列信号线对所述像素施加列控制信号的组合，使得能够对每个像素单独寻址；
其中，所述单个电子组件的第一端子直接连接到所述行信号线之一，所述单个电子组件的第二端子直接连接到所述列信号线之一。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示器，其中，每个像素的所述单个电子组件包括半导体装置。
5.根据权利要求4所述的显示器，其中，所述半导体装置包括有源开关。
6.根据权利要求4或5所述的显示器，其中，所述半导体装置包括薄膜晶体管。
7.根据权利要求6所述的显示器，其中，所述薄膜晶体管被配置为作为二极管工作。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的显示器，其中，在所述相变材料的热切换期间，在所述半导体装置内产生的热量主要是在所述薄膜晶体管的沟道内产生的。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的显示器，其中，所述单个电子组件包括阈值选择器，所述阈值选择器包括具有电阻的阈值材料，当阈值电流流经所述阈值材料时，所述电阻发生变化。
10.根据权利要求9所述的显示器，其中，所述阈值材料包括金属绝缘体转变材料。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的显示器，其中，在所述单个电子组件和所述相变材料元件之间设置有金属散热结构。
12.根据权利要求11所述的显示器，其中，所述金属散热结构嵌入在平坦化层内。
13.根据权利要求12所述的显示器，其中，所述平坦化层是电绝缘的。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的显示器，其中，所述相变材料包括以下一种或多种材料：
钒的氧化物；
铌的氧化物；
包括Ge、Sb和Te的合金或化合物；
包括Ge和Te的合金或化合物；
包括Ge和Sb的合金或化合物；
包括Ga和Sb的合金或化合物；
包括Ag、In、Sb和Te的合金或化合物；
包括In和Sb的合金或化合物；
包括In、Sb和Te的合金或化合物；
包括In和Se的合金或化合物；
包括Sb和Te的合金或化合物；
包括Te、Ge、Sb和S的合金或化合物；
包括Ag，Sb和Se的合金或化合物；
包括Sb和Se的合金或化合物；
包括Ge、Sb、Mn和Sn的合金或化合物；
包括Ag、Sb和Te的合金或化合物；
包括Au、Sb和Te的合金或化合物；以及
包括Al和Sb的合金或化合物。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的显示器，其中，每个像素包括层的堆叠，所述层的堆叠包括设置在所述相变材料元件和反射层之间的间隔层，其中，所述间隔层包括单层或者包括具有不同折射率的材料的多层。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的显示器，其中，每个像素包括层的堆叠，所述层的堆叠包括覆盖层，其中，所述相变材料元件设置在所述覆盖层和反射层之间，并且所述覆盖层包括单层或包括具有不同折射率的材料的多层。
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